JPH04188624A - 半導体集積回路の配線形成方法 - Google Patents
半導体集積回路の配線形成方法Info
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- JPH04188624A JPH04188624A JP31355490A JP31355490A JPH04188624A JP H04188624 A JPH04188624 A JP H04188624A JP 31355490 A JP31355490 A JP 31355490A JP 31355490 A JP31355490 A JP 31355490A JP H04188624 A JPH04188624 A JP H04188624A
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（表 半導体集積回路の配線形成方法に関すも
従来の技術
従来 半導体集積回路の配線としてスパッタ法により形
成されたアルミニウム薄膜が用いられていも 形成方法
として基板を室温あるいは２００℃までの適当な一定温
度で加熱しながらアルミニウムを基板の表面に堆積させ
る。加熱機構は装置により異なる方丈 基本的に基板を
ヒーターブロックに接触させて加熱を行うことであム
基板の温度を瞬時に上昇させることは不可能で、一般に
温度が一定になるまで１分程要する。基板が所定の温度
に達した後堆積を開始し 基板の温度を保持して所定の
膜厚を得るための時間堆積を続ける。アルミニウムの薄
膜は基板の温度によって粒径が異なる。
成されたアルミニウム薄膜が用いられていも 形成方法
として基板を室温あるいは２００℃までの適当な一定温
度で加熱しながらアルミニウムを基板の表面に堆積させ
る。加熱機構は装置により異なる方丈 基本的に基板を
ヒーターブロックに接触させて加熱を行うことであム
基板の温度を瞬時に上昇させることは不可能で、一般に
温度が一定になるまで１分程要する。基板が所定の温度
に達した後堆積を開始し 基板の温度を保持して所定の
膜厚を得るための時間堆積を続ける。アルミニウムの薄
膜は基板の温度によって粒径が異なる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構成では この方法により形
成したアルミニウムの薄膜を用いた配線に粒径の大きさ
に依存するエレクトロマイグレーション（以下ＥＭと称
する）やストレスマイグレーション（以下ＳＭと称する
）による不良が発生するという課題を有してい九 一般
に配線幅に比べて粒径が小さいとＥＭに弱く、大きいと
ＳＭに弱くなってしまう。半導体集積回路の高密度化が
進むと、このＥＭとＳＭがアルミニウム配線の抱える重
大な不良原因となる。
成したアルミニウムの薄膜を用いた配線に粒径の大きさ
に依存するエレクトロマイグレーション（以下ＥＭと称
する）やストレスマイグレーション（以下ＳＭと称する
）による不良が発生するという課題を有してい九 一般
に配線幅に比べて粒径が小さいとＥＭに弱く、大きいと
ＳＭに弱くなってしまう。半導体集積回路の高密度化が
進むと、このＥＭとＳＭがアルミニウム配線の抱える重
大な不良原因となる。
本発明は上記の従来の課題を解決するもので、配線不良
を引き起こすＥＭまたはＳＭの耐性の強いアルミニウム
配線形成のための半導体集積回路の配線形成方法を提供
することを目的とする。
を引き起こすＥＭまたはＳＭの耐性の強いアルミニウム
配線形成のための半導体集積回路の配線形成方法を提供
することを目的とする。
課題を解決するだめの手段
この目的を達成するために本発明の半導体集積回路の配
線形成方法は アルミニウムまたはアルミニウム合金の
薄膜を基板の温度を変化させながら堆積し形成する構成
を有している。ずなわ板アルミニウム薄膜の粒径は堆積
温度が高い程大きくなる方丈 粒径が配線幅に比べて太
きいとＥＭ耐性は強く小さいと３Ｍ耐性が強いことから
、堆積温度を変化さぜることで粒径の大きい層部分と小
さい層部分を兼ね備えたアルミニウム配線が形成できも 作用 この構成によって、温度を上昇させながら堆積を行うと
最初は小さい粒径から除々に大きい粒径へと、連続的に
変化したアルミニウム配線を形成することができる。
線形成方法は アルミニウムまたはアルミニウム合金の
薄膜を基板の温度を変化させながら堆積し形成する構成
を有している。ずなわ板アルミニウム薄膜の粒径は堆積
温度が高い程大きくなる方丈 粒径が配線幅に比べて太
きいとＥＭ耐性は強く小さいと３Ｍ耐性が強いことから
、堆積温度を変化さぜることで粒径の大きい層部分と小
さい層部分を兼ね備えたアルミニウム配線が形成できも 作用 この構成によって、温度を上昇させながら堆積を行うと
最初は小さい粒径から除々に大きい粒径へと、連続的に
変化したアルミニウム配線を形成することができる。
実施例
以下本発明の一実施例における半導体集積回路の配線形
成方法を第１里 第２図を参照しながら説明する。まず
最初に第２図に沿って基板の温度とアルミニウム薄膜の
堆積について説明場る。第２図はスパッタ装置の基板加
熱ヒーターの温度特性を示す図である。これはヒーター
温度を１５０℃に設定した場合で、基板がヒーターに接
触し、てからの時間とその時間での基板温度の関係を表
し、ている。このような基板加熱ヒーター機構を持つス
パッタ装置を用いてアルミニウム薄膜を堆積する。
成方法を第１里 第２図を参照しながら説明する。まず
最初に第２図に沿って基板の温度とアルミニウム薄膜の
堆積について説明場る。第２図はスパッタ装置の基板加
熱ヒーターの温度特性を示す図である。これはヒーター
温度を１５０℃に設定した場合で、基板がヒーターに接
触し、てからの時間とその時間での基板温度の関係を表
し、ている。このような基板加熱ヒーター機構を持つス
