JP4988938B2 - 感温感歪複合センサ - Google Patents
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Description
それぞれ2000ppm/K以上及び5以下であり、歪センサ材料の歪感度および温度
感度が、それぞれ2以上及び±2000ppm/K以内であることを特徴とする。
並べて成膜し、温度及び歪を同時に検出することを特徴とする第1発明に記載の感温感
歪複合センサに関する。
を成膜した表面に絶縁皮膜を形成した後に、さらに温度センサ材料又は歪センサ材料の
残りの一方を重ねて成膜し、温度及び歪を同時に検出することを特徴とする第1発明に記
載の感温感歪複合センサに関する。
合センサを二個以上同一基板上に形成し、一次元又は二次元の温度分布及び歪分布を同時に検出することを特徴とする感温感歪複合センサに関する。
感温感歪複合センサからなり、温度と歪、圧力、加速度、変位又はトルクのいずれかを同時に電気信号に変換することを特徴とする変換器に関する。
本発明の実施例について説明する。
実施例1 試料番号3の並列型感温感歪複合センサの製造と評価
センサ材料
温度センサ:Fe−60at%Pd薄膜
歪センサ :Cr−10at%N薄膜
幅15mm、長さ50mmのガラス基板(Corning社製#0211)上にFe−60at%Pd合金ターゲットを用いた高周波スパッタリング法により同成分、同組成の温度検出用抵抗薄膜を作製後、773Kで熱処理を施した後、同一基板上に該温度検出用抵抗薄膜と並べてCrターゲットを使用すると同時に窒素ガスを導入して行う反応性スパッタリング法によりCr−10%Nの組成を持つ歪検出用抵抗薄膜を作製後、623Kで熱処理を施し、さらに4端子法による抵抗測定を可能とするCu電極を、Cuターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により作製し、並列型感温感歪複合センサを作製した。
センサ材料
温度センサ:Fe−50at%Pd薄膜
歪センサ :Cr−15at%N薄膜
幅15mm、長さ50mmの合成石英基板上にFe−50at%Pd合金ターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により同成分、同組成の温度検出用抵抗薄膜を作製後、973Kで熱処理を施した後、同一基板上に該温度検出用抵抗薄膜と並べて99.9%純度のCrを蒸発源として使用すると同時に窒素ガスを導入して行う反応性の真空蒸着法によりCr−10%Nの組成を持つ歪検出用抵抗薄膜を作製後、653Kで熱処理を施し、さらに4端子法による抵抗測定を可能とする電極を、Cuターゲットを用いた高周波スパッタリング法により作製し、並列型感温感歪複合センサを作製した。
試料番号7の並列型感温感歪複合センサの製造と評価
センサ材料
温度センサ:Fe−60%Pd−3%Ni薄膜
歪センサ :Cr−10%N−3%Al薄膜
幅15mm、長さ50mmのステンレス(SUS304)基板上にSiO2ターゲットを使用すると同時に酸素ガスを導入して行う反応性スパッタリング法によりSiO2絶縁層を形成後、該絶縁層の上にFe−60at%Pd−3%Ni合金を蒸発源として用いた真空蒸着法により同成分、同組成の温度検出用抵抗薄膜を作製し、これを973Kで熱処理を施した後、さらに同一基板上のSiO2絶縁層の上に、該温度検出用抵抗薄膜と並べてCr−4%Al合金ターゲットを備えたイオンビームスパッタリング装置を使用すると同時にスパッタリングガスであるArとともに微量の窒素ガスを導入して行う反応性スパッタリング法によりCr−10%N−3%Alの組成を持つ歪検出用抵抗薄膜を作製後、633Kで熱処理を施し、さらに4端子法による抵抗測定を可能とする電極を、Cuターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により作製し、並列型感温感歪複合センサを作製した。
Claims (6)
- 導電性基板上に絶縁性膜を形成し、さらに当該絶縁性膜上に又は絶縁性基板上に、温度感度2000ppm/K以上及び歪感度5以下の特性を有する金属系薄膜温度センサ材料、及び歪感度2以上及び温度感度±2000ppm/K以内の特性を有する金属系薄膜歪センサ材料を成膜してなり、500μεの歪による前記金属系薄膜温度センサ材料の温度測定誤差が0.5K以内で、かつ273Kから373Kまでの100Kの温度変化による前記金属系薄膜歪センサ材料の歪量測定誤差百分率が50%以内の精度で、補償回路を使用せずに、温度及び歪を同時に検出することを特徴とする感温感歪複合センサであって、前記金属系薄膜温度センサ材料が、原子量比にて鉄10〜70%及び残部パラジウムと少量の不純物からなり、前記金属系薄膜歪センサ材料が、原子量比にて窒素0〜40%及び残部クロムと少量の不純物からなり、当該歪センサ材料の結晶構造が、bcc構造のみからなるか、又はbcc構造とA15型構造の両者からなることを特徴とする感温感歪複合センサ。
- 前記金属系薄膜温度センサ材料及び前記金属系薄膜歪センサ材料を同一基板上に並べて成膜し、温度及び歪を同時に検出することを特徴とする請求項1記載の感温感歪複合センサ。
- 前記金属系薄膜温度センサ材料又は前記金属系薄膜歪センサ材料のいずれか一方を成膜した表面に絶縁性膜を形成した後に、さらにその上に前記金属系薄膜温度センサ材料又は前記金属系薄膜歪センサ材料のうち他の一方を重ねて成膜し、温度及び歪を同時に検出することを特徴とする請求項1記載の感温感歪複合センサ。
- 請求項1から3までのいずれか1項に記載の感温感歪複合センサを二個以上同一基板上に形成し、一次元又は二次元の温度分布及び歪分布を同時に検出することを特徴とする感温感歪複合センサ。
- 請求項1から4までのいずれか1項に記載の感温感歪複合センサからなり、温度と歪、圧力、加速度、変位又はトルクのいずれかを同時に検出することを特徴とする検知器。
- 請求項1から4までのいずれか1項に記載の感温感歪複合センサからなり、温度と歪、圧力、加速度、変位又はトルクのいずれかを同時に電気信号に変換することを特徴とする変換器。
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