JPS61216391A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents
多層回路基板の製造方法Info
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- JPS61216391A JPS61216391A JP5566585A JP5566585A JPS61216391A JP S61216391 A JPS61216391 A JP S61216391A JP 5566585 A JP5566585 A JP 5566585A JP 5566585 A JP5566585 A JP 5566585A JP S61216391 A JPS61216391 A JP S61216391A
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- Japan
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- layers
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- circuit
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- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は電子部品の高密度実装を可能とした多層回路基
板の製造方法に関する。
板の製造方法に関する。
(従来の技術)
電子部品を高密度に実装するためフェノールやエポキシ
レジンを介してCu箔を張合せエツチング処理を行い多
層に重ねられた多層回路基板が多用されているが、上記
レジンの低伝熱性に起因する熱管理”上の制約が大きく
、高密度化の大きな障害となっている。他方、アルミナ
などのセラミック板上にグリーンシートやペースト印刷
法などにより多層導体回路を形成する方法もある。これ
は上記放熱性や耐熱性に優れた特長を有するが、しかし
、高価であり、かつセラミックに特存の問題としてサイ
ズに制約があり、利用範囲が著しく限られている。そこ
で^lやFeを用いた基板もあるが、概ねいずれも一層
回路に留っている。
レジンを介してCu箔を張合せエツチング処理を行い多
層に重ねられた多層回路基板が多用されているが、上記
レジンの低伝熱性に起因する熱管理”上の制約が大きく
、高密度化の大きな障害となっている。他方、アルミナ
などのセラミック板上にグリーンシートやペースト印刷
法などにより多層導体回路を形成する方法もある。これ
は上記放熱性や耐熱性に優れた特長を有するが、しかし
、高価であり、かつセラミックに特存の問題としてサイ
ズに制約があり、利用範囲が著しく限られている。そこ
で^lやFeを用いた基板もあるが、概ねいずれも一層
回路に留っている。
近年電子機器の小型化、高密度化の急速な進展に伴い経
済性と共に電気的高性能を両立できるような新しい多層
回路基板の提供が強く求められている。
済性と共に電気的高性能を両立できるような新しい多層
回路基板の提供が強く求められている。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は上記の従来技術のニーズに対処すべくなされた
ものであり、経済的な問題を解決すると共に上記高放熱
性の多層回路基板を提供しようとするものである。具体
的には金属基板とレジンとの組合せにより、従来のセラ
ミックとレジンとの組合せによる多層回路基板の欠陥を
一挙に解消できる新規な回路基板の製造方法である。
ものであり、経済的な問題を解決すると共に上記高放熱
性の多層回路基板を提供しようとするものである。具体
的には金属基板とレジンとの組合せにより、従来のセラ
ミックとレジンとの組合せによる多層回路基板の欠陥を
一挙に解消できる新規な回路基板の製造方法である。
(問題点を解決するための手段)
本発明多層回路基板の製造方法の−Ps様を図−1を用
いて説明する。尚、同図は2層の例である。
いて説明する。尚、同図は2層の例である。
^1. Cu、 Feなどの基板l上にエポキシ、フェ
ノール、ポリアミド・イミドなどの絶縁性レジン層2を
形成してから、第1導電回路層3.4.5が形成される
0次に、この上に第2の絶縁性レジン層6を形成し、同
様に第2導電回路層?、8.9を形成する。これら第1
.第2の導電回路層の一部はバイヤホール1oにより導
通されている6本発明においては上記第2の導電回路の
少なくとも一部を形成した後上記バイヤホール1oに対
してSs又はSn合金10aを充填し更にリメルト処理
を施して該バイヤホールlOを完成する。
ノール、ポリアミド・イミドなどの絶縁性レジン層2を
形成してから、第1導電回路層3.4.5が形成される
0次に、この上に第2の絶縁性レジン層6を形成し、同
様に第2導電回路層?、8.9を形成する。これら第1
.第2の導電回路層の一部はバイヤホール1oにより導
通されている6本発明においては上記第2の導電回路の
少なくとも一部を形成した後上記バイヤホール1oに対
してSs又はSn合金10aを充填し更にリメルト処理
を施して該バイヤホールlOを完成する。
本発明に於いて、3層以上の多層導体回路を得る場合に
は、前記第2層形成の工程をくり返す、上記Sn又はS
n合金(例えば5n−Pb、 5o−Bi、 5n−3
b、 5n−Pb−Cu等)はその粉末をペースト化し
たものをスクリーン印刷やデスペンサー法などにより上
記バイアホールに充填するのが一般的である。
は、前記第2層形成の工程をくり返す、上記Sn又はS
n合金(例えば5n−Pb、 5o−Bi、 5n−3
b、 5n−Pb−Cu等)はその粉末をペースト化し
たものをスクリーン印刷やデスペンサー法などにより上
記バイアホールに充填するのが一般的である。
そしてこれら金属の融点以上の温度に加熱すればリメル
トして、上記の第1及び第2の金属回路層に強固な金属
結合が形成できる。
トして、上記の第1及び第2の金属回路層に強固な金属
