JPH0437186A - 薄膜回路素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は各種電子機器に用いる薄膜回路素子に関する。

従来の技術 以下従来の薄膜回路素子について説明する。

第２図に示すようにパッシベーション膜によって耐候性
を高めるために窒化シリコン等の無機絶縁膜のグレーズ
層６を設けたセラミックス基板１の上に薄膜回路３を形
成し、無機絶縁膜４で被覆する。

また、第３図に示すように付着力を向上させるだめに、
薄膜回路の特性に影響しない表面粗さのセラミックス基
板１の上に直接に薄膜回路３を構成し、無機絶縁膜４で
被覆する。無機絶縁膜４にはパッシベーションとして＠
厚寸法が２０μｍ以上の窒化シリコンを必要となるので
、ポリイミド等の樹脂で被覆して耐候性を高めている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記の従来の構成では、ブレース処理し
た基板は、平滑であるので薄膜回路の付着力が小さいの
で、熱衝撃試験やプレンシャークスカー試験で、薄膜回
路の剥離が生じるという問題点を有していた。

またポリイミドを用いた場合にプレッシャークツカー試
験で、電極や配線等に用いる薄膜金属が腐食されて薄膜
回路に悪影響を及ぼすという問題へを有していた。

さらに無機絶縁膜の成膜温度が高いので薄膜回路に使用
できる材料が限定されるという問題点を有していた。

本発明は上記従来の問題点を解決するもので・薄膜回路
の剥離や腐食がなく耐候性の高い薄膜回路素子を提供す
ることを目的とする。

課題を解決するだめの手段 この目的を達成するだめに本発明の薄膜回路素子は、中
心線平均あらさＲａが０，０５μｍ　−０，５μｍのセ
ラミックス基板を用い、この表面およびさらにその上に
構成する薄膜回路上に無機絶縁膜を設けた構成を有して
いる。

作用 この構成によってパッシベーション膜が形成され耐候性
が高まることとなる。

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。

第１図に示すように、無機絶縁膜２を被覆したセラミッ
クス基板１の上に薄膜回路３を形成し、無機絶縁膜４で
被覆する。無機絶縁膜２．４には、パッシベーション性
を有する窒化シリコンまだは硫化亜鉛を用いる。セラミ
ックス基板１を被覆する無機絶縁膜２と薄膜回路３を被
覆する無機絶縁膜４を窒化シリコン膜（以下５ｉＯＮ膜
という）とする場合は、各膜厚寸法をそれぞれ３μｍ以
上とし、両者の膜厚寸法の合計を８μｍ以上とする。

まだ、セラミックス基板１を被覆する無機絶縁膜２を硫
化亜鉛膜（以下ＺｎＳ＠という）とし、薄膜回路３を被
覆する無機絶縁膜４を５ｉＯＮ膜とする場合は、それぞ
れの膜厚寸法の積を１０μｍ以上とする。

無機絶縁膜４を５ｉＯＮ膜とする時は、薄膜回路３への
熱影響を低減するためにプラズマＣＶＤ法を用い、３０
０’Ｃで成膜させる。

無機絶縁膜４をＺｎＳ膜とする時は、スパッタリング法
で成膜レートを１０００人／　ｍ　ｉ　ｎ以上とし、ま
た、より緻密な構造の膜にするためにレーザスパッタ法
を用で成膜することもある。

以下実施例および比較例を示し、さらに詳しく本発明に
ついて説明する。

（実施例１） 中心線平均あらさＲａ（以下Ｒａという）が０．５μｍ
のアｌレミナ基板１上に、膜厚寸法が５μｍの５ｉＯＮ
膜２を成膜温度３００℃でプラズマＣＶＤ法を用いて成
膜した。その後、厚さ１０００人のアルミニウム配線３
を配設した。そしてその上に膜厚寸法が３μｍの５ｉＯ
Ｎ膜４を成膜温度３００℃でプラズマＣＶＤ法を用いて
成膜して薄膜回路素子としだ。

