JPH0621056A - 耐酸化性化合物およびその製造方法 - Google Patents
耐酸化性化合物およびその製造方法Info
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- JPH0621056A JPH0621056A JP7394793A JP7394793A JPH0621056A JP H0621056 A JPH0621056 A JP H0621056A JP 7394793 A JP7394793 A JP 7394793A JP 7394793 A JP7394793 A JP 7394793A JP H0621056 A JPH0621056 A JP H0621056A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、半導体装置への接点および相
互接続に適した、耐酸化性のケイ化銅を低温で生成する
ことにある。 【構成】本発明の三元化合物は、約１〜１０原子％の範
囲のクロム（Ｃｒ）を含有する、化学量論量のケイ化銅
（Ｃｕ3Ｓｉ）から構成される。本化合物は、耐酸化性
を有し、環境に安定で、とりわけ半導体装置への接点お
よび相互接続に適している。クロムは、清浄なシリコン
基板上に銅を低温で付着させる時に、同時に付着させて
も、順次添加してもよい。基板表面上に形成されるケイ
化物層全体にクロムを均一に分布させるため、基板を予
熱しても、付着した層を１７５〜４００℃の範囲の温度
に加熱してもよい。得られた三元化合物は、クロム原子
がＣｕ3Ｓｉ結晶格子全体に均一に分散しており、これ
により明らかに化合物の酸化挙動が抑制される。
互接続に適した、耐酸化性のケイ化銅を低温で生成する
ことにある。 【構成】本発明の三元化合物は、約１〜１０原子％の範
囲のクロム（Ｃｒ）を含有する、化学量論量のケイ化銅
（Ｃｕ3Ｓｉ）から構成される。本化合物は、耐酸化性
を有し、環境に安定で、とりわけ半導体装置への接点お
よび相互接続に適している。クロムは、清浄なシリコン
基板上に銅を低温で付着させる時に、同時に付着させて
も、順次添加してもよい。基板表面上に形成されるケイ
化物層全体にクロムを均一に分布させるため、基板を予
熱しても、付着した層を１７５〜４００℃の範囲の温度
に加熱してもよい。得られた三元化合物は、クロム原子
がＣｕ3Ｓｉ結晶格子全体に均一に分散しており、これ
により明らかに化合物の酸化挙動が抑制される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メタラジおよび半導体
製造に関するものであり、詳細には、耐食性（耐酸化
性）で、環境に安定な半導体デバイス用接点や相互接続
を含めて、多くの用途に有用な、銅（Ｃｕ）とシリコン
（Ｓｉ）の化合物に関するものである。
製造に関するものであり、詳細には、耐食性（耐酸化
性）で、環境に安定な半導体デバイス用接点や相互接続
を含めて、多くの用途に有用な、銅（Ｃｕ）とシリコン
（Ｓｉ）の化合物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属及び合金の多くの組合せが、電気装
置等の、電流を流す設備および関連する機能に使用され
ている。これらの材料は、抵抗率が低く、実質的に安定
で、その他、製造および使用環境での条件に適合する特
性を有することが望ましい。電気的用途および環境に適
した材料の組合せの例が、下記の従来の技術に開示され
ている。
置等の、電流を流す設備および関連する機能に使用され
ている。これらの材料は、抵抗率が低く、実質的に安定
で、その他、製造および使用環境での条件に適合する特
性を有することが望ましい。電気的用途および環境に適
した材料の組合せの例が、下記の従来の技術に開示され
ている。
【０００３】米国特許第３２５４２５５号明細書は、水
銀蒸気放電装置、点火装置、スイッチなどの装置で水銀
蒸気にさらされる部品を結合するための、ろう付け合金
に関するものである。このろう付け合金は、０．４〜
１．２重量％のクロムと、残部が銅で構成されており、
水銀とアマルガムを形成したり反応したりすることはな
い。
銀蒸気放電装置、点火装置、スイッチなどの装置で水銀
蒸気にさらされる部品を結合するための、ろう付け合金
に関するものである。このろう付け合金は、０．４〜
１．２重量％のクロムと、残部が銅で構成されており、
水銀とアマルガムを形成したり反応したりすることはな
い。
【０００４】米国特許第１７４３７６８号明細書は、１
〜２重量％のシリコンと残部が銅で構成された合金製の
回路遮断スイッチの接点に関するものである。
〜２重量％のシリコンと残部が銅で構成された合金製の
