JPS5942477B2 - 薄膜集積回路 - Google Patents
薄膜集積回路Info
- Publication number
- JPS5942477B2 JPS5942477B2 JP1260976A JP1260976A JPS5942477B2 JP S5942477 B2 JPS5942477 B2 JP S5942477B2 JP 1260976 A JP1260976 A JP 1260976A JP 1260976 A JP1260976 A JP 1260976A JP S5942477 B2 JPS5942477 B2 JP S5942477B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- chromium
- layer
- integrated circuit
- film integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜集積回路にかかり、特に好ましい薄膜導体
を有する薄膜集積回路に関する。
を有する薄膜集積回路に関する。
薄膜集積回路における導体としては、絶縁性基板上にニ
クロムなどを接着層として被着させ、続いて金、銀、銅
またはパラジウムを導体膜として被着させたものが用い
られている。
クロムなどを接着層として被着させ、続いて金、銀、銅
またはパラジウムを導体膜として被着させたものが用い
られている。
膜形成には真空蒸着が通常採用される。この場合、下地
基板と導体膜との密着性は主として中間接着層であるニ
クロムの膜厚及び組成に大きく影響されることが知られ
ている。真空蒸着による場合、ニクロムの膜厚を所望の
値に正確に制御することは比較的容易に行いうる。しか
し、蒸着中のニクロムの組成を正確に制御して密着性の
良好な中間接着層を再現性よくうることは、他の要因、
例えば蒸着中の真空度、蒸発源温度等と複雑に関係し合
い非常に困難である。ニクロムを真空中で蒸着させる場
合クロムの方がニッケルに比べ蒸気圧が高いため、クロ
ムの蒸発が先行し、続いてニッケルが蒸発する。その結
果ニクロム層の表面ほどクロムの少ない膜となり、次の
金等の導体膜との拡散が不十分で密着性に問題が出てく
る。第１図はニクロム蒸着膜のクロム含有率と膜厚の関
係を示す概略図である。
基板と導体膜との密着性は主として中間接着層であるニ
クロムの膜厚及び組成に大きく影響されることが知られ
ている。真空蒸着による場合、ニクロムの膜厚を所望の
値に正確に制御することは比較的容易に行いうる。しか
し、蒸着中のニクロムの組成を正確に制御して密着性の
良好な中間接着層を再現性よくうることは、他の要因、
例えば蒸着中の真空度、蒸発源温度等と複雑に関係し合
い非常に困難である。ニクロムを真空中で蒸着させる場
合クロムの方がニッケルに比べ蒸気圧が高いため、クロ
ムの蒸発が先行し、続いてニッケルが蒸発する。その結
果ニクロム層の表面ほどクロムの少ない膜となり、次の
金等の導体膜との拡散が不十分で密着性に問題が出てく
る。第１図はニクロム蒸着膜のクロム含有率と膜厚の関
係を示す概略図である。
本発明の目的は、このような事情にかんがみて密着性の
良好な金属薄膜を有する薄膜集積回路を提供することで
ある。
良好な金属薄膜を有する薄膜集積回路を提供することで
ある。
以下実施例に従つて本発明を説明する。
まずクレーストセラミックス基板に窒化タンタルをスパ
ッタさせたものを被蒸着体（下地）とする。
ッタさせたものを被蒸着体（下地）とする。
この被蒸着体を圧力１０−５〜１０イ關Ｈθ程度の真空
中に設置して適当な温度に例えば２００〜３００℃に加
熱してから、クロム、ニッケルおよびクロムをそれぞれ
２００λづつ順次蒸着する。こうして形成されたクロム
／ニッケル／クロム層を形成した後、金を２０００〜３
０００Ａ蒸着する。この様な方法で導体構成した基板を
フォトエッチング法でパターン形成し、空気中３００℃
、０〜３０時間熱処理後金蒸着膜を２３０℃の半田槽で
１５秒間４サイクルの耐半田性試験を行つた結果を第２
図に示す。この図から従来方法で、ニクロムを所望の膜
厚にまで一回で蒸発させた場合、必ずニクロム層の表面
ほど、クロム含有率が小さくなる為、ほとんどクロム、
金の拡散が不充分であり良好な密着性が得られず熱処理
無しの場合では耐半田性は良くないが、７時間の熱処理
後はクロム、金の拡散がある程度進行し、耐半田性は熱
処理無しの時よりはやや良くなる。
中に設置して適当な温度に例えば２００〜３００℃に加
熱してから、クロム、ニッケルおよびクロムをそれぞれ
２００λづつ順次蒸着する。こうして形成されたクロム
／ニッケル／クロム層を形成した後、金を２０００〜３
０００Ａ蒸着する。この様な方法で導体構成した基板を
フォトエッチング法でパターン形成し、空気中３００℃
、０〜３０時間熱処理後金蒸着膜を２３０℃の半田槽で
１５秒間４サイクルの耐半田性試験を行つた結果を第２
図に示す。この図から従来方法で、ニクロムを所望の膜
厚にまで一回で蒸発させた場合、必ずニクロム層の表面
ほど、クロム含有率が小さくなる為、ほとんどクロム、
金の拡散が不充分であり良好な密着性が得られず熱処理
無しの場合では耐半田性は良くないが、７時間の熱処理
後はクロム、金の拡散がある程度進行し、耐半田性は熱
処理無しの時よりはやや良くなる。
その後更に熱処理して行くとクロム金の拡散は進み過ぎ
る程になるが、今後は逆に下地との密着性が充分得られ
ず耐半田性は良くない。
る程になるが、今後は逆に下地との密着性が充分得られ
ず耐半田性は良くない。
しかし本発明の方法では所望の膜厚までにクロム層、ニ
ツケル層、クロム層と重ねて蒸着し形成する為、下地お
よび金との中間層としてどの方向へも充分拡散可能な中
間接着従つて密着性のよい金属薄膜層が得られることが
この耐半田試験結果から判る。
ツケル層、クロム層と重ねて蒸着し形成する為、下地お
よび金との中間層としてどの方向へも充分拡散可能な中
間接着従つて密着性のよい金属薄膜層が得られることが
この耐半田試験結果から判る。
この方法で導体構成されたものは、熱処理無しの場合で
も又、３００℃，３０時間の熱処理後でも常に再現性は
良く、安定した耐半田性が得られることが確認された。
も又、３００℃，３０時間の熱処理後でも常に再現性は
良く、安定した耐半田性が得られることが確認された。
本実施例ではクロム層、ニツケル層、その上にクロム層
を形成したにとどめているが、良好な耐半田性を得る為
に、該クロム、ニツケル、クロム層の繰り返しを２回以
上とした場合及び、金を他の良導電性金属（例えば銀、
銅）とした場合についても本発明の主旨から逸脱するも
のではない。
を形成したにとどめているが、良好な耐半田性を得る為
に、該クロム、ニツケル、クロム層の繰り返しを２回以
上とした場合及び、金を他の良導電性金属（例えば銀、
銅）とした場合についても本発明の主旨から逸脱するも
のではない。
以上説明したように、本発明によれば、下地との密着性
の良好な耐半田性のすぐれた金属薄膜を再現性よくうる
ことができ、従つて信頼性の高い混成集積回路を歩留り
よく製造するのに効果を奏する。
の良好な耐半田性のすぐれた金属薄膜を再現性よくうる
ことができ、従つて信頼性の高い混成集積回路を歩留り
よく製造するのに効果を奏する。
第１図はニクロム蒸着膜のクロム含有率と膜厚の関係を
示す概略図、第２図は本発明の構造による金属薄膜の耐
半田性を従来技術の構造と対比して示す図である。
示す概略図、第２図は本発明の構造による金属薄膜の耐
半田性を従来技術の構造と対比して示す図である。
Claims (1)
- １ 下地と良導電性金属の間に介在する中間接着層を、
クロム層、ニッケル層、クロム層の順に形成し、両導電
性金属の直下をクロム層とした薄膜導体を有することを
特徴とする薄膜集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260976A JPS5942477B2 (ja) | 1976-02-06 | 1976-02-06 | 薄膜集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260976A JPS5942477B2 (ja) | 1976-02-06 | 1976-02-06 | 薄膜集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5295545A JPS5295545A (en) | 1977-08-11 |
| JPS5942477B2 true JPS5942477B2 (ja) | 1984-10-15 |
Family
ID=11810093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1260976A Expired JPS5942477B2 (ja) | 1976-02-06 | 1976-02-06 | 薄膜集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5942477B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206356A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | 東京瓦斯株式会社 | 滴下液分散用伝熱管 |
-
1976
- 1976-02-06 JP JP1260976A patent/JPS5942477B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206356A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | 東京瓦斯株式会社 | 滴下液分散用伝熱管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5295545A (en) | 1977-08-11 |
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