JPS59151490A - 回路基板の配線導体 - Google Patents
回路基板の配線導体Info
- Publication number
- JPS59151490A JPS59151490A JP2567983A JP2567983A JPS59151490A JP S59151490 A JPS59151490 A JP S59151490A JP 2567983 A JP2567983 A JP 2567983A JP 2567983 A JP2567983 A JP 2567983A JP S59151490 A JPS59151490 A JP S59151490A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- circuit board
- wiring conductor
- layer
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の属する技術分野
本発明は高密度回路実装用微細配線を行なうための回路
基板の配線導体に関する。
基板の配線導体に関する。
従来技術
゛ニッケルは化学的耐食性、耐熱性、耐摩耗性等にすぐ
れた特性を有し１回路基板の導体材料として広く使われ
ている。一般的には、銅の表面を被覆するように二、ケ
ルの薄膜が形成されている。
れた特性を有し１回路基板の導体材料として広く使われ
ている。一般的には、銅の表面を被覆するように二、ケ
ルの薄膜が形成されている。
従来、高密度に配置さ−れた微細な配線にこのニッケル
で表面が覆われた銅の製造ではめっき用レジスト・フィ
ルムを用いて電気−℃つきで銅配線が形成され、ひき続
き同じレジスト・フィルムを相図に示すように、嘴塗や
詐＊央疹配線導体の側面には銅が露出している。、この
結菓、配線の信頼性を低下させるという欠点がある。
で表面が覆われた銅の製造ではめっき用レジスト・フィ
ルムを用いて電気−℃つきで銅配線が形成され、ひき続
き同じレジスト・フィルムを相図に示すように、嘴塗や
詐＊央疹配線導体の側面には銅が露出している。、この
結菓、配線の信頼性を低下させるという欠点がある。
さらに、近年の回路の集積度の増大傾向にともない、配
線４幅の縮小化が進んできておシ、銅配線の上表面の面
積に対して側面の面積の比率が増大する。この結果、こ
の欠点がよシ強調されてきている。
線４幅の縮小化が進んできておシ、銅配線の上表面の面
積に対して側面の面積の比率が増大する。この結果、こ
の欠点がよシ強調されてきている。
また、配線基板においては、従来、絶縁材料として、フ
ェノール、ガラス・エポキシおよびガラス・セラミ、り
が主に用いられているが、近年になって、より微細な配
線に適した絶縁材料として。
ェノール、ガラス・エポキシおよびガラス・セラミ、り
が主に用いられているが、近年になって、より微細な配
線に適した絶縁材料として。
ポリイミド系樹脂が用いられるようになってきている。
し空し、酸化銅とポリイミド系樹脂との接□ 着力は弱
い。したがって、銅配線上にポリイミド系樹脂の絶縁層
を形成する過程で、銅配線の表面が酸化すると、銅配線
とポリイミド系松−′の絶縁との間に乗離が起こる。こ
の結果、この乗離が。
い。したがって、銅配線上にポリイミド系樹脂の絶縁層
を形成する過程で、銅配線の表面が酸化すると、銅配線
とポリイミド系松−′の絶縁との間に乗離が起こる。こ
の結果、この乗離が。
配線間ショートや配線腐食を起こす。
ニッケルとポリイミド系樹脂との接着強度は極めて強い
。したがって、上表面がニッケルで覆われた銅配線では
、先に述べた配線間ショートや配線腐食の可能性は低く
なる。／Ｌかし側面に轡が露出している限り、皆無には
ならない。
。したがって、上表面がニッケルで覆われた銅配線では
、先に述べた配線間ショートや配線腐食の可能性は低く
なる。／Ｌかし側面に轡が露出している限り、皆無には
ならない。
本発明の主な目的は１回路基板上に形成されたｌ微細配
線の耐食性を主とする信頼性の向上をもたらすようにし
た回路基板の配線導体を提供することにある。
線の耐食性を主とする信頼性の向上をもたらすようにし
た回路基板の配線導体を提供することにある。
本発明の他の目的は、ポリイミド系樹脂絶縁材料と前記
微細配線との接着強度を強化するようにした回路基板の
配線導体を提供することにある。
微細配線との接着強度を強化するようにした回路基板の
配線導体を提供することにある。
発明の構成
本発明の配線導体は、絶縁基板上と絶縁層上との少なく
とも一方の表面に形成された銅を主体とする配線導体と
、この配線導体の上表面と側表面とを覆う二、ケル膜と
から構成される。
とも一方の表面に形成された銅を主体とする配線導体と