回路遮断スイッチの接点に関するものである。
【０００５】米国特許第４８４３０４３号明細書は、多
層集積回路構造中に平坦な上面を有する層間導電性経路
を形成する方法に関するものである。この方法は、導体
または半導体の材料を下層として形成する工程と、前記
下層の上に絶縁層を付着させる工程と、前記絶縁層の１
つまたは複数の選択された領域にイオンを注入する工程
と、前記選択された領域の上に少なくとも１つの上部導
体を形成する工程と、構造を焼結して選択された領域を
導電性にする工程を含んでいる。上部または下部あるい
はその両方の導線を得るために、各種の導電性材料を使
用することができる。このような導電性材料には、アル
ミニウムや、Ａｌ−Ｓｉなどのアルミニウム合金が含ま
れる。その他の導電性材料には、銅合金、アルミニウム
・チタン合金、およびアルミニウム・銅・クロム合金が
含まれる。
層集積回路構造中に平坦な上面を有する層間導電性経路
を形成する方法に関するものである。この方法は、導体
または半導体の材料を下層として形成する工程と、前記
下層の上に絶縁層を付着させる工程と、前記絶縁層の１
つまたは複数の選択された領域にイオンを注入する工程
と、前記選択された領域の上に少なくとも１つの上部導
体を形成する工程と、構造を焼結して選択された領域を
導電性にする工程を含んでいる。上部または下部あるい
はその両方の導線を得るために、各種の導電性材料を使
用することができる。このような導電性材料には、アル
ミニウムや、Ａｌ−Ｓｉなどのアルミニウム合金が含ま
れる。その他の導電性材料には、銅合金、アルミニウム
・チタン合金、およびアルミニウム・銅・クロム合金が
含まれる。
【０００６】米国特許第２１８５９５８号明細書は、合
金、特に物理・化学特性が改善されたシリコン・銅合金
に関するものである。具体例を挙げると、ある合金はニ
ッケル１重量％、シリコン３．５重量％、および銅９
５．５重量％を含有する。
金、特に物理・化学特性が改善されたシリコン・銅合金
に関するものである。具体例を挙げると、ある合金はニ
ッケル１重量％、シリコン３．５重量％、および銅９
５．５重量％を含有する。
【０００７】英国特許出願第２０５１１２７Ａ号明細書
は、それぞれ０．０５〜２重量％のシリコン、クロム、
およびアルミニウムを含有し、残部が銅と不純物であ
る、析出硬化銅合金に関するものである。
は、それぞれ０．０５〜２重量％のシリコン、クロム、
およびアルミニウムを含有し、残部が銅と不純物であ
る、析出硬化銅合金に関するものである。
【０００８】日本特許出願第８７０２７５４２号明細書
は、シリコン層上に金属を付着させた後、熱処理して金
属ケイ化物を生成する方法に関するものである。
は、シリコン層上に金属を付着させた後、熱処理して金
属ケイ化物を生成する方法に関するものである。
【０００９】日本特許出願第７５００９１４４号明細書
は、銅・ニッケル・シリコン合金の無電解層を形成し
て、半導体装置に電極を形成する方法に関するものであ
る。
は、銅・ニッケル・シリコン合金の無電解層を形成し
て、半導体装置に電極を形成する方法に関するものであ
る。
【００１０】同時係属出願の米国特許出願第６８１７９
８号明細書は、抵抗率の低い金属を１．０原子％未満の
別の金属元素と組み合わせて合金を生成することを開示
している。この金属はＣｕであり、別の金属元素はＣｒ
およびＡｌから選択される。酸素含有の誘電体を含む基
板上にこの合金を付着して、Ｃｕ上に、誘電体に接着す
るためのＣｒ2Ｏ3またはＡｌＯ3の自己不動態化層を形
成する。
８号明細書は、抵抗率の低い金属を１．０原子％未満の
別の金属元素と組み合わせて合金を生成することを開示
している。この金属はＣｕであり、別の金属元素はＣｒ
およびＡｌから選択される。酸素含有の誘電体を含む基
板上にこの合金を付着して、Ｃｕ上に、誘電体に接着す
るためのＣｒ2Ｏ3またはＡｌＯ3の自己不動態化層を形
成する。
【００１１】上記の従来技術からわかるように、多くの
金属の組合せおよびシリコンを含有する金属の組合せ
が、各種の電気装置用途に使用されている。
金属の組合せおよびシリコンを含有する金属の組合せ
が、各種の電気装置用途に使用されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】半導体製造において
は、金属および合金のこのような組合せが、特に多層集
積回路（ＩＣ）構造中の導電性経路として使用され、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、最近ではＣｕのケイ化物など各種の金
属を含む各種の半導体化合物を含んでいる。Appl.Phys.
