JPH01220819A - 複合半導体基板の製法 - Google Patents
複合半導体基板の製法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体基板本体上に、その第１の主面側にお
いて、半導体基板本体とは異なる熱膨張係数を有する半
導体層が形成され、また、第１の主面と対向する第２の
主面側において、半導体基板本体とは異なる熱膨張係数
を有する金属層が形成されている構成を有する複合半導
体基板の製法に関する。 従来、第３図を伴って、次に述べる複合半導体基板の製
法が提案されている。 すなわち、例えば５ｉでなり且つ相対向する平らな主面
２ａ及び２ｂを有する半導体基板本体１を予め用意する
（第３図Ａ）。 そして、その半導体基板本体１の主面２ａ上に、気相堆
積法によって、例えば、ＩｎＰ、ＧａＡｓ１ＧａＰ、Ｚ
ｎ５ｅＳ系などでなる、半導体基板本体１に比し高い熱
膨張係数を有する半導体１１３を、半導体基板本体１に
、ＩｎＰでなる場合６００℃、ＧａＡＳでなる場合７０
０℃、ＧａＰの場合７５０℃、ｚｎｓｅｓ系でなる場合
４００℃というような常温に比し高い温度を与えた状態
で、形成することによって、半導体基板４を形成する（
第３図Ｂ）。 次に、半導体基板本体１の主面２ｂ上に、蒸着法によっ
て、例えばＣｕでなる、半導体基板本体１に比し＾い熱
膨張係数を有する金ｊｉｌ１５を、半導体基板本体１に
常温に比し高い温度を与えない状態で、すなわち、半導
体基板本体１に常温しか与えていない状態で、０．１μ
ｍ以下というような薄い厚さに形成することによって、
複合半導体基板６を形成する（第３図Ｃ）。 以上が、従来提案されている複合半導体基板の製法であ
る。 このような複合半導体基板の製法によって製造される複
合半導体基板は、半導体集積回路、光−半導体集積回路
などを構成するのに広く用いられている。なお、この場
合、金属層５は電極層として用いられている。 また、上述した従来の複合半導体基板の製法によれば、
半導体基板本体１の第１の主面２ａ上の半導体層３を気
相堆積法によって容易に形成することができ、また、半
導体基板本体１の第２の主面２ｂ上の金属層５を蒸着法
によって容易に形成することができるので、複合半導体
基板６を容易に製造することができる。
いて、半導体基板本体とは異なる熱膨張係数を有する半
導体層が形成され、また、第１の主面と対向する第２の
主面側において、半導体基板本体とは異なる熱膨張係数
を有する金属層が形成されている構成を有する複合半導
体基板の製法に関する。 従来、第３図を伴って、次に述べる複合半導体基板の製
法が提案されている。 すなわち、例えば５ｉでなり且つ相対向する平らな主面
２ａ及び２ｂを有する半導体基板本体１を予め用意する
（第３図Ａ）。 そして、その半導体基板本体１の主面２ａ上に、気相堆
積法によって、例えば、ＩｎＰ、ＧａＡｓ１ＧａＰ、Ｚ
ｎ５ｅＳ系などでなる、半導体基板本体１に比し高い熱
膨張係数を有する半導体１１３を、半導体基板本体１に
、ＩｎＰでなる場合６００℃、ＧａＡＳでなる場合７０
０℃、ＧａＰの場合７５０℃、ｚｎｓｅｓ系でなる場合
４００℃というような常温に比し高い温度を与えた状態
で、形成することによって、半導体基板４を形成する（
第３図Ｂ）。 次に、半導体基板本体１の主面２ｂ上に、蒸着法によっ
て、例えばＣｕでなる、半導体基板本体１に比し＾い熱
膨張係数を有する金ｊｉｌ１５を、半導体基板本体１に
常温に比し高い温度を与えない状態で、すなわち、半導
体基板本体１に常温しか与えていない状態で、０．１μ
ｍ以下というような薄い厚さに形成することによって、
複合半導体基板６を形成する（第３図Ｃ）。 以上が、従来提案されている複合半導体基板の製法であ
る。 このような複合半導体基板の製法によって製造される複
合半導体基板は、半導体集積回路、光−半導体集積回路
などを構成するのに広く用いられている。なお、この場
合、金属層５は電極層として用いられている。 また、上述した従来の複合半導体基板の製法によれば、
半導体基板本体１の第１の主面２ａ上の半導体層３を気
相堆積法によって容易に形成することができ、また、半
導体基板本体１の第２の主面２ｂ上の金属層５を蒸着法
によって容易に形成することができるので、複合半導体
基板６を容易に製造することができる。
【発明が解決しようとする課題ｌ
上述した従来の複合半導体基板の製法による場合、半導
体基板本体１に比し高い熱膨張係数を有する半導体層３
が、半導体基板本体１の主面２ａ上に、気相堆積法によ
って、半導体基板本体１に常温に比し高い温度を与えた
状態で形成され、そして、その半導体層３の形成後、半
導体基板本体１は、常温に比し高い温度が与えられてい
ない状態、すなわち、常温しか与えられていない状態に
なるので、半導体基板４が無視し１ｑない大きな反りを
有するものとして得られる。 一方、金属層５が、このような大きな反りを有する半導
体基板４を構成している半導体基板本体１の主面２ｂ上
に、半導体基、板本体１に常温に比し高い温度を与えな
い状態、すなわち、半導体基板本体１に常温しか与えて
いない状態で、しかも薄い厚さにしか形成されないので
、複合半導体基板６が、半導体基板４の反りに応じた大
きな反りを有するものとして得られる。 このため、従来の複合半導体基板の製法の場合、それに
よって製造される複合半導体基板を用いて半導体集積回
路、光−半導体集積回路などを構成する場合、それらを
微細、高精度に形成することができない、という欠点を
有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な複合半
導体基板の製法を提案せんとするものである。 【課題を解決するための手段】 本発明による複合半導体基板の製法は、第３図で上述し
た従来の複合半導体基板の製法の場合と同様に、半導体
基板本体の第１の主面上に、気相堆積法によって、半導
体基板本体とは異なる熱膨張係数を有する半導体層を形
