JPH0697616A - フレキシブル回路基板用材料 - Google Patents
フレキシブル回路基板用材料Info
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- JPH0697616A JPH0697616A JP4247871A JP24787192A JPH0697616A JP H0697616 A JPH0697616 A JP H0697616A JP 4247871 A JP4247871 A JP 4247871A JP 24787192 A JP24787192 A JP 24787192A JP H0697616 A JPH0697616 A JP H0697616A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 芳香族ジカルボン酸とジアミンから成るポリ
イミドフィルムにおいて原料のアミン成分として４、
４’−ビス−（３−アミノフェノキシ）ビフェニルを含
むポリイミドフィルムを用い当該ポリイミドフィルム上
の少なくとも片面上に第一の金属薄膜、第二の金属薄膜
の順に積層して形成されたフレキシブル回路基板用材
料。 【効果】 高温時における金属層とポリイミドフィルム
との接着力の低下を抑制した信頼性の高い金属層／ポリ
イミドフレキシブル回路基板用材料が提供される。
イミドフィルムにおいて原料のアミン成分として４、
４’−ビス−（３−アミノフェノキシ）ビフェニルを含
むポリイミドフィルムを用い当該ポリイミドフィルム上
の少なくとも片面上に第一の金属薄膜、第二の金属薄膜
の順に積層して形成されたフレキシブル回路基板用材
料。 【効果】 高温時における金属層とポリイミドフィルム
との接着力の低下を抑制した信頼性の高い金属層／ポリ
イミドフレキシブル回路基板用材料が提供される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリイミドフィルムの片
面および両面に金属薄膜を有するフレキシブル回路基板
用材料に関し、特に、金属薄膜とポリイミドフィルムと
の接着性における常態接着強度、並びに高温耐久性につ
いて良好なフレキシブル回路基板用材料に関する。
面および両面に金属薄膜を有するフレキシブル回路基板
用材料に関し、特に、金属薄膜とポリイミドフィルムと
の接着性における常態接着強度、並びに高温耐久性につ
いて良好なフレキシブル回路基板用材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】フレキシブル回路基板材料には、絶縁性
のポリイミドからなるポリマーフィルムと膜厚約１０μ
ｍ以上の、一般的には３５μｍ程度の金属箔とを、接着
剤で接合したものがある。しかしながら、接着剤の熱的
性能がポリマーフィルムの性能に劣ることや、金属箔の
膜厚が１０μｍ以上と厚いために数十μｍの微細加工が
困難である等の理由から半導体産業における高密度配線
に対応することができなかった。また、これら材料は寸
法安定性が悪く、製品がそりあがる等の問題があった。
のポリイミドからなるポリマーフィルムと膜厚約１０μ
ｍ以上の、一般的には３５μｍ程度の金属箔とを、接着
剤で接合したものがある。しかしながら、接着剤の熱的
性能がポリマーフィルムの性能に劣ることや、金属箔の
膜厚が１０μｍ以上と厚いために数十μｍの微細加工が
困難である等の理由から半導体産業における高密度配線
に対応することができなかった。また、これら材料は寸
法安定性が悪く、製品がそりあがる等の問題があった。
【０００３】これらの問題を解決するために真空蒸着、
スパッタリング等の薄膜形成方法により接着剤なしでポ
リマーフィルム上に金属薄膜を形成する技術が検討され
てきた。この様な材料においては、これらの薄膜形成法
により得られる金属薄膜の膜厚は１０μｍ以下で形成す
ることが可能なために数十μｍの微細加工も容易であ
る。また、形成された回路パターンを基にして電解メッ
キ等によりさらに金属を堆積、成長させることが出来る
ため、微細加工された電気導体の形成が可能である。
スパッタリング等の薄膜形成方法により接着剤なしでポ
リマーフィルム上に金属薄膜を形成する技術が検討され
てきた。この様な材料においては、これらの薄膜形成法
により得られる金属薄膜の膜厚は１０μｍ以下で形成す
ることが可能なために数十μｍの微細加工も容易であ
る。また、形成された回路パターンを基にして電解メッ
キ等によりさらに金属を堆積、成長させることが出来る
ため、微細加工された電気導体の形成が可能である。
【０００４】この技術は半導体産業における高密度配線
を可能にする技術であるが、回路形成工程や電解メッキ
工程等の後工程における接着力低下、及び高温加熱時で
の金属層／ポリミドフィルム界面の密着力低下が問題と
なっていた。特開平０２−９８９９４号公報には、０．
０１〜５μｍのクロム層をスパッタリングで形成するこ
と、特開昭６２−１８１４８８号公報には５ｎｍ〜１０
００ｎｍのニッケル層やニッケルークロム層を蒸着で形
成すること、特開昭６２−６２５５１号公報にはクロム
層を蒸着で形成すること、特開昭６２−４７９０８号公
報にはニッケル層を蒸着して形成すること、特開昭６１
−１２８５９３号公報には金属層を蒸着して形成するこ
と、特公昭５７−１８３５７号公報にはニッケル、コバ
ルト、ジルコニウム、パラジウム等の金属層をイオンプ
レーティング法で形成すること、特公昭５７−１８３５
６号公報にはニッケル、ニッケル含有の合金層をイオン
プレーティング法で形成すること等の技術がすでに開示
