DE3924518A1 - Temperatursensor und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Temperatursensor und verfahren zu seiner herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft einen Temperatursensor mit einer auf einem Trägersubstrat aufgebrachten, Platin enthaltenden, tempe­ raturempfindlichen Schicht sowie ein Verfahren zur Herstel­ lung eines Temperatursensors, wobei eine Platin enthaltende Schicht auf einem Trägersubstrat aufgebracht wird.
Es sind Temperatusensoren mit Platin aus temperaturempfind­ lichem Element bekannt, die in Dünnfilm-Technik hergestellt sind, bei denen also auf einem Trägersubstrat Platin in weni­ gen Atomlagen aufdiffundiert wird. Bei Einhaltung einer entsprechenden geometrischen Struktur, wie Mäanderform, kann bei hinreichend dünnen Schichten durch wenige Atomlagen ein ausreichend hoher Grundwiderstand erreicht werden, der für einen derartigen Temperatursensor im Bereich von 100 Ohm liegen muß. Diese Dünnfilm-Sensoren können nur bei niedri­ geren Temperaturen im Bereich bis zu 400 Grad C, auf jeden Fall unterhalb von 600 Grad C eingesetzt werden, da bei höheren Temperaturen Platin verdampft und aufgrund der Dicke der Schicht von nur wenigen Atomlagen alleine hierdurch eine nicht vernach­ lässigbare Änderung des Widerstandes erfolgt, so daß keine reproduzierbaren Messungen mehr möglich sind.
Es wurden weiterhin schon Platindrähte als Temperatursen­ soren eingesetzt. Zur Erreichung des hinreichend großen Grundwiderstandes mußte der Draht eine erhebliche Länge auf­ weisen, die auch bei Wicklung in Spulenform nur zu einem Sensor mit erheblichen Außenabmessungen führte, der in vie­ len Bereichen, dort, wo es auf die Miniaturisierung ankommt, nicht eingesetzt werden kann. Ferner sind Platin enthaltende Dickschichtpasten bekannt, die als weitere Bestandteile orga­ nische Binder und Lösungsmittel aufweisen. Diese werden als Dickfilm-Heizelemente eingesetzt, wobei sie ihren hinreichen­ den Widerstand aufgrund der Länge des Heizelements erreichen und für Beheizungen üblicher Druckstellentemperaturen einge­ setzt werden. Abgesehen von dem niedrigen spezifischen Wi­ derstand, der ebenfalls lediglich zu sehr großen Fühlerele­ menten führen würde, könnten diese nicht für höhere Tempe­ raturen als 600 Grad C eingesetzt werden, da hier die Repro­ duzierbarkeit nicht mehr gegeben wäre. In beiden Fällen gilt im übrigen, daß Platin ab ca. 800 Grad C rotglühend wird und dann zwar noch als Heizkörper eingesetzt werden kann, aber nicht mehr als Temperatursensor.
Die Anmelderin hat festgestellt, daß für Hochtemperaturanwen­ dungen keine miniaturisierten Temperatursensoren bekannt sind. Es werden Thermoelemente, die mit Thermospannungen ar­ beiten, eingesetzt. Nachteil ist, daß hier eine definierte Umgebungstemperatur als Referenztemperatur oder ein Mikro­ prozessor eingesetzt werden muß. Derartige Temperaturkühler sind teuer.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen empfind­ lichen, zeitstabilen Hochtemperatursensor in miniaturisierter Ausführung zu schaffen, der in vielfältiger Weise einsetzbar ist.
Erfindungsgemäß wird die genannte Aufgabe durch einen Tempe­ ratursensor gelöst, der dadurch gekennzeichnet ist, daß die Schicht in Oxidkermaik fein verteiltes metallisches Platin enthält. Zur Herstellung eines derartigen Temperatursensors wird erfindungsgemäß ein Verfahren vorgeschlagen, das dadurch gekennzeichnet ist, daß Platin-Pulver, Oxide und Bindemittel miteinander vermischt und nach dem Auftragen der Schicht auf dem Trägersubstrat mit diesen getempert werden.
