JPH0298994A - ポリイミド絶縁層上への導体層形成方法 - Google Patents
ポリイミド絶縁層上への導体層形成方法Info
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- JPH0298994A JPH0298994A JP25239888A JP25239888A JPH0298994A JP H0298994 A JPH0298994 A JP H0298994A JP 25239888 A JP25239888 A JP 25239888A JP 25239888 A JP25239888 A JP 25239888A JP H0298994 A JPH0298994 A JP H0298994A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ポリイミド絶縁層上に金属銅からなる導体層
を形成する方法に関し、特に本発明は、ポリイミド絶縁
層上にスパッタリング法により金属銅からなる導体層を
形成する方法に関する。
を形成する方法に関し、特に本発明は、ポリイミド絶縁
層上にスパッタリング法により金属銅からなる導体層を
形成する方法に関する。
（従来の技術）
近年、コンピューターをはじめとする電子機器の小型化
・高密度実装化の進展に伴いプリント配線板の高密度化
が進められており、導体回路が２層以上積層された多層
プリント配線板が実用化されている。
・高密度実装化の進展に伴いプリント配線板の高密度化
が進められており、導体回路が２層以上積層された多層
プリント配線板が実用化されている。
かかる多層プリント配線板は、絶縁層を介して導体回路
が多層に積層されている。
が多層に積層されている。
前記導体回路の形成方法としては、種々の方法が知られ
ているが、特にファインパターンの形成に適した導体回
路の形成方法としては、例えば、アディティブ法やスパ
ッタリング法などが知られており、このうち特にスパッ
タリング法は、高精度のファインパターンを比較的容易
に形成できる特性を有している。
ているが、特にファインパターンの形成に適した導体回
路の形成方法としては、例えば、アディティブ法やスパ
ッタリング法などが知られており、このうち特にスパッ
タリング法は、高精度のファインパターンを比較的容易
に形成できる特性を有している。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、スパッタリング法により形成される導体
層は絶縁層との接着強度が弱い欠点を有しており、特に
、ポリイミド樹脂からなる絶縁層上にスパックリング法
によって形成される金ＢＥは接着強度が弱く、強いビー
ル強度が要求される最外層の導体層の形成方法としてス
パッタリング法を用いることは困難であった。
層は絶縁層との接着強度が弱い欠点を有しており、特に
、ポリイミド樹脂からなる絶縁層上にスパックリング法
によって形成される金ＢＥは接着強度が弱く、強いビー
ル強度が要求される最外層の導体層の形成方法としてス
パッタリング法を用いることは困難であった。
本発明は、上記したポリイミド樹脂とスパッタリング法
によって形成される銅スパツタリング層との接着強度が
弱い欠点を解消し、特に導体回路形成方法としてのスパ
ッタリング法を提供するごとを目的とする。
によって形成される銅スパツタリング層との接着強度が
弱い欠点を解消し、特に導体回路形成方法としてのスパ
ッタリング法を提供するごとを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明者は、上記目的を達成するため、鋭意研究を重ね
た結果、ポリイミド絶縁層上に金属銅からなる導体層を
形成するに際し、ポリイミド絶縁層上へあらかじめクロ
ムをスパンクリングした後、銅をスパッタリングすれば
、ポリイミド絶縁層上に金属銅からなる導体層を強固に
接着できることに想到し、本発明を完成するに至った。
た結果、ポリイミド絶縁層上に金属銅からなる導体層を
形成するに際し、ポリイミド絶縁層上へあらかじめクロ
ムをスパンクリングした後、銅をスパッタリングすれば
、ポリイミド絶縁層上に金属銅からなる導体層を強固に
接着できることに想到し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明のポリイミド絶縁層１への導体層形成
方法は、ポリイミド絶縁層縁層上へ銅をスパッタリング
して導体層を形成する方法において、ポリイミド絶縁層
上へあらかじめクロムをスパッタリングして０．０１〜
５μｍのクロム層を形成した後、銅を０．１〜２０μｍ
の厚さにスパッタリングすることを特徴とする。
方法は、ポリイミド絶縁層縁層上へ銅をスパッタリング
して導体層を形成する方法において、ポリイミド絶縁層
上へあらかじめクロムをスパッタリングして０．０１〜
５μｍのクロム層を形成した後、銅を０．１〜２０μｍ
の厚さにスパッタリングすることを特徴とする。
以下、さらに詳細に説明する。
本発明によれば、ポリイミド絶縁層上に金属銅からなる
導体層を形成するに際し、ポリイミド絶縁層」二へあら
かじめクロムをスパッタリングした後、銅をスパッタリ
ングすることが必要である。
導体層を形成するに際し、ポリイミド絶縁層」二へあら
かじめクロムをスパッタリングした後、銅をスパッタリ
ングすることが必要である。
その理由は、ポリイミド絶縁層上にスパッタリング法に
よってクロム層を形成した後、銅をスパッタリングする
ことにより、金属銅からなる導体１句を極めて強固に接
着させることができるがらである。
よってクロム層を形成した後、銅をスパッタリングする
ことにより、金属銅からなる導体１句を極めて強固に接
着させることができるがらである。
本発明によれば、クロム層を０．０１〜５μｍの厚さに
形成することが必要である。その理由は、クロム層の厚
さが０，０１μｍより薄いと実質的に強固な接着強度を
得ることが困難であり、−力５μｍより厚いと必要以上