されている。しかしながら、これら公知の技術は一部成
功をおさめているものの、半導体産業における高密度配
線を可能にするための材料としては、未だ満足される性
能にはなく実用化の足かせになっている。すなわち、リ
ソグラフィー技術を用いる回路パターン形成工程や通電
抵抗の低下や機械的強度向上のために形成パターン上に
金属層を積層する電解メッキ工程等において金属層がポ
リイミドフイルムから剥離する問題は一部解決されたも
のの、金属層／ポリイミドフイルムからなるフレキシブ
ル回路基板用材料のめざす本来の特徴である耐熱性にお
いて十分な性能が達成できていなかった。
を可能にする技術であるが、回路形成工程や電解メッキ
工程等の後工程における接着力低下、及び高温加熱時で
の金属層／ポリミドフィルム界面の密着力低下が問題と
なっていた。特開平０２−９８９９４号公報には、０．
０１〜５μｍのクロム層をスパッタリングで形成するこ
と、特開昭６２−１８１４８８号公報には５ｎｍ〜１０
００ｎｍのニッケル層やニッケルークロム層を蒸着で形
成すること、特開昭６２−６２５５１号公報にはクロム
層を蒸着で形成すること、特開昭６２−４７９０８号公
報にはニッケル層を蒸着して形成すること、特開昭６１
−１２８５９３号公報には金属層を蒸着して形成するこ
と、特公昭５７−１８３５７号公報にはニッケル、コバ
ルト、ジルコニウム、パラジウム等の金属層をイオンプ
レーティング法で形成すること、特公昭５７−１８３５
６号公報にはニッケル、ニッケル含有の合金層をイオン
プレーティング法で形成すること等の技術がすでに開示
されている。しかしながら、これら公知の技術は一部成
功をおさめているものの、半導体産業における高密度配
線を可能にするための材料としては、未だ満足される性
能にはなく実用化の足かせになっている。すなわち、リ
ソグラフィー技術を用いる回路パターン形成工程や通電
抵抗の低下や機械的強度向上のために形成パターン上に
金属層を積層する電解メッキ工程等において金属層がポ
リイミドフイルムから剥離する問題は一部解決されたも
のの、金属層／ポリイミドフイルムからなるフレキシブ
ル回路基板用材料のめざす本来の特徴である耐熱性にお
いて十分な性能が達成できていなかった。
【０００５】例えば、空気中１５０℃程度の温度で２４
時間程度加熱処理しただけで、金属層とポリイミドフイ
ルムの接着性が著しく低下する問題が発生していた。こ
の結果、金属層／ポリイミドフイルムからなるフレキシ
ブル回路基板用材料を前述のごとき過酷な製造プロセス
をもつ半導体産業において実用に供することは困難であ
った。
時間程度加熱処理しただけで、金属層とポリイミドフイ
ルムの接着性が著しく低下する問題が発生していた。こ
の結果、金属層／ポリイミドフイルムからなるフレキシ
ブル回路基板用材料を前述のごとき過酷な製造プロセス
をもつ半導体産業において実用に供することは困難であ
った。
【０００６】
【発明が解決しょうとする課題】本発明は、半導体産業
における高密度配線を可能にするための接着剤なしで形
成された金属層／ポリイミドフィルムからなるフレキシ
ブル回路基板用材料を提供することである。さらに、回
路パターン形成工程や電解メッキ工程等の後工程におい
て、高温加熱処理時における金属層／ポリイミドフィル
ム界面の密着力低下を抑制し、金属層がポリイミドフイ
ルムから剥離する問題を克服する技術を提供することで
ある。より具体的には、常態接着強度が少なくとも０．
５kg/cm 以上、好ましくは１kg/cm 以上で、並びに高温
耐久性が１５０℃、２４hr後０．５Kg/cm 以上、さらに
好ましくは１５０℃、５００hr後でも０．５Kg/cm 以
上、場合によっては１Kg/cm 以上の良好なフレキシブル
回路基板用材料を提供せんとするものである。
における高密度配線を可能にするための接着剤なしで形
成された金属層／ポリイミドフィルムからなるフレキシ
ブル回路基板用材料を提供することである。さらに、回
路パターン形成工程や電解メッキ工程等の後工程におい
て、高温加熱処理時における金属層／ポリイミドフィル
ム界面の密着力低下を抑制し、金属層がポリイミドフイ
ルムから剥離する問題を克服する技術を提供することで
ある。より具体的には、常態接着強度が少なくとも０．
５kg/cm 以上、好ましくは１kg/cm 以上で、並びに高温
耐久性が１５０℃、２４hr後０．５Kg/cm 以上、さらに
好ましくは１５０℃、５００hr後でも０．５Kg/cm 以
上、場合によっては１Kg/cm 以上の良好なフレキシブル
回路基板用材料を提供せんとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属層／ポリ
イミドフィルムからなるフレキシブル回路基板用材料の
製作において高温時の性質を各種検討した結果、フィル
ム基材としてアミン成分に４、４’−ビス−（３−アミ
ノフェノキシ）ビフェニルを少なくとも含有するポリイ
ミドフイルムを用いること、好ましくは少なくとも１０
％以上含むポリイミドフィルムを用いること、および当
該フィルム上に、ニッケルー銅合金の極薄膜を形成し、
その後、電気伝導性の良好な銅薄膜を形成することによ
り、高温加熱処理時において、金属薄膜とポリイミドフ
ィルムの剥離防止に極めて効果があることを発見し、本
発明を完成するに至ったものである。
イミドフィルムからなるフレキシブル回路基板用材料の
製作において高温時の性質を各種検討した結果、フィル
ム基材としてアミン成分に４、４’−ビス−（３−アミ
ノフェノキシ）ビフェニルを少なくとも含有するポリイ
