JPH0268992A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
- Publication number
- JPH0268992A JPH0268992A JP63220869A JP22086988A JPH0268992A JP H0268992 A JPH0268992 A JP H0268992A JP 63220869 A JP63220869 A JP 63220869A JP 22086988 A JP22086988 A JP 22086988A JP H0268992 A JPH0268992 A JP H0268992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- glass ceramics
- polyimide
- polyimide resin
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
- H05K3/4605—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated made from inorganic insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0154—Polyimide
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0179—Thin film deposited insulating layer, e.g. inorganic layer for printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/15—Position of the PCB during processing
- H05K2203/1581—Treating the backside of the PCB, e.g. for heating during soldering or providing a liquid coating on the backside
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/467—Adding a circuit layer by thin film methods
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12556—Organic component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12583—Component contains compound of adjacent metal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12875—Platinum group metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12889—Au-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
- Y10T428/31609—Particulate metal or metal compound-containing
- Y10T428/31612—As silicone, silane or siloxane
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
- Y10T428/31623—Next to polyamide or polyimide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
- Y10T428/31681—Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31721—Of polyimide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31725—Of polyamide
- Y10T428/31765—Inorganic-containing or next to inorganic-containing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、多層配線基板の構造に関し、特に、ガラスセ
ラミックス基板上にポリイミド樹脂の微細多層配線層を
形成する多層配線基板の層構成に関する。
ラミックス基板上にポリイミド樹脂の微細多層配線層を
形成する多層配線基板の層構成に関する。
従来、ガラスセラミックス基板上にポリイミド樹脂を絶
縁材料に用いて微細多層配線層を形成する場合には、ガ
ラスセラミックス基板上にシラン系の密着改良剤等を塗
布してポリイミド樹脂層を形成していた。
縁材料に用いて微細多層配線層を形成する場合には、ガ
ラスセラミックス基板上にシラン系の密着改良剤等を塗
布してポリイミド樹脂層を形成していた。
しかし、シラン系の密着改良剤の塗布だけでは、ガラス
セラミックスとポリイミド樹脂との強い密着が得られな
い。そのため、多層配線基板の大型化に従がい、ガラス
セラミックス基板とポリイミド樹脂との熱膨張率の差に
よる応力が増大し、それが原因となって、ガラスセラミ
ックス。
セラミックスとポリイミド樹脂との強い密着が得られな
い。そのため、多層配線基板の大型化に従がい、ガラス
セラミックス基板とポリイミド樹脂との熱膨張率の差に
よる応力が増大し、それが原因となって、ガラスセラミ
ックス。
ポリイミド樹脂間の剥れが発生するという欠点がある。
本発明は、ガラスセラミックス基板上にポリイミド樹脂
を絶縁材料とする微細多層配線層を形成する多層配線基
板において、前記ガラスセラミックス基板と前記多層配
線層との間に薄い無機絶縁層もしくは金属層を挟むこと
を特徴とする。
を絶縁材料とする微細多層配線層を形成する多層配線基
板において、前記ガラスセラミックス基板と前記多層配