Die temperaturempfindliche Schicht des erfindungsgemäßen Temperatursensors kann metallisches Platin zwischen 60 und 90 Gew.-% aufweisen und ist vorzugsweise dadurch gekennzeichnet, daß sie metallisches Platin mit einem Anteil etwa von 70 bis 85 Gew.-% enthält. Als Oxidanteil wird vorzugsweise ein Gemisch aus Silizium-, Aluminium- und Erdalkalioxid, insbesondere Kal­ ziumoxid, eingesetzt, wobei der Aluminiumoxidanteil sich dadurch ergibt, daß in der Regel das Trägersubstrat Aluminiumoxid ist. In dem Falle, daß das Trägersubstrat aus einem anderen Oxid besteht, könnte auch das Aluminiumoxid durch das Material des entsprechenden Trägersubstrats ersetzt werden. Siliziumoxid ergibt aufgrund der Temperung Quarz, bzw. den glasartigen Cha­ rakter und bildet ein inertes Material, das für die gewünschten Hochtemperaturanwendungen besonders geeignet ist. Als Erdalkali­ oxid kommt vorzugsweise Kalziumoxid in Frage, stattdessen können auch Strontium und Bariumoxide eingesetzt werden, Kalziumoxid hat sich aber als stabiler erwiesen. Die Oxidmischung bildet ein Eutektikum, deren Schmelzpunkt durch die Zugabe des Erdal­ kalioxids eingestellt und insbesondere reduziert werden kann, während eine Mischung aus Aluminiumoxid und Siliziumoxid einen relativ hohen Schmelzpunkt ergibt, der über dem Verdampfungs­ punkt von Platin liegt, so daß keine Erhitzung bis zu diesem Punkt erfolgen könnte. Durch die Zugabe von Kalziumoxid wird der Schmelzpunkt der eutektischen Mischung unter den Verdampfungs­ punkt von Platin reduziert, so daß eine Temperung bis zum ge­ wünschten Schmelzpunkt der Oxidmischung, an dem die gewünschte quarzartige bzw. glasartige kompakte Konsistenz des Materials erreicht wird, erfolgen kann. Demgemäß hat die temperaturem­ pfindliche Schicht des Temperatursensors vorzugsweise eine Zusammensetzung derart, daß im Oxidgemisch Siliziumoxid in einem Bereich von 40 bis 55 Gew.-%, Aluminiumoxid zu 25 bis 40 Gew.-% und als Rest Erdalkalioxid vorliegt, während äußerst vorzugsweise Siliziumoxid mit 45 bis 50 Gew.-%, Aluminiumoxid mit 30 bis 35 Gew.-%, Rest Erdalkalioxid gegeben ist, wobei insbesondere das Oxidgemisch 18 bis 20 Gew.-% Erdalkalioxid sowie Rest Siliziumoxid und Aluminiumoxid enthält. Um eine möglichst weitgehende Reduzierung des Schmelzpunktes der eutek­ tischen Oxidmischung zu erreichen, sieht die Erfindung demgemäß vor, daß die temperaturempfindliche Schicht auf dem Trägersub­ strat aufgebrannt ist, wobei insbesondere die temperaturempfind­ liche Schicht eine kompakte, glasartige Morphologie aufweist. Ein ideales Oxidgemisch ist in der nachfolgenden Figurenbe­ schreibung erläutert. Durch das Verhältnis von Platin und Oxid­ anteil in der temperaturempfindlichen Schicht wird deren spezi­ fischer elektrischer Widerstand festgelegt. Es ist dabei darauf zu achten, daß der Platinanteil nicht so weit reduziert wird, daß die erforderlichen Leitfähigkeitsbrücken vollständig unter­ brochen werden oder leicht beim Einsatz unterbrechbar sind. Insofern hat sich als vorteilhaft herausgestellt, daß Platin einen Anteil an der temperaturempfindlichen Schicht von 80 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmischung selbst zwischen 60 und 80 Gew.-%, aufweisen sollte. Demgemäß wird verfahrensmäßig das Oxidgemisch mit einem Anteil von 14 bis 20 Gew.-% am Gesamtge­ misch aus Platinpaste, Öl und Verdünner eingesetzt. In bevor­ zugter Ausgestaltung ist vorgesehen, daß Platinpaste mit 65 bis 70 Gew.-%, Öl und Verdünner mit jeweils 5 bis 10 Gew.-% und Rest Oxid miteinander vermischt werden, wobei der Platinan­ teil der Paste selbst vorzugsweise 75 Gew.-% beträgt. Auch eine bevorzugte konkrete Gesamtzusammensetzung der erfindungsgemäß eingesetzten Dickschicht-Druckmasse ist der Figurenbeschrei­ bung zu entnehmen.
Während die Maximaltemperatur der Temperung unterhalb der Verdampfungstemperatur von Platin bleiben sollte und vor­ zugsweise unter 1400 Grad liegt, sieht eine bevorzugte Aus­ gestaltung eine maximale Temperatur von 1300 bis 1350 Grad vor.
In weiterer Ausbildung ist vorgesehen, daß im Bereich von 300 bis 400 Grad C eine Haltezeit zur vollständigen Verbrennung organischer Binderanteile der Schicht eingehalten wird. Die Haltezeit dient zur Erzeugung der gewünschten kompakten, glas­ artigen Konsistenz der zu schaffenden temperaturempfindlichen Schicht des Temperatursensors. Die maximale Haltezeit ist an sich unkritisch, darf aber nicht unmäßig überzogen werden, da hierdurch, neben den gewünschten zu der kompakten, glasartigen Konsistenz führenden morphologischen Veränderungen, Verände­ rungen der Platingrundstruktur aufgrund von Sintereffekten, die zu unerwünschten größeren Strukturen oder Pflasterbildung, möglicherweise auch zu Oxidationen und insgesamt zu einem Auf­ brechen der Platinflächen führen, eintreten können. Es wird daher vorzugsweise eine Haltezeit von 20 bis 40 Minuten ange­ strebt, wobei sich als ein optimaler Wert eine Zeit von 25 Minuten herausgestellt hat.