ミドフイルムを用いること、好ましくは少なくとも１０
％以上含むポリイミドフィルムを用いること、および当
該フィルム上に、ニッケルー銅合金の極薄膜を形成し、
その後、電気伝導性の良好な銅薄膜を形成することによ
り、高温加熱処理時において、金属薄膜とポリイミドフ
ィルムの剥離防止に極めて効果があることを発見し、本
発明を完成するに至ったものである。
【０００８】すなわち、本発明は、芳香族ジカルボン酸
とジアミンから成るポリイミドフィルムにおいて、原料
のアミン成分として４、４’−ビス−（３−アミノフェ
ノキシ）ビフェニルを少なくとも含有するポリイミドフ
イルム、好ましくは、これを１０％以上含むポリイミド
フィルムを基材として用い、かつ、当該ポリイミドフィ
ルム上の少なくとも片面上に第一の金属薄膜、第二の金
属薄膜の順に積層して形成されたフレキシブル回路基板
用材料、であり、 好ましくは、ポリイミドフィルムの
片面上に形成される第一の金属薄膜が銅ニッケル合金で
あるフレキシブル回路基板用材料であり、好ましくはポ
リイミドフィルムの片面上に形成される第一の金属薄膜
が少なくともニッケル４０〜７０重量％、銅２０〜６０
重量％を含有する銅ニッケル合金をターゲットとしてス
パッタリングにより形成された薄膜であるフレキシブル
回路基板用材料、であり、好ましくは、ポリイミドフィ
ルムの片面上に形成される第二の金属薄膜が銅であるフ
レキシブル回路基板用材料、であり、好ましくは、ポリ
イミドフィルムの片面上に形成される第一の金属薄膜の
膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍであるフレキシブル回路基板用
材料、であり、好ましくは、ポリイミドフィルムの片面
上に形成される第二の金属薄膜の膜厚が１００ｎｍ〜４
２００ｎｍであるフレキシブル回路基板用材料、であ
り、好ましくは、ポリイミドフィルムの片面に接して、
モネルメタルをターゲットにして、スパッタリングによ
り膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍの薄膜が形成され、当該薄膜
に接して、銅をターゲットにして、スパッタリングによ
り膜厚が１００ｎｍ〜４２００ｎｍの銅薄膜が積層され
て形成された、ポリイミドフィルムの片面に金属薄膜を
有するフレキシブル回路基板用材料、であり、好ましく
は、ポリイミドフィルムの両面に接して、モネルメタル
をターゲットにして、スパッタリングにより膜厚が１ｎ
ｍ〜５０ｎｍの薄膜が形成され、当該薄膜に接して、銅
をターゲットにして、スパッタリングにより膜厚が１０
０ｎｍ〜４２００ｎｍ銅薄膜が積層されて形成された、
ポリイミドフィルムの両面に金属薄膜を有するフレキシ
ブル回路基板用材料、であり、好ましくは、膜厚が１０
μｍから１００μｍの銅薄膜と膜厚が２５μｍ〜１２５
μｍのポリイミドフィルムからなる銅張積層板のもう一
方の面に接して、モネルメタルをターゲットにして、ス
パッタリングにより膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍの薄膜が形
成され、当該薄膜に接して、銅をターゲットにして、ス
パッタリングにより膜厚が１００ｎｍ〜４２００ｎｍの
銅薄膜が積層されて形成された、ポリイミドフィルムの
両面に金属薄膜を有するフレキシブル回路基板用材料、
である。
とジアミンから成るポリイミドフィルムにおいて、原料
のアミン成分として４、４’−ビス−（３−アミノフェ
ノキシ）ビフェニルを少なくとも含有するポリイミドフ
イルム、好ましくは、これを１０％以上含むポリイミド
フィルムを基材として用い、かつ、当該ポリイミドフィ
ルム上の少なくとも片面上に第一の金属薄膜、第二の金
属薄膜の順に積層して形成されたフレキシブル回路基板
用材料、であり、 好ましくは、ポリイミドフィルムの
片面上に形成される第一の金属薄膜が銅ニッケル合金で
あるフレキシブル回路基板用材料であり、好ましくはポ
リイミドフィルムの片面上に形成される第一の金属薄膜
が少なくともニッケル４０〜７０重量％、銅２０〜６０
重量％を含有する銅ニッケル合金をターゲットとしてス
パッタリングにより形成された薄膜であるフレキシブル
回路基板用材料、であり、好ましくは、ポリイミドフィ
ルムの片面上に形成される第二の金属薄膜が銅であるフ
レキシブル回路基板用材料、であり、好ましくは、ポリ
イミドフィルムの片面上に形成される第一の金属薄膜の
膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍであるフレキシブル回路基板用
材料、であり、好ましくは、ポリイミドフィルムの片面
上に形成される第二の金属薄膜の膜厚が１００ｎｍ〜４
２００ｎｍであるフレキシブル回路基板用材料、であ
り、好ましくは、ポリイミドフィルムの片面に接して、
モネルメタルをターゲットにして、スパッタリングによ
り膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍの薄膜が形成され、当該薄膜
に接して、銅をターゲットにして、スパッタリングによ
り膜厚が１００ｎｍ〜４２００ｎｍの銅薄膜が積層され
て形成された、ポリイミドフィルムの片面に金属薄膜を
有するフレキシブル回路基板用材料、であり、好ましく
は、ポリイミドフィルムの両面に接して、モネルメタル
をターゲットにして、スパッタリングにより膜厚が１ｎ
ｍ〜５０ｎｍの薄膜が形成され、当該薄膜に接して、銅
をターゲットにして、スパッタリングにより膜厚が１０
０ｎｍ〜４２００ｎｍ銅薄膜が積層されて形成された、