線層との間に薄い無機絶縁層もしくは金属層を挟むこと
を特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第1図
は本発明の第1の実施例の断面図である。ガラスセラミ
ックス基板11は金の導体配線層14を内層に含んでい
る。ガラスセラミックス基板11の上にはポリイミド樹
脂を絶縁材料とした多層配線層13が形成され、この多
層配線層13は内層に金の導体配線層15を含んでいる
。ガラスセラミックス基板11とポリイミド多層配線層
13との間には二酸化ケイ素の層12か挟まれている。
は本発明の第1の実施例の断面図である。ガラスセラミ
ックス基板11は金の導体配線層14を内層に含んでい
る。ガラスセラミックス基板11の上にはポリイミド樹
脂を絶縁材料とした多層配線層13が形成され、この多
層配線層13は内層に金の導体配線層15を含んでいる
。ガラスセラミックス基板11とポリイミド多層配線層
13との間には二酸化ケイ素の層12か挟まれている。
この二酸化ケイ素の層12は厚さが1ミクロンで、ガラ
スセラミックスとポリイミド樹脂との間の密着層として
機能している。ガラスセラミックス基板1】、の導体配
線層14とポリイミド多層配線層内の導体配線層15と
をつなぐために二酸化ケイ素N12にピアホール16が
形成されている。
スセラミックスとポリイミド樹脂との間の密着層として
機能している。ガラスセラミックス基板1】、の導体配
線層14とポリイミド多層配線層内の導体配線層15と
をつなぐために二酸化ケイ素N12にピアホール16が
形成されている。
本実施例では二酸化ケイ素層12はプラズマCVD法で
カラスセラミックス基板上に形成し、ピアホール16は
りアクティブイオンビームエッチツク法て形成しな。そ
の他に、二酸化ケイ素層はスパッタなどの物理蒸着法で
、ピアホールはりアクティブイオンエツチング、ウェッ
トエツチング、リフトオフ法などでも形成できる。
カラスセラミックス基板上に形成し、ピアホール16は
りアクティブイオンビームエッチツク法て形成しな。そ
の他に、二酸化ケイ素層はスパッタなどの物理蒸着法で
、ピアホールはりアクティブイオンエツチング、ウェッ
トエツチング、リフトオフ法などでも形成できる。
さらに、ガラスセラミックス基板とポリイミド樹脂との
密着改良層として二酸化ケイ素の他に酸化アルミニウム
、窒化アルミニウム、窒化ホウ素または、特に密着改良
のなめに組成を変えたガラスセラミックスが使用できる
。
密着改良層として二酸化ケイ素の他に酸化アルミニウム
、窒化アルミニウム、窒化ホウ素または、特に密着改良
のなめに組成を変えたガラスセラミックスが使用できる
。
また、カラスセラミックス基板11とポリイミド樹脂多
層配線層13との間に挟む無機絶縁層の熱膨張率が、ガ
ラスセラミックスとポリイミド樹脂の中間である場合は
、この無機絶縁層は密着改良層だけでなく、熱膨張率の
異なる2つの材料層間の応力緩和層としても機能する。
層配線層13との間に挟む無機絶縁層の熱膨張率が、ガ
ラスセラミックスとポリイミド樹脂の中間である場合は
、この無機絶縁層は密着改良層だけでなく、熱膨張率の
異なる2つの材料層間の応力緩和層としても機能する。
この様な無機絶縁材料には各種添加剤を加え熱膨張率を
調整したセラミンクペーストなどがある。
調整したセラミンクペーストなどがある。
第2図は本発明の第2の実施例の断面図である。ガラス
セラミックス基板21およびポリイミド多層配線層23
は、おのおのの内層も古めてすべて第1図に示した第1
の実施例と同じ構成であり、それぞれ導体配線層24お
よび25を含んでいる。ガラスセラミックス基板21と
ポリイミド多層配線層23の間には金とパラジウムによ
る多層メツキで形成された応力緩和層22が挟まれてい
る。
セラミックス基板21およびポリイミド多層配線層23
は、おのおのの内層も古めてすべて第1図に示した第1
の実施例と同じ構成であり、それぞれ導体配線層24お
よび25を含んでいる。ガラスセラミックス基板21と
ポリイミド多層配線層23の間には金とパラジウムによ
る多層メツキで形成された応力緩和層22が挟まれてい
る。
この応力緩和層22はクロムとパラジウムのスパッタ膜
層(クロム1000吉、パラジウム1000告)金メツ
キ層(5μm)、パラジウムメッキ層(0,5μm)で
構成されている。ガラスセラミックス基板21と応力緩
和層22とはクロムのスパッタ膜が密着層となり、応力
緩和層22とポリイミド多層配線層23とはパラジウム
メッキ層が密着層となっている。ガラスセラミックス基
板21とポリイミド多層配線層23の熱膨張率の違いに
よって発生する応力は応力緩和層22の中の5μm厚の
金メツキ層によって緩和される。
層(クロム1000吉、パラジウム1000告)金メツ
キ層(5μm)、パラジウムメッキ層(0,5μm)で
構成されている。ガラスセラミックス基板21と応力緩
和層22とはクロムのスパッタ膜が密着層となり、応力
緩和層22とポリイミド多層配線層23とはパラジウム
メッキ層が密着層となっている。ガラスセラミックス基
板21とポリイミド多層配線層23の熱膨張率の違いに
よって発生する応力は応力緩和層22の中の5μm厚の
金メツキ層によって緩和される。
ガラスセラミックス基板内の導体配線層24とポリイミ
ド多層配線層23の導体配線層25をつなぐ部分の応力
緩和層22には配線層と緩和層が短絡しない様にピアホ
ール26が形成されている。
ド多層配線層23の導体配線層25をつなぐ部分の応力
緩和層22には配線層と緩和層が短絡しない様にピアホ
ール26が形成されている。
なお、応力緩和層22は、ピアホール26を除く部分は
すべてベタ層でもしくは微細メツシュ層で形成されてお
り、この応力緩和層を電源のグランドに接続することに
より、信号配線層のインピーダンスマツチングなどにも
使用できる。
すべてベタ層でもしくは微細メツシュ層で形成されてお
り、この応力緩和層を電源のグランドに接続することに
より、信号配線層のインピーダンスマツチングなどにも
使用できる。
応力緩和層を構成する金属には本実施例の他に次のもの
が使用できる。クロムスパッタの他にはチタン、タング
ステン、ニクロムスパッタなど、パラジウムスパッタの
他には白金、ニッケルスパッタなど、金メツキの他には