Der gleichmäßig, nicht zu steile Temperaturanstieg und -ab­ fall ist im Hinblick darauf erforderlich, daß die tempera­ turempfindliche Schicht beim Tempervorgang keinem Tempera­ tursprung ausgesetzt werden darf, da dies zu Beschädigungen, wie Versprödung und Rissen führen könnte. Es hat sich demge­ mäß eine Temperatursteuerung mit einem Temperaturkoeffizien­ ten von 10 bis 15 Grad C pro Minute und insbesondere von 13 Grad C pro Minute für den Temperaturanstieg und -abfall, letz­ teres insbesondere über etwa 1100 Grad C, herausgestellt. Wäh­ rend dies hinsichtlich des Abfalls die Temperaturführung am Heizelement des Sinterofens betrifft, kann der Ofen aufgrund seiner Ausgestaltung einen insgesamt langsameren Temperaturab­ fall zeigen.
Wenn eine insbesondere organische Binder - die in der Regel Cellulosederivate sind - enthaltende Platin-Paste eingesetzt wird, so ist es vorteilhaft, im Bereich des Temperaturan­ stiegs bei 300 bis 400 Grad C, insbesondere bei 350 Grad C, ebenfalls eine Haltezeit vorzusehen, bei der die Temperatur über eine vorgegebene Zeit auf einen festen Wert gehalten wird. Während die maximale Dauer der Haltezeit letztendlich lediglich durch ökonomische Forderungen begrenzt ist, sollte die Haltezeit, um ein einwandfreies Ergebnis zu erzielen, nicht zu kurz, insbesondere nicht unter fünf Minuten, gewählt werden. Als idealer Wert haben sich etwa zehn Minuten herausgestellt. Wenn eine solche Haltezeit eingesetzt wird, so hat die aus­ getemperte Schicht eine typische helle Quarz-/Keramikfarbe, während bei zu kurzer Haltezeit in dem genannten Bereich eine Verdunklung der Farbe bis zu einer Schwärzung bedingt. Dies liegt daran, daß der oranische Binder nur langsam verbrennt und bei nicht ausreichender Haltezeit in dem genannten Temperatur­ bereich nicht vollständig zu CO2 verbrennt, sondern vielmehr Kohlenstoffanteile zurückbleiben, die sich darüberhinaus negativ auf die temperatursensitiven Eigenschaften der Schicht auswirken können.
Insgesamt wird durch die Erfindung ein miniaturisierter Tempera­ tursensor geschaffen, der vorzugsweise bei Temperaturen von über 600 Grad C bis zu 1200 Grad C einsetzbar ist. Der erfin­ dungsgemäße Temperatursensor ist preiswert herstellbar und kann insbesondere auch gleichzeitig und zusammen mit anderen Funk­ tionselementen, wie Sauerstoffsensoren, die in gleicher Technik hergestellt werden sowie Heizleitern auf einem gemeinsamen Substrat aufgebracht werden. So sieht eine bevorzugte Ausgestal­ tung vor, daß auf dem Trägersubstrat ein Sauerstoffsensor sowie ein durch die temperaturempfindliche Schicht geregelter Heizlei­ ter aufgebracht sind und in Weiterbildung, daß der Heizleiter auf der den Sauerstoffsensor und die temperaturempfindliche Schicht tragenden Fläche des Trägersubstrats aufgebracht ist. Insbesondere ist die Herstellung des erfindungsgemäßen Sensors billiger als die Dünnfilmtechnik, abgesehen davon, daß hierdurch keine derartigen hochtemperaturbelastbaren Sensoren herstellbar sind. Es sind kein Vakuum und keine aufwendige Apparatur notwen­ dig. Weiterhin ist auch die Auswirkung des Temperaturmeßergeb­ nisses nicht an komplizierte Vorgaben, wie Umgebungsmeß­ fühlern, die bei Messungen mittels Thermospannung erforder­ lich sind oder zusätzliche Elektroniken, erforderlich. Viel­ mehr kann der Sensorausgang unmittelbar zur Regelung beispiels­ weise eines Heizleiters verwendet werden.
Die vorstehende Kombination wird insbesondere zur Rohsauerstoff­ messung beispielsweise in Gaskraftwerken oder in der Prozeßleit­ technik in der chemischen Industrie eingesetzt, wenn dort im Hinblick auf Inertisierungen der Restsauerstoffgehalt zu messen ist. Die Lambdawertmessung erfolgt aufgrund eines Festkörper­ effekts mit Reduktion bzw. Oxidation in Abhängigkeit von dem Sauerstoffgehalt des Umgebungsgases, wobei dieser Festkörper­ effekt erst bei höheren Temperaturen, insbesondere Temperaturen über 600 Grad C, einsetzt, so daß der Temperatursensor auf diese Temperatur aufgeheizt werden muß und auf der gewünschten Vorgabetemperatur mit hoher Genauigkeit gehalten werden muß, wozu der erfindungsgemäße Temperatursensor in idealer Weise einsetzbar ist. Weitere Einsatzgebiete betreffen Hochtempera­ turöfen, Sinteröfen etc.
Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den Ansprüchen und aus der nachfolgenden Beschreibung, in der ein Ausführungsbeispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung im einzelnen erläutert ist. Dabei zeigt:
Fig. 1 Eine bevorzugte Ausgestaltung eines er­ findungsgemäßen Temperatursensors;
Fig. 2 eine bevorzugte Temperaturführung beim Tempervorgang zur Herstellung des Tempera­ tursensors.
Sauerstoffsensoren zur Lambda-Messung, wie beispielsweise den Gaskraftwerken, der Prozeßtechnik etc., zeigen ihre höchste Empfindlichkeit, die auf einem Oxidations-Reduktions- Festkörper-Effekt entsprechend dem vorhandenen Sauerstoff be­ ruht, bei höheren Temperaturen. Sie müssen daher auf höhere Temperaturen aufgeheizt werden und, da der Effekt sich tem­ peraturabhängig ändert, auf einer vorgegebenen Temperatur stabilisiert werden. Hierzu kann auf einem Substrat oder Trä­ ger 1, wie aus Aluminiumoxid, der Sauerstoff- oder Gassensor 2, der an sich bekannt ist, aufgebracht sein. Auf der der den Sauer­ stoffsensor 2 tragenden Fläche 3 des Trägers 1 entgegenge­ setzten Fläche 4 ist ein Heizleiter 6 aufgebracht, der bei­ spielsweise ein Heizleiter auf keramischer Basis sein kann. Weiterhin ist nahe dem Sauerstoffsensor 2 ein Temperatur­ sensor 7 auf der Fläche 3 des Trägers 1 in der weiter unten beschriebenen Weise aufgebracht. Der Temperatursensor 7 ist mäanderförmig geführt und weist beispielsweise bei der unten angegebenen Zusammensetzung eine Gesamtlänge von 10 mm, eine Breite von 3 mm, eine gesamte "Drahtlänge" von 60 bis 70 mm sowie eine Schichtdicke von 10 bis 15 Mikrometer und eine Breite von 250 Mikrometer auf.
Der Temperatursensor 7 besteht aus einer Keramik - die vor­ zugsweise aufgrund des Temperungsvorganges weitgehendst "verglast" ist - aus Oxid und in diesem dispergierten rein­ metallischen Platin mit einem Anteil von 80 Gew.-%. Die Oxid­ zusammensetzung ist gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung 50 Gew.-% Siliziumoxid, 30 Gew.-% Aluminiumoxid und 20 Gew.-% Kal­ ziumoxid. Der Grundwiderstand des derart beschriebenen Tempera­ tursensors 7 liegt bei etwa 100 Ohm.
Der Temperatursensor 7 wird auf dem Trägersubstrat 1 in der folgenden Weise hergestellt: Zunächst werden Platin-Pulver und Oxid mit den gewünschten Endanteilen von 80 Gew.-% und 20 Gew.-% vermischt. Anschlie­ ßend wird eine Paste aus 65 Gew.-% Platin und Oxid-Pulver und 35 Gew.-% Vehikel hergestellt. Das Vehikel besteht zu 70 Gew.-% aus einem organischen Binder, wie Methylcellulose, und zu 30 Gew.-% aus einem organischen Lösungsmittel, wie Dibutylcarbi­ tolacetat.
Anschließend wird die hierdurch erhaltende Paste in Siebdruck- und damit Dickfilmtechnik auf dem Trägersubstrat 1 aus Aluminiumoxid in der gewünschten geometrischen Form, wie der dargestellten Mäanderform, aufgedruckt.