、この配線導体の上表面と側表面とを覆う二、ケル膜と
から構成される。
発明の原理と作用
本発明の特徴は、銅を主体とする配線の上表面だけでは
なく側表面をも二ｙケル膜で被覆することＫより、銅配
線に対外的には二、ケルの物性を付与することにある。
なく側表面をも二ｙケル膜で被覆することＫより、銅配
線に対外的には二、ケルの物性を付与することにある。
発明の実施例
次に本発明について１図面を参照して詳細に説明する。
第２図を参照すると１本発明の第１の実施ｉは、絶縁基
板としてのセラミ、り基碇τこの基板２０上に、５００
〜２０００Ａ （オングストローム）、最適には１００
ＯＡの厚さで形成されたチタン薄膜２２．このチタン薄
膜２２上に配線パターンに従って２〜１０μ（ミクロン
）、最適には５μの厚さで形成された銅を主成分とする
配線導体２３、およびこの配線導体２３の表面に０．５
〜２μ（ミクロン）、最適には１μ（ミクロン）の厚さ
で形成５− されたニッケル膜２５から構成されている。
板としてのセラミ、り基碇τこの基板２０上に、５００
〜２０００Ａ （オングストローム）、最適には１００
ＯＡの厚さで形成されたチタン薄膜２２．このチタン薄
膜２２上に配線パターンに従って２〜１０μ（ミクロン
）、最適には５μの厚さで形成された銅を主成分とする
配線導体２３、およびこの配線導体２３の表面に０．５
〜２μ（ミクロン）、最適には１μ（ミクロン）の厚さ
で形成５− されたニッケル膜２５から構成されている。
本発明の第２の実施例は、絶縁層としてガラス・セラぐ
ツク絶縁材を、内層配線に金ペーストを焼成固化したも
のを、回路基板の外部に露出する最上層配線として、本
発明の構造による配線導体をそれぞれ用いている。
ツク絶縁材を、内層配線に金ペーストを焼成固化したも
のを、回路基板の外部に露出する最上層配線として、本
発明の構造による配線導体をそれぞれ用いている。
第３図を参照すると１本発明の第２の実施例は。
絶縁基板としてのセラミック基板３０．この基板３０の
上に金を主成分として、３〜１０μ、最極には５μの厚
さで形成された第１配線層３６．この第１配線層３６と
その上層の第２の配線層２３とを電気的に接続するため
の穴を有し前記第１の配線層３６を檀う゛ように、２０
〜６０μ、最適には３０μ〜４０μの厚さで形成された
ガラス・セラミ、り絶縁層３１．この絶縁層３１の穴に
１７〜５０μ。
上に金を主成分として、３〜１０μ、最極には５μの厚
さで形成された第１配線層３６．この第１配線層３６と
その上層の第２の配線層２３とを電気的に接続するため
の穴を有し前記第１の配線層３６を檀う゛ように、２０
〜６０μ、最適には３０μ〜４０μの厚さで形成された
ガラス・セラミ、り絶縁層３１．この絶縁層３１の穴に
１７〜５０μ。
最適には２５〜３５μの厚さで埋め込まれた金を材料と
する層間接続導体３７．前記絶縁層３１との密着性を良
好にするため前記絶縁層３１の上に５００〜２０００Ｘ
（オンゲスドロトム）、最適には１０００人の厚さで
形成されたチタン薄膜２２、良導体の６一 銅を主成分とし２〜１０μ、最適には５μの厚さで形成
された第２配線層２３、前記チタン薄膜２２と第２配線
層２３との間の相互拡散を阻止するため５００〜２００
ＯＡ、最適には１００ＯＡの厚さで形成されたパラジウ
ム薄膜３４ｓおよび前記第２の配線層２３の上および側
表面を０．５〜２μ、最適には１μの厚さで被接する二
、ケル膜３５を含む。
する層間接続導体３７．前記絶縁層３１との密着性を良
好にするため前記絶縁層３１の上に５００〜２０００Ｘ
（オンゲスドロトム）、最適には１０００人の厚さで
形成されたチタン薄膜２２、良導体の６一 銅を主成分とし２〜１０μ、最適には５μの厚さで形成
された第２配線層２３、前記チタン薄膜２２と第２配線
層２３との間の相互拡散を阻止するため５００〜２００
ＯＡ、最適には１００ＯＡの厚さで形成されたパラジウ
ム薄膜３４ｓおよび前記第２の配線層２３の上および側
表面を０．５〜２μ、最適には１μの厚さで被接する二
、ケル膜３５を含む。
本発明の第３の実施例は、絶縁層として、ポリイミド系
樹脂を用い内層配線と最上層配線の両方に、本発明の構
造による配線導体を形成している。
樹脂を用い内層配線と最上層配線の両方に、本発明の構
造による配線導体を形成している。
第４図を参照すると１本発明の第３の実施例は。
絶縁基板としてのセラミ、り基板２０％この基板２０上
に５００〜２０００Ｘ （オンゲスト四＝Ａ）。
に５００〜２０００Ｘ （オンゲスト四＝Ａ）。
最適には１００ＯＡの厚さで形成されたクロム薄膜４２
と、このクロム薄膜４２上に５００〜２ｏｏｏＸ。
と、このクロム薄膜４２上に５００〜２ｏｏｏＸ。
最適には１ｏｏｏＸの厚さで形成されたパラジウム薄膜
