JP2011117971A - 感温感歪複合センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 導電性基板上に絶縁性膜を形成し、さらに当該絶縁性膜上に又は絶縁性基板上に温度センサ材料及び歪センサ材料を成膜してなり、歪による温度測定誤差が0.5K以内で、かつ温度による歪量測定誤差百分率が50%以内の精度で温度及び歪を同時に検出する。 温度センサ材料が、温度感度2000ppm/K以上及び歪感度5以下の特性を有し、歪センサ材料が、歪感度2以上及び温度感度±2000ppm/K以内の特性を有する。
【選択図】 図2
Description
本発明の実施例について説明する。
実施例1 試料番号3の並列型感温感歪複合センサの製造と評価
センサ材料
温度センサ:Fe−60at%Pd薄膜
歪センサ :Cr−10at%N薄膜
幅15mm、長さ50mmのガラス基板(Corning社製#0211)上にFe−60at%Pd合金ターゲットを用いた高周波スパッタリング法により同成分、同組成の温度検出用抵抗薄膜を作製後、773Kで熱処理を施した後、同一基板上に該温度検出用抵抗薄膜と並べてCrターゲットを使用すると同時に窒素ガスを導入して行う反応性スパッタリング法によりCr−10%Nの組成を持つ歪検出用抵抗薄膜を作製後、623Kで熱処理を施し、さらに4端子法による抵抗測定を可能とするCu電極を、Cuターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により作製し、並列型感温感歪複合センサを作製した。
センサ材料
温度センサ:Fe−50at%Pd薄膜
歪センサ :Cr−15at%N薄膜
幅15mm、長さ50mmの合成石英基板上にFe−50at%Pd合金ターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により同成分、同組成の温度検出用抵抗薄膜を作製後、973Kで熱処理を施した後、同一基板上に該温度検出用抵抗薄膜と並べて99.9%純度のCrを蒸発源として使用すると同時に窒素ガスを導入して行う反応性の真空蒸着法によりCr−10%Nの組成を持つ歪検出用抵抗薄膜を作製後、653Kで熱処理を施し、さらに4端子法による抵抗測定を可能とする電極を、Cuターゲットを用いた高周波スパッタリング法により作製し、並列型感温感歪複合センサを作製した。
試料番号7の並列型感温感歪複合センサの製造と評価
センサ材料
温度センサ:Fe−60%Pd−3%Ni薄膜
歪センサ :Cr−10%N−3%Al薄膜
幅15mm、長さ50mmのステンレス(SUS304)基板上にSiO2ターゲットを使用すると同時に酸素ガスを導入して行う反応性スパッタリング法によりSiO2絶縁層を形成後、該絶縁層の上にFe−60at%Pd−3%Ni合金を蒸発源として用いた真空蒸着法により同成分、同組成の温度検出用抵抗薄膜を作製し、これを973Kで熱処理を施した後、さらに同一基板上のSiO2絶縁層の上に、該温度検出用抵抗薄膜と並べてCr−4%Al合金ターゲットを備えたイオンビームスパッタリング装置を使用すると同時にスパッタリングガスであるArとともに微量の窒素ガスを導入して行う反応性スパッタリング法によりCr−10%N−3%Alの組成を持つ歪検出用抵抗薄膜を作製後、633Kで熱処理を施し、さらに4端子法による抵抗測定を可能とする電極を、Cuターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により作製し、並列型感温感歪複合センサを作製した。
Claims (2)
- 導電性基板上に絶縁性膜を形成し、さらに当該絶縁性膜上に又は絶縁性基板上に温度センサ材料及び歪センサ材料を成膜してなり、歪による温度測定誤差が0.5K以内で、かつ温度による歪量測定誤差百分率が50%以内の精度で温度及び歪を同時に検出することを特徴とする感温感歪複合センサ。
- 温度センサ材料が、温度感度2000ppm/K以上及び歪感度5以下の特性を有し、歪センサ材料が、歪感度2以上及び温度感度±2000ppm/K以内の特性を有することを特徴とする請求項1に記載の感温感歪複合センサ。
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