Sodann wird eine Temperung vorgenommen, wobei Träger 1 und aufgedrucktes Temperatursensor-Substrat in einem Temperofen, ausgehend von Umgebungstemperatur (20 Grad) mit einem differen­ tiellen Temperaturanstieg von ca. 13 Grad C pro Minute, bis auf ca. 350 Grad C erhitzt wurden. Oberhalb ihrer Verdampfungstem­ peratur verdampfen Lösungsmittel, Verdünner und Öl. Ab etwa 100 Grad C ist die vorher zähflüssige Druckmasse eine nahezu feste Masse, da die flüssigen Anteile weitgehend verbrannt sind. Weiterhin beginnt der organische Binder, der ein Cellulosederi­ vat ist, zu verbrennen. Da der organische Binder langsam ver­ brennt, wird bei ca. 350 Grad die Temperatur über etwa 10 Minu­ ten konstant gehalten, um eine vollständige Verbrennung (Umwand­ lung in CO2) des organischen Binders zu ermöglichen. Es wurde festgestellt, daß ohne oder bei nicht ausreichender Haltezeit die erhaltene Oxidkeramik aufgrund nicht vollständig verbranntem Binder schwarz bzw. dunkel ist, während bei Einhaltung einer ausreichenden Haltezeit im genannten Temperaturbereich auf­ grund der vollständigen Verbrennung des Binders die letzt­ endlich erhaltene Keramik die typische helle Farbe aufwies. Nicht vollständig verbrannter Binder könnte auch die Eigen­ schaften des Temperatursensors beeinträchtigen. Nach der aus der Fig. 2 ersichtlichen Haltezeit bei einer Tempera­ tur von 350 Grad C erfolgt eine weitere Temperaturerhöhung mit dem gleichen Temperaturkoeffizienten bis zu der ge­ wünschten End- oder maximalen Einbrenntemperatur von ca. 1330 Grad C. Es hat sich gezeigt, daß der Temperaturanstieg eine kritische Größe ist. Bei steilerem Temperaturanstieg erge­ ben sich Risse in der Sensorschicht. Ein flacher Temperaturan­ stieg ist durchaus möglich, bedingt damit aber längere Herstel­ lungszeiten und damit einen höheren Herstellungsaufwand und höhere Kosten. Die angegebene Temperaturführung stellt insofern eine Optimierung unter Sicherstellung eines einwandfreien Ergeb­ nisses dar.
Die angegebene Einbrenntemperatur von 1330 Grad C wird über eine gewisse Zeit aufrechterhalten, die im erläuterten Ausführungsbeispiel bei 25 Minuten lag. Dies ist erforderlich, um ein Insichverfließen der Schicht, und damit eine Änderung der Morphologie (bei Beibehaltung der Struktur) und insgesamt eine glasartige, kompaktere Schicht zu erreichen, die eine gleichmäßige Leitfähigkeit gewährleistet. Es ist dabei zu beachten, daß die Einbrenntemperatur auch nicht zu lange aufrechterhalten werden darf, da hier dann innere Struktur­ änderungen erfolgen, insbesondere werden offenbar Platin­ brücken aufgebrochen und damit der durchgehende elektrische Kontakt geschädigt, sei es aufgrund typischer Sintereffekte in Form von Bildung größerer Strukturen oder Pflasterbildung, sei es aufgrund von Oxidationen von Plattenteilchen. Während im Hinblick auf die erwünschte kompakte glasartige Konsistenz die genannte Haltezeit bei Einbrenntemperatur kaum verkürzt werden kann, ist eine gewisse Verlängerung unkritisch, da die vorstehend erwähnten nachteiligen Auswirkungen erst bei übermäßig langer Einbrenntemperatur auftreten. Auch insofern erfolgt eine Optimierung dahingehend, daß die Haltezeit der Einbrenntemperatur möglichst kurz gewählt wurde, wobei sichergestellt wurde, daß die gewünschte kompaktartige glas­ artige Struktur erreicht wird. Anschließend erfolgt eine Temperaturreduzierung mit dem gleichen Temperaturkoeffi­ zienten am Heizelement, also der gleichen Temperaturführung. Aufgrund des ofeneigenen Abkühlverhaltens kühlt die Tempera­ tur im Ofen, wie dargestellt, langsamer ab. Wesentlich ist ein Abkühlen der Temperatur mit dem genannten Temperatur­ koeffizienten bis etwa auf 1100 Grad C, das nicht stärker ge­ wählt werden darf, da ansonsten ebenfalls Beschädigungen der erhaltenen Struktur eintreten könnten.
Insgesamt ist erfindungsgemäß ein Temperatursensor mit einem hinreichend großen Grundwiderstand im angegebenen Bereich ge­ geben, der hochtemperaturbeständig ist und insbesondere bei Temperaturen von über 600 bis weit über 1000 Grad C zur Temperaturmessung und damit im dargestellten Ausführungsbei­ spiel der Fig. 1 zur Temperatursteuerung des Heizers 6 ein­ gesetzt werden kann.

Claims (21)

1. Temperatursensor mit einer auf einem Trägersubstrat aufgebrachten, Platin enthaltenden, temperaturempfind­ lichen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht in Oxidkeramik fein verteiltes metallisches Platin enthält.
2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht metallisches Platin mit einem Anteil von 60 bis 90 Gew.-% enthält.
3. Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Oxidanteil der temperaturempfindlichen Schicht (7) ein Oxidgemisch aus Silizium, Aluminium und Erdal­ kalioxid, insbesondere Kalziumoxid ist.
4. Sensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß im Oxidgemisch Siliziumoxid in einem Bereich von 45 bis 50 Gew.-%, Aluminiumoxid zu 30 bis 35 Gew.-% und als Rest Erdalkalioxid vorliegt.
5. Sensor nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Oxidgemisch 18 bis 20% Erdalkalioxid sowie Rest Siliziumoxid und Aluminiumoxid enthält.
6. Sensor nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die temperaturempfindliche Schicht (7) auf dem Trägersubstrat (1) aufgebrannt ist.