４４と、このパラジウム薄膜４４上に２〜１０μ（ミク
ロン）、最適には５μの厚さで形成された銅膜４３と、
これらの上および側表面を０．５〜２μ（ミクロン）、
最適には１μの厚さで被覆するニッケル膜４５とからな
る第１の配線層、この第１の配線層を覆うように１０〜
３０μ （ミクロン）、最適には２０μの厚さで形成さ
れたポリイミド系樹脂による絶縁層４１．およびこの絶
縁層４１の上に形成された５００〜２０００Ａ （オン
ゲストローＡ）、最適には１００ＯＡの厚さのクロム薄
膜５２゜５００〜２００ＯＡ、最適には１００ＯＡのパ
ラジウム薄膜２４．２〜１０μ、最適には５μの厚さで
形成された銅膜２３．およびこれらの上および側面を０
．５〜２μ、最適には１μの厚さのニッケル膜２５から
なる第２の配線層を含む。各配線層の最下層・ にクロ
ム薄膜を用いることにより、セラミックもしくはポリイ
ミド系樹脂に対する良好な接着強度をもたせることがで
きる。前記絶縁層４１には第１の絶縁層と泥２の配線層
とが電気的に接続するための穴があけられており、第１
の配線層と第２の配線層とがこの穴を通して直接接触さ
れている。
４４と、このパラジウム薄膜４４上に２〜１０μ（ミク
ロン）、最適には５μの厚さで形成された銅膜４３と、
これらの上および側表面を０．５〜２μ（ミクロン）、
最適には１μの厚さで被覆するニッケル膜４５とからな
る第１の配線層、この第１の配線層を覆うように１０〜
３０μ （ミクロン）、最適には２０μの厚さで形成さ
れたポリイミド系樹脂による絶縁層４１．およびこの絶
縁層４１の上に形成された５００〜２０００Ａ （オン
ゲストローＡ）、最適には１００ＯＡの厚さのクロム薄
膜５２゜５００〜２００ＯＡ、最適には１００ＯＡのパ
ラジウム薄膜２４．２〜１０μ、最適には５μの厚さで
形成された銅膜２３．およびこれらの上および側面を０
．５〜２μ、最適には１μの厚さのニッケル膜２５から
なる第２の配線層を含む。各配線層の最下層・ にクロ
ム薄膜を用いることにより、セラミックもしくはポリイ
ミド系樹脂に対する良好な接着強度をもたせることがで
きる。前記絶縁層４１には第１の絶縁層と泥２の配線層
とが電気的に接続するための穴があけられており、第１
の配線層と第２の配線層とがこの穴を通して直接接触さ
れている。
発明の効果
本発明には、銅を主体とする微細配線の表面な二、ケル
膜で覆うことにより、耐食性を主とする信頼性を向上で
きるという効果がある。さら、に。
膜で覆うことにより、耐食性を主とする信頼性を向上で
きるという効果がある。さら、に。
ポリイミド系樹脂を絶縁被膜する場合には、ポリイミド
系樹脂とこの配線との接着強度が強化されるという効果
がある。
系樹脂とこの配線との接着強度が強化されるという効果
がある。
第１図は従来技術例を示す図、第２図は本発明を示す図
である。 第１図から第４図において、１０・・・・・・絶縁基板
、２０・・・・・・セラミック基板％１３，２３．４３
・・・・・・銅。 １５．２５．４５・・・・・・ニッケル膜、２２．３２
・・・・・・チタン薄膜、４２．５２・・・・・・クロ
ム薄膜、３４．４４・・・・・・パラジウム薄膜、３１
・・・・・・ガラス・セラミック絶縁層、４１・・・・
・・ポリイミド樹脂系絶縁層、３６・・・・・・金配線
％ ３７・・・・・・層間接続導体。 ９−
である。 第１図から第４図において、１０・・・・・・絶縁基板
、２０・・・・・・セラミック基板％１３，２３．４３
・・・・・・銅。 １５．２５．４５・・・・・・ニッケル膜、２２．３２
・・・・・・チタン薄膜、４２．５２・・・・・・クロ
ム薄膜、３４．４４・・・・・・パラジウム薄膜、３１
・・・・・・ガラス・セラミック絶縁層、４１・・・・
・・ポリイミド樹脂系絶縁層、３６・・・・・・金配線
％ ３７・・・・・・層間接続導体。 ９−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板上と該絶縁基板上に形成された絶縁層上と
の少なくとも１方の表面に独立した複数個の所望の形状
に形成された第１の金属からな該導体層の上表面および
側表面を被覆するニッケル膜とを含むことを特徴とする
回路基板・の配線導体。 ２、前記第２の金属が銅であることを特徴とする特許請
求範囲第１項記載の１回路基板の配線導体。 ３、前記第２の金属がパラジウムと銅との２層・構・成
であることを特徴とする特許請求範囲第１項記載の（ロ
）路基板の配線導体。 ４、前記第１の金属がチタンとクロムとのどちらか一方
であることを特徴とする特許請求範囲第２・項記載の回
路基板の配線導体。 ５０．前記第１の金属がチタンとクロム・とのどちらか
一方であるととを特徴とする特許請求範囲第３項記載の