ポリイミドフィルムの両面に金属薄膜を有するフレキシ
ブル回路基板用材料、であり、好ましくは、膜厚が１０
μｍから１００μｍの銅薄膜と膜厚が２５μｍ〜１２５
μｍのポリイミドフィルムからなる銅張積層板のもう一
方の面に接して、モネルメタルをターゲットにして、ス
パッタリングにより膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍの薄膜が形
成され、当該薄膜に接して、銅をターゲットにして、ス
パッタリングにより膜厚が１００ｎｍ〜４２００ｎｍの
銅薄膜が積層されて形成された、ポリイミドフィルムの
両面に金属薄膜を有するフレキシブル回路基板用材料、
である。
【０００９】以下添付図面を参照しつつ本発明を説明す
るに、図１は、本発明のフレキシブル回路基板基板用材
料の層構成の一例であって片側に第一および第二の金属
層を形成した例を示し、図２は、本発明のフレキシブル
回路基板基板用材料の層構成の他の例であって両側にそ
れぞれ第一および第二の金属層を形成した例を示し、図
３は本発明のフレキシブル回路基板基板用材料の層構成
の他の例であって、銅張積層板の片側に第一および第二
の金属層を形成したものである。図において、１はポリ
イミドフィルム、２は第一の金属薄膜、３は第二の金属
薄膜、４は銅箔である。
るに、図１は、本発明のフレキシブル回路基板基板用材
料の層構成の一例であって片側に第一および第二の金属
層を形成した例を示し、図２は、本発明のフレキシブル
回路基板基板用材料の層構成の他の例であって両側にそ
れぞれ第一および第二の金属層を形成した例を示し、図
３は本発明のフレキシブル回路基板基板用材料の層構成
の他の例であって、銅張積層板の片側に第一および第二
の金属層を形成したものである。図において、１はポリ
イミドフィルム、２は第一の金属薄膜、３は第二の金属
薄膜、４は銅箔である。
【００１０】以下において、銅層とは第一の金属薄膜、
第二の金属薄膜の順に積層して形成された金属薄膜層を
総称するものである。本発明において、第一の金属薄膜
は、好ましくは、銅ニッケル合金であり、より好ましく
は、ニッケル４０〜７０重量％、銅２０〜６０重量％を
含有する銅ニッケル合金、さらに好ましくはニッケル６
３〜７０重量％、銅２４〜３０重量％を含有する銅ニッ
ケル合金をターゲットにしてスパッタリングにより形成
されたものである。また、モネルメタルと呼ばれている
銅ニッケル合金は当該ターゲットとして、有効に利用さ
れる。該第一の金属薄膜は５ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚に形
成されて用いられる。
第二の金属薄膜の順に積層して形成された金属薄膜層を
総称するものである。本発明において、第一の金属薄膜
は、好ましくは、銅ニッケル合金であり、より好ましく
は、ニッケル４０〜７０重量％、銅２０〜６０重量％を
含有する銅ニッケル合金、さらに好ましくはニッケル６
３〜７０重量％、銅２４〜３０重量％を含有する銅ニッ
ケル合金をターゲットにしてスパッタリングにより形成
されたものである。また、モネルメタルと呼ばれている
銅ニッケル合金は当該ターゲットとして、有効に利用さ
れる。該第一の金属薄膜は５ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚に形
成されて用いられる。
【００１１】また、第二の金属薄膜は、好ましくは、電
気良伝導性の銅をターゲットにしてスパッタリングによ
り形成されたものである。当該第二の金属薄膜の膜厚は
１００ｎｍ〜４２００ｎｍである。スパッタリング方法
は特に限定されるものではない。それぞれ第一の金属、
ならびに第二の金属で形成されるターゲットを用いて、
ＤＣマグネトロンスパッタリング、高周波マグネトロン
スパッタリング、イオンビームスパッタリング等の薄膜
形成技術が有効に用いられる。
気良伝導性の銅をターゲットにしてスパッタリングによ
り形成されたものである。当該第二の金属薄膜の膜厚は
１００ｎｍ〜４２００ｎｍである。スパッタリング方法
は特に限定されるものではない。それぞれ第一の金属、
ならびに第二の金属で形成されるターゲットを用いて、
ＤＣマグネトロンスパッタリング、高周波マグネトロン
スパッタリング、イオンビームスパッタリング等の薄膜
形成技術が有効に用いられる。
【００１２】本発明における基材フィルムとして用いる
ポリイミドフィルムの膜厚は２５μｍ〜２５０μｍ程度
であり、好ましくは５０μｍ〜１００μｍ程度である。
ポリイミドフィルムとしては、原料のアミン成分に、
４、４’−ジ−（ｍ−アミノフェノキシ）ビフェニルを
少なくとも含有するポリイミドを用い、好ましくは該ア
ミン成分を１０％以上含むポリイミドフィルムを用い
る。これがあまり少なく、例えば１０％未満であると、
高温時における接着力低下防止という本発明の目的を達
成することは出来ない。なお、その他のジアミン成分に
ついては特に規定するものでなく、通常ポリイミドを形
成しうるものであれば、いかなるものも使用可能であ
る。なお、そのポリイミドフィルム表面を常法により酸
素またはアルゴンプラズマ処理を施したものが好まし
い。
ポリイミドフィルムの膜厚は２５μｍ〜２５０μｍ程度
であり、好ましくは５０μｍ〜１００μｍ程度である。
ポリイミドフィルムとしては、原料のアミン成分に、
４、４’−ジ−（ｍ−アミノフェノキシ）ビフェニルを
少なくとも含有するポリイミドを用い、好ましくは該ア
ミン成分を１０％以上含むポリイミドフィルムを用い
る。これがあまり少なく、例えば１０％未満であると、