にクロム層を形成することになり、経済的でないからで
ある。
形成することが必要である。その理由は、クロム層の厚
さが０，０１μｍより薄いと実質的に強固な接着強度を
得ることが困難であり、−力５μｍより厚いと必要以上
にクロム層を形成することになり、経済的でないからで
ある。
本発明によれば、金属銅からなる導体層を０．１〜２０
μｍの厚さに形成することが必要である。
μｍの厚さに形成することが必要である。
その理由は、導体層の厚さが０．１μｍより薄いと導通
抵抗が高くなり、一方２０μｍより厚いと必要以上に導
体層を形成することになり、経済的でないからである。
抵抗が高くなり、一方２０μｍより厚いと必要以上に導
体層を形成することになり、経済的でないからである。
次に、本発明を実施例により説明する。
災施斑上
厚さが１０μｍのポリイミド絶縁層が形成されたセラミ
ック基板のポリイミド絶縁層上にをスパッタリング装置
（徳山製作所製： ＣＦＳ−８２Ｉ＋ ）を用いて、ク
ロムをスパッタリングして０．１μｍのクロム層を形成
した後、銅を３μｍの１￥さにスパッタリングすること
により、導体層を形成した。
ック基板のポリイミド絶縁層上にをスパッタリング装置
（徳山製作所製： ＣＦＳ−８２Ｉ＋ ）を用いて、ク
ロムをスパッタリングして０．１μｍのクロム層を形成
した後、銅を３μｍの１￥さにスパッタリングすること
により、導体層を形成した。
前記スパッタリングは、あらかじめポリイミド絶縁層上
をアルゴンガス圧：０．２Ｐａ、基板温度：１５０°Ｃ
，投入量カニ１５０Ｗの条件で２分間逆スパツタリング
して清浄化した後、アルゴンガス圧：０．７Ｐａ、基板
温度：１５０’Ｃ１投入電カニ１５０Ｗの条件でクロム
を８分間スパッタリングして０．１μｍの厚さのクロム
層を形成し、さらに、アルゴンガス圧：０，７Ｐａｓ基
板温度＝１５０“Ｃ１投入電カニ４ｋＷの条件で５０分
間銅をスパッタリングして３μｍの厚さの金属銅からな
る導体層を形成した。
をアルゴンガス圧：０．２Ｐａ、基板温度：１５０°Ｃ
，投入量カニ１５０Ｗの条件で２分間逆スパツタリング
して清浄化した後、アルゴンガス圧：０．７Ｐａ、基板
温度：１５０’Ｃ１投入電カニ１５０Ｗの条件でクロム
を８分間スパッタリングして０．１μｍの厚さのクロム
層を形成し、さらに、アルゴンガス圧：０，７Ｐａｓ基
板温度＝１５０“Ｃ１投入電カニ４ｋＷの条件で５０分
間銅をスパッタリングして３μｍの厚さの金属銅からな
る導体層を形成した。
得られた導体層は、約１ ｋ ｇ ／ ｃ ｍのビール
強度を有しており、最外層の導体層として充分の特性を
有していた。
強度を有しており、最外層の導体層として充分の特性を
有していた。
（発明の効果）
以上述べたように、本発明は、ポリイミド絶縁層上へ銅
をスパッタリングして導体層を形成する方法において、
ポリイミド絶縁層上へあらかじめクロムをスパッタリン
グして０．ＯＩ〜５βｍのクロム層を形成した後、銅を
０．１〜２０μｍの厚さにスパッタリングすることを特
徴とするポリイミド絶縁層上への導体層形成方法であっ
て、ポリイミド樹脂とスパッタリング法によって形成さ
れる銅スパツタリング層との接着強度が弱い欠点を解消
することができ、産業上寄与する効果は極めて大きい。
をスパッタリングして導体層を形成する方法において、
ポリイミド絶縁層上へあらかじめクロムをスパッタリン
グして０．ＯＩ〜５βｍのクロム層を形成した後、銅を
０．１〜２０μｍの厚さにスパッタリングすることを特
徴とするポリイミド絶縁層上への導体層形成方法であっ
て、ポリイミド樹脂とスパッタリング法によって形成さ
れる銅スパツタリング層との接着強度が弱い欠点を解消
することができ、産業上寄与する効果は極めて大きい。
以上
Claims (1)
- １）ポリイミド絶縁層上へ銅をスパッタリングして導体
層を形成する方法において、ポリイミド絶縁層上へあら
かじめクロムをスパッタリングして０．０１〜５μｍの
クロム層を形成した後、銅を０．１〜２０μｍの厚さに
スパッタリングすることを特徴とするポリイミド絶縁層
上への導体層形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25239888A JPH0298994A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | ポリイミド絶縁層上への導体層形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25239888A JPH0298994A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | ポリイミド絶縁層上への導体層形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298994A true JPH0298994A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17236779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25239888A Pending JPH0298994A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | ポリイミド絶縁層上への導体層形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298994A (ja) |
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1988
- 1988-10-06 JP JP25239888A patent/JPH0298994A/ja active Pending
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