7. Sensor nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die temperaturempfindliche Schicht (7) eine kompakte, glasartige Morphologie aufweist.
8. Sensor nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Trägersubstrat (1) ein Sauerstoffsensor (2) sowie ein durch die temperatur­ empfindliche Schicht (7) geregelter Heizleiter (6) aufgebracht sind.
9. Sensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Heizleiter (6) auf der den Sauerstoffsensor (2) und die temperaturempfindliche Schicht (7) tragenden Fläche (3) abgewandten Fläche (4) des Trägersubstrats (1) aufgebracht ist.
10. Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensors, wobei eine Platin enthaltende Schicht auf einem Trä­ gersubstrat aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß Platin-Pulver, Oxide und Bindemittel miteinander vermischt und nach dem Auftragen der Schicht auf dem Trägersubstrat mit diesen getempert werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß als Bindemittel zumindestens ein Öl verwendet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekenn­ zeichnet, daß Platin-Pulver vermischt mit organischem Binder und Lösungsmittel als Paste verwendet wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß zur Konsistenzeinstellung ein Verdünner mit eingemischt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Oxidanteil als Silizium, Alu­ minium- und Erdalkalioxidgemisch eingesetzt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß ein Oxidgemisch mit Siliziumoxid in einem Bereich von 45 bis 50 Gew.-%, Aluminiumoxid zu 30 bis 35 Gew.-% und Rest Erdalkalioxid, insbesondere Kalziumoxid, (auf das Gesamtoxidgewicht bezogen) verwendet wird.
16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein Oxidgemisch mit einem Oxidanteil von 18 bis 20% Erdalkalioxid sowie Rest Siliziumoxid und Aluminiumoxid (bezogen auf das Gesamtoxidgewicht) eingesetzt wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß Oxid mit einem Anteil von 14 bis 20 Gew.-% am Gesamtgemischgewicht eingesetzt wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß Platinpaste mit 65 bis 70 Gew.-%, Öl und Verdünner mit jeweils 5 bis 10 Gew.-% und Rest Oxid miteinander vermischt werden.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperung bis zu einer Temperatur zwischen 1300 und 1350 Grad/Celsius erfolgt.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Heiztemperaturführung im wesent­ lichen gleichmäßig ansteigend und in gleicher Weise abfallend erfolgt mit einer endlichen Haltezeit bei der maximalen Temper-Temperatur.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich von 300 bis 400 Grad/ Celsius eine Haltezeit zur vollständigen Verbrennung organischer Binderanteile der Schicht eingehalten wird.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0589169A1 (de) * 1992-08-27 1994-03-30 ROTH-Technik GmbH & Co. Forschung für Automobil- und Umwelttechnik Vorrichtung zur Überwachung der Funktionsfähigkeit von Katalysatoren in Abgasanlagen
DE19605469A1 (de) * 1995-02-15 1996-08-22 Murata Manufacturing Co Verfahren zum Einstellen des Widerstandstemperaturkoeffizienten eines Widerstandselements zur Temperaturmessung
DE19750123A1 (de) * 1997-11-13 1999-06-10 Heraeus Sensor Nite Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung für die Temperaturmessung
DE19851172A1 (de) * 1998-11-06 2000-05-11 Alcatel Sa Anordnung zur Erwärmung einer bestückten gedruckten Schaltung
DE10016415A1 (de) * 2000-04-01 2001-10-11 Bosch Gmbh Robert Sensorelement, insbesondere Temperaturfühler

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3196395B2 (ja) * 1993-02-18 2001-08-06 株式会社村田製作所 抵抗温度センサ
DE19545590C2 (de) * 1995-12-07 1999-10-21 Bosch Gmbh Robert Ko-gesinterte Cermet-Schicht auf einem Keramikkörper und ein Verfahren zu ihrer Herstellung
US6140906A (en) * 1996-11-08 2000-10-31 Tdk Corporation Resistive temperature sensor and manufacturing method therefor
JPH1140403A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Murata Mfg Co Ltd 温度センサ素子
DE10065723A1 (de) * 2000-12-29 2002-07-04 Bosch Gmbh Robert Anordnung zur Temperaturmessung und -regelung
DE20211328U1 (de) * 2002-07-26 2002-10-17 Guenther Gmbh & Co Temperaturfühler und Heizvorrichtung für Heißkanalsysteme
DE10341433A1 (de) * 2003-09-09 2005-03-31 Braun Gmbh Beheizbarer Infrarot-Sensor und Infrarot-Thermometer mit einem derartigen Infrarot-Sensor
US7495542B2 (en) * 2004-08-12 2009-02-24 Kelk Ltd. Film temperature sensor and temperature sensing substrate
DE102005053120A1 (de) * 2005-11-08 2007-05-10 Robert Bosch Gmbh Sensorelement für Gassensoren und Verfahren zum Betrieb desselben
DE102007035997A1 (de) * 2007-07-30 2009-02-05 Innovative Sensor Technology Ist Ag Vorrichtung zur Bestimmung und/oder Überwachung einer Prozessgröße
DE102007046900C5 (de) * 2007-09-28 2018-07-26 Heraeus Sensor Technology Gmbh Hochtemperatursensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung
JP2010032493A (ja) * 2008-06-25 2010-02-12 Ngk Spark Plug Co Ltd 温度センサ
US8485723B2 (en) * 2009-08-12 2013-07-16 Tsi Technologies Llc One-time sensor device
DE102011051845B3 (de) * 2011-07-14 2012-10-25 Heraeus Sensor Technology Gmbh Messwiderstand mit Schutzrahmen
GB201216861D0 (en) * 2012-09-20 2012-11-07 Univ Southampton Apparatus for sensing at least one parameter in water
DE102014104219B4 (de) 2014-03-26 2019-09-12 Heraeus Nexensos Gmbh Keramikträger sowie Sensorelement, Heizelement und Sensormodul jeweils mit einem Keramikträger und Verfahren zur Herstellung eines Keramikträgers

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1903925A1 (de) * 1968-01-30 1969-09-11 Alloys Unltd Inc Elektrischer Cermet-Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2053418A1 (de) * 1969-10-31 1971-06-03 Du Pont Metalhsierungsmittel zum Metalli sieren von keramischen dielektrischen Tragern durch Siebdruck
DE2256203A1 (de) * 1971-11-18 1973-05-24 Johnson Matthey Co Ltd Elektrisches widerstandselement zur verwendung als temperaturfuehler eines widerstandsthermometers und verfahren zu dessen herstellung
US3909327A (en) * 1974-08-05 1975-09-30 Maggio P Pechini Method for making a monolithic ceramic capacitor with silver bearing electrodes
DE2554997A1 (de) * 1974-12-09 1976-06-16 Kent Ltd G Verfahren zum herstellen einer bindung zwischen metallen und festen elektrolytischen stoffen
DE3011525C2 (de) * 1979-03-29 1985-03-28 Vaisala Oy, Helsinki Regelvorrichtung für einen Feuchtegeber
EP0058898B1 (de) * 1981-02-19 1985-07-24 Nissan Motor Co., Ltd. Sauerstoffsensor, hergestellt aus mehreren dünnen Schichten auf einem mit einer Heizung und Verbindungsleitern versehenen Substrat
DE3515162A1 (de) * 1984-07-03 1986-01-16 NGK Insulators Ltd., Nagoya, Aichi Verfahren zur herstellung eines dichten cordierits
DE3111808C2 (de) * 1980-03-31 1986-01-16 Hitachi Chemical Co., Ltd., Tokio/Tokyo Elektrisch leitende Paste, ihr Herstellungsverfahren und ihre Verwendung
DE3431373A1 (de) * 1984-08-25 1986-03-06 Hölter, Heinz, Dipl.-Ing., 4390 Gladbeck Schadstoffsensor fuer kraftfahrzeuge, arbeitsschutzkabinen usw.
DE3538460A1 (de) * 1984-11-01 1986-04-30 Ngk Insulators Ltd Keramischer heizkoerper und verfahren zu seiner herstellung
DE3115556C2 (de) * 1980-04-25 1986-06-05 Nissan Motor Co., Ltd., Yokohama, Kanagawa Paste zur Ausbildung eines elektrisch leitenden, festen Füllstoffes in einem Hohlraum eines Substrats aus keramischem Material und Verfahren zum Ausfüllen des Hohlraumes
DE3616045A1 (de) * 1985-05-14 1986-11-20 NGK Insulators Ltd., Nagoya, Aichi Keramischer werkstoff mit niedriger ausdehnung und verfahren zu seiner herstellung
EP0213010A1 (de) * 1985-07-16 1987-03-04 Etablissement Public dit: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) Vefahren zur Herstellung eines keramischen Cordierit-Pulvers mit niedriger Sinkertemperatur, Pulver erhältlich durch das Verfahren und keramische Zusammensetzung erhalten durch die Sinterung dieses Pulvers
EP0278750A1 (de) * 1987-02-12 1988-08-17 Ngk Insulators, Ltd. Kordierit-Körper mit einer Honigwaben-Struktur
DE3913117A1 (de) * 1989-04-21 1990-10-25 Du Pont Deutschland Verfahren zur herstellung von elektrisch leitfaehigen mustern
DE3913115A1 (de) * 1989-04-21 1990-10-25 Du Pont Deutschland Verfahren zur herstellung von elektrisch leitfaehigen mustern

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2006521B (en) * 1977-09-13 1982-03-03 Johnson Matthey Co Ltd Measurement of temperature
IE47186B1 (en) * 1977-09-13 1984-01-11 Johnson Matthey Co Ltd Improvements in and relating to the measurement of temperature
GB2120453B (en) * 1982-04-30 1985-09-11 Welwyn Elecronics Limited Temperature sensor