高温時における接着力低下防止という本発明の目的を達
成することは出来ない。なお、その他のジアミン成分に
ついては特に規定するものでなく、通常ポリイミドを形
成しうるものであれば、いかなるものも使用可能であ
る。なお、そのポリイミドフィルム表面を常法により酸
素またはアルゴンプラズマ処理を施したものが好まし
い。
【００１３】導電性の回路はポリイミドフィルムの表、
裏の両面に形成することができる。回路をポリイミドフ
ィルムの両面に形成するためには、ポリイミドフィルム
の両面上に第一の金属薄膜、第二の金属薄膜の順に積層
して形成されたフレキシブル回路基板用材料、または銅
張り積層板のポリイミドフィルムを利用し、他の面上に
第一の金属薄膜、第二の金属薄膜の順に積層して形成さ
れた銅層／ポリイミドフィルム／銅層よりなるフレキシ
ブル回路基板用材料も本発明の一つの形態である。この
場合も前述の片面に電気回路を形成するための基板と同
様の技術で達成される。
裏の両面に形成することができる。回路をポリイミドフ
ィルムの両面に形成するためには、ポリイミドフィルム
の両面上に第一の金属薄膜、第二の金属薄膜の順に積層
して形成されたフレキシブル回路基板用材料、または銅
張り積層板のポリイミドフィルムを利用し、他の面上に
第一の金属薄膜、第二の金属薄膜の順に積層して形成さ
れた銅層／ポリイミドフィルム／銅層よりなるフレキシ
ブル回路基板用材料も本発明の一つの形態である。この
場合も前述の片面に電気回路を形成するための基板と同
様の技術で達成される。
【００１４】当該ポリイミドフィルムの両面上に形成さ
れる第一の金属薄膜は銅ニッケル合金であり、すでに述
べたように、より好ましくは、ニッケル４０〜７０重量
％、銅２０〜６０重量％を含有する銅ニッケル合金、さ
らに好ましくはニッケル６３〜７０重量％、銅２４〜３
０重量％を含有する銅ニッケル合金をターゲットにして
スパッタリングにより形成されたものである。また、モ
ネルメタルと呼ばれている銅ニッケル合金は当該ターゲ
ットとして本発明に有効に利用される。当該第一の金属
薄膜は５ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚に形成されて用いられ
る。
れる第一の金属薄膜は銅ニッケル合金であり、すでに述
べたように、より好ましくは、ニッケル４０〜７０重量
％、銅２０〜６０重量％を含有する銅ニッケル合金、さ
らに好ましくはニッケル６３〜７０重量％、銅２４〜３
０重量％を含有する銅ニッケル合金をターゲットにして
スパッタリングにより形成されたものである。また、モ
ネルメタルと呼ばれている銅ニッケル合金は当該ターゲ
ットとして本発明に有効に利用される。当該第一の金属
薄膜は５ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚に形成されて用いられ
る。
【００１５】当該ポリイミドフィルムの両面上に形成さ
れる第二の金属薄膜については電気良伝導性の銅をター
ゲットにしてスパッタリングにより形成された薄膜であ
る。当該第二の金属薄膜の膜厚は１００ｎｍ〜４２００
ｎｍである。
れる第二の金属薄膜については電気良伝導性の銅をター
ゲットにしてスパッタリングにより形成された薄膜であ
る。当該第二の金属薄膜の膜厚は１００ｎｍ〜４２００
ｎｍである。
【００１６】両面に回路を形成するために用いられるポ
リイミドフィルムの膜厚は２５μｍ〜１００μｍであ
り、ポリイミドフィルムとしては原料のアミン成分に
４、４’−ジ−（ｍ−アミノフェノキシ）ビフェニルを
少なくとも含有し好ましくは１０％以上含むポリイミド
フィルムを用いる。なお、そのポリイミドフィルム表面
は常法により酸素またはアルゴンプラズマ処理を施した
ものが好ましい。
リイミドフィルムの膜厚は２５μｍ〜１００μｍであ
り、ポリイミドフィルムとしては原料のアミン成分に
４、４’−ジ−（ｍ−アミノフェノキシ）ビフェニルを
少なくとも含有し好ましくは１０％以上含むポリイミド
フィルムを用いる。なお、そのポリイミドフィルム表面
は常法により酸素またはアルゴンプラズマ処理を施した
ものが好ましい。
【００１７】
【実施例】以下、実施例により、本発明を説明する。 実施例１ 原料の酸成分としてピロメリット酸無水物、アミン成分
として３，３’−ジ−アミノフェノキシビフェニルから
なるポリイミドフィルム中にアミン成分として少なくと
も４、４’−ジ−（ｍ−アミノフェノキシ）ビフェニル
が１５％含まれる、膜厚が５０μｍのポリイミドフィル
ムを基材フィルムとして用いた。当該ポリイミドフィル
ム表面を酸素プラズマ処理を施した後、このフィルムの
片面に接し、モネルメタルをターゲットとして、スパッ
タリングにより平均厚み約４０ｎｍの第一の金属薄膜を
形成した。その後真空状態を破ること無く、銅をターゲ
ットにして、連続的にスパッタリングにより、当該薄膜
に接して、平均膜厚が約２００ｎｍの銅薄膜を積層し
た。このポリイミドフィルムの片面に金属薄膜を有する
フレキシブル回路基板用材料が本発明の一つの実施例で
ある。このフレキシブル回路基板用材料に銅のメッキを
施した。この結果、ポリイミドフィルムの片面に１８μ
ｍ厚みの銅膜（このように、メッキにより膜厚を増加さ
せた銅膜を以下においては回路用銅膜と称する）を有す
るフレキシブル回路基板用材料を得た。この基板材料に
おける初期密着強度を測定したところ、常態強度は平均
２．０ｋｇ／ｃｍであった。
として３，３’−ジ−アミノフェノキシビフェニルから
なるポリイミドフィルム中にアミン成分として少なくと
も４、４’−ジ−（ｍ−アミノフェノキシ）ビフェニル