成することによって、半導体基板を形成する第１の工程
と、その第１の工程後、上記半導体基板本体の第１の主
面と対向する第２の主面上に、蒸着法によって、上記半
導体基板本体とは異なる熱膨張係数を有する金属層を形
成することによって、複合半導体基板を形成する第２の
工程とを有する。 しかしながら、本発明による複合半導体基板の製法は、
上述した製法の第２の工程において、上記金属層を、上
記半導体基板本体に常温に比し高い温度を与えた状態で
、上記複合半導体基板が上記半導体基板に比し１桁以下
の反りの曲率半径の逆数しか有していないで形成される
のに十分な、上記半導体基板本体に与える温度を加味し
た厚い厚さに形成する。
体基板本体１に比し高い熱膨張係数を有する半導体層３
が、半導体基板本体１の主面２ａ上に、気相堆積法によ
って、半導体基板本体１に常温に比し高い温度を与えた
状態で形成され、そして、その半導体層３の形成後、半
導体基板本体１は、常温に比し高い温度が与えられてい
ない状態、すなわち、常温しか与えられていない状態に
なるので、半導体基板４が無視し１ｑない大きな反りを
有するものとして得られる。 一方、金属層５が、このような大きな反りを有する半導
体基板４を構成している半導体基板本体１の主面２ｂ上
に、半導体基、板本体１に常温に比し高い温度を与えな
い状態、すなわち、半導体基板本体１に常温しか与えて
いない状態で、しかも薄い厚さにしか形成されないので
、複合半導体基板６が、半導体基板４の反りに応じた大
きな反りを有するものとして得られる。 このため、従来の複合半導体基板の製法の場合、それに
よって製造される複合半導体基板を用いて半導体集積回
路、光−半導体集積回路などを構成する場合、それらを
微細、高精度に形成することができない、という欠点を
有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な複合半
導体基板の製法を提案せんとするものである。 【課題を解決するための手段】 本発明による複合半導体基板の製法は、第３図で上述し
た従来の複合半導体基板の製法の場合と同様に、半導体
基板本体の第１の主面上に、気相堆積法によって、半導
体基板本体とは異なる熱膨張係数を有する半導体層を形
成することによって、半導体基板を形成する第１の工程
と、その第１の工程後、上記半導体基板本体の第１の主
面と対向する第２の主面上に、蒸着法によって、上記半
導体基板本体とは異なる熱膨張係数を有する金属層を形
成することによって、複合半導体基板を形成する第２の
工程とを有する。 しかしながら、本発明による複合半導体基板の製法は、
上述した製法の第２の工程において、上記金属層を、上
記半導体基板本体に常温に比し高い温度を与えた状態で
、上記複合半導体基板が上記半導体基板に比し１桁以下
の反りの曲率半径の逆数しか有していないで形成される
のに十分な、上記半導体基板本体に与える温度を加味し
た厚い厚さに形成する。
【作用・効果】
本発明による複合半導体基板の製法によって製造される
複合半導体基板は、第３図で上述した従来の複合半導体
基板の製法によって製造される複合半導体基板の場合と
同様の構成を有するので、第３図に上述した従来の複合
半導体基板の製法によって製造される複合半導体基板の
場合と同様に、半導体集積回路、光−半導体集積回路な
どに用い得る。 また、本発明による複合半導体基板の製法によれば、第
３図で上述した従来の複合半導体基板の場合と同様に、
半導体基板本体の第１の主面上の半導体層を、気相堆積
法によって、容易に形成することができ、また、半導体
基板本体の第２の主面上の金ｉ層を、蒸着法によって、
容易に形成することができるので、第３図で上述した従
来の複合半導体基板の製法の場合と同様に、複合半導体
基板を、容易に製造することができる。 しかしながら、本発明による複合半導体基板の製法によ
れば、第３図で上述した従来の複合半導体基板の製法の
場合と同様に、半導体基板本体に比し高い熱膨張係数を
有する半導体層が、半導体基板本体の第１の主面上に、
気相堆積法によって、半導体基板本体に常温に比し高い
温度を与えた状態で形成されることによって、半導体基
板が無視し得ない大きな反りを有するものとして得られ
るとしても、金属層が、半導体基板本体の第２の主面上
に、常温に比し高い温度を与えた状態で、しかも、複合
半導体基板が半導体基板に比し１桁以下の反りの曲率半
径の逆数しか有していないで形成される□のに十分な、
半導体基板本体に与える温度を加５味した厚い厚さに形
成されるので、複合半導体基板を、従来の複合半導体基
板の製法によって製造される複合半導体基板に比し゛格
段的に小さな反りしか有しないものとして、容易に製造
することができる。
複合半導体基板は、第３図で上述した従来の複合半導体
基板の製法によって製造される複合半導体基板の場合と
同様の構成を有するので、第３図に上述した従来の複合
半導体基板の製法によって製造される複合半導体基板の
場合と同様に、半導体集積回路、光−半導体集積回路な
どに用い得る。 また、本発明による複合半導体基板の製法によれば、第
３図で上述した従来の複合半導体基板の場合と同様に、
半導体基板本体の第１の主面上の半導体層を、気相堆積
法によって、容易に形成することができ、また、半導体
基板本体の第２の主面上の金ｉ層を、蒸着法によって、
容易に形成することができるので、第３図で上述した従
来の複合半導体基板の製法の場合と同様に、複合半導体
基板を、容易に製造することができる。 しかしながら、本発明による複合半導体基板の製法によ
れば、第３図で上述した従来の複合半導体基板の製法の
場合と同様に、半導体基板本体に比し高い熱膨張係数を
有する半導体層が、半導体基板本体の第１の主面上に、
気相堆積法によって、半導体基板本体に常温に比し高い
温度を与えた状態で形成されることによって、半導体基
板が無視し得ない大きな反りを有するものとして得られ
るとしても、金属層が、半導体基板本体の第２の主面上
に、常温に比し高い温度を与えた状態で、しかも、複合
半導体基板が半導体基板に比し１桁以下の反りの曲率半
径の逆数しか有していないで形成される□のに十分な、
半導体基板本体に与える温度を加５味した厚い厚さに形
成されるので、複合半導体基板を、従来の複合半導体基
板の製法によって製造される複合半導体基板に比し゛格
段的に小さな反りしか有しないものとして、容易に製造
することができる。
次に、第１図を伴って、本発明による複合半導体基板の
製法の実施例を述べよう。 第１図において、第３図との対応部分には同一符号を付
して示す。 第１図に示す本発明による複合半導体基板の製法は、第
３図で上述した従来の複合半導体基板の製法の場合と同
様に、半導体基板本体１を予め用意しく第１図Ａ）、そ
して、その半導体基板本体１の主面２ａ上に、気相堆積
法によって、半導体基板本体１に比し高い熱膨張係数を
有する半導体層３を、半導体基板本体１に常温に比し高
い温度を与えた状態で形成することによって、半導体基
板４を形成しく第１図Ｂ）、その後、半導体基板本体１
の他の主面２ｂ上に、蒸着法によって、金属層５を形成
することによって複合半導体基板６を形成する（第１図
Ｃ）。 しかしながら、本発明による複合半導体基板の製法にお
いては、金属層５を、半導体基板本体１の主面２ｂ上に
形成する工程において、その金属層５を、半導体基板本
体１に常温に比し高い温度を与えた状態で、複合半導体
基板６が半導体基板４に比し１桁以下の反りの曲率半径
の逆数しか有しないで形成されるのに十分な、半導体基
板本体１に与える温度を加味した厚い厚さに形成する。 以下、上述した本発明による複合半導体基板の製法の実
施例の具体例を述べれば、次のとおりである。 具体例１ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０−６℃−１の熱
膨張係数を有するＳｉでなり且つ５００μｍの厚さを有
するものを用意した。 また、半導体層３を、気相堆積法によって、半導体基板
本体１に７００℃の温度を与えた状態で、５．８ｘ１０
’℃−１の熱膨張係数を有するＧａＡＳでなり且つ５μ
ｍの厚さを有するものとして形成した。 さらに、金属［１５を蒸着法によって、半導体基板本体
１に２００℃の温度を与えた状態で、２．０Ｘ１０−５
℃−１の熱膨張係数を有するＣｕでなるものとして形成
した。 この場合、複合半導体基板６の反りの曲率半径の逆数（
ｃｍ−１）が、金属層５の厚さに対し、第２図で曲線１
１及び１２に示す関係で得られることから、金属層５を
、約２．１〜２．６μｍという厚い厚さに形成した。な
お、第２図において、曲線１１は、複合半導体基板６が
下に凸に反っている場合、曲線１２は、複合半導体基板
６が上に凸に反っている場合を示している。 しかるときは、第２図に示すところから明らかなように
、複合半導体基板６が、金ＢＦ／Ｂ５を有しない場合の
反りの曲率半径の逆数、すなわち半導体基板４の反りの
曲率半径の逆数（約１゜５ｘ１０−３ｃｍ−’） に比
し、１桁以下の反りの曲率半径の逆数（約１ 、５ Ｘ
１０−４ｃｍ−１） Ｌ、か有しないものとして得ら
れた。また、第３図で上述した従来の複合半導体基板の
製法によって、本発明による複合半導体基板の製法の場
合と同様の半導体基板本体１の主面２ａ上に、本発明に
よる場合と同様の半導体層３を同様に形成し、また、半
導体基板本体１の主面２ｂ上に本発明による場合と同じ
Ｃｕでなる金属層５を形成するが、その金属層５を、半
導体基板本体１に常温しか与えなていない状態で、０．
１μｍという薄い厚さに形成した場合に比し、複合半導
体基板６を、格段的に反りの少ないものとして得ること
ができることも確認した。 民生五ユ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０−６°Ｃ−１の
熱膨張係数を有する３ｉでなり且つ５００μｍの厚さを
有するものを用意した。 また、半導体層３を、気相堆積法によって、半導体基板
本体１に６００℃の温度を与えた状態で、４．５Ｘ１０
’℃−１の熱膨張係数を有するＩｎＰでなり且つ５μｍ
の厚さを有するものとして形成した。 さらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に２００℃の温度を与えた状態で、５Ｘ１０’℃−１の
熱膨張係数を有する／ｌでなるものとして形成した。 この場合、複合半導体基板６の反りの曲率半径の逆数（
ｃｍ”）が、金ｉ層５の厚さに対し、第２図で曲線１１
及び１２に示すと同様の関係で得られることから、金Ｊ
ｉｉ！ＩＷＩ５を、約１μｍという厚い厚さに形成した
。 しかるときは、複合半導体基板６が、金ＷＡ層５を有し
ない場合の反りの曲率半径の逆数、すなわち半導体基板
４の反りの曲率半径の逆数（約１ ｘ １０’ｃｍ−１
＞ ニ比し、１桁以下）反りの曲率半径の逆数（約３
Ｘ １０ ’ｃｍ−’） Ｌ／か有しないものとして得
られた。また、第３図で上述した従来の複合半導体基板
の製法によって、本発明による複合半導体基板の製法の
場合と同様の半導体基板本体１の主面２ａ上に、本発明
による場合と同様の半導体層３を同様に形成し、また、
半導体基板本体１の主面２ｂ上に本発明による場合と同
じＡｎでなる金属層５を形成するが、その金属層５を、
半導体基板本体１に常温しか与えなでいない状態で、０
．１μｍという薄い厚さに形成した場合に比し、複合半
導体基板６を、格段的に反りの少ないものとして得るこ
とができるととも確認した。 ＬＬｕ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０−６℃−１の熱
膨張係数を有するＳｉでなり且つ５００μｍの厚さを有
するものを用意した。 また、半導体ＷＪ３を、気相堆積法によって、半導体基
板本体１に７００’Ｃの温度を与えた状態で、５．８×