DE3630393C2 (de) * 1985-09-10 1994-06-23 Sharp Kk Widerstandsthermometer
DE3709201A1 (de) * 1987-03-20 1988-09-29 Bosch Gmbh Robert Waermestrahlungssensor
US4906968A (en) * 1988-10-04 1990-03-06 Cornell Research Foundation, Inc. Percolating cermet thin film thermistor

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1903925A1 (de) * 1968-01-30 1969-09-11 Alloys Unltd Inc Elektrischer Cermet-Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2053418A1 (de) * 1969-10-31 1971-06-03 Du Pont Metalhsierungsmittel zum Metalli sieren von keramischen dielektrischen Tragern durch Siebdruck
DE2256203A1 (de) * 1971-11-18 1973-05-24 Johnson Matthey Co Ltd Elektrisches widerstandselement zur verwendung als temperaturfuehler eines widerstandsthermometers und verfahren zu dessen herstellung
US3909327A (en) * 1974-08-05 1975-09-30 Maggio P Pechini Method for making a monolithic ceramic capacitor with silver bearing electrodes
DE2554997A1 (de) * 1974-12-09 1976-06-16 Kent Ltd G Verfahren zum herstellen einer bindung zwischen metallen und festen elektrolytischen stoffen
DE3011525C2 (de) * 1979-03-29 1985-03-28 Vaisala Oy, Helsinki Regelvorrichtung für einen Feuchtegeber
DE3111808C2 (de) * 1980-03-31 1986-01-16 Hitachi Chemical Co., Ltd., Tokio/Tokyo Elektrisch leitende Paste, ihr Herstellungsverfahren und ihre Verwendung
DE3115556C2 (de) * 1980-04-25 1986-06-05 Nissan Motor Co., Ltd., Yokohama, Kanagawa Paste zur Ausbildung eines elektrisch leitenden, festen Füllstoffes in einem Hohlraum eines Substrats aus keramischem Material und Verfahren zum Ausfüllen des Hohlraumes
EP0058898B1 (de) * 1981-02-19 1985-07-24 Nissan Motor Co., Ltd. Sauerstoffsensor, hergestellt aus mehreren dünnen Schichten auf einem mit einer Heizung und Verbindungsleitern versehenen Substrat
DE3515162A1 (de) * 1984-07-03 1986-01-16 NGK Insulators Ltd., Nagoya, Aichi Verfahren zur herstellung eines dichten cordierits
DE3431373A1 (de) * 1984-08-25 1986-03-06 Hölter, Heinz, Dipl.-Ing., 4390 Gladbeck Schadstoffsensor fuer kraftfahrzeuge, arbeitsschutzkabinen usw.
DE3538460A1 (de) * 1984-11-01 1986-04-30 Ngk Insulators Ltd Keramischer heizkoerper und verfahren zu seiner herstellung
DE3616045A1 (de) * 1985-05-14 1986-11-20 NGK Insulators Ltd., Nagoya, Aichi Keramischer werkstoff mit niedriger ausdehnung und verfahren zu seiner herstellung
EP0213010A1 (de) * 1985-07-16 1987-03-04 Etablissement Public dit: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) Vefahren zur Herstellung eines keramischen Cordierit-Pulvers mit niedriger Sinkertemperatur, Pulver erhältlich durch das Verfahren und keramische Zusammensetzung erhalten durch die Sinterung dieses Pulvers
EP0278750A1 (de) * 1987-02-12 1988-08-17 Ngk Insulators, Ltd. Kordierit-Körper mit einer Honigwaben-Struktur
DE3913117A1 (de) * 1989-04-21 1990-10-25 Du Pont Deutschland Verfahren zur herstellung von elektrisch leitfaehigen mustern
DE3913115A1 (de) * 1989-04-21 1990-10-25 Du Pont Deutschland Verfahren zur herstellung von elektrisch leitfaehigen mustern

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0589169A1 (de) * 1992-08-27 1994-03-30 ROTH-Technik GmbH & Co. Forschung für Automobil- und Umwelttechnik Vorrichtung zur Überwachung der Funktionsfähigkeit von Katalysatoren in Abgasanlagen
DE19605469A1 (de) * 1995-02-15 1996-08-22 Murata Manufacturing Co Verfahren zum Einstellen des Widerstandstemperaturkoeffizienten eines Widerstandselements zur Temperaturmessung
DE19750123A1 (de) * 1997-11-13 1999-06-10 Heraeus Sensor Nite Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung für die Temperaturmessung
DE19750123C2 (de) * 1997-11-13 2000-09-07 Heraeus Electro Nite Int Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung für die Temperaturmessung
DE19851172A1 (de) * 1998-11-06 2000-05-11 Alcatel Sa Anordnung zur Erwärmung einer bestückten gedruckten Schaltung
DE10016415A1 (de) * 2000-04-01 2001-10-11 Bosch Gmbh Robert Sensorelement, insbesondere Temperaturfühler

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Publication number Publication date
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JP2676564B2 (ja) 1997-11-17
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DE59005531D1 (de) 1994-06-01
ES2053200T3 (es) 1994-07-16

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