JPH08219901A - 測温抵抗体素子の抵抗温度係数の調整方法 - Google Patents
測温抵抗体素子の抵抗温度係数の調整方法Info
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- JPH08219901A JPH08219901A JP7026709A JP2670995A JPH08219901A JP H08219901 A JPH08219901 A JP H08219901A JP 7026709 A JP7026709 A JP 7026709A JP 2670995 A JP2670995 A JP 2670995A JP H08219901 A JPH08219901 A JP H08219901A
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- temperature
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
- H01C17/232—Adjusting the temperature coefficient; Adjusting value of resistance by adjusting temperature coefficient of resistance
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気絶縁性基材上に、有機白金化合物の焼成
により得られた白金膜が形成された、測温抵抗体素子の
抵抗温度係数の調整方法を提供する。 【構成】 白金膜の成膜後の熱処理温度を制御すること
により、白金膜の抵抗温度係数（ＴＣＲ）を調整する。
白金膜の膜厚を制御することによっても、抵抗温度係数
を調整することができる。
により得られた白金膜が形成された、測温抵抗体素子の
抵抗温度係数の調整方法を提供する。 【構成】 白金膜の成膜後の熱処理温度を制御すること
により、白金膜の抵抗温度係数（ＴＣＲ）を調整する。
白金膜の膜厚を制御することによっても、抵抗温度係数
を調整することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、抵抗体として白金膜
を用いた測温抵抗体素子に向けられるものであって、特
に、そのような測温抵抗体素子の抵抗温度係数の調整方
法に関するものである。
を用いた測温抵抗体素子に向けられるものであって、特
に、そのような測温抵抗体素子の抵抗温度係数の調整方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】白金の抵抗値が温度依存性を有している
ことを利用して、電気絶縁性の基板またはボビンのよう
な基材上に白金膜を形成した、測温抵抗体素子が実用化
されている。このような測温抵抗体素子の一例が、図１
に示されている。
ことを利用して、電気絶縁性の基板またはボビンのよう
な基材上に白金膜を形成した、測温抵抗体素子が実用化
されている。このような測温抵抗体素子の一例が、図１
に示されている。
【０００３】図１に示した測温抵抗体素子１は、たとえ
ばアルミナからなる絶縁基板２を備え、絶縁基板２上に
は、白金膜３が形成される。この白金膜３の形成には、
たとえば、スパッタリング法または真空蒸着法などが用
いられ、成膜後において、必要とする特性を安定して得
るため、たとえば４００〜１２００℃といった比較的低
温で熱処理される。
ばアルミナからなる絶縁基板２を備え、絶縁基板２上に
は、白金膜３が形成される。この白金膜３の形成には、
たとえば、スパッタリング法または真空蒸着法などが用
いられ、成膜後において、必要とする特性を安定して得
るため、たとえば４００〜１２００℃といった比較的低
温で熱処理される。
【０００４】次いで、白金膜３には、たとえばレーザ法
またはドライエッチング法などにより、その厚み方向に
貫通する溝４が形成され、それによって、蛇行状に延び
る抵抗回路５ならびに抵抗回路５の両端部を構成する端
子電極６および７がそれぞれ与えられる。次いで、図示
しないが、抵抗回路５上には、保護コートが施され、ま
た、端子電極６および７には、リード線または他の導電
部材が接続される。
またはドライエッチング法などにより、その厚み方向に
貫通する溝４が形成され、それによって、蛇行状に延び
る抵抗回路５ならびに抵抗回路５の両端部を構成する端
子電極６および７がそれぞれ与えられる。次いで、図示
しないが、抵抗回路５上には、保護コートが施され、ま
た、端子電極６および７には、リード線または他の導電
部材が接続される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにして得られた測温抵抗体素子１における白金膜３
の抵抗温度係数（ＴＣＲ）は、３８００ｐｐｍ／℃以下
と比較的低い。一方、ＤＩＮ規格では、このＴＣＲは、
これより高い３８５０ｐｐｍ／℃と規定されている。よ
り詳細には、ＤＩＮ規格は、クラスＡでは、３８５０±
５ｐｐｍ／℃、クラスＢでは、３８５０±１３ｐｐｍ／
℃と規定している。このようなＤＩＮ規格を満足するＴ
ＣＲは、現在、白金線を用いた測温抵抗体素子において
得られているが、このような形式のものを除けば、その
ほとんどがＤＩＮ規格を満足させ得るものではなかっ
た。
ようにして得られた測温抵抗体素子１における白金膜３
の抵抗温度係数（ＴＣＲ）は、３８００ｐｐｍ／℃以下
と比較的低い。一方、ＤＩＮ規格では、このＴＣＲは、
これより高い３８５０ｐｐｍ／℃と規定されている。よ
り詳細には、ＤＩＮ規格は、クラスＡでは、３８５０±
５ｐｐｍ／℃、クラスＢでは、３８５０±１３ｐｐｍ／
℃と規定している。このようなＤＩＮ規格を満足するＴ
ＣＲは、現在、白金線を用いた測温抵抗体素子において
得られているが、このような形式のものを除けば、その
ほとんどがＤＩＮ規格を満足させ得るものではなかっ
た。
【０００６】それゆえに、この発明の目的は、白金膜を
用いる測温抵抗体素子において、たとえばＤＩＮ規格を
満足させ得るＴＣＲを得るためのＴＣＲの調整方法を提
供しようとすることである。
用いる測温抵抗体素子において、たとえばＤＩＮ規格を
満足させ得るＴＣＲを得るためのＴＣＲの調整方法を提
供しようとすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、電気絶縁性