結合が形成できる。
本発明に於いて上記のSn’+ Sn合金の充填による
バイヤホールとする理由は、それらの経済性と共に信頼
性の高い導通孔が得られるためである0通常のCu+
kg、 Aslなどの導電レジンペーストを用いようと
すると、電気抵抗が大きく、かつ回路接合部における剥
離故障などの欠陥が発生し易いばかりでな(、特にAg
ペーストでは所謂ミグレーシッン現象により該Agが絶
縁層中に移行して絶縁阻害を生じる。
バイヤホールとする理由は、それらの経済性と共に信頼
性の高い導通孔が得られるためである0通常のCu+
kg、 Aslなどの導電レジンペーストを用いようと
すると、電気抵抗が大きく、かつ回路接合部における剥
離故障などの欠陥が発生し易いばかりでな(、特にAg
ペーストでは所謂ミグレーシッン現象により該Agが絶
縁層中に移行して絶縁阻害を生じる。
又本発明に於いて、上記第1回路は、金属基板上にCu
箔を接着積層しエツチングするサブトラクティブ法によ
り形成するのが、その特性及び経済性の点で最も望まし
い1次に中間絶縁層は、Ajzo@*BNI Tfol
、 ZrJ+ ^jN 、ガラスなどの無機質粉末を含
をするペーストをスクリーン印刷する方法が最も実用的
である。高い精度、特に、前記バイアホールの形成にお
いて寸法精度が著しく向上する。
箔を接着積層しエツチングするサブトラクティブ法によ
り形成するのが、その特性及び経済性の点で最も望まし
い1次に中間絶縁層は、Ajzo@*BNI Tfol
、 ZrJ+ ^jN 、ガラスなどの無機質粉末を含
をするペーストをスクリーン印刷する方法が最も実用的
である。高い精度、特に、前記バイアホールの形成にお
いて寸法精度が著しく向上する。
又用いるペーストの粘度と共に硬化のための加熱時にも
粘度低下を最小限に留めることができる。
粘度低下を最小限に留めることができる。
更に高密度実装に際して主要な放熱特性の向上に対する
効果も大きい、かかる無機質粉末の混合により該レジン
の熱伝導度を数倍向上できる場合が多い、上記無機質粉
末の混合量はそれらの粒径。
効果も大きい、かかる無機質粉末の混合により該レジン
の熱伝導度を数倍向上できる場合が多い、上記無機質粉
末の混合量はそれらの粒径。
形状にもよるが5〜70%、特に望ましくは10〜50
%である0以上の絶縁層は加熱固化される。
%である0以上の絶縁層は加熱固化される。
次に第2層回路は、導電性ペーストの印刷あるいは化学
メッキ法により形成するのが有利である。
メッキ法により形成するのが有利である。
即ち、Cuペーストを印刷固化してからCu又はNi等
を化学メッキしたり、Pdなどの触媒を含有するペース
トを薄く印刷してからCuを化学メンキすることが行わ
れる。しかる後上記と同様のパイヤボール形成処理を行
うことができる。もちろん、この第2層回路の形成に先
立ち、前記バイアホール形成を行い、しかる後前記の第
2層形成を行うこともできる。この場合更に、望ましく
は該第2層形成後、引続きバイヤホール凹部にSn又は
Sn合金ペーストの充填及びリメルトを行うこともでき
る。
を化学メッキしたり、Pdなどの触媒を含有するペース
トを薄く印刷してからCuを化学メンキすることが行わ
れる。しかる後上記と同様のパイヤボール形成処理を行
うことができる。もちろん、この第2層回路の形成に先
立ち、前記バイアホール形成を行い、しかる後前記の第
2層形成を行うこともできる。この場合更に、望ましく
は該第2層形成後、引続きバイヤホール凹部にSn又は
Sn合金ペーストの充填及びリメルトを行うこともでき
る。
(実施例)
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明する。
実施例1.比較例1〜2
1.5謹厚の^l基板上に、へlx’s粉末15重量%
を含有させたエポキシ樹脂層(50μ)を介して35μ
厚のCu箔を積層した。このCu積層基板に対し、常法
の如くレジスト印刷を行いFeCl2液にてエツチング
して所定パターンの回路を形成した。
を含有させたエポキシ樹脂層(50μ)を介して35μ
厚のCu箔を積層した。このCu積層基板に対し、常法
の如くレジスト印刷を行いFeCl2液にてエツチング
して所定パターンの回路を形成した。
次に同様に^jtOs粉末25重量%を含有させたエポ
キシ樹脂ペーストを、上述のCu積層基板のバイヤホー
ル部を残して50μ厚に印刷被覆し180℃、10分加
熱面加熱固化更にその上にCu含量75重量%のCuペ
ースト(フェノール樹脂硬化型)を用い所定パターンの
回路を印刷し170℃、20分加熱し硬化させた。得ら
れた回路基板をCuメッキ液(上材工業社製、I!LC
−H5浴)中に65℃、75分浸漬し8〜10μ厚にC
uメッキを行った。
キシ樹脂ペーストを、上述のCu積層基板のバイヤホー
ル部を残して50μ厚に印刷被覆し180℃、10分加
熱面加熱固化更にその上にCu含量75重量%のCuペ
ースト(フェノール樹脂硬化型)を用い所定パターンの
回路を印刷し170℃、20分加熱し硬化させた。得ら
れた回路基板をCuメッキ液(上材工業社製、I!LC
−H5浴)中に65℃、75分浸漬し8〜10μ厚にC
uメッキを行った。
次に上記回路基板のバイヤホール部に5n−60pb半
田ペーストを充填し250℃、3分間熱処理して該半田
ペーストをリメルトした。向上配回路の幅は0.3簡、
バイヤホールは0.9曽Φとした。
田ペーストを充填し250℃、3分間熱処理して該半田
ペーストをリメルトした。向上配回路の幅は0.3簡、
バイヤホールは0.9曽Φとした。
得られた回路基板に関して下記の特性試験を行い結果を
下表に示した。
下表に示した。
比較のために、上記回路基板のバイヤホールをCuペー
スト(Cu含量ニア5%)を充填したもの(比較例1)
、及び同様に^gペースト(Ag含量:80%)を充填
したもの(比較例2)について同様に行い結果を同表に
示した。
スト(Cu含量ニア5%)を充填したもの(比較例1)
、及び同様に^gペースト(Ag含量:80%)を充填