が１５％含まれる、膜厚が５０μｍのポリイミドフィル
ムを基材フィルムとして用いた。当該ポリイミドフィル
ム表面を酸素プラズマ処理を施した後、このフィルムの
片面に接し、モネルメタルをターゲットとして、スパッ
タリングにより平均厚み約４０ｎｍの第一の金属薄膜を
形成した。その後真空状態を破ること無く、銅をターゲ
ットにして、連続的にスパッタリングにより、当該薄膜
に接して、平均膜厚が約２００ｎｍの銅薄膜を積層し
た。このポリイミドフィルムの片面に金属薄膜を有する
フレキシブル回路基板用材料が本発明の一つの実施例で
ある。このフレキシブル回路基板用材料に銅のメッキを
施した。この結果、ポリイミドフィルムの片面に１８μ
ｍ厚みの銅膜（このように、メッキにより膜厚を増加さ
せた銅膜を以下においては回路用銅膜と称する）を有す
るフレキシブル回路基板用材料を得た。この基板材料に
おける初期密着強度を測定したところ、常態強度は平均
２．０ｋｇ／ｃｍであった。
【００１８】実施例２ 原料の酸成分としてピロメリット酸無水物、アミン成分
として３，３’−ジ−アミノフェノキシビフェニルから
なるポリイミドフィルム中にアミン成分として少なくと
も４、４’−ジ−（ｍ−アミノフェノキシ）ビフェニル
が１５％含まれる、膜厚が５０μｍのポリイミドフィル
ムを基材フィルムとして用いた。当該ポリイミドフィル
ム表面を酸素プラズマ処理を施した後、このフィルムの
片面に接して、モネルメタルをターゲットとして、スパ
ッタリングにより平均厚み約４０ｎｍの第一の金属薄膜
を形成した。その後真空状態を破ること無く、銅をター
ゲットにして、連続的にスパッタリングにより、当該薄
膜に接して、平均膜厚が約２００ｎｍの銅薄膜を積層し
た。このポリイミドフィルムの片面に金属薄膜を有する
フレキシブル回路基板用材料が本発明の一つの実施例で
ある。この基板用材料を用いて、高温加熱処理（１５０
℃、５００時間）後の金属層・ポリイミドフィルム間の
密着強度を測定した。その結果、常態強度が平均２．１
ｋｇ／ｃｍであり、加熱処理後の密着強度が平均１．５
ｋｇ／ｃｍと、その密着強度は７１．４％にやや低下し
たものの、依然として１．０ｋｇ／ｃｍを越える高い接
着力を保持することを確認した。
として３，３’−ジ−アミノフェノキシビフェニルから
なるポリイミドフィルム中にアミン成分として少なくと
も４、４’−ジ−（ｍ−アミノフェノキシ）ビフェニル
が１５％含まれる、膜厚が５０μｍのポリイミドフィル
ムを基材フィルムとして用いた。当該ポリイミドフィル
ム表面を酸素プラズマ処理を施した後、このフィルムの
片面に接して、モネルメタルをターゲットとして、スパ
ッタリングにより平均厚み約４０ｎｍの第一の金属薄膜
を形成した。その後真空状態を破ること無く、銅をター
ゲットにして、連続的にスパッタリングにより、当該薄
膜に接して、平均膜厚が約２００ｎｍの銅薄膜を積層し
た。このポリイミドフィルムの片面に金属薄膜を有する
フレキシブル回路基板用材料が本発明の一つの実施例で
ある。この基板用材料を用いて、高温加熱処理（１５０
℃、５００時間）後の金属層・ポリイミドフィルム間の
密着強度を測定した。その結果、常態強度が平均２．１
ｋｇ／ｃｍであり、加熱処理後の密着強度が平均１．５
ｋｇ／ｃｍと、その密着強度は７１．４％にやや低下し
たものの、依然として１．０ｋｇ／ｃｍを越える高い接
着力を保持することを確認した。
【００１９】比較例１ ポリイミドフィルムとして、膜厚が５０μｍのカプトン
ーＶ（すなわち本願で規定するジアミン成分を含有して
おらないもの）（デュポン社製）を用い、フィルム表面
を酸素プラズマ処理を施した後、この片面に接して、モ
ネルメタルをターゲットとして、スパッタリングにより
平均厚み約４０ｎｍの第一金属層を形成した。その後真
空状態を破ること無く、連続的に、当該薄膜に接して、
平均膜厚が約２００ｎｍの銅薄膜を積層した。このポリ
イミドフィルムの片面に金属薄膜を有するフレキシブル
回路基板用材料は本発明の一つの比較のための例示であ
る。この基板用材料を用いて、高温加熱処理（１５０
℃、５００時間）後の金属層・ポリイミドフィルム間の
密着強度を測定した。その結果、常態強度は平均０．９
８ｋｇ／ｃｍであったが、高温加熱処理によりその密着
強度は０．３５ｋｇ／ｃｍと３５．７％に大幅に低下す
ることを確認した。
ーＶ（すなわち本願で規定するジアミン成分を含有して
おらないもの）（デュポン社製）を用い、フィルム表面
を酸素プラズマ処理を施した後、この片面に接して、モ
ネルメタルをターゲットとして、スパッタリングにより
平均厚み約４０ｎｍの第一金属層を形成した。その後真
空状態を破ること無く、連続的に、当該薄膜に接して、
平均膜厚が約２００ｎｍの銅薄膜を積層した。このポリ
イミドフィルムの片面に金属薄膜を有するフレキシブル
回路基板用材料は本発明の一つの比較のための例示であ
る。この基板用材料を用いて、高温加熱処理（１５０
℃、５００時間）後の金属層・ポリイミドフィルム間の
密着強度を測定した。その結果、常態強度は平均０．９
８ｋｇ／ｃｍであったが、高温加熱処理によりその密着
強度は０．３５ｋｇ／ｃｍと３５．７％に大幅に低下す
ることを確認した。
【００２０】
【発明の効果】以上の実施例ならびに比較例から明らか
なように、本発明は半導体ＩＣチップの高集積化を実現
するための耐熱性を十分に満足しており、高密度配線の
ために必要な回路の微細化を可能にする信頼性を高めた
フレキシブル回路基板用材料の技術を提供できるもので
あり、半導体産業にとって、きわめて有用な発明であ
る。
なように、本発明は半導体ＩＣチップの高集積化を実現