Lett.、Vol.58、p.1341(1991年)に所載の本発明者の論
文、および同時係属出願の米国特許出願第０７／８１８
０２７号明細書に記載されているように、ケイ化銅（Ｃ
ｕ3Ｓｉ）は、特に低温で生成した薄膜の形では、ＩＣ
の製造に多くの利点を有する。しかし、この化合物の主
な欠点は、急速に酸化する傾向があることで、このため
多くの応用分野でその利点が失われている。従来技術で
のこのような状況に対する手法は、Ｃｕ3Ｓｉ皮膜上に
何らかの形の不動態化層を形成することであった。しか
し、上記に引用した従来技術の引例では、このことにつ
いての教示または示唆はなく、またこの問題に対する他
の解決策も与えられていない。
は、金属および合金のこのような組合せが、特に多層集
積回路（ＩＣ）構造中の導電性経路として使用され、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、最近ではＣｕのケイ化物など各種の金
属を含む各種の半導体化合物を含んでいる。Appl.Phys.
Lett.、Vol.58、p.1341(1991年)に所載の本発明者の論
文、および同時係属出願の米国特許出願第０７／８１８
０２７号明細書に記載されているように、ケイ化銅（Ｃ
ｕ3Ｓｉ）は、特に低温で生成した薄膜の形では、ＩＣ
の製造に多くの利点を有する。しかし、この化合物の主
な欠点は、急速に酸化する傾向があることで、このため
多くの応用分野でその利点が失われている。従来技術で
のこのような状況に対する手法は、Ｃｕ3Ｓｉ皮膜上に
何らかの形の不動態化層を形成することであった。しか
し、上記に引用した従来技術の引例では、このことにつ
いての教示または示唆はなく、またこの問題に対する他
の解決策も与えられていない。
【００１３】したがって、本発明の目的は、不動態化層
を必要とせずに、半導体への接点および相互接続に使用
するのに適した、耐食性（耐酸化性）を有し、環境に安
定なケイ化銅（Ｃｕ3Ｓｉ）を、低温で生成することに
ある。
を必要とせずに、半導体への接点および相互接続に使用
するのに適した、耐食性（耐酸化性）を有し、環境に安
定なケイ化銅（Ｃｕ3Ｓｉ）を、低温で生成することに
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、化学量論量の
銅および半導体、好ましくはケイ化銅（Ｃｕ3Ｓｉ）を
含み、適当な非反応性（refractory）遷移元素、好まし
くはクロム（Ｃｒ）を化合物の約１〜１０原子％含有す
る三元化合物が、耐食性(耐酸化性）を有し、環境に安
定で、特にとりわけ半導体への接点および相互接続に使
用するのに適した化合物であるという発見を利用したも
のである。Ｃｕ3Ｓｉに少なくとも約１〜５原子％のＣ
ｒを添加すると、酸化が抑制され、Ｃｕ3Ｓｉが耐食性
になることが分かった。本発明の化合物は、遷移元素を
含有するＣｕの表面と、Ｓｉを含む半導体の表面との界
面を、上記Ｃｕおよび上記遷移元素が上記半導体にほと
んど拡散しない温度で形成し、上記界面を処理（熱処理
等）することにより得られる。そして、得られた化合物
は、Ｃｕと、上記化合物に対して約１〜１０原子％の範
囲であり上記化合物全体に分布する遷移元素と、上記半
導体とを含む。非反応性遷移元素は、好ましくはクロム
（Ｃｒ）であり、Ｃｒは、ケイ化物皮膜の形成時の清浄
なＳｉ基板上にＣｕを付着させる時に、同時に付着する
ことも、また、Ｃｕに添加することもできる。付着中に
基板を室温に保持する場合は、付着した金属層を含む複
合構造を１７５〜４００℃に約１５分ないし１時間加熱
してアニールする。そうでない場合は、付着中に基板を
１００〜４００℃に加熱する。いずれの場合にも、Ｃｒ
原子が全体に分布したＣｕ3Ｓｉが形成される。得られ
た三元化合物は、Ｃｕ3Ｓｉの結晶格子の間にＣｒ原子
が均一に分散しており、明らかに皮膜の酸化を抑制す
る。特定の用途に合わせて、他の非反応性遷移元素、た
とえばＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｂ、およびそれらの混合物
をＣｒに添加、またはＣｒの代りに使用することもでき
るが、効果は落ちる。また、半導体は、ＳｉやＳｉxＧ
ｅ1-x合金でもよい。
銅および半導体、好ましくはケイ化銅（Ｃｕ3Ｓｉ）を
含み、適当な非反応性（refractory）遷移元素、好まし
くはクロム（Ｃｒ）を化合物の約１〜１０原子％含有す
る三元化合物が、耐食性(耐酸化性）を有し、環境に安
定で、特にとりわけ半導体への接点および相互接続に使
用するのに適した化合物であるという発見を利用したも
のである。Ｃｕ3Ｓｉに少なくとも約１〜５原子％のＣ