１０−６℃−１の熱膨張係数を有するＧａＡＳでなり且
つ３μｍの厚さを有するものとして形成した。 さらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に３００℃の温度を与えた状態で、３Ｘ１０−５℃−１
の熱膨張係数を有するＣｄでなるものとして形成した。 この場合、複合半導体基板６の反りの曲率半径の逆数（
ｃ ｍ−１）が、金属層５の厚さに対し、第２図で曲線
１１及び１２に示すと同様の関係で得られることから、
金属層５を、約１μｍという厚い厚さに形成した。 しかるときは、複合半導体基板６が、金属層５を有しな
い場合の反りの曲率半径の逆数、すなわち半導体基板４
の反りの曲率半径の逆数（約２ ｘ １０’ｃｍ−１）
Ｌ比シ、１桁［Ｆ（７）反りの曲率半径の逆数（約２
Ｘ １０−’ｃｍ−’） Ｌ／が有しないものとして
得られた。また、第３図で上述した従来の複合半導体基
板の製法によって、本発明による複合半導体基板の製法
の場合と同様の半導体基板本体１の主面２ａ上に、本発
明による場合と同様の半導体層３を同様に形成し、また
、半導体基板本体１の主面２ｂ上に本発明による場合と
同じＣｄでなる金Ｊｍｉｉ５を形成するが、その金属層
５を、半導体基板本体１に常温しか与えなでいない状態
で、０．１μｍという薄い厚さに形成した場合に比し、
複合半導体基板６を、格段的に反りの少ないものとして
得ることができることも確認した。 具体例４ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０−６℃−１の熱
膨張係数を有するＳｉでなり且つ５００μｍの厚さを有
するものを用意した。 また、半導体１１３を、気相堆積法によって、半導体基
板本体１に７５０℃の温度を与えた状態で、５．３Ｘ１
０’℃−１の熱膨張係数を有するＧａＰでなり且つ３μ
ｍの厚さを有するものとして形成した。 さらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に２００℃の温度を与えた状態で、１．５ｘ１０−５℃
−１の熱膨張係数を有するＡｕでなるものとして形成し
た。この場合、複合半導体基板６の反りの曲率半径の逆
数（ｃｍ−１）が、金属層５の厚さに対し、第２図で曲
線１１及び１２に示すと同様の関係で得られることがら
、金属層５を、約２μｍという厚い厚さに形成した。 しかるとぎは、複合半導体基板６が、金底°層５を有し
ない場合の反りの曲率半径の逆数、すなわち半導体基板
４の反りの曲率半径の逆数（約２ Ｘ １０−３ｃｍ−
１） Ｉ、−比し、１桁以下の反りの曲率半径の逆数（
約５ Ｘ １０−５ｃｍ−’） Ｌ、が有しないものと
して得られた。また、第３図で上述した従来の複合半導
体基板の製法によって、本発明による複合半導体基板の
製法の場合と同様の半導体基板本体１の主面２ａ上に、
本発明による場合と同様の半導体層３を同様に形成し、
また、半導体基板本体１の主面２ｂ上に本発明による場
合と同じＡｕでなる金属層５を形成するが、その金１！
１１５を、半導体基板本体１に常温しか与えなでいない
状態で、０．１μｍという薄い厚さに形成した場合に比
し、複合半導体基板６を、格段的に反りの少ないものと
して得ることかできることも確認した。 具体例５ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０’℃−１の熱膨
張係数を有するＳｉでなり且つ５００μｍの厚さを有す
るものを用意した。 また、半導体１ｉ３を、気相堆積法によって、半導体基
板本体１に４００℃の温度を与えた状態で、６．７Ｘ１
０’℃−１の熱膨張係数を有するＺｎ５ｅＳ系でなり且
つ３μｍの厚さを有するものとして形成した。 さらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に２００℃の温度を与えた状態で、２Ｘ１０’℃−１の
熱膨張係数を有するＣＵでなるものとして形成した。こ
の場合、複合半導体基板６の反りの曲率半径の逆数（ｃ
ｍ−１）が、金属１ｔ５の厚さに対し、第２図で曲線１
１及び１２に示すと同様の関係で得られることから、金
属層５を、約２μｍという厚い厚さに形成した。 しかるときは、複合半導体基板６が、金Ｒｍ５を有しな
い場合の反りの曲率半径の逆数、すなわち半導体基板４
の反りの曲率半径の逆数（約２Ｘ１０−３ｃｍ当に比し
、１桁以下の反りの曲率半径の逆数（約５ Ｘ １０
’ｃｍ−’） Ｌ／が有しないものとして得られた。ま
た、第３図で上述した従来の複合半導体基板の製法によ
って、本発明による複合半導体基板の製法の場合と同様
の半導体基板本体１の主面２ａ上に、本発明による場合
と同様の半導体層３を同様に形成し、また、半導体基板
本体１の主面２ｂ上に本発明による場合と同じＣｕでな
る金属層５を形成するが、その金属層５を、半導体基板
本体１に常温しか与えなでいない状態で、０．１μｍと
いう薄い厚さに形成した場合に比し、複合半導体基板６
を、格段的に反りの少ないものとして得ることができる
ことも確認した。 １１１」二且 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０−６℃−１の熱
膨張係数を有する３ｉでなり且つ５００μｍの厚さを有
するものを用意した。 また、半導体層３を、気相堆積法によって、半導体基板
本体１に、４．５Ｘ１０’℃−１の熱膨張係数を有する
ＩｎＰでなるものとして形成した。 さらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に常温に比し高い温度を与えた状態で、亜鉛、アルミニ
ウム、カドミウム、金、銀、錫、チタン、銅、白金、パ
ラジウム、ビスマス、黄銅、マンガニンでなるものとし
て各別に、半導体基板本体１に第１表に示す温度を与え
た状態で、第１表に示す厚さに形成した。 しかるときは、複合半導体基板６が、半導体基板４が第
１表に示す反りの曲率半径の逆数を有しているとき、第