するための耐熱性を十分に満足しており、高密度配線の
ために必要な回路の微細化を可能にする信頼性を高めた
フレキシブル回路基板用材料の技術を提供できるもので
あり、半導体産業にとって、きわめて有用な発明であ
る。
【図１】本発明のフレキシブル回路基板基板用材料の層
構成の一例を示す図。
構成の一例を示す図。
【図２】本発明のフレキシブル回路基板基板用材料の層
構成の他の例を示す図。
構成の他の例を示す図。
【図３】本発明のフレキシブル回路基板基板用材料の層
構成の他の例を示す図。
構成の他の例を示す図。
１ ポリイミドフィルム ２ 第一の金属薄膜（ モネルメタル等 ） ３ 第二の金属薄膜（ 銅等 ） ４ 銅箔
Claims (9)
- 【請求項１】 芳香族ジカルボン酸とジアミンから成る
ポリイミドフィルムにおいて、原料のアミン成分として
４、４’−ビス−（３−アミノフェノキシ）ビフェニル
を少なくとも含むポリイミドフィルムを基材として用
い、かつ、当該ポリイミドフィルム上の少なくとも片面
上に第一の金属薄膜、第二の金属薄膜の順に積層して形
成されたフレキシブル回路基板用材料。 - 【請求項２】 ポリイミドフィルムの片面上に形成され
る第一の金属薄膜が銅ニッケル合金である請求項１記載
のフレキシブル回路基板用材料。 - 【請求項３】 ポリイミドフィルムの片面上に形成され
る第一の金属薄膜が少なくともニッケル４０〜７０重量
％、銅２０〜６０重量％を含有する銅ニッケル合金をタ
ーゲットとしてスパッタリングにより形成された薄膜で
ある請求項２記載のフレキシブル回路基板用材料。 - 【請求項４】 ポリイミドフィルムの片面上に形成され
る第二の金属薄膜が銅である請求項１記載のフレキシブ
ル回路基板用材料。 - 【請求項５】 ポリイミドフィルムの片面上に形成され
る第一の金属薄膜の膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍである請求
項１記載のフレキシブル回路基板用材料。 - 【請求項６】 ポリイミドフィルムの片面上に形成され
る第二の金属薄膜の膜厚が１００ｎｍ〜４２００ｎｍで
ある請求項１記載のフレキシブル回路基板用材料。 - 【請求項７】 ポリイミドフィルムの片面に接して、モ
ネルメタルをターゲットにして、スパッタリングにより
膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍの薄膜が形成され、当該薄膜に
接して、銅をターゲットにして、スパッタリングにより
膜厚が１００ｎｍ〜４２００ｎｍの銅薄膜が積層されて
形成された、ポリイミドフィルムの片面に金属薄膜を有
する請求項１〜６の何れかに記載のフレキシブル回路基
板用材料。 - 【請求項８】 ポリイミドフィルムの両面に接して、モ
ネルメタルをターゲットにして、スパッタリングにより
膜厚が１ｎｍ〜５０ｎｍの薄膜が形成され、当該薄膜に
接して、銅をターゲットにして、スパッタリングにより
膜厚が１００ｎｍ〜４２００ｎｍ銅薄膜が積層されて形
成された、ポリイミドフィルムの両面に金属薄膜を有す
る請求項１〜６の何れかに記載のフレキシブル回路基板
用材料。 - 【請求項９】 膜厚が１０μｍから１００μｍの銅薄膜
と膜厚が２５μｍ〜１２５μｍのポリイミドフィルムか
らなる銅張積層板のもう一方の面に接して、モネルメタ
ルをターゲットにして、スパッタリングにより膜厚が１
ｎｍ〜５０ｎｍの薄膜が形成され、当該薄膜に接して、
銅をターゲットにして、スパッタリングにより膜厚が１
００ｎｍ〜４２００ｎｍの銅薄膜が積層されて形成され
た、請求項１記載のポリイミドフィルムの両面に金属薄
膜を有するフレキシブル回路基板用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24787192A JP3447070B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | フレキシブル回路基板用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24787192A JP3447070B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | フレキシブル回路基板用材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697616A true JPH0697616A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3447070B2 JP3447070B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=17169864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24787192A Expired - Lifetime JP3447070B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | フレキシブル回路基板用材料 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3447070B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0786928A1 (en) * | 1994-11-30 | 1997-07-30 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Novel flexible copper-coated laminate and flexible printed circuit board |
