JPS6212185A - 石英基板に超高周波回路用Ｃｕ薄膜を形成する方法 - Google Patents

石英基板に超高周波回路用Ｃｕ薄膜を形成する方法

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JPS6212185A
JPS6212185A JP15115885A JP15115885A JPS6212185A JP S6212185 A JPS6212185 A JP S6212185A JP 15115885 A JP15115885 A JP 15115885A JP 15115885 A JP15115885 A JP 15115885A JP S6212185 A JPS6212185 A JP S6212185A
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JP
Japan
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quartz substrate
thin film
film
formation
forming
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JPH0570711B2 (ja
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森　賢也
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Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/40—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal all coatings being metal coatings

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  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、超高周波回路用Ｃｕ薄膜付石英基板の製造方
法、詳しくは石英基板にＣｕ薄膜を形成する方法に関す
る。
（従来技術とその問題点） 従来の超高周波回路用ＣｕＦ！膜付基板は、石英基板に
直接マグネトロンスパッター法によりＣｕ薄膜を形成し
たものであるが、Ｃｕ薄膜の付着力が弱いという問題点
がある。
（発明の目的） 本発明は、上記問題点を解消すべくなされたもので、石
英基板に強固にＣｕ’ｉ；Ｊ膜を付着形成することので
きる方法を提供することを目的とするものである。
（発明の構成） 上記目的を達成するために本発明の石英基板にＣｕ薄膜
を形成する方法は、石英基板に、平均膜厚１０〜１００
０人のＭｏ膜を形成し、然る後Ｃｕ薄膜を形成すること
を特徴とする石英基板にＣｕ薄膜を形成することを特徴
とする。
石英基板に、中間層としてＭｏ膜を形成する理由は、Ｍ
ｏがＴｉ等のように０□との親和性が強くない為、Ｃｕ
が付着し易いからであり、またそのＭｏ膜を形成する際
、スパッター装置の真空度は５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ程度
で充分で操作し易いからである。またエツチングでパタ
ーンを作る時、塩化第二鉄（ＦｅＣｊ！＊）が使えるの
で、ホトレジストの耐薬品性等を考慮しなくてもよいか
らである。
然して、Ｍｏ膜の平均膜厚を１０〜１０００人とした理
由は、１０人未満ではＣｕ膜の付着力が強くならず、１
０００人を超、えると異層となって、超高周波回路に悪
影響を及ぼすからである。
（実施例） 本発明による石英基板にＣｕ層膜を形成する方法の一実
施例について説明する。先ず石英基板を洗浄した後、ス
パッタ装置にセットする。この時、第１陰極にはＭｏを
、第２陰極にＣｕをセントする、次にスパッタ装置内を
５　Ｘ　１０−５Ｔｏ　ｒ　ｒの真空度に真空引きした
後、３Ｘ１０−３ＴｏｒｒのＡｒガス中で高周波エツチ
ングを３分間行った。
次いで第１陰極のＭｏをＤ　Ｃ０，５Ａで１０秒間スパ
ッタした後、第２陰極よりＣｕをＤＣ４Ａで８分間スパ
ッタした。１０分間冷却した後、スパッタ装置内よりＣ
ｕ１ｌ膜付石英基板を取出した。このＣｕ薄膜付石英基
板のＣｕ層は１μｍ、Ｍａｉｌは１３人であった。
然してこのＣｕ薄膜付石英基板をセロテープによる剥離
試験をしたところＣｕ薄膜は全く剥離することが無かっ
た。
また他のＭＯ厚６〜５０００人の場合についてセロテー
プによるＣｕ薄膜の剥離試験をおこなった処、６人で既
に接着効果が現われ、前記実施例のＭＯ厚１３人では全
＜Ｃｕ薄膜が剥離しなかった。これに対しＭｏの中間層
を形成しなかったＣｕｉ膜付石英基板のＣｕ薄膜は何の
抵抗も無くセロテープで剥離した。
（発明の効果） 以上の説明で判るように本発明は、石英基板に平均膜厚
１０〜１０００人のＭｏ膜を形成し、然る後Ｃｕ薄膜を
形成するので、そのＣｕ１ｌ膜はＭｏ膜に強固に付着し
、またＭｏ膜は石英基板に接着するので、結局Ｃｕ薄膜
は石英基板に強固に付着されて剥離することがない。又
Ｍｏ膜は１０〜１０００人と橿めて薄いので、超高周波
回路に使用した際、悪影響を及ぼすことがない等の効果
がある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　石英基板に、平均膜厚１０〜１０００ÅのＭｏ膜を形
    成し、然る後Ｃｕ薄膜を形成することを特徴とする石英
    基板にＣｕ薄膜を形成する方法。
JP15115885A 1985-07-09 1985-07-09 石英基板に超高周波回路用Ｃｕ薄膜を形成する方法 Granted JPS6212185A (ja)

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JPS6212185A true JPS6212185A (ja) 1987-01-21
JPH0570711B2 JPH0570711B2 (ja) 1993-10-05

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02229742A (ja) * 1989-02-28 1990-09-12 Sekisui Chem Co Ltd 遮音性合わせガラス
US11814598B2 (en) 2018-03-21 2023-11-14 Cargill, Incorporated Synthetic ester and mineral oil dielectric fluids with increased stability

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5520228A (en) * 1978-07-26 1980-02-13 Sharp Corp Forming method for selectively absorbing film
JPS5559793A (en) * 1978-10-30 1980-05-06 Tokyo Shibaura Electric Co Printed circuit board
JPS5814078A (ja) * 1981-07-18 1983-01-26 Ricoh Elemex Corp 体温・脈はく計付電子時計

Patent Citations (3)

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JPH0570711B2 (ja) 1993-10-05

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