JPH03160721A - 薄膜導体パターン構造 - Google Patents
薄膜導体パターン構造Info
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- JPH03160721A JPH03160721A JP30030989A JP30030989A JPH03160721A JP H03160721 A JPH03160721 A JP H03160721A JP 30030989 A JP30030989 A JP 30030989A JP 30030989 A JP30030989 A JP 30030989A JP H03160721 A JPH03160721 A JP H03160721A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 108
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 241001175904 Labeo bata Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
薄膜導体パターン構造、特にポリイミド層の上に形成さ
れた薄膜導体パターンの構戒に関し、薄膜導体パターン
の内部応力により発生するポリイミド層のクラックをな
くすことを目的とし、耐熱性絶縁基板に被着されたポリ
イミド層の上に形成された薄膜導体パターンが、少なく
とも第１の薄膜導電層に第２の薄膜導電層を積層してな
り、 該ポリイミド層および該第２の薄膜導電層に対し密着性
を有する該第１の薄膜導電層に積層され主導電体となる
該第２の薄膜導電層が、該第１の薄膜導電層の輪郭より
内側に形成されたこと、さらに、該第１の薄膜導電層が
該ボリイξド層を外方向に押し広げる内部応力をもつよ
うに形成してなることを特徴とし構戒する。
れた薄膜導体パターンの構戒に関し、薄膜導体パターン
の内部応力により発生するポリイミド層のクラックをな
くすことを目的とし、耐熱性絶縁基板に被着されたポリ
イミド層の上に形成された薄膜導体パターンが、少なく
とも第１の薄膜導電層に第２の薄膜導電層を積層してな
り、 該ポリイミド層および該第２の薄膜導電層に対し密着性
を有する該第１の薄膜導電層に積層され主導電体となる
該第２の薄膜導電層が、該第１の薄膜導電層の輪郭より
内側に形成されたこと、さらに、該第１の薄膜導電層が
該ボリイξド層を外方向に押し広げる内部応力をもつよ
うに形成してなることを特徴とし構戒する。
本発明は薄膜導体パターン、特にポリイミド層の上に形
成した薄膜導体パターンの内部応力によって該ポリイミ
ド層にクランクが発生しないようにした構戒に関する。
成した薄膜導体パターンの内部応力によって該ポリイミ
ド層にクランクが発生しないようにした構戒に関する。
［従来の技術〕
第３図はポリイミド層の上に形成された従来の薄膜導体
パターンを示す断面図である。
パターンを示す断面図である。
第３図において、耐熱性絶縁基板（セラミック基板）ｌ
の上にポリイミド層２を被着し、その上に形成された薄
膜導体パターン３は、第１の薄膜導体層４と、第２の薄
膜導体層５と、第３の薄膜導体層６とを積層してなる。
の上にポリイミド層２を被着し、その上に形成された薄
膜導体パターン３は、第１の薄膜導体層４と、第２の薄
膜導体層５と、第３の薄膜導体層６とを積層してなる。
ポリイミド層２および導体１ｉ５に対し密着性を有する
クロームやチタン等にてなる導体層４と、銅やアルミニ
ウム等にてなり主導電体となる導体層５と、導体層５に
対する密着性を有するクロームやチタン等にてなる導体
層６にてなる導体パターン３は、同一輪郭に形成される
． 厚さ１０００人程度の導体層４．厚さ数μ鋼程度の導体
層５，厚さ１０００人程度の導体層６は、一般にスパッ
タリング法により被着された薄膜の選択エッチングにて
形成されるが、このように構威された導体パターン３に
おいて、導体層５に代表される導体パターン３の内部応
力は、ポリイミド層２を内側に引張る方向に２〜３Ｘ１
０”Ｐａ程度である。
クロームやチタン等にてなる導体層４と、銅やアルミニ
ウム等にてなり主導電体となる導体層５と、導体層５に
対する密着性を有するクロームやチタン等にてなる導体
層６にてなる導体パターン３は、同一輪郭に形成される
． 厚さ１０００人程度の導体層４．厚さ数μ鋼程度の導体
層５，厚さ１０００人程度の導体層６は、一般にスパッ
タリング法により被着された薄膜の選択エッチングにて
形成されるが、このように構威された導体パターン３に
おいて、導体層５に代表される導体パターン３の内部応
力は、ポリイミド層２を内側に引張る方向に２〜３Ｘ１
０”Ｐａ程度である。
このような内部応力は、導体パターン３を形成させる薄
膜を被着するとき絶縁基板１を３００″Ｃ以下に加熱し
、該薄膜の熱膨張係数が絶縁基板１それより大きいため
に生じる。因に、通常の絶縁基板１に使用されるセラミ
ックの熱膨張係数が約３〜７Ｘ１０−”／”Ｃであるの
に対し、導体層５に使用される銅の熱膨張係数は約１７
Ｘ１０−’／”Ｃ．アルミニウムの熱膨張係数は約２４
Ｘ１０−”／”Ｃである。
膜を被着するとき絶縁基板１を３００″Ｃ以下に加熱し
、該薄膜の熱膨張係数が絶縁基板１それより大きいため
に生じる。因に、通常の絶縁基板１に使用されるセラミ
ックの熱膨張係数が約３〜７Ｘ１０−”／”Ｃであるの
に対し、導体層５に使用される銅の熱膨張係数は約１７
Ｘ１０−’／”Ｃ．アルミニウムの熱膨張係数は約２４
Ｘ１０−”／”Ｃである。
他方、セラミック基板１の上に被着されたポリイミド層
２の表層部は、導体パターン３のための薄膜を被着する
のに先立つアッシングやスパッタエッチングによって変
質・硬化されていることが多く、導体パターン３の内部
応力はその輪郭部に集中する． そのため、ポリイミド層２の表層部には前記内部応力に
より図示する如く、導体パターン３の輪郭部から該表層
部を裂くようなクランク７の発生することがあった。
２の表層部は、導体パターン３のための薄膜を被着する
のに先立つアッシングやスパッタエッチングによって変
質・硬化されていることが多く、導体パターン３の内部
応力はその輪郭部に集中する． そのため、ポリイミド層２の表層部には前記内部応力に
より図示する如く、導体パターン３の輪郭部から該表層
部を裂くようなクランク７の発生することがあった。
ポリイミド層２に発生したクランク７は、その後に被着
される薄膜に亀裂を作らせたり、処理液を残留させる等
の理由から、製造歩留まりの低下要因となり、その対策
が強く要望されていた。
される薄膜に亀裂を作らせたり、処理液を残留させる等
の理由から、製造歩留まりの低下要因となり、その対策
が強く要望されていた。
なお、ポリイミド層表層部の変質，硬化をなくせばクラ
ンク７の発生を抑制できるが、前記アッシングやスパッ
タエッチング等の前工程はクリーニングの意味で必要不
可欠の場合が多く、その省略は極めて困難である． 〔課題を解決するための手段〕 上記課題の解決を目的とした本発明は、その実施例を示
す第１図および第２図によれば、耐熱性絶縁基板１に被
着されたポリイミド層２の上に形成された導体パターン
１１または２１が、少なくとも第１の′ｆｉｌ膜導電層
１２または２２に第２の薄膜導電層１３を積層してなり
、 ポリイミド層２および第２の薄膜導電層１３に密着性を
有する第１の薄膜導電層１２および２２に積層され主導
電体となる第２の薄膜導電層１３が、第１の薄膜導電層
１２または２２の輪郭より内側に形成されたことを特徴
とし、 さらに、前記第１の薄膜導電層２２がポリイミド層２を
外方向に押し広げる内部応力をもつように形成してなる
ことを特徴とする。
ンク７の発生を抑制できるが、前記アッシングやスパッ
タエッチング等の前工程はクリーニングの意味で必要不
可欠の場合が多く、その省略は極めて困難である． 〔課題を解決するための手段〕 上記課題の解決を目的とした本発明は、その実施例を示
す第１図および第２図によれば、耐熱性絶縁基板１に被
着されたポリイミド層２の上に形成された導体パターン
１１または２１が、少なくとも第１の′ｆｉｌ膜導電層
１２または２２に第２の薄膜導電層１３を積層してなり
、 ポリイミド層２および第２の薄膜導電層１３に密着性を
有する第１の薄膜導電層１２および２２に積層され主導
電体となる第２の薄膜導電層１３が、第１の薄膜導電層
１２または２２の輪郭より内側に形成されたことを特徴
とし、 さらに、前記第１の薄膜導電層２２がポリイミド層２を
外方向に押し広げる内部応力をもつように形成してなる
ことを特徴とする。
上記手段によれば、第２の薄膜導電層が第１の薄膜導電
層の輪郭より内側に形成されたことにより、第２の薄膜
導電層の輪郭部に集中する第２の薄膜導電層の内部応力
は、その多くが第１の薄膜導電層に吸収され、ボリイく
ド層にクラックの発生する恐れをなくし、さらに第１の
薄膜導電層の内部応力を第２の薄膜導電層のそれと逆方
向としたことにより、第２の薄膜導電層の内部応力に対
する第１の薄膜導電層の耐力を増大せしめ、本発明の効
果が一層顕著になる。
層の輪郭より内側に形成されたことにより、第２の薄膜
導電層の輪郭部に集中する第２の薄膜導電層の内部応力
は、その多くが第１の薄膜導電層に吸収され、ボリイく
ド層にクラックの発生する恐れをなくし、さらに第１の
薄膜導電層の内部応力を第２の薄膜導電層のそれと逆方
向としたことにより、第２の薄膜導電層の内部応力に対
する第１の薄膜導電層の耐力を増大せしめ、本発明の効
果が一層顕著になる。
［実施例］
以下に、図面を用いて本発明の実施例による薄膜導体パ
ターンを説明する。
ターンを説明する。
第１図は本発明の一実施例による薄膜導体パターンの断
面図、第２図は本発明の他の実施例による薄膜導体パタ
ーンの断面図である。
面図、第２図は本発明の他の実施例による薄膜導体パタ
ーンの断面図である。
第３図と共通部分に同一符号を使用した第１図において
、耐熱性絶縁基板（セラミック基板）１の上にポリイミ
ド層２を被着し、その上に形成された薄膜導体パターン
ｌ１は、クロームやチタン等にてなる第１の薄膜導体層
１２，銅等にてなる第２の薄膜導体層１３，クロームや
チタン等にてなる第３の導体層１４を積層した構戒であ
る。
、耐熱性絶縁基板（セラミック基板）１の上にポリイミ
ド層２を被着し、その上に形成された薄膜導体パターン
ｌ１は、クロームやチタン等にてなる第１の薄膜導体層
１２，銅等にてなる第２の薄膜導体層１３，クロームや
チタン等にてなる第３の導体層１４を積層した構戒であ
る。
厚さ１０００人程度でありポリイミド層２および導体層
１３に対し密着性を有する導体層１２．厚さ数μ編程度
であり主導電体となる導体層１３，厚さ１０００人程度
であり導体層１３に対し密着性を有する導体層１４は、
スパッタリングにより被着された薄膜より形成され、導
体層１３の輪郭は導体層１２の輪郭より内側に形成され
る。
１３に対し密着性を有する導体層１２．厚さ数μ編程度
であり主導電体となる導体層１３，厚さ１０００人程度
であり導体層１３に対し密着性を有する導体層１４は、
スパッタリングにより被着された薄膜より形成され、導
体層１３の輪郭は導体層１２の輪郭より内側に形成され
る。
このような導体パターンＩ１において、導体層１２．導
体Ｎ１３，導体層１４の各内部応力は、図中に矢印で示
す如く何れもそれら自体を圧縮させる方向であり、それ
らによってポリイミド層２には、図中に矢印で示す如く
薄膜導体パターン１ｌの下部が内側へ圧縮されるように
なる。
体Ｎ１３，導体層１４の各内部応力は、図中に矢印で示
す如く何れもそれら自体を圧縮させる方向であり、それ
らによってポリイミド層２には、図中に矢印で示す如く
薄膜導体パターン１ｌの下部が内側へ圧縮されるように
なる。
そして、厚さ１０００人程度の導体層ｌ２には従来の導
体層４と同種金属例えばクロームを使用し、厚さ数μ鞘
程度の導体層１３には従来の導体層５と同種金属例えば
銅を使用すると、導体層１３には２〜３Ｘ１０”Ｐａ程
度の内部応力が発生し、導体層１３の輪郭部に該内部応
力が集中するようになる。
体層４と同種金属例えばクロームを使用し、厚さ数μ鞘
程度の導体層１３には従来の導体層５と同種金属例えば
銅を使用すると、導体層１３には２〜３Ｘ１０”Ｐａ程
度の内部応力が発生し、導体層１３の輪郭部に該内部応
力が集中するようになる。
導体層１３のかかる集中応力は、導体層ｌ２にほぼ吸収
されポリイミド層２に作用しないようになり、ポリイミ
ド層２には導体層１２に発生した内部応力および、導体
層ｌ２の輪郭部における該内部応力の集中応力が作用す
ることになる。
されポリイミド層２に作用しないようになり、ポリイミ
ド層２には導体層１２に発生した内部応力および、導体
層ｌ２の輪郭部における該内部応力の集中応力が作用す
ることになる。
しかし、導体層１２が導体層１３より薄く，クロームの
熱膨張係数が銅のそれより小さいため、ポリイミド層２
に対する導体層ｌ２の内部応力の影響は、導体層１３の
それより遥かに小さいものになる。
熱膨張係数が銅のそれより小さいため、ポリイミド層２
に対する導体層ｌ２の内部応力の影響は、導体層１３の
それより遥かに小さいものになる。
第１図と共通部分に同一符号を使用した第２図において
、絶縁基板１の上にポリイミド層２を被着し、その上に
形成された薄膜導体パターン２１は、クロームやチタン
等にてなる第１の薄膜導体層２２，銅等にてなる第２の
薄膜導体層１３，クロームやチタン等にてなる第３の導
体層１４を積層した構成である。
、絶縁基板１の上にポリイミド層２を被着し、その上に
形成された薄膜導体パターン２１は、クロームやチタン
等にてなる第１の薄膜導体層２２，銅等にてなる第２の
薄膜導体層１３，クロームやチタン等にてなる第３の導
体層１４を積層した構成である。
厚さｌ０００入程度でありボリイξド層２および導体層
１３に対し密着性を有する導体層２２．厚さ数μ一程度
であり主導電体となる導体層１３，厚さ１０００人程度
であり導体Ｎ１３に対し密着性を有する導体層ｌ４は、
スパッタリングにより被着された薄膜より形成され、導
体層１３は導体層２２の輪郭より内側に形成される。
１３に対し密着性を有する導体層２２．厚さ数μ一程度
であり主導電体となる導体層１３，厚さ１０００人程度
であり導体Ｎ１３に対し密着性を有する導体層ｌ４は、
スパッタリングにより被着された薄膜より形成され、導
体層１３は導体層２２の輪郭より内側に形成される。
導体層２２は内部応力が図中の矢印で示す如く導体層１
３のそれと逆方向となるように、例えばバイアス量，Ａ
ｒガスの圧力によって内部応力のコントロールが可能な
ＲＦバイアススパッタリングにて被着した薄膜より形戒
する。
３のそれと逆方向となるように、例えばバイアス量，Ａ
ｒガスの圧力によって内部応力のコントロールが可能な
ＲＦバイアススパッタリングにて被着した薄膜より形戒
する。
このような導体層２２を具えた導体パターン２１は、導
体パターン１１より一層効果的に、ポリイミド層２のク
ラック防止に役立つようになる。
体パターン１１より一層効果的に、ポリイミド層２のク
ラック防止に役立つようになる。
以上説明したように本発明によれば、第１の薄膜導電層
が主導電体である第２の薄膜導電層の内部応力を吸収す
る構戒にしたことによって、製品の信頼性および歩留ま
り低下を招くポリイミド層のクラックを抑止し、さらに
、第１の薄膜導電層の内部応力を第２の薄膜導電層の内
部応力に対して逆方向とすることで該クラックの抑止を
一層効果的にすることができた。
が主導電体である第２の薄膜導電層の内部応力を吸収す
る構戒にしたことによって、製品の信頼性および歩留ま
り低下を招くポリイミド層のクラックを抑止し、さらに
、第１の薄膜導電層の内部応力を第２の薄膜導電層の内
部応力に対して逆方向とすることで該クラックの抑止を
一層効果的にすることができた。
第１図は本発明の一実施例による薄膜導体パターン、
第２図は本発明の他の実施例による薄膜導体パターン、
第３図は従来の薄膜導体パターン、
である。
図中において、
ｌは耐熱性分牲絶縁基板、
２はポリイミド層、
１１．２１は薄膜導体パターン、
１２．２２は第１の薄膜導電層、
１３は第２の薄膜導電層、
を示す。
＋＋４Ｊ［Ｉ導体パターン
１柁球基仮
木尭明の一芙施伊ｊによろ３１！Ｊｌ！導体バタ第 １
閃 ン １ 木発明の沌の夷職例による罵暎厚体パターン亮 ２ 図
閃 ン １ 木発明の沌の夷職例による罵暎厚体パターン亮 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕耐熱性絶縁基板（１）に被着されたポリイミド層
（２）の上に形成された薄膜導体パターン（１１、２１
）が、少なくとも第１の薄膜導電層（１２、２２）に第
２の薄膜導電層（１３）を積層してなり、 該ポリイミド層（２）および該第２の薄膜導電層（１３
）に対して密着性を有する該第１の薄膜導電層（１２、
２２）に積層され主導電体となる該第２の薄膜導電層（
１３）が、該第１の薄膜導電層（１２、２２）の輪郭よ
り内側に形成されたことを特徴とする薄膜導体パターン
構造。 〔２〕前記第１の薄膜導電層（２２）が前記ポリイミド
層（２）を外方向に押し広げる内部応力をもつように形
成してなることを特徴とする前記請求項１に記載の薄膜
導体パターン構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30030989A JPH03160721A (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | 薄膜導体パターン構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30030989A JPH03160721A (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | 薄膜導体パターン構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03160721A true JPH03160721A (ja) | 1991-07-10 |
Family
ID=17883228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30030989A Pending JPH03160721A (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | 薄膜導体パターン構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03160721A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200049763A (ko) * | 2017-08-25 | 2020-05-08 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 한정된 균열 방지 에지 연장부를 구비한 압축 중간층 |
-
1989
- 1989-11-17 JP JP30030989A patent/JPH03160721A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200049763A (ko) * | 2017-08-25 | 2020-05-08 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 한정된 균열 방지 에지 연장부를 구비한 압축 중간층 |
| JP2020532112A (ja) * | 2017-08-25 | 2020-11-05 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | 画定された亀裂防止縁延長部を有する圧縮性の中間層 |
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