したもの(比較例2)について同様に行い結果を同表に
示した。
但し表中、
(1)特性I:試験品に対して一65℃及び+100℃
の温度サイクル250回くり返し、 その前後の電気絶縁抵抗の変化を測定 偉)特性■:80℃、90%湿度の恒温槽中にて試験品
回路に直流24V通電を行い 144時間保持し、バイヤホールで接 続されない第1及び第2層回路の絶縁 耐圧を測定した。
の温度サイクル250回くり返し、 その前後の電気絶縁抵抗の変化を測定 偉)特性■:80℃、90%湿度の恒温槽中にて試験品
回路に直流24V通電を行い 144時間保持し、バイヤホールで接 続されない第1及び第2層回路の絶縁 耐圧を測定した。
上表の結果によれば、実施別品は比較別品に比べ苛酷な
条件下での絶縁抵抗の変化及び絶縁耐圧の低下が小さく
、したがって長期に安定した特性を維持し得ることが確
認された。
条件下での絶縁抵抗の変化及び絶縁耐圧の低下が小さく
、したがって長期に安定した特性を維持し得ることが確
認された。
尚特に比較例1は特に上記熱サイクル等による熱歪みを
生ずるためかバイヤホールと回路間に多数のクラック発
生が認められた。
生ずるためかバイヤホールと回路間に多数のクラック発
生が認められた。
又比較例2は、予想されたようにバイヤホール部におい
て絶縁材へのAgミグレージ四ンを生じていた。
て絶縁材へのAgミグレージ四ンを生じていた。
(発明の効果)
この発明によれば高価なセラミック基板等を用いること
なく、特性に優れた多層回路基板が得られるのでその経
済的効果は大きく、更に上記の如く特性の安定した製品
が得られる等工業的利用効果は非常に大きい。
なく、特性に優れた多層回路基板が得られるのでその経
済的効果は大きく、更に上記の如く特性の安定した製品
が得られる等工業的利用効果は非常に大きい。
図面はこの発明実施例による回路基板の断面図である。
1・・・基板、2,6・・・絶縁層1.3.4.5.7
゜8.9・・・回路パターン、10・・・バイヤホール
部、10 a −5n、 Sn合金。 0a
゜8.9・・・回路パターン、10・・・バイヤホール
部、10 a −5n、 Sn合金。 0a
Claims (3)
- (1)金属基体上に絶縁層を介して複数層の導体回路を
形成するに際し、各層の導体回路をCuで形成すると共
に絶縁性レジンにより、層間を絶縁し、層間の導通孔(
バイヤホール)にSn又はSn合金を充填し、各層の導
通を完成するようにしたことを特徴とする多層回路基板
の製造方法。 - (2)前記金属基体上に積層したCu箔をサブトラクト
法で導体回路を形成し、しかる後無機質粉末を含有する
レジンにて上記バイヤホール部を残して絶縁層を形成し
、この上に、第2層回路を形成した後、上記バイヤホー
ルにSn又はSn合金を充填するようにした(1)項記
載の多層回路基板の製造方法。 - (3)第2層以後の導体回路をCuペーストを用いて形
成する前記(2)項記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5566585A JPS61216391A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 多層回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5566585A JPS61216391A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 多層回路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61216391A true JPS61216391A (ja) | 1986-09-26 |
Family
ID=13005148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5566585A Pending JPS61216391A (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 多層回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61216391A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03120052U (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-10 | ||
JPH09139580A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-05-27 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース多層回路基板及びその製造法 |
JPH10117069A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース多層回路基板 |
-
1985
- 1985-03-22 JP JP5566585A patent/JPS61216391A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03120052U (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-10 | ||
JPH09139580A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-05-27 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース多層回路基板及びその製造法 |
JPH10117069A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース多層回路基板 |
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