ｒを添加すると、酸化が抑制され、Ｃｕ3Ｓｉが耐食性
になることが分かった。本発明の化合物は、遷移元素を
含有するＣｕの表面と、Ｓｉを含む半導体の表面との界
面を、上記Ｃｕおよび上記遷移元素が上記半導体にほと
んど拡散しない温度で形成し、上記界面を処理（熱処理
等）することにより得られる。そして、得られた化合物
は、Ｃｕと、上記化合物に対して約１〜１０原子％の範
囲であり上記化合物全体に分布する遷移元素と、上記半
導体とを含む。非反応性遷移元素は、好ましくはクロム
（Ｃｒ）であり、Ｃｒは、ケイ化物皮膜の形成時の清浄
なＳｉ基板上にＣｕを付着させる時に、同時に付着する
ことも、また、Ｃｕに添加することもできる。付着中に
基板を室温に保持する場合は、付着した金属層を含む複
合構造を１７５〜４００℃に約１５分ないし１時間加熱
してアニールする。そうでない場合は、付着中に基板を
１００〜４００℃に加熱する。いずれの場合にも、Ｃｒ
原子が全体に分布したＣｕ3Ｓｉが形成される。得られ
た三元化合物は、Ｃｕ3Ｓｉの結晶格子の間にＣｒ原子
が均一に分散しており、明らかに皮膜の酸化を抑制す
る。特定の用途に合わせて、他の非反応性遷移元素、た
とえばＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｂ、およびそれらの混合物
をＣｒに添加、またはＣｒの代りに使用することもでき
るが、効果は落ちる。また、半導体は、ＳｉやＳｉxＧ
ｅ1-x合金でもよい。
【００１５】本発明は、従来技術による手法のように、
Ｃｕ3Ｓｉ皮膜の上に別に不動態化層を使用する必要が
ない。
Ｃｕ3Ｓｉ皮膜の上に別に不動態化層を使用する必要が
ない。
【００１６】
【実施例】本発明は、適当な装置および方法を用いて生
成される三元化合物であって、化学量論量の銅と半導
体、たとえばシリコンを含むケイ化銅（Ｃｕ3Ｓｉ）を
含み、非反応性遷移元素、好ましくはクロム（Ｃｒ）を
前記三元化合物に対して約１〜１０原子％含有する三元
化合物であり、低温で生成でき、耐食性を有し、環境に
安定な、半導体デバイスへの接点および相互接続用の材
料として、また他の多くのメタラジ用途に適している。
成される三元化合物であって、化学量論量の銅と半導
体、たとえばシリコンを含むケイ化銅（Ｃｕ3Ｓｉ）を
含み、非反応性遷移元素、好ましくはクロム（Ｃｒ）を
前記三元化合物に対して約１〜１０原子％含有する三元
化合物であり、低温で生成でき、耐食性を有し、環境に
安定な、半導体デバイスへの接点および相互接続用の材
料として、また他の多くのメタラジ用途に適している。
【００１７】さらに詳細には、本発明は、成分金属を、
分散した比較的薄い層として半導体基板または表面上に
低温すなわち約６００〜７００℃より低い温度で付着さ
せることができ、基板中への著しい拡散が防止される、
従来のどの付着装置を使用しても効果的に実施すること
ができる。半導体の表面は、熱処理により実質的に欠陥
のないケイ化物層が容易に形成できるように、金属をそ
の上に受けることのできる、清浄な状態でなければなら
ない。この操作を行うための、適当な装置の組立および
適当な手順の採用は、下記の説明に照らせば、当業者の
技量の範囲内に含まれよう。
分散した比較的薄い層として半導体基板または表面上に
低温すなわち約６００〜７００℃より低い温度で付着さ
せることができ、基板中への著しい拡散が防止される、
従来のどの付着装置を使用しても効果的に実施すること
ができる。半導体の表面は、熱処理により実質的に欠陥
のないケイ化物層が容易に形成できるように、金属をそ
の上に受けることのできる、清浄な状態でなければなら
ない。この操作を行うための、適当な装置の組立および
適当な手順の採用は、下記の説明に照らせば、当業者の
技量の範囲内に含まれよう。
【００１８】金属成分の半導体表面への付着は、半導体
表面に実質的に拡散せず、その半導体表面と容易に反応
して所期のケイ化物を生成する金属層が形成される限
り、同時に付着させても順次付着させてもよい。たとえ
ば、Ｃｕの付着時に、ＣｒとＣｕの同時付着によって、
Ｃｒ原子を添加することができる。また、まずＣｕ層を
付着させた後、Ｃｒを付着させ、次に他のＣｕ層を付着
させ、あるいは最初にＣｒ層を付着させた後、同じ順序
で付着させることにより、ＣｒとＣｕとを順次付着させ
ることもできる。どちらの場合も、Ｓｉを含む半導体表
面上に、厚みが通常約５００〜２０００Åの分散した薄
い金属層が形成される。
表面に実質的に拡散せず、その半導体表面と容易に反応
して所期のケイ化物を生成する金属層が形成される限
り、同時に付着させても順次付着させてもよい。たとえ