（実施例２） ＳｉＯＮ膜２の膜厚寸法を３μｍとし、ＳユＯＮ膜４の
膜厚寸法を６μｍとした以外は実施例１と同様の条件で
薄膜回路素子とした。

（実施例３） 膜厚寸法が１０００人のアルミニウム配線３を膜厚寸法
が１０００人の白金薄膜３とした以外は実施例１と同様
の条件で薄膜回路素子とした。

（実施例４） Ｒａが０．６μｍのアｌレミナ基板１上にレーザスパッ
タ法を用いて膜厚寸法が１０μｍのＺｎＳ膜２を設け、
膜厚寸法が１０００人のアルミニウム配線３の上に膜厚
寸法が１μｍの５ｉＯＮ膜４を成膜温度３０ｏ℃でプラ
ズマＣＶＤ法を用いて成膜して薄膜回路素子としだ。

（比較例１） Ｒａが１μｍのアルミナ基板１上に直接膜厚寸法が１０
００人のアルミニウム配線３を配設し、その上に膜厚寸
法が２０μｍの５ｉＯＮ膜４を成膜温度３００℃でプラ
ズマＣＶＤ法を用すて成模し薄膜回路素子としだ。

（比較例２） ＳｌｏＮ４の膜厚寸法を３μｍとした以外は比較例１と
同様の条件で薄膜回路素子としだ。

（比較例３） ＳｉＯＮ４（７）プラズマＣＶＤ法の成膜温度を４００
℃とした以外は比較例１と同様の条件で薄膜回路素子と
した。

（比較例４） Ｒａが０．００６μｍのアルミナ基板１上に窒化シリコ
ンのグレーズ層６を施した上に膜厚寸法が１０００への
白金薄膜３を設け、その上に＠原寸法が３μｍの５ｉＯ
Ｎ模４を成膜温度３００℃でプラズマＣＶＤ法を用いて
成膜し薄膜回路素子とした。

（比較例５） ＳｉＯＮの膜厚寸法を０．５μｍとした以外は比較例４
と同様の条件で薄膜回路素子とした。

上記の構成の各薄膜回路素子を温度２１℃・湿度１００
％で１００時間のプレスシャークツカ−試験を行なった
結果、実施例１．同２．同３および同４については、ア
ルミニウム配線、あるいは白金薄膜に異常は見られなか
った。また、比較例１、同２および同５についてはアル
ミニウム配線の腐食が見られた。また比較例４について
は白金薄膜の剥離が生じ、比較例３についてはアルミニ
ウム配線の断線が生じた。

以上のように木実雄側によれば、無機絶縁膜を被覆した
平均中心線粗さが０．０５μｍ〜０．５μｍのセラミッ
クス基板の上に薄膜回路を形成した後、さらに無機絶縁
膜で被覆することにより、薄膜回路の剥離や腐食を防止
できて、耐候性を高め、高品質とすることができる。

なお、木実雄側では、薄膜回路がアルミニウム配線、あ
るいは、白金薄膜について述べたが、他の金属配線でも
よいことはいうまでもない。

また薄膜回路が薄膜抵抗、薄膜コンデンサもしくは薄膜
センサ等の薄膜素子または、これらの薄膜素子を組み合
せだ薄膜回路素子についても実施例で示した効果と同様
の効果が得られる。

発明の効果 以上の実施例の説明からも明らかなように本発明は中心
線平均あらさＲａが０．０５μｍ〜０．６μｍのセラミ
ックス基板の上に無機絶縁膜を設け、その上に配設した
薄膜回路上に無機絶縁膜を設けた構成により、耐候性を
高め高品質の優れた薄膜回路素子を実現できるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の薄膜回路素子の構成を示す
断面図、第２図および第３図は従来の薄膜回路素子の構
成を示す断面図である。 １・・・・・・セラミックス基板、２．４・・・・・・
無機絶縁膜、３・・・・・・薄膜回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 中心線平均あらさＲａが０．０５μｍ〜０．５μｍのセ
   ラミックス基板の上に無機絶縁膜を設け、その上に薄膜
   回路を構成し、さらにその上に無機絶縁膜を設けた薄膜
   回路素子。