KR950009930A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체 제조공정중에 형성되는 콘택홀에 콘택 저항값을 낮추기 위한 제1금속박막 및 확산 방지용의 제2금속박막을 스퍼터링(Sputtering) 방법으로 콘택 모서리에서 오버-행(over-hang)이 발생하지 않을 정도의 두께로 중측한 다음 가열에 의한 제1반응 금속박막을 형성한 상태에서 화학기상 증착법으로 확산 방지용의 제2금속박막에 크랙(crack)이 발생하지 않을 정도의 두께로 제3금속박막을 증착하고 가열에 의한 제2반응 금속박막을 형성한 후 금속배선을 형성하므로서 금속배선의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1d도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 금속배선을 형성하는 단계를 나타내는 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 실리콘 기판(1) 상의 산화막(3)을 소정의 폭으로 패턴화하여 상기 실리콘 기판(1)상에 형성된 접합영역(2)과 연통되도록 콘택홀(10)을 형성하고 전체구조 상부에 제1금속박막 및 제2금속박막(4 및 5)을 스퍼터링공정에 의해 순차적으로 증착한 다음 가열하여 상기 제2금속박막(5)상에 제1반응 금속박막(6)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 제3금속박막(7)을 화학기상 증착 공정에 의해 증착한 후 가열하여 제2반응금속박막(8)을 형성한 다음 금속막(9)을 증착하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930019699A KR950009930A (ko) | 1993-09-25 | 1993-09-25 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930019699A KR950009930A (ko) | 1993-09-25 | 1993-09-25 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950009930A true KR950009930A (ko) | 1995-04-26 |
Family
ID=66824017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930019699A KR950009930A (ko) | 1993-09-25 | 1993-09-25 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950009930A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427539B1 (ko) * | 1996-04-18 | 2004-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의다중금속층형성방법 |
| KR100464393B1 (ko) * | 1997-09-02 | 2005-02-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
-
1993
- 1993-09-25 KR KR1019930019699A patent/KR950009930A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427539B1 (ko) * | 1996-04-18 | 2004-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의다중금속층형성방법 |
| KR100464393B1 (ko) * | 1997-09-02 | 2005-02-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
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