基材およびその上に形成される白金膜を備え、この白金
膜が有機白金化合物（レジネート）の焼成により得られ
たものである、そのような測温抵抗体素子に向けられる
ものであって、白金膜のＴＣＲを調整するため、白金膜
の膜厚および成膜後の熱処理温度の少なくとも一方を制
御することを特徴としている。
基材およびその上に形成される白金膜を備え、この白金
膜が有機白金化合物（レジネート）の焼成により得られ
たものである、そのような測温抵抗体素子に向けられる
ものであって、白金膜のＴＣＲを調整するため、白金膜
の膜厚および成膜後の熱処理温度の少なくとも一方を制
御することを特徴としている。
【０００８】
【作用】この発明は、有機白金化合物の焼成により得ら
れた白金膜のＴＣＲが、その膜厚および成膜後の熱処理
温度のいずれにも依存することを見出した結果なされた
ものである。
れた白金膜のＴＣＲが、その膜厚および成膜後の熱処理
温度のいずれにも依存することを見出した結果なされた
ものである。
【０００９】
【発明の効果】上述のように、この発明によれば、白金
膜の膜厚および成膜後の熱処理温度の少なくとも一方を
制御することにより、たとえばＤＩＮ規格を満足するＴ
ＣＲ、さらには他の所望のＴＣＲを有する測温抵抗体素
子を容易に得ることができる。
膜の膜厚および成膜後の熱処理温度の少なくとも一方を
制御することにより、たとえばＤＩＮ規格を満足するＴ
ＣＲ、さらには他の所望のＴＣＲを有する測温抵抗体素
子を容易に得ることができる。
【００１０】
【実施例】図１に示すように、純度９６〜９９．９％の
アルミナからなる絶縁基板２上に、有機白金化合物を塗
布し、次いで６００〜９００℃の温度で焼成することに
より、白金膜３を形成した。この白金膜３の形成に用い
た有機白金化合物の白金純度は、９９．９％以上の高純
度のものであった。その後、白金膜３に溝４を形成する
ことにより、この白金膜３によって与えられる抵抗回路
５ならびに端子電極６および７を形成した。
アルミナからなる絶縁基板２上に、有機白金化合物を塗
布し、次いで６００〜９００℃の温度で焼成することに
より、白金膜３を形成した。この白金膜３の形成に用い
た有機白金化合物の白金純度は、９９．９％以上の高純
度のものであった。その後、白金膜３に溝４を形成する
ことにより、この白金膜３によって与えられる抵抗回路
５ならびに端子電極６および７を形成した。
【００１１】図２には、上述した白金膜３の成膜後の熱
処理温度とＴＣＲとの関係が示されている。ここでは、
白金膜３の膜厚が１．６μｍと一定にされている。図２
からわかるように、１２５０℃以上の熱処理温度を選択
することにより、ＤＩＮ規格（クラスＡでは、３８５０
±５ｐｐｍ／℃；クラスＢでは、３８５０±１３ｐｐｍ
／℃）を満たすＴＣＲが得られている。このように、白
金膜３の熱処理温度を上げて、白金膜３の焼結性を上
げ、それによって緻密性を高めることにより、ＴＣＲを
高めることができる。
処理温度とＴＣＲとの関係が示されている。ここでは、
白金膜３の膜厚が１．６μｍと一定にされている。図２
からわかるように、１２５０℃以上の熱処理温度を選択
することにより、ＤＩＮ規格（クラスＡでは、３８５０
±５ｐｐｍ／℃；クラスＢでは、３８５０±１３ｐｐｍ
／℃）を満たすＴＣＲが得られている。このように、白
金膜３の熱処理温度を上げて、白金膜３の焼結性を上
げ、それによって緻密性を高めることにより、ＴＣＲを
高めることができる。
【００１２】図２では、また、白金膜３の熱処理時間が
１時間の場合と３時間の場合とが示されている。熱処理
時間が３時間の場合のほうが、１時間の場合に比べて、
より高いＴＣＲが得られている。このことから、熱処理
温度だけでなく、熱処理時間を制御することによって
も、ＴＣＲを調整できることがわかる。
１時間の場合と３時間の場合とが示されている。熱処理
時間が３時間の場合のほうが、１時間の場合に比べて、
より高いＴＣＲが得られている。このことから、熱処理
温度だけでなく、熱処理時間を制御することによって
も、ＴＣＲを調整できることがわかる。
【００１３】図３には、白金膜３の膜厚とＴＣＲとの関
係が示されている。ここでは、白金膜３の熱処理条件
が、１３５０℃で３時間の場合と１３００℃で３時間の
場合とが示されている。図３から、白金膜３の膜厚を増
すほど、ＴＣＲが増大されることがわかる。
係が示されている。ここでは、白金膜３の熱処理条件
が、１３５０℃で３時間の場合と１３００℃で３時間の
場合とが示されている。図３から、白金膜３の膜厚を増
すほど、ＴＣＲが増大されることがわかる。
【００１４】このように、上述した実施例から明らかな
ように、白金膜の膜厚または成膜後の熱処理温度（さら
には熱処理時間）のいずれか一方または双方を制御する
ことにより、白金膜のＴＣＲを調整することができ、そ
の結果、所望のＴＣＲを有する測温抵抗体素子を容易に
得ることができる。
ように、白金膜の膜厚または成膜後の熱処理温度（さら
には熱処理時間）のいずれか一方または双方を制御する
ことにより、白金膜のＴＣＲを調整することができ、そ
の結果、所望のＴＣＲを有する測温抵抗体素子を容易に
得ることができる。
【図１】この発明が適用される測温抵抗体素子１を示す
正面図である。
正面図である。
【図２】この発明に従って白金膜の熱処理温度を変化さ
せたときのＴＣＲを示す図である。
せたときのＴＣＲを示す図である。
【図３】この発明に従って白金膜の膜厚を変化させたと
きのＴＣＲを示す図である。
きのＴＣＲを示す図である。
１ 測温抵抗体素子 ２ 絶縁基板 ３ 白金膜 ４ 溝
Claims (1)
- 【請求項１】 電気絶縁性基材およびその上に形成され
る白金膜を備え、前記白金膜は、有機白金化合物の焼成
により得られたものである、そのような測温抵抗体素子
の抵抗温度係数の調整方法であって、 前記白金膜の膜厚および成膜後の熱処理温度の少なくと
も一方を制御することにより、前記白金膜の抵抗温度係
数を調整することを特徴とする、測温抵抗体素子の抵抗
温度係数の調整方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026709A JPH08219901A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 測温抵抗体素子の抵抗温度係数の調整方法 |
| US08/601,258 US20010051212A1 (en) | 1995-02-15 | 1996-02-14 | Method for adjusting temperature coefficient of resistance of temperature-measuring resistive element |
| DE19605469A DE19605469A1 (de) | 1995-02-15 | 1996-02-14 | Verfahren zum Einstellen des Widerstandstemperaturkoeffizienten eines Widerstandselements zur Temperaturmessung |
| KR1019960003730A KR100228146B1 (ko) | 1995-02-15 | 1996-02-15 | 측온저항체 소자의 저항온도계수의 조정방법 및 측온저항체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026709A JPH08219901A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 測温抵抗体素子の抵抗温度係数の調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08219901A true JPH08219901A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12200908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7026709A Pending JPH08219901A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 測温抵抗体素子の抵抗温度係数の調整方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010051212A1 (ja) |
| JP (1) | JPH08219901A (ja) |
| KR (1) | KR100228146B1 (ja) |
| DE (1) | DE19605469A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011117971A (ja) * | 2011-02-07 | 2011-06-16 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | 感温感歪複合センサ |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1140403A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 温度センサ素子 |
| KR100395246B1 (ko) * | 2001-04-06 | 2003-08-21 | 정귀상 | 마이크로 열센서용 측온저항체형 온도센서 및 그 제조방법 |
| GB2531522B (en) * | 2014-10-20 | 2018-05-09 | Bae Systems Plc | Strain sensing in composite materials |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2450551C2 (de) * | 1974-10-24 | 1977-01-13 | Heraeus Gmbh W C | Elektrischer messwiderstand fuer ein widerstandsthermometer und verfahren zu seiner herstellung |
| DE2908919C2 (de) * | 1979-03-07 | 1981-08-27 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur Herstellung eines Dünschichttemperatursensors |
| DE3924518A1 (de) * | 1989-07-25 | 1991-01-31 | Haefele Umweltverfahrenstechik | Temperatursensor und verfahren zu seiner herstellung |
| DE4300084C2 (de) * | 1993-01-06 | 1995-07-27 | Heraeus Sensor Gmbh | Widerstandsthermometer mit einem Meßwiderstand |
-
1995
- 1995-02-15 JP JP7026709A patent/JPH08219901A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-14 US US08/601,258 patent/US20010051212A1/en not_active Abandoned
- 1996-02-14 DE DE19605469A patent/DE19605469A1/de not_active Withdrawn
- 1996-02-15 KR KR1019960003730A patent/KR100228146B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011117971A (ja) * | 2011-02-07 | 2011-06-16 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | 感温感歪複合センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100228146B1 (ko) | 1999-11-01 |
| US20010051212A1 (en) | 2001-12-13 |
| KR960032514A (ko) | 1996-09-17 |
| DE19605469A1 (de) | 1996-08-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000620 |