パッタ装置を用いてアルミニウム薄膜を堆積する。
アルミニウム薄膜の膜厚を８００ｎｍとすると堆積時間
は５４秒である。本実施例では基板がヒーターに接触し
た直後から堆積を開始する。第２図に示すように 堆積
時間が５４秒なので堆積中の基板温度は堆積開始特約７
０＼ 終了特約１３０℃となる。この堆積方法によって
基板１の上に形成した絶縁膜２の上にアルミニウム薄膜
３を堆積した場合、第１図に示すよう（ミ 最初は低温
堆積なので小さい粒径となり、徐々に基板温度が上昇す
るに従って大きい粒径へと連続的に変化したアルミニウ
ム薄膜３が堆積される。すなわち単一層でＥＭ耐性にも
３Ｍ耐性にも強い配線用のアルミニウム薄膜か形成でき
る。
は５４秒である。本実施例では基板がヒーターに接触し
た直後から堆積を開始する。第２図に示すように 堆積
時間が５４秒なので堆積中の基板温度は堆積開始特約７
０＼ 終了特約１３０℃となる。この堆積方法によって
基板１の上に形成した絶縁膜２の上にアルミニウム薄膜
３を堆積した場合、第１図に示すよう（ミ 最初は低温
堆積なので小さい粒径となり、徐々に基板温度が上昇す
るに従って大きい粒径へと連続的に変化したアルミニウ
ム薄膜３が堆積される。すなわち単一層でＥＭ耐性にも
３Ｍ耐性にも強い配線用のアルミニウム薄膜か形成でき
る。
発明の効果
以上のように本発明（よ 基板の温度を変化させながら
アルミニウムまたはアルミニウム合金の薄膜を堆積させ
ることにより、 １回の堆積工程でＥＭ耐性にも３Ｍ耐
性にも強いアルミニラｊ・配線を形成することができる
優れた半導体集積回路の配線形成力法を実現できるもの
である。
アルミニウムまたはアルミニウム合金の薄膜を堆積させ
ることにより、 １回の堆積工程でＥＭ耐性にも３Ｍ耐
性にも強いアルミニラｊ・配線を形成することができる
優れた半導体集積回路の配線形成力法を実現できるもの
である。
第１図は本発明の一実施例より形成されたアルミニウム
薄膜の断面＠ 第２図は本発明の一実施例において使用
したスパッタ装置の基板加熱ヒーターの温度特性を示す
図である。 ｌ・・・・基板、 ３・・・・アルミニウム薄Ａ代理人
の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名グ −−− 膚
で１ 芋這ミ ２−−アルミニウム薄膜 第１図
薄膜の断面＠ 第２図は本発明の一実施例において使用
したスパッタ装置の基板加熱ヒーターの温度特性を示す
図である。 ｌ・・・・基板、 ３・・・・アルミニウム薄Ａ代理人
の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名グ −−− 膚
で１ 芋這ミ ２−−アルミニウム薄膜 第１図
Claims (1)
- 半導体集積回路の配線としてアルミニウムまたはアルミ
ニウム合金の薄膜を基板の温度を変化させながら堆積し
形成することを特徴とする半導体集積回路の配線形成方
法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31355490A JPH04188624A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 半導体集積回路の配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31355490A JPH04188624A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 半導体集積回路の配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188624A true JPH04188624A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18042719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31355490A Pending JPH04188624A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 半導体集積回路の配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04188624A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182269A (ja) * | 1995-01-03 | 2008-08-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 軟金属導体およびその形成方法 |
| JP2017105183A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-15 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP31355490A patent/JPH04188624A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182269A (ja) * | 1995-01-03 | 2008-08-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 軟金属導体およびその形成方法 |
| JP2017105183A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-15 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
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