回路基板の配線導体。 ６、前記絶縁層がポリイミド系樹脂であることを特徴と
する特許請求範囲第１項記載の回路基板の、配線導体軸
道＃ ７、特許請求範囲第１項もしくは第２項もしくは第３項
もしくは第４項もしくは第５項もしくは第６項記載の配
線をポリイミド系樹脂の絶縁材で被覆した回路基板の配
線導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2567983A JPS59151490A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 回路基板の配線導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2567983A JPS59151490A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 回路基板の配線導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151490A true JPS59151490A (ja) | 1984-08-29 |
Family
ID=12172468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2567983A Pending JPS59151490A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 回路基板の配線導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59151490A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61294895A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | 日本電信電話株式会社 | 多層配線板の製造方法 |
| JPH0268992A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Nec Corp | 多層配線基板 |
| JPH0298994A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Ibiden Co Ltd | ポリイミド絶縁層上への導体層形成方法 |
| JPH03108797A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板およびその製造方法 |
| US8047571B2 (en) | 2006-12-27 | 2011-11-01 | Calsonic Kansei Corporation | Fixture structure for in-vehicle electronic apparatus |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP2567983A patent/JPS59151490A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61294895A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | 日本電信電話株式会社 | 多層配線板の製造方法 |
| JPH0368556B2 (ja) * | 1985-06-24 | 1991-10-28 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPH0268992A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Nec Corp | 多層配線基板 |
| JPH0298994A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Ibiden Co Ltd | ポリイミド絶縁層上への導体層形成方法 |
| JPH03108797A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板およびその製造方法 |
| US8047571B2 (en) | 2006-12-27 | 2011-11-01 | Calsonic Kansei Corporation | Fixture structure for in-vehicle electronic apparatus |
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