１表に示す反りの曲率半径の逆数を有するものとして得
られた。 具体例１９〜３１ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０’℃−１の熱膨
張係数を有する３ｉでなり且つ５００μｍの厚さを有す
るものを用意した。 また、半導体層３を、気相堆積法によって、半導体基板
本体１に、５．８Ｘ１０’℃−１の熱膨張係数を有する
ＧａＡＳでなるものとして形成した。 さらに、金属！１１５を蒸着法によって、半導体基板本
体１に常温に比し高い温度を与えた状態で、亜鉛、アル
ミニウム、カドミウム、金、銀、錫、チタン、銅、白金
、パラジウム、ビスマス、黄銅、マンガニンでなるもの
として各別に、半導体基板本体１に第２表に示す温度を
与えた状態で、第２表に示す厚さに形成した。 しかるときは、複合半導体基板６が、半導体基板４が第
２表に示す反りの曲率半径の逆数を有しているとき、第
２表に示す反りの曲率半径の逆数を有するものとして得
られた。 １豆」」玄ユ旦 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０’℃−１の熱膨
張係数を有する３ｉでなり且つ５００μｍの厚さを有す
るものを用意した。 また、半導体層３を、気相堆積法によって、半導体基板
本体１に、５Ｘ１０’℃−１の熱膨張係数を有するＧａ
Ｐでなるものとして形成した。 ざらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に常温に比し高い温度を与えた状態で、亜鉛、アルミニ
ウム、カドミウム、金、銀、錫、チタン、銅、白金、パ
ラジウム、ビスマス、黄銅、マンガニンでなるものとし
て各別に、半導体基板本体１に第３表に示す温度を与え
た状態で、第３表に示す厚さに形成した。 しかるときは、複合半導体基板６が半導体基板４が第３
表に示す反りの曲率半径の逆数を有しているとき、第３
表に示す反りの曲率半径の逆数を有するものとして得ら
れた。 具体例４５〜５５ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０−６℃−１の熱
膨張係数を有するＳｉでなり且つ５００μｍの厚さを有
するものを用意した。 また、半導体１１３を、気相堆積法によって、半導体基
板本体１に、６．７Ｘ１０−６℃−１の熱膨張係数を有
するｚｎｓｅｓ系でなるものとして形成した。 さらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に常温に比し高い温度を与えた状態で、亜鉛、アルミニ
ウム、カドミウム、金、銀、錫、チタン、銅、白金、黄
銅、マンガニンでなるものとして各別に、半導体基板本
体１に第４表に示す温度を与えた状態で、第４表に示す
厚さに形成した。 しかるときは、複合半導体基板６が、半導体基板４が第
４表に示す反りの曲率半径の逆数を有しているとき、第
４表に示す反りの曲率半径の逆数を有するものとして得
られた。
製法の実施例を述べよう。 第１図において、第３図との対応部分には同一符号を付
して示す。 第１図に示す本発明による複合半導体基板の製法は、第
３図で上述した従来の複合半導体基板の製法の場合と同
様に、半導体基板本体１を予め用意しく第１図Ａ）、そ
して、その半導体基板本体１の主面２ａ上に、気相堆積
法によって、半導体基板本体１に比し高い熱膨張係数を
有する半導体層３を、半導体基板本体１に常温に比し高
い温度を与えた状態で形成することによって、半導体基
板４を形成しく第１図Ｂ）、その後、半導体基板本体１
の他の主面２ｂ上に、蒸着法によって、金属層５を形成
することによって複合半導体基板６を形成する（第１図
Ｃ）。 しかしながら、本発明による複合半導体基板の製法にお
いては、金属層５を、半導体基板本体１の主面２ｂ上に
形成する工程において、その金属層５を、半導体基板本
体１に常温に比し高い温度を与えた状態で、複合半導体
基板６が半導体基板４に比し１桁以下の反りの曲率半径
の逆数しか有しないで形成されるのに十分な、半導体基
板本体１に与える温度を加味した厚い厚さに形成する。 以下、上述した本発明による複合半導体基板の製法の実
施例の具体例を述べれば、次のとおりである。 具体例１ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０−６℃−１の熱
膨張係数を有するＳｉでなり且つ５００μｍの厚さを有
するものを用意した。 また、半導体層３を、気相堆積法によって、半導体基板
本体１に７００℃の温度を与えた状態で、５．８ｘ１０
’℃−１の熱膨張係数を有するＧａＡＳでなり且つ５μ
ｍの厚さを有するものとして形成した。 さらに、金属［１５を蒸着法によって、半導体基板本体
１に２００℃の温度を与えた状態で、２．０Ｘ１０−５
℃−１の熱膨張係数を有するＣｕでなるものとして形成
した。 この場合、複合半導体基板６の反りの曲率半径の逆数（
ｃｍ−１）が、金属層５の厚さに対し、第２図で曲線１
１及び１２に示す関係で得られることから、金属層５を
、約２．１〜２．６μｍという厚い厚さに形成した。な
お、第２図において、曲線１１は、複合半導体基板６が
下に凸に反っている場合、曲線１２は、複合半導体基板
６が上に凸に反っている場合を示している。 しかるときは、第２図に示すところから明らかなように
、複合半導体基板６が、金ＢＦ／Ｂ５を有しない場合の
反りの曲率半径の逆数、すなわち半導体基板４の反りの
曲率半径の逆数（約１゜５ｘ１０−３ｃｍ−’） に比
し、１桁以下の反りの曲率半径の逆数（約１ 、５ Ｘ
１０−４ｃｍ−１） Ｌ、か有しないものとして得ら
れた。また、第３図で上述した従来の複合半導体基板の
製法によって、本発明による複合半導体基板の製法の場
合と同様の半導体基板本体１の主面２ａ上に、本発明に
よる場合と同様の半導体層３を同様に形成し、また、半
導体基板本体１の主面２ｂ上に本発明による場合と同じ
Ｃｕでなる金属層５を形成するが、その金属層５を、半
導体基板本体１に常温しか与えなていない状態で、０．
１μｍという薄い厚さに形成した場合に比し、複合半導
体基板６を、格段的に反りの少ないものとして得ること
ができることも確認した。 民生五ユ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０−６°Ｃ−１の
熱膨張係数を有する３ｉでなり且つ５００μｍの厚さを
有するものを用意した。 また、半導体層３を、気相堆積法によって、半導体基板
本体１に６００℃の温度を与えた状態で、４．５Ｘ１０
’℃−１の熱膨張係数を有するＩｎＰでなり且つ５μｍ
の厚さを有するものとして形成した。 さらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に２００℃の温度を与えた状態で、５Ｘ１０’℃−１の
熱膨張係数を有する／ｌでなるものとして形成した。 この場合、複合半導体基板６の反りの曲率半径の逆数（
ｃｍ”）が、金ｉ層５の厚さに対し、第２図で曲線１１
及び１２に示すと同様の関係で得られることから、金Ｊ
ｉｉ！ＩＷＩ５を、約１μｍという厚い厚さに形成した
。 しかるときは、複合半導体基板６が、金ＷＡ層５を有し
ない場合の反りの曲率半径の逆数、すなわち半導体基板
４の反りの曲率半径の逆数（約１ ｘ １０’ｃｍ−１
＞ ニ比し、１桁以下）反りの曲率半径の逆数（約３
Ｘ １０ ’ｃｍ−’） Ｌ／か有しないものとして得
られた。また、第３図で上述した従来の複合半導体基板
の製法によって、本発明による複合半導体基板の製法の
場合と同様の半導体基板本体１の主面２ａ上に、本発明
による場合と同様の半導体層３を同様に形成し、また、
半導体基板本体１の主面２ｂ上に本発明による場合と同
じＡｎでなる金属層５を形成するが、その金属層５を、
半導体基板本体１に常温しか与えなでいない状態で、０
．１μｍという薄い厚さに形成した場合に比し、複合半
導体基板６を、格段的に反りの少ないものとして得るこ
とができるととも確認した。 ＬＬｕ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０−６℃−１の熱
膨張係数を有するＳｉでなり且つ５００μｍの厚さを有
するものを用意した。 また、半導体ＷＪ３を、気相堆積法によって、半導体基
板本体１に７００’Ｃの温度を与えた状態で、５．８×
１０−６℃−１の熱膨張係数を有するＧａＡＳでなり且
つ３μｍの厚さを有するものとして形成した。 さらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に３００℃の温度を与えた状態で、３Ｘ１０−５℃−１
の熱膨張係数を有するＣｄでなるものとして形成した。 この場合、複合半導体基板６の反りの曲率半径の逆数（
ｃ ｍ−１）が、金属層５の厚さに対し、第２図で曲線
１１及び１２に示すと同様の関係で得られることから、
金属層５を、約１μｍという厚い厚さに形成した。 しかるときは、複合半導体基板６が、金属層５を有しな
い場合の反りの曲率半径の逆数、すなわち半導体基板４
の反りの曲率半径の逆数（約２ ｘ １０’ｃｍ−１）
Ｌ比シ、１桁［Ｆ（７）反りの曲率半径の逆数（約２
Ｘ １０−’ｃｍ−’） Ｌ／が有しないものとして
得られた。また、第３図で上述した従来の複合半導体基
板の製法によって、本発明による複合半導体基板の製法
の場合と同様の半導体基板本体１の主面２ａ上に、本発
明による場合と同様の半導体層３を同様に形成し、また
、半導体基板本体１の主面２ｂ上に本発明による場合と
同じＣｄでなる金Ｊｍｉｉ５を形成するが、その金属層
５を、半導体基板本体１に常温しか与えなでいない状態
で、０．１μｍという薄い厚さに形成した場合に比し、
複合半導体基板６を、格段的に反りの少ないものとして
得ることができることも確認した。 具体例４ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０−６℃−１の熱
膨張係数を有するＳｉでなり且つ５００μｍの厚さを有
するものを用意した。 また、半導体１１３を、気相堆積法によって、半導体基
板本体１に７５０℃の温度を与えた状態で、５．３Ｘ１
０’℃−１の熱膨張係数を有するＧａＰでなり且つ３μ
ｍの厚さを有するものとして形成した。 さらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に２００℃の温度を与えた状態で、１．５ｘ１０−５℃
−１の熱膨張係数を有するＡｕでなるものとして形成し
た。この場合、複合半導体基板６の反りの曲率半径の逆
数（ｃｍ−１）が、金属層５の厚さに対し、第２図で曲
線１１及び１２に示すと同様の関係で得られることがら
、金属層５を、約２μｍという厚い厚さに形成した。 しかるとぎは、複合半導体基板６が、金底°層５を有し
ない場合の反りの曲率半径の逆数、すなわち半導体基板
４の反りの曲率半径の逆数（約２ Ｘ １０−３ｃｍ−
１） Ｉ、−比し、１桁以下の反りの曲率半径の逆数（
約５ Ｘ １０−５ｃｍ−’） Ｌ、が有しないものと
して得られた。また、第３図で上述した従来の複合半導
体基板の製法によって、本発明による複合半導体基板の
製法の場合と同様の半導体基板本体１の主面２ａ上に、
本発明による場合と同様の半導体層３を同様に形成し、
また、半導体基板本体１の主面２ｂ上に本発明による場
合と同じＡｕでなる金属層５を形成するが、その金１！
１１５を、半導体基板本体１に常温しか与えなでいない
状態で、０．１μｍという薄い厚さに形成した場合に比
し、複合半導体基板６を、格段的に反りの少ないものと
して得ることかできることも確認した。 具体例５ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０’℃−１の熱膨
張係数を有するＳｉでなり且つ５００μｍの厚さを有す
るものを用意した。 また、半導体１ｉ３を、気相堆積法によって、半導体基
板本体１に４００℃の温度を与えた状態で、６．７Ｘ１
０’℃−１の熱膨張係数を有するＺｎ５ｅＳ系でなり且
つ３μｍの厚さを有するものとして形成した。 さらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に２００℃の温度を与えた状態で、２Ｘ１０’℃−１の
熱膨張係数を有するＣＵでなるものとして形成した。こ
の場合、複合半導体基板６の反りの曲率半径の逆数（ｃ
ｍ−１）が、金属１ｔ５の厚さに対し、第２図で曲線１
１及び１２に示すと同様の関係で得られることから、金
属層５を、約２μｍという厚い厚さに形成した。 しかるときは、複合半導体基板６が、金Ｒｍ５を有しな
い場合の反りの曲率半径の逆数、すなわち半導体基板４
の反りの曲率半径の逆数（約２Ｘ１０−３ｃｍ当に比し
、１桁以下の反りの曲率半径の逆数（約５ Ｘ １０
’ｃｍ−’） Ｌ／が有しないものとして得られた。ま
た、第３図で上述した従来の複合半導体基板の製法によ
って、本発明による複合半導体基板の製法の場合と同様
の半導体基板本体１の主面２ａ上に、本発明による場合
と同様の半導体層３を同様に形成し、また、半導体基板
本体１の主面２ｂ上に本発明による場合と同じＣｕでな
る金属層５を形成するが、その金属層５を、半導体基板
本体１に常温しか与えなでいない状態で、０．１μｍと
いう薄い厚さに形成した場合に比し、複合半導体基板６
を、格段的に反りの少ないものとして得ることができる
ことも確認した。 １１１」二且 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０−６℃−１の熱
膨張係数を有する３ｉでなり且つ５００μｍの厚さを有
するものを用意した。 また、半導体層３を、気相堆積法によって、半導体基板
本体１に、４．５Ｘ１０’℃−１の熱膨張係数を有する
ＩｎＰでなるものとして形成した。 さらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に常温に比し高い温度を与えた状態で、亜鉛、アルミニ
ウム、カドミウム、金、銀、錫、チタン、銅、白金、パ
ラジウム、ビスマス、黄銅、マンガニンでなるものとし
て各別に、半導体基板本体１に第１表に示す温度を与え
た状態で、第１表に示す厚さに形成した。 しかるときは、複合半導体基板６が、半導体基板４が第
１表に示す反りの曲率半径の逆数を有しているとき、第
１表に示す反りの曲率半径の逆数を有するものとして得
られた。 具体例１９〜３１ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０’℃−１の熱膨
張係数を有する３ｉでなり且つ５００μｍの厚さを有す
るものを用意した。 また、半導体層３を、気相堆積法によって、半導体基板
本体１に、５．８Ｘ１０’℃−１の熱膨張係数を有する
ＧａＡＳでなるものとして形成した。 さらに、金属！１１５を蒸着法によって、半導体基板本
体１に常温に比し高い温度を与えた状態で、亜鉛、アル
ミニウム、カドミウム、金、銀、錫、チタン、銅、白金
、パラジウム、ビスマス、黄銅、マンガニンでなるもの
として各別に、半導体基板本体１に第２表に示す温度を
与えた状態で、第２表に示す厚さに形成した。 しかるときは、複合半導体基板６が、半導体基板４が第
２表に示す反りの曲率半径の逆数を有しているとき、第
２表に示す反りの曲率半径の逆数を有するものとして得
られた。 １豆」」玄ユ旦 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０’℃−１の熱膨
張係数を有する３ｉでなり且つ５００μｍの厚さを有す
るものを用意した。 また、半導体層３を、気相堆積法によって、半導体基板
本体１に、５Ｘ１０’℃−１の熱膨張係数を有するＧａ
Ｐでなるものとして形成した。 ざらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に常温に比し高い温度を与えた状態で、亜鉛、アルミニ
ウム、カドミウム、金、銀、錫、チタン、銅、白金、パ
ラジウム、ビスマス、黄銅、マンガニンでなるものとし
て各別に、半導体基板本体１に第３表に示す温度を与え
た状態で、第３表に示す厚さに形成した。 しかるときは、複合半導体基板６が半導体基板４が第３
表に示す反りの曲率半径の逆数を有しているとき、第３
表に示す反りの曲率半径の逆数を有するものとして得ら
れた。 具体例４５〜５５ 半導体基板本体１として、２．３Ｘ１０−６℃−１の熱
膨張係数を有するＳｉでなり且つ５００μｍの厚さを有
するものを用意した。 また、半導体１１３を、気相堆積法によって、半導体基
板本体１に、６．７Ｘ１０−６℃−１の熱膨張係数を有
するｚｎｓｅｓ系でなるものとして形成した。 さらに、金属層５を蒸着法によって、半導体基板本体１
に常温に比し高い温度を与えた状態で、亜鉛、アルミニ
ウム、カドミウム、金、銀、錫、チタン、銅、白金、黄
銅、マンガニンでなるものとして各別に、半導体基板本
体１に第４表に示す温度を与えた状態で、第４表に示す
厚さに形成した。 しかるときは、複合半導体基板６が、半導体基板４が第
４表に示す反りの曲率半径の逆数を有しているとき、第
４表に示す反りの曲率半径の逆数を有するものとして得
られた。
第１図Ａ、Ｂ及びＣは、本発明による複合半導体基板の
製法の実施例を示す、順次に工程における路線的断面図
である−０ 第２図は、その説明に供する金属層の厚さに対する複合
半導体基板の反りの曲率半径の逆数の関係を示す図であ
る。 第３図Ａ、Ｂ及びＣは、従来の複合半導体基板の製法を
示す、順次の工程における路線的断面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体基板本
体２ａ、２ｂ・・・・・・主面 ３・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体層４・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体基板５・・
・・・・・・・・・・・・・・・・金ｒＡｍ６・・・・
・・・・・・・・・・・・・・複合半導体基板出願人
日本電信電話株式会社 第１ 閃 第２′図 金、χ層の厚さ（ｒｍ） 第３１！ｒ
製法の実施例を示す、順次に工程における路線的断面図
である−０ 第２図は、その説明に供する金属層の厚さに対する複合
半導体基板の反りの曲率半径の逆数の関係を示す図であ
る。 第３図Ａ、Ｂ及びＣは、従来の複合半導体基板の製法を
示す、順次の工程における路線的断面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体基板本
体２ａ、２ｂ・・・・・・主面 ３・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体層４・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体基板５・・
・・・・・・・・・・・・・・・・金ｒＡｍ６・・・・
・・・・・・・・・・・・・・複合半導体基板出願人
日本電信電話株式会社 第１ 閃 第２′図 金、χ層の厚さ（ｒｍ） 第３１！ｒ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板本体の第１の主面上に、気相堆積法によっ
て、上記半導体基板本体とは異なる熱膨張係数を有する
半導体層を形成することによって、半導体基板を形成す
る第１の工程と、上記第１の工程後、上記半導体基板本
体の上記第１の主面と対向する第２の主面上に、蒸着法
によって、上記半導体基板本体とは異なる熱膨張係数を
有する金属層を形成することによって、複合半導体基板
を形成する第２の工程とを有する複合半導体基板の製法
において、 上記第２の工程において、上記金属層を、上記半導体基
板本体に常温に比し高い温度を与えた状態で、上記複合
半導体基板が上記半導体基板に比し１桁以下の反りの曲
率半径の逆数しか有していないで形成されるのに十分な
、上記半導体基板本体に与える温度を加味した厚い厚さ
に形成することを特徴とする複合半導体基板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4658588A JPH01220819A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 複合半導体基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4658588A JPH01220819A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 複合半導体基板の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220819A true JPH01220819A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12751378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4658588A Pending JPH01220819A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 複合半導体基板の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0455002A2 (en) * | 1990-04-27 | 1991-11-06 | STMicroelectronics S.r.l. | A data output stage of the buffer type, having reduced noise to ground, for logic circuits of the CMOS type |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6292428A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | エピタキシヤル結晶成長用基板 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP4658588A patent/JPH01220819A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6292428A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | エピタキシヤル結晶成長用基板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0455002A2 (en) * | 1990-04-27 | 1991-11-06 | STMicroelectronics S.r.l. | A data output stage of the buffer type, having reduced noise to ground, for logic circuits of the CMOS type |
| EP0455002A3 (en) * | 1990-04-27 | 1991-11-21 | St Microelectronics Srl | A data output stage of the buffer type, having reduced noise to ground, for logic circuits of the cmos type |
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