ば、Ｃｕの付着時に、ＣｒとＣｕの同時付着によって、
Ｃｒ原子を添加することができる。また、まずＣｕ層を
付着させた後、Ｃｒを付着させ、次に他のＣｕ層を付着
させ、あるいは最初にＣｒ層を付着させた後、同じ順序
で付着させることにより、ＣｒとＣｕとを順次付着させ
ることもできる。どちらの場合も、Ｓｉを含む半導体表
面上に、厚みが通常約５００〜２０００Åの分散した薄
い金属層が形成される。
【００１９】付着中に基板を室温に保った場合は、金属
層とシリコン表面を約１７５〜４００℃の範囲の温度に
約１５〜６０分加熱してアニールすると、Ｃｒ原子が均
一に分散したケイ化銅の層が形成される。また、付着前
に基板を約１００〜４００℃の範囲に加熱して、ケイ化
物の生成を幾分促進し、アニール工程を省略することも
できる。得られたケイ化物層は、通常、厚みが２０００
〜３０００Åである。
層とシリコン表面を約１７５〜４００℃の範囲の温度に
約１５〜６０分加熱してアニールすると、Ｃｒ原子が均
一に分散したケイ化銅の層が形成される。また、付着前
に基板を約１００〜４００℃の範囲に加熱して、ケイ化
物の生成を幾分促進し、アニール工程を省略することも
できる。得られたケイ化物層は、通常、厚みが２０００
〜３０００Åである。
【００２０】付着に使用するＣｕの量は、得られるケイ
化物の所期の厚みに応じて変わる。使用するＣｒの量
は、得られる三元化合物の約１〜１０原子％、好ましく
は１〜５原子％までの範囲である。得られた三元化合物
は、Ｃｕ3Ｓｉの結晶格子全体にＣｒ原子が均一に分布
し、明らかに化合物の酸化挙動が抑制される。
化物の所期の厚みに応じて変わる。使用するＣｒの量
は、得られる三元化合物の約１〜１０原子％、好ましく
は１〜５原子％までの範囲である。得られた三元化合物
は、Ｃｕ3Ｓｉの結晶格子全体にＣｒ原子が均一に分布
し、明らかに化合物の酸化挙動が抑制される。
【００２１】均一に分散したＣｒ原子を含有するケイ化
銅の皮膜の、代表的な抵抗率−温度曲線を図に示す。抵
抗率は、数カ月間空気または酸素にさらしても悪影響を
受けないことが分かった。また、ＣｕとＣｒとを同時に
付着させても、順次付着させても、化合物の電気特性は
同等であることも分かった。化合物の構造的欠陥をアニ
ールによって除去する際、処理温度が高いと抵抗率が低
くなり、処理温度が低いと抵抗率が高くなることに留意
されたい。
銅の皮膜の、代表的な抵抗率−温度曲線を図に示す。抵
抗率は、数カ月間空気または酸素にさらしても悪影響を
受けないことが分かった。また、ＣｕとＣｒとを同時に
付着させても、順次付着させても、化合物の電気特性は
同等であることも分かった。化合物の構造的欠陥をアニ
ールによって除去する際、処理温度が高いと抵抗率が低
くなり、処理温度が低いと抵抗率が高くなることに留意
されたい。
【００２２】特定の用途に合わせて、他の非反応性遷移
元素、たとえばＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｂおよびそれらの
混合物を、Ｃｒに添加、またはＣｒの代りに使用するこ
ともできるが、通常効果は落ちる。また、半導体は、Ｓ
ｉやＳｉxＧｅ1-x合金でもよい。
元素、たとえばＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｂおよびそれらの
混合物を、Ｃｒに添加、またはＣｒの代りに使用するこ
ともできるが、通常効果は落ちる。また、半導体は、Ｓ
ｉやＳｉxＧｅ1-x合金でもよい。
【００２３】
【発明の効果】したがって、実験データから抵抗率と温
度の関係をプロットしたグラフに示すように、開示され
た成分および方法は、ケイ化銅皮膜を安定化するが、そ
の電気抵抗率は実質的に変わらないままであることが判
明した。この特徴により、従来技術のようにケイ化銅
（Ｃｕ3Ｓｉ）皮膜の上に不動態化層を使用する必要が
なくなる。生成した三元化合物は、その安定性のために
多くのメタラジ応用分野ならびにＶＬＳＩ技術で有用で
あることが分かるであろう。
度の関係をプロットしたグラフに示すように、開示され
た成分および方法は、ケイ化銅皮膜を安定化するが、そ
の電気抵抗率は実質的に変わらないままであることが判
明した。この特徴により、従来技術のようにケイ化銅
（Ｃｕ3Ｓｉ）皮膜の上に不動態化層を使用する必要が
なくなる。生成した三元化合物は、その安定性のために
多くのメタラジ応用分野ならびにＶＬＳＩ技術で有用で
あることが分かるであろう。
【図１】構成成分としてＣｕ、Ｃｒ、およびＳｉを使用
した、本発明による三元化合物の抵抗率が広い温度範囲
にわたって比較的変化しないことを示す、実験で得たデ
ータをプロットした図である。