| JP2011104815A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 積層体および積層体の製造方法 |
| JP5186375B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-04-17 | 清二 加川 | 高周波伝送線路用傾斜接合導電膜及びそれを用いた高周波伝送線路並びに高周波フィルタ |
| JP2015053353A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 電気抵抗薄膜層の成膜方法および銅張積層板の製造方法 |
| JP2015077777A (ja) * | 2013-10-14 | 2015-04-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 銅張積層板およびその製造方法 |
| WO2020084974A1 (ja) | 2018-10-23 | 2020-04-30 | 住友金属鉱山株式会社 | 金属膜付き樹脂フィルムの製造装置と製造方法 |
| EP3744873A1 (en) | 2019-05-30 | 2020-12-02 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Vacuum deposition apparatus and vacuum deposition method |
| KR20200144088A (ko) | 2018-04-17 | 2020-12-28 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | Cu-Ni 합금 스퍼터링 타깃 |
| CN113179586A (zh) * | 2021-04-06 | 2021-07-27 | 华北水利水电大学 | 一种提高cof基挠性覆铜板剥离强度的方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP5287247B2 (ja) | 2006-10-04 | 2013-09-11 | 日立化成株式会社 | ポリアミドイミド樹脂、接着剤、フレキシブル基板材料、フレキシブル積層板及びフレキシブル印刷配線板 |
| JP5904289B2 (ja) * | 2013-10-21 | 2016-04-13 | 東洋紡株式会社 | ニッケル銅合金薄膜積層フィルム |
| JP6842031B2 (ja) | 2016-08-23 | 2021-03-17 | 住友金属鉱山株式会社 | ロールツーロール方式の表面処理装置並びにこれを用いた成膜方法及び成膜装置 |
| JP6772663B2 (ja) | 2016-08-23 | 2020-10-21 | 住友金属鉱山株式会社 | ロールツーロール方式による長尺基材の処理装置及びこれを用いた成膜装置 |
| JP6965683B2 (ja) | 2017-10-17 | 2021-11-10 | 住友金属鉱山株式会社 | キャンロールと長尺基板処理装置 |
| JP6953992B2 (ja) | 2017-10-19 | 2021-10-27 | 住友金属鉱山株式会社 | キャンロールと長尺基板処理装置および長尺基板処理装置の管理方法 |
| JP6950506B2 (ja) | 2017-12-11 | 2021-10-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 長尺基板の処理装置と処理方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH02168694A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-06-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フレキシブル金属箔積層板の製造方法 |
| JPH02185516A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物並びにそれを用いたプリプレグおよび積層板 |
| JPH05251843A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-09-28 | Southwall Technol Inc | グロー放電を利用するフレキシブル回路基板の製造方法 |
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| JPH05299819A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-11-12 | Southwall Technol Inc | フレキシブル回路基板 |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24787192A patent/JP3447070B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
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