銅メツキなど、パラジウムメッキの他にはニッケル、ク
ロムメツキなどである。
が使用できる。クロムスパッタの他にはチタン、タング
ステン、ニクロムスパッタなど、パラジウムスパッタの
他には白金、ニッケルスパッタなど、金メツキの他には
銅メツキなど、パラジウムメッキの他にはニッケル、ク
ロムメツキなどである。
以上説明したように本発明は、ガラスセラミックス基板
とポリイミド樹脂層との間に薄い無機絶縁層もしくは金
属層を挟むことにより、ガラスセラミックス基板とポリ
イミド樹脂層との密着の大幅な改善および、熱膨張率の
違いによる剥れを防止することができるという効果があ
る。
とポリイミド樹脂層との間に薄い無機絶縁層もしくは金
属層を挟むことにより、ガラスセラミックス基板とポリ
イミド樹脂層との密着の大幅な改善および、熱膨張率の
違いによる剥れを防止することができるという効果があ
る。
第1図は本発明の第1の実施例の断面図、第2図は第2
の実施例の断面図である。 11・・・ガラスセラミックス基板、12・・・二酸化
ケイ素層、13・・・ポリイミド多層配線層、14・・
・ガラスセラミックス基板内の導体配線層、15・・・
ポリイミド絶縁層の導体配線層、16・・・二酸化ケイ
素層のビアポール、21・・・ガラスセラミックス基板
、22・・・応力緩和層、23・・・ポリイミド多層配
線層、24・・・ガラスセラミックス基板内の導体配線
層、25・・・ポリイミド絶縁層の導体配線層、26・
・・応力緩和層のピアホール。
の実施例の断面図である。 11・・・ガラスセラミックス基板、12・・・二酸化
ケイ素層、13・・・ポリイミド多層配線層、14・・
・ガラスセラミックス基板内の導体配線層、15・・・
ポリイミド絶縁層の導体配線層、16・・・二酸化ケイ
素層のビアポール、21・・・ガラスセラミックス基板
、22・・・応力緩和層、23・・・ポリイミド多層配
線層、24・・・ガラスセラミックス基板内の導体配線
層、25・・・ポリイミド絶縁層の導体配線層、26・
・・応力緩和層のピアホール。
Claims (1)
- ガラスセラミックス基板上にポリイミド樹脂を絶縁材料
とする微細多層配線層を形成する多層配線基板において
、前記ガラスセラミックス基板と前記多層配線層との間
に薄い無機絶縁層もしくは金属層を挟むことを特徴とす
る多層配線基板。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63220869A JPH0268992A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 多層配線基板 |
DE68915901T DE68915901T2 (de) | 1988-09-02 | 1989-09-01 | Mehrschichtiges Substrat mit Leiterbahnen. |
EP89116215A EP0357088B1 (en) | 1988-09-02 | 1989-09-01 | Multilayer wiring substrate |
US07/665,938 US5111003A (en) | 1988-09-02 | 1991-03-06 | Multilayer wiring substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63220869A JPH0268992A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 多層配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0268992A true JPH0268992A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16757818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63220869A Pending JPH0268992A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 多層配線基板 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5111003A (ja) |
EP (1) | EP0357088B1 (ja) |
JP (1) | JPH0268992A (ja) |
DE (1) | DE68915901T2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102662A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Fujitsu Ltd | 薄膜多層回路基板 |
JPH07297560A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Hitachi Ltd | 多層プリント配線基板およびその実装構造体 |
JP2010003871A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Kyocera Corp | 配線基板およびプローブカードならびに電子装置 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5080958A (en) * | 1989-08-01 | 1992-01-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Multilayer interconnects |
JP2551224B2 (ja) * | 1990-10-17 | 1996-11-06 | 日本電気株式会社 | 多層配線基板および多層配線基板の製造方法 |
FR2674078B1 (fr) * | 1991-03-12 | 1994-10-07 | Thomson Trt Defense | Emetteur-recepteur hyperfrequence utilisant la technique des circuits imprimes multicouches. |
US5315239A (en) * | 1991-12-16 | 1994-05-24 | Hughes Aircraft Company | Circuit module connections |
US5347091A (en) * | 1992-08-21 | 1994-09-13 | Cts Corporation | Multilayer circuit card connector |
US5389743A (en) * | 1992-12-21 | 1995-02-14 | Hughes Aircraft Company | Rivet design for enhanced copper thick-film I/O pad adhesion |
JPH0828580B2 (ja) * | 1993-04-21 | 1996-03-21 | 日本電気株式会社 | 配線基板構造及びその製造方法 |
JPH06325979A (ja) * | 1993-05-11 | 1994-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 複合電子部品 |
JP3252635B2 (ja) * | 1995-01-13 | 2002-02-04 | 株式会社村田製作所 | 積層電子部品 |
US6080468A (en) * | 1997-02-28 | 2000-06-27 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Laminated composite electronic device and a manufacturing method thereof |
JP3840921B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2006-11-01 | 株式会社デンソー | プリント基板のおよびその製造方法 |
JP2003298232A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-17 | Sony Corp | 多層配線基板の製造方法および多層配線基板 |
KR20080005528A (ko) * | 2005-04-05 | 2008-01-14 | 에스브이 프로브 피티이 엘티디 | 세라믹 스페이스 트랜스포머에서의 프로브 패드 구조 |
KR100896601B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-05-08 | 삼성전기주식회사 | 무수축 세라믹 기판의 제조방법 및 이를 이용한 무수축세라믹 기판 |
US9394067B2 (en) | 2011-06-30 | 2016-07-19 | Hellermanntyton Corporation | Cable tie tensioning and cut-off tool |
WO2015108051A1 (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-23 | 株式会社村田製作所 | 積層配線基板およびこれを備える検査装置 |
JP6724775B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2020-07-15 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板の個片化方法及びパッケージ用基板 |
US20180206334A1 (en) * | 2017-01-16 | 2018-07-19 | Innolux Corporation | Metal-laminated structure and high-frequency device comprising the same |
CN108668453A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-10-16 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种多孔加热组件及其制作方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52149358A (en) * | 1976-06-08 | 1977-12-12 | Fujitsu Ltd | Multilayer wiring method |
JPS5498583A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-03 | Sanyo Electric Co Ltd | Coating method of metallic film |
JPS59151490A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | 日本電気株式会社 | 回路基板の配線導体 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59167096A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-20 | 日本電気株式会社 | 回路基板 |
EP0235582A3 (en) * | 1986-02-27 | 1989-03-29 | Hewlett-Packard Company | Bonded press pad |
JPS62287658A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Hitachi Ltd | セラミックス多層回路板 |
JPS6319896A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-27 | 日本電気株式会社 | 多層配線基板 |
US4783359A (en) * | 1986-11-18 | 1988-11-08 | Rogers Corporation | Electronic signal time dealy device and method of making the same |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP63220869A patent/JPH0268992A/ja active Pending
-
1989
- 1989-09-01 EP EP89116215A patent/EP0357088B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-09-01 DE DE68915901T patent/DE68915901T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-06 US US07/665,938 patent/US5111003A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52149358A (en) * | 1976-06-08 | 1977-12-12 | Fujitsu Ltd | Multilayer wiring method |
JPS5498583A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-03 | Sanyo Electric Co Ltd | Coating method of metallic film |
JPS59151490A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | 日本電気株式会社 | 回路基板の配線導体 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102662A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Fujitsu Ltd | 薄膜多層回路基板 |
JPH07297560A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Hitachi Ltd | 多層プリント配線基板およびその実装構造体 |
JP2010003871A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Kyocera Corp | 配線基板およびプローブカードならびに電子装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0357088B1 (en) | 1994-06-08 |
EP0357088A3 (en) | 1991-05-29 |
EP0357088A2 (en) | 1990-03-07 |
DE68915901D1 (de) | 1994-07-14 |
US5111003A (en) | 1992-05-05 |
DE68915901T2 (de) | 1994-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0268992A (ja) | 多層配線基板 | |
US5254493A (en) | Method of fabricating integrated resistors in high density substrates | |
JP3484306B2 (ja) | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 | |
US4899439A (en) | Method of fabricating a high density electrical interconnect | |
JP2003017366A (ja) | 薄膜キャパシタ素子およびその製造方法 | |
US3959747A (en) | Metallized lithium niobate and method of making | |
JPH0513933A (ja) | プリント配線板の導体パターン及びその形成方法 | |
US5023994A (en) | Method of manufacturing a microwave intergrated circuit substrate including metal lined via holes | |
JP2530008B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2003017301A (ja) | 薄膜抵抗素子およびその製造方法 | |
JP2891488B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR950034076A (ko) | 자기헤드유니트를 제조하는 방법과 자기헤드를 제조하는 방법 및 자기헤드유니트와 그러한 자기헤드유니트에 이용되는 자기헤드 | |
JP2839523B2 (ja) | 整合回路形成用金属膜付き誘電体基板 | |
JPS5928996B2 (ja) | 電子部品の取付方法 | |
JP2643004B2 (ja) | ハイブリッドic基板 | |
JPH05347212A (ja) | 薄膜電子部品及びその製造方法 | |
JPH0437186A (ja) | 薄膜回路素子 | |
JPH01286333A (ja) | 半導体装置 | |
JPS59167059A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5994899A (ja) | バイアホ−ル形成法 | |
JPS5875903A (ja) | 多層線路構体 | |
JPH0368190A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JPH01220819A (ja) | 複合半導体基板の製法 | |
JPH01115144A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0311738A (ja) | 薄膜導体パターンの形成方法 |