した、本発明による三元化合物の抵抗率が広い温度範囲
にわたって比較的変化しないことを示す、実験で得たデ
ータをプロットした図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リア・クルスィン＝エルバウム アメリカ合衆国10522、ニューヨーク州ド ッブズ・フェリー、ビーチデール・ロード 79
Claims (11)
- 【請求項１】耐酸化性のＣｕと半導体の化合物を生成す
る方法であって、 遷移元素を含有するＣｕの表面と、Ｓｉを含む半導体の
表面との界面を、上記Ｃｕおよび上記遷移元素が上記半
導体にほとんど拡散しない温度で形成する工程と、 Ｃｕと、上記化合物に対して約１〜１０原子％の範囲で
あり上記化合物全体に分布する上記遷移元素と、上記半
導体とを含む、耐酸化性化合物を生成するために、上記
界面を処理する工程と、 を含む方法。 - 【請求項２】上記遷移元素がＣｒであることを特徴とす
る、請求項１の方法。 - 【請求項３】上記遷移元素が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎ
ｂ、これらの混合物およびこれらとＣｒとの混合物のう
ちの１つであることを特徴とする、請求項１の方法。 - 【請求項４】上記半導体がＳｉxＧｅ1-x合金であること
を特徴とする、請求項１の方法。 - 【請求項５】上記処理工程が、上記界面を加熱する工程
を含むことを特徴とする、請求項１の方法。 - 【請求項６】上記界面を形成する工程が、上記半導体表
面上にＣｕと上記遷移元素を同時に付着させることを特
徴とする、請求項１の方法。 - 【請求項７】上記界面を形成する工程が、上記半導体表
面上にＣｕと上記遷移元素を順次付着させることを特徴
とする、請求項１の方法。 - 【請求項８】シリコンを含む半導体と、Ｃｕと、約１〜
１０原子％の範囲で含まれ均一に分散する遷移元素とを
含む、耐酸化性のＣｕと半導体の化合物。 - 【請求項９】上記遷移元素がＣｒであることを特徴とす
る、請求項８の化合物。 - 【請求項１０】上記遷移元素が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎ
ｂ、これらの混合物およびこれらとＣｒとの混合物のう
ちの１つであることを特徴とする、請求項８の化合物。 - 【請求項１１】上記半導体がＳｉxＧｅ1-x合金であるこ
とを特徴とする、請求項８の化合物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US87666992A | 1992-04-30 | 1992-04-30 | |
| US876669 | 1992-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621056A true JPH0621056A (ja) | 1994-01-28 |
| JP2534434B2 JP2534434B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=25368329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5073947A Expired - Fee Related JP2534434B2 (ja) | 1992-04-30 | 1993-03-31 | 耐酸化性化合物およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0567867A2 (ja) |
| JP (1) | JP2534434B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100733641B1 (ko) * | 2000-08-03 | 2007-07-02 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 호흡 장치 구성요소 결합 장치 및 방법 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7696092B2 (en) * | 2001-11-26 | 2010-04-13 | Globalfoundries Inc. | Method of using ternary copper alloy to obtain a low resistance and large grain size interconnect |
| US6703307B2 (en) | 2001-11-26 | 2004-03-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of implantation after copper seed deposition |
| US6703308B1 (en) | 2001-11-26 | 2004-03-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of inserting alloy elements to reduce copper diffusion and bulk diffusion |
| US6835655B1 (en) | 2001-11-26 | 2004-12-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of implanting copper barrier material to improve electrical performance |
| US6861349B1 (en) | 2002-05-15 | 2005-03-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming an adhesion layer with an element reactive with a barrier layer |
| US7169706B2 (en) | 2003-10-16 | 2007-01-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of using an adhesion precursor layer for chemical vapor deposition (CVD) copper deposition |
| CN112342422A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-02-09 | 湖北新蓝天新材料股份有限公司 | 一种铜硅合金材料及其制备方法和应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248538A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH05267299A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69127037T2 (de) * | 1990-08-01 | 1998-02-12 | Ibm | Kupfer-Germanium Verbindungen, die bei Niedrigtemperatur hergestellt werden können |
| US5130274A (en) * | 1991-04-05 | 1992-07-14 | International Business Machines Corporation | Copper alloy metallurgies for VLSI interconnection structures |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP5073947A patent/JP2534434B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-16 EP EP93106223A patent/EP0567867A2/en not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248538A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH05267299A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100733641B1 (ko) * | 2000-08-03 | 2007-07-02 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 호흡 장치 구성요소 결합 장치 및 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0567867A2 (en) | 1993-11-03 |
| EP0567867A3 (ja) | 1994-03-09 |
| JP2534434B2 (ja) | 1996-09-18 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |