JPH03108788A - 薄膜配線基板 - Google Patents
薄膜配線基板Info
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- JPH03108788A JPH03108788A JP24750389A JP24750389A JPH03108788A JP H03108788 A JPH03108788 A JP H03108788A JP 24750389 A JP24750389 A JP 24750389A JP 24750389 A JP24750389 A JP 24750389A JP H03108788 A JPH03108788 A JP H03108788A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
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- Details Of Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は薄膜配線基板に関する。
［従来の技術とその課題］
従来より、］” ａ ２ Ｎ 薄Ｍ抵抗体の電極部は、
高温安定性の高い膜構成として、スパッタリングにより
形成されるＴｉ−Ｗ合金の薄膜、および該Ｔｊ・Ｗ合金
の薄膜上に形成されるＣｕまたはＡｕの薄膜の２層から
成る薄膜層と、電解メッキにより薄膜層上に形成される
ＣｕメッキまたはＡｕメッキとからなる。
高温安定性の高い膜構成として、スパッタリングにより
形成されるＴｉ−Ｗ合金の薄膜、および該Ｔｊ・Ｗ合金
の薄膜上に形成されるＣｕまたはＡｕの薄膜の２層から
成る薄膜層と、電解メッキにより薄膜層上に形成される
ＣｕメッキまたはＡｕメッキとからなる。
ところが、電極部を上記のようにメッキで形成した場合
には、メッキ後の熱処理において、Ｔｉ・Ｗ合金の薄膜
とＣｕまたはＡｕの薄膜との間に膜の“フクレ″′が発
生ずる課題を有していた。
には、メッキ後の熱処理において、Ｔｉ・Ｗ合金の薄膜
とＣｕまたはＡｕの薄膜との間に膜の“フクレ″′が発
生ずる課題を有していた。
本発明は上記事情に基づいてなされたもので、その目的
は、メッキ後の熱処理において、゛′フクレ″の発生を
防止した薄膜配線基板を提供することにある。
は、メッキ後の熱処理において、゛′フクレ″の発生を
防止した薄膜配線基板を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、第１の発明は、下層にＴｊ
Ｗ合金の薄膜、上層にＣＩＪまたはＡｕの薄膜の２層
から成る啓膜層と、該薄膜層Ｊ、に形成されるＣｕメッ
キまたはＡｕメッキとから構成された配線部を看する薄
膜配線基板において、前記Ｔ ｉ・Ｗ合金の薄膜と前記
ＣｕまたはＡ ｔｌの薄膜との間に、周期表の４Ａ族（
Ｔｉおよびその同族）または６Ａ族（Ｃｒおよびその同
族）に属する金属のうち少なくとも１種類の金属の薄膜
を介在させたことを技術的手段とする。
Ｗ合金の薄膜、上層にＣＩＪまたはＡｕの薄膜の２層
から成る啓膜層と、該薄膜層Ｊ、に形成されるＣｕメッ
キまたはＡｕメッキとから構成された配線部を看する薄
膜配線基板において、前記Ｔ ｉ・Ｗ合金の薄膜と前記
ＣｕまたはＡ ｔｌの薄膜との間に、周期表の４Ａ族（
Ｔｉおよびその同族）または６Ａ族（Ｃｒおよびその同
族）に属する金属のうち少なくとも１種類の金属の薄膜
を介在させたことを技術的手段とする。
また、第２の発明は、前記ＣｕメッキまたはＡＵメッキ
」二に、さらにＮ］メッキが施されていることを技術的
手段とする。
」二に、さらにＮ］メッキが施されていることを技術的
手段とする。
［作用および発明の効果］
Ｔｊ Ｗ合金の薄膜とＣｕまなはＡｌ１の薄膜との間に
膜の゛フクレ′″が発生ずる原因としては、異種金属の
合金である′ｒ」・Ｗ合金か、メッキ液に浸漬された際
に部分的にｌにｆｉ！ｌ！され、その部分に浸透または
唱名したメッキ液か、熱処理時にカス化することによっ
て発生ずるものと思われる。
膜の゛フクレ′″が発生ずる原因としては、異種金属の
合金である′ｒ」・Ｗ合金か、メッキ液に浸漬された際
に部分的にｌにｆｉ！ｌ！され、その部分に浸透または
唱名したメッキ液か、熱処理時にカス化することによっ
て発生ずるものと思われる。
そこて、本発明者は、Ｔ】・Ｗ合金の薄膜とＣ第１図な
いし第８図は、薄膜抵抗体および電極部の形成工程を示
す説明図である。
いし第８図は、薄膜抵抗体および電極部の形成工程を示
す説明図である。
本実施例の薄膜配線基板１は、第８図に示すように、セ
ラミック基板２の主面上にＴａ２Ｎ薄膜抵抗体３が形成
されたものであり、以下に、Ｔ ａ２Ｎ薄膜抵抗体３と
その電極部４の形成工程を説明する。
ラミック基板２の主面上にＴａ２Ｎ薄膜抵抗体３が形成
されたものであり、以下に、Ｔ ａ２Ｎ薄膜抵抗体３と
その電極部４の形成工程を説明する。
なお、セラミック基板２は、例えば、アルミナを主原料
として作成された複数のグリーンシートを積層して、加
湿雰囲気の水素炉中で高温焼成して得られる多層基板で
ある。
として作成された複数のグリーンシートを積層して、加
湿雰囲気の水素炉中で高温焼成して得られる多層基板で
ある。
ａ）まず、」−記セラミック基板２の主面上に、抵抗体
となるＴａ２Ｎの薄Ｍ３ａを形成した後、さらにＴｊ・
Ｗ合金、Ｔｊ（周期表の４Ａ族に属する）、およびＣｕ
（またはＡ１１）の各薄月莫５．６．７を順次スパッタ
リングにより形成する（第１図参照）。
となるＴａ２Ｎの薄Ｍ３ａを形成した後、さらにＴｊ・
Ｗ合金、Ｔｊ（周期表の４Ａ族に属する）、およびＣｕ
（またはＡ１１）の各薄月莫５．６．７を順次スパッタ
リングにより形成する（第１図参照）。
１−））次に、電極部４のパターンメッキを行うため、
ＣＩＪ（またはＡｕ）の薄Ｊ摸７上にフーａ１〜レジス
ト８を塗布し、パターン露光、現像二［程を経て１１ま
たはＡｕの薄膜との間に、ある種の金属を介在させるこ
とでＴｉ ・Ｗ合金かメッキ液から保護され、゛フクレ
″を防止することがてきるとの推測にたち、そのＴ１・
Ｗ合金を保護するための中間膜として各種の金属を試み
た。
ＣＩＪ（またはＡｕ）の薄Ｊ摸７上にフーａ１〜レジス
ト８を塗布し、パターン露光、現像二［程を経て１１ま
たはＡｕの薄膜との間に、ある種の金属を介在させるこ
とでＴｉ ・Ｗ合金かメッキ液から保護され、゛フクレ
″を防止することがてきるとの推測にたち、そのＴ１・
Ｗ合金を保護するための中間膜として各種の金属を試み
た。
その結果、Ｔｊ Ｗ合金の薄膜とＣｕまたはＡ１１の薄
膜との間に、周期表の４Ａ族または６Ａ族に属する金属
のうち少なくとも１種類の金属の薄膜を介在さぜな場合
に゛フクレ″を防止することができた。
膜との間に、周期表の４Ａ族または６Ａ族に属する金属
のうち少なくとも１種類の金属の薄膜を介在さぜな場合
に゛フクレ″を防止することができた。
また、Ｃｕメ・ンキまたはＡｕメ・ンキ」二に施された
Ｎｉメッキは、不要部の薄膜層をエツチングによって除
去する際に、ＣｕメッキまたはＡｕメッキをエツチング
液から保護するとともに、ポリイミド樹脂を絶縁層とし
て多層配線を形成する場合なとに、そのポリイミド樹脂
との密議性を得るものである。
Ｎｉメッキは、不要部の薄膜層をエツチングによって除
去する際に、ＣｕメッキまたはＡｕメッキをエツチング
液から保護するとともに、ポリイミド樹脂を絶縁層とし
て多層配線を形成する場合なとに、そのポリイミド樹脂
との密議性を得るものである。
［実施例］
次に、本発明の薄膜配線基板を図面に示ず一実施例に基
づき説明する。
づき説明する。
電極部４のみフオトレシス１−８を除去するく第２図参
照）。
照）。
Ｃ）電解メッキにより、フォトレジスト８が除去された
部分に、Ｃｕ（またはＡｌ１）メッキ９とＮ１メッキ１
０を順次形成し、その後、残りのフオトレシス１−８を
除去する（第３図および第４図参照）。
部分に、Ｃｕ（またはＡｌ１）メッキ９とＮ１メッキ１
０を順次形成し、その後、残りのフオトレシス１−８を
除去する（第３図および第４図参照）。
なお、Ｎｉメッキ１０は、次の−［程で不要部の薄膜層
５．６．７を除去する際に、エツチング液からＣｕ（ま
たはＡｕ）メッキ９を保護するとともに、ポリイミド樹
脂（図示しない）を絶縁層として多層配線を形成する場
合等に、そのポリイミド樹脂との密着性を得る目的で形
成される。
５．６．７を除去する際に、エツチング液からＣｕ（ま
たはＡｕ）メッキ９を保護するとともに、ポリイミド樹
脂（図示しない）を絶縁層として多層配線を形成する場
合等に、そのポリイミド樹脂との密着性を得る目的で形
成される。
ｄ）そして、エツチングにより不要部の薄膜層５．６．
７を除去した後（第５図参照）、不要部のＴａｚＮの薄
膜３ａを除去するため、薄膜層５．６．７とＣ１１（ま
たはＡｕ）メッキ９、Ｎ１メッキ１０とからなる電極部
４、および電極部４間のＴａ２ＮのｆｉＪＩｕ３ａ＋−
にフォトレジスト１１を塗布するく第６図参照）。
７を除去した後（第５図参照）、不要部のＴａｚＮの薄
膜３ａを除去するため、薄膜層５．６．７とＣ１１（ま
たはＡｕ）メッキ９、Ｎ１メッキ１０とからなる電極部
４、および電極部４間のＴａ２ＮのｆｉＪＩｕ３ａ＋−
にフォトレジスト１１を塗布するく第６図参照）。
ｅ）エツチング処理により不要部のＴａ２Ｎの薄膜３ａ
を取り除いた後、フチトレジス１−１１を除去する（第
７図および第８図参照）。
を取り除いた後、フチトレジス１−１１を除去する（第
７図および第８図参照）。
ｆ）最後に熱処理（抵抗膜の表面を酸化させて熱的に安
定させるなめ）を行って、第８図に示すように、Ｔａ２
Ｎ薄膜抵抗体３およびその電極部４を得る。
定させるなめ）を行って、第８図に示すように、Ｔａ２
Ｎ薄膜抵抗体３およびその電極部４を得る。
ここで、Ｔｉ−Ｗ合金の薄膜５とＣｕ（またはＡ、 ｕ
、 ）の薄Ｍ７との間に、中間膜としてＴ】、Ｚｒ、Ｃ
ｒ、およびＭｏのいずれか１つの金属の薄膜を介在させ
た場合と、上記中間膜としての金属を介在させない場合
と゛Ｃ″フクレ″の発生状態を比較した測定結果を表１
に示す。
、 ）の薄Ｍ７との間に、中間膜としてＴ】、Ｚｒ、Ｃ
ｒ、およびＭｏのいずれか１つの金属の薄膜を介在させ
た場合と、上記中間膜としての金属を介在させない場合
と゛Ｃ″フクレ″の発生状態を比較した測定結果を表１
に示す。
なお、測定に際して、
Ｔ］ Ｗ合金の膜厚 １０００Ａ、
Ｃ１１（またはＡ１４）の１摸厚：５μｍ、Ｔｉ （
Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ）の月莫厚： １００ＯＡ、測定面積
＝］ｄ とし、４５０°Ｃの熱処理（」−記ｆの工程で行う熱処
理）を３０分実施した後の゛′フクレ′”の発生個数外
で周期表の４Ａ族または６Ａ族に属する金属の薄膜を使
用しても良い。
Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ）の月莫厚： １００ＯＡ、測定面積
＝］ｄ とし、４５０°Ｃの熱処理（」−記ｆの工程で行う熱処
理）を３０分実施した後の゛′フクレ′”の発生個数外
で周期表の４Ａ族または６Ａ族に属する金属の薄膜を使
用しても良い。
また、本実施例では、Ｔｉ−Ｗ合金の薄膜５とＣ１１（
またはＡｕ）のＦＢＩ摸７との間に、Ｔ ｉ （７）薄
膜６を介在さぜた膜構成として′Ｉ″ａ７Ｎ薄膜抵抗体
３の電極部４を示したか、本発明の膜構成を電極部４に
限定する必要はなく、セラミック基板２の主面上に形成
される配線パターンに適用しても良い。
またはＡｕ）のＦＢＩ摸７との間に、Ｔ ｉ （７）薄
膜６を介在さぜた膜構成として′Ｉ″ａ７Ｎ薄膜抵抗体
３の電極部４を示したか、本発明の膜構成を電極部４に
限定する必要はなく、セラミック基板２の主面上に形成
される配線パターンに適用しても良い。
第１図ないし第８図は本発明の一実施例を示すもので、
薄膜抵抗体および電極部の形成より１を示ずセラミック
基板の要部断面図である。 図中 １・・・薄膜配線基板 ５・・Ｔ］・Ｗ合金の薄膜６・
・Ｔｉの酸ｊ摸 ７・・Ｃｌ４（またはＡｕ、）の薄膜
９−Ｃｕ（：４たはＡ１１）メツＪ １０− Ｎ
ｉメッキ
薄膜抵抗体および電極部の形成より１を示ずセラミック
基板の要部断面図である。 図中 １・・・薄膜配線基板 ５・・Ｔ］・Ｗ合金の薄膜６・
・Ｔｉの酸ｊ摸 ７・・Ｃｌ４（またはＡｕ、）の薄膜
９−Ｃｕ（：４たはＡ１１）メツＪ １０− Ｎ
ｉメッキ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）下層にＴｉ・Ｗ合金の薄膜、上層にＣｕまたはＡｕ
の薄膜の２層から成る薄膜層と、該薄膜層上に形成され
るＣｕメッキまたはＡｕメッキとから構成された配線部
を有する薄膜配線基板において、 前記Ｔｉ・Ｗ合金の薄膜と前記ＣｕまたはＡｕの薄膜と
の間に、周期表の４Ａ族（Ｔｉおよびその同族）または
６Ａ族（Ｃｒおよびその同族）に属する金属のうち少な
くとも１種類の金属の薄膜を介在させたことを特徴とす
る薄膜配線基板。 ２）前記ＣｕメッキまたはＡｕメッキ上に、さらにＮｉ
メッキが施されていることを特徴とする請求項１記載の
薄膜配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24750389A JP2642749B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 薄膜配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24750389A JP2642749B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 薄膜配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108788A true JPH03108788A (ja) | 1991-05-08 |
| JP2642749B2 JP2642749B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=17164442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24750389A Expired - Fee Related JP2642749B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 薄膜配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2642749B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008285943A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Toso Co Ltd | ブラインド用スラット |
| JP2008291445A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Toso Co Ltd | ブラインド用スラット |
| CN109659104A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-04-19 | 广东爱晟电子科技有限公司 | 一种高可靠双面异质复合电极热敏芯片 |
-
1989
- 1989-09-22 JP JP24750389A patent/JP2642749B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008285943A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Toso Co Ltd | ブラインド用スラット |
| JP2008291445A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Toso Co Ltd | ブラインド用スラット |
| CN109659104A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-04-19 | 广东爱晟电子科技有限公司 | 一种高可靠双面异质复合电极热敏芯片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2642749B2 (ja) | 1997-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |