JP2642749B2 - 薄膜配線基板 - Google Patents
薄膜配線基板Info
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- JP2642749B2 JP2642749B2 JP24750389A JP24750389A JP2642749B2 JP 2642749 B2 JP2642749 B2 JP 2642749B2 JP 24750389 A JP24750389 A JP 24750389A JP 24750389 A JP24750389 A JP 24750389A JP 2642749 B2 JP2642749 B2 JP 2642749B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は薄膜配線基板に関する。
［従来の技術とその課題］ 従来より、Ta2N薄膜抵抗体の電極部は、高温安定性の
高い膜構成として、スパッタリングにより形成されるTi
・Ｗ合金の薄膜、および該Ti・Ｗ合金の薄膜上に形成さ
れるCuまたはAuの薄膜の２層から成る薄膜層と、電解メ
ッキにより薄膜層上に形成されるCuメッキまたはAuメッ
キとからなる。
高い膜構成として、スパッタリングにより形成されるTi
・Ｗ合金の薄膜、および該Ti・Ｗ合金の薄膜上に形成さ
れるCuまたはAuの薄膜の２層から成る薄膜層と、電解メ
ッキにより薄膜層上に形成されるCuメッキまたはAuメッ
キとからなる。
ところが、電極部を上記のようにメッキで形成した場
合には、メッキ後の熱処理において、Ti・Ｗ合金の薄膜
とCuまたはAuの薄膜との間に膜の“フクレ”が発生する
課題を有していた。
合には、メッキ後の熱処理において、Ti・Ｗ合金の薄膜
とCuまたはAuの薄膜との間に膜の“フクレ”が発生する
課題を有していた。
本発明は上記事情に基づいてなされたもので、その目
的は、メッキ後の熱処理において、“フクレ”の発生を
防止した薄膜配線基板を提供することにある。
的は、メッキ後の熱処理において、“フクレ”の発生を
防止した薄膜配線基板を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、第１の発明は、下層にTi
・Ｗ合金の薄膜、上層にCuまたはAuの薄膜の２層から成
る薄膜層と、該薄膜層上に形成されるCuメッキまたはAu
メッキとから構成された配線部を有する薄膜配線基板に
おいて、前記Ti・Ｗ合金の薄膜と前記CuまたはAuの薄膜
との間に、周期表の4A族（Tiおよびその同族）または6A
族（Crおよびその同族）に属する金属のうち少なくとも
１種類の金属の薄膜を介在させたことを技術的手段とす
る。
・Ｗ合金の薄膜、上層にCuまたはAuの薄膜の２層から成
る薄膜層と、該薄膜層上に形成されるCuメッキまたはAu
メッキとから構成された配線部を有する薄膜配線基板に
おいて、前記Ti・Ｗ合金の薄膜と前記CuまたはAuの薄膜
との間に、周期表の4A族（Tiおよびその同族）または6A
族（Crおよびその同族）に属する金属のうち少なくとも
１種類の金属の薄膜を介在させたことを技術的手段とす
る。
また、第２の発明は、前記CuメッキまたはAuメッキ上
に、さらにNiメッキが施されていることを技術的手段と
する。
に、さらにNiメッキが施されていることを技術的手段と
する。
［作用および発明の効果］ Ti・Ｗ合金の薄膜とCuまたはAuの薄膜との間に膜の
“フクレ”が発生する原因としては、異種金属の合金で
あるTi・Ｗ合金が、メッキ液に浸漬された際に部分的に
腐蝕され、その部分に浸透または吸着したメッキ液が、
熱処理時にガス化することによって発生するものと思わ
れる。
“フクレ”が発生する原因としては、異種金属の合金で
あるTi・Ｗ合金が、メッキ液に浸漬された際に部分的に
腐蝕され、その部分に浸透または吸着したメッキ液が、
熱処理時にガス化することによって発生するものと思わ
れる。
そこで、本発明者は、Ti・Ｗ合金の薄膜とCuまたはAu
の薄膜との間に、ある種の金属を介在させることでTi・
Ｗ合金がメッキ液から保護され、“フクレ”を防止する
ことができるとの推測にたち、そのTi・Ｗ合金を保護す
るための中間膜として各種の金属を試みた。
の薄膜との間に、ある種の金属を介在させることでTi・
Ｗ合金がメッキ液から保護され、“フクレ”を防止する
ことができるとの推測にたち、そのTi・Ｗ合金を保護す
るための中間膜として各種の金属を試みた。
その結果、Ti・Ｗ合金の薄膜とCuまたはAuの薄膜との
間に、周期表の4A族または6A族に属する金属のうち少な
くとも１種類の金属の薄膜を介在させた場合に“フク
レ”を防止することができた。
間に、周期表の4A族または6A族に属する金属のうち少な
くとも１種類の金属の薄膜を介在させた場合に“フク
レ”を防止することができた。
また、CuメッキまたはAuメッキ上に施されたNiメッキ
は、不要部の薄膜層をエッチングによって除去する際
に、CuメッキまたはAuメッキをエッチング液から保護す
るとともに、ポリイミド樹脂を絶縁層として多層配線を
形成する場合などに、そのポリイミド樹脂との密着性を
得るものである。
は、不要部の薄膜層をエッチングによって除去する際
に、CuメッキまたはAuメッキをエッチング液から保護す
るとともに、ポリイミド樹脂を絶縁層として多層配線を
形成する場合などに、そのポリイミド樹脂との密着性を
得るものである。
［実施例］ 次に、本発明の薄膜配線基板を図面に示す一実施例に
基づき説明する。
基づき説明する。
第１図ないし第８図は、薄膜抵抗体および電極部の形
成工程を示す説明図である。
成工程を示す説明図である。
本実施例の薄膜配線基板１は、第８図に示すように、
セラミック基板２の主面上にTa2N薄膜抵抗体３が形成さ
れたものであり、以下に、Ta2N薄膜抵抗体３とその電極
部４の形成工程を説明する。
セラミック基板２の主面上にTa2N薄膜抵抗体３が形成さ
れたものであり、以下に、Ta2N薄膜抵抗体３とその電極
部４の形成工程を説明する。
なお、セラミック基板２は、例えば、アルミナを主原
料として作成された複数のグリーンシートを積層して、
加湿雰囲気の水素炉中で高温焼成して得られる多層基板
である。
料として作成された複数のグリーンシートを積層して、
加湿雰囲気の水素炉中で高温焼成して得られる多層基板
である。
ａ）まず、上記セラミック基板２の主面上に、抵抗体と
なるTa2Nの薄膜3aを形成した後、さらにTi・Ｗ合金、Ti
（周期表の4A族に属する）、およびCu（またはAu）の各
薄膜５、６、７を順次スパッタリングにより形成する
（第１図参照）。
なるTa2Nの薄膜3aを形成した後、さらにTi・Ｗ合金、Ti
（周期表の4A族に属する）、およびCu（またはAu）の各
薄膜５、６、７を順次スパッタリングにより形成する
（第１図参照）。
ｂ）次に、電極部４のパターンメッキを行うため、Cu
（またはAu）の薄膜７上にフォトレジスト８を塗布し、
パターン露光、現像工程を経て電極部４のみフォトレジ
スト８を除去する（第２図参照）。
（またはAu）の薄膜７上にフォトレジスト８を塗布し、
パターン露光、現像工程を経て電極部４のみフォトレジ
スト８を除去する（第２図参照）。
ｃ）電解メッキにより、フォトレジスト８が除去された
部分に、Cu（またはAu）メッキ９とNiメッキ10を順次形
成し、その後、残りのフォトレジスト８を除去する（第
３図および第４図参照）。
部分に、Cu（またはAu）メッキ９とNiメッキ10を順次形
成し、その後、残りのフォトレジスト８を除去する（第
３図および第４図参照）。
なお、Niメッキ10は、次の工程で不要部の薄膜層５、
６、７を除去する際に、エッチング液からCu（またはA
u）メッキ９を保護するとともに、ポリイミド樹脂（図
示しない）を絶縁層として多層配線を形成する場合等
に、そのポリイミド樹脂との密着性を得る目的で形成さ
れる。
６、７を除去する際に、エッチング液からCu（またはA
u）メッキ９を保護するとともに、ポリイミド樹脂（図
示しない）を絶縁層として多層配線を形成する場合等
に、そのポリイミド樹脂との密着性を得る目的で形成さ
れる。
ｄ）そして、エッチングにより不要部の薄膜層５、６、
７を除去した後（第５図参照）、不要部のTa2Nの薄膜3a
を除去するため、薄膜層５、６、７とCu（またはAu）メ
ッキ９、Niメッキ10とからなる電極部４、および電極部
４間のTa2Nの薄膜3a上にフォトレジスト11を塗布する
（第６図参照）。
７を除去した後（第５図参照）、不要部のTa2Nの薄膜3a
を除去するため、薄膜層５、６、７とCu（またはAu）メ
ッキ９、Niメッキ10とからなる電極部４、および電極部
４間のTa2Nの薄膜3a上にフォトレジスト11を塗布する
（第６図参照）。
ｅ）エッチング処理により不要部のTa2Nの薄膜3aを取り
除いた後、フォトレジスト11を除去する（第７図および
第８図参照）。
除いた後、フォトレジスト11を除去する（第７図および
第８図参照）。
ｆ）最後に熱処理（抵抗膜の表面を酸化させて熱的に安
定させるため）を行って、第８図に示すように、Ta2N薄
膜抵抗体３およびその電極部４を得る。
定させるため）を行って、第８図に示すように、Ta2N薄
膜抵抗体３およびその電極部４を得る。
ここで、Ti・Ｗ合金の薄膜５とCu（またはAu）の薄膜
７との間に、中間膜としてTi、Zr、Cr、およびMoのいず
れか１つの金属の薄膜を介在させた場合と、上記中間膜
としての金属を介在させない場合とで“フクレ”の発生
状態を比較した測定結果を表１に示す。
７との間に、中間膜としてTi、Zr、Cr、およびMoのいず
れか１つの金属の薄膜を介在させた場合と、上記中間膜
としての金属を介在させない場合とで“フクレ”の発生
状態を比較した測定結果を表１に示す。
なお、測定に際して、 Ti・Ｗ合金の膜厚:1000Å、 Cu（またはAu）の膜厚:5μｍ、 Ti（Zr、Cr、Mo）の膜厚:1000Å、 測定面積:1cm2 とし、450℃の熱処理（上記ｆの工程で行う熱処理）を3
0分実施した後の“フクレ”の発生個数を測定した。
0分実施した後の“フクレ”の発生個数を測定した。
この測定結果に示すように、Ti・Ｗ合金の薄膜５とCu
（またはAu）の薄膜７との間に、周期表の4A族に属する
TiおよびZr、周期表の6A族に属するCrおよびMoのいずれ
かの薄膜を介在させたことにより“フクレ”の発生を防
止することができた。
（またはAu）の薄膜７との間に、周期表の4A族に属する
TiおよびZr、周期表の6A族に属するCrおよびMoのいずれ
かの薄膜を介在させたことにより“フクレ”の発生を防
止することができた。
なお、上記測定では、中間膜としてTi、Zr、Cr、およ
びMoのうちいずれか１種類の薄膜を介在させたが、これ
らの金属を２種類以上組み合わせた合金でも良い。ある
いは、これらの金属以外で周期表の4A族または6A族に属
する金属の薄膜を使用しても良い。
びMoのうちいずれか１種類の薄膜を介在させたが、これ
らの金属を２種類以上組み合わせた合金でも良い。ある
いは、これらの金属以外で周期表の4A族または6A族に属
する金属の薄膜を使用しても良い。
また、本実施例では、Ti・Ｗ合金の薄膜５とCu（また
はAu）の薄膜７との間に、Tiの薄膜６を介在させた膜構
成としてTa2N薄膜抵抗体３の電極部４を示したが、本発
明の膜構成を電極部４に限定する必要はなく、セラミッ
ク基板２の主面上に形成される配線パターンに適用して
も良い。
はAu）の薄膜７との間に、Tiの薄膜６を介在させた膜構
成としてTa2N薄膜抵抗体３の電極部４を示したが、本発
明の膜構成を電極部４に限定する必要はなく、セラミッ
ク基板２の主面上に形成される配線パターンに適用して
も良い。
第１図ないし第８図は本発明の一実施例を示すもので、
薄膜抵抗体および電極部の形成工程を示すセラミック基
板の要部断面図である。 図中 １……薄膜配線基板、５……Ti・Ｗ合金の薄膜 ６……Tiの薄膜、７……Cu（またはAu）の薄膜、９……
Cu（またはAu）メッキ、10……Niメッキ
薄膜抵抗体および電極部の形成工程を示すセラミック基
板の要部断面図である。 図中 １……薄膜配線基板、５……Ti・Ｗ合金の薄膜 ６……Tiの薄膜、７……Cu（またはAu）の薄膜、９……
Cu（またはAu）メッキ、10……Niメッキ
Claims (2)
- 【請求項１】下層にTi・Ｗ合金の薄膜、上層にCuまたは
Auの薄膜の２層から成る薄膜層と、該薄膜層上に形成さ
れるCuメッキまたはAuメッキとから構成された配線部を
有する薄膜配線基板において、 前記Ti・Ｗ合金の薄膜と前記CuまたはAuの薄膜との間
に、周期表の4A族（Tiおよびその同族）または6A族（Cr
およびその同族）に属する金属のうち少なくとも１種類
の金属の薄膜を介在させたことを特徴とする薄膜配線基
板。 - 【請求項２】前記CuメッキまたはAuメッキ上に、さらに
Niメッキが施されていることを特徴とする請求項１記載
の薄膜配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24750389A JP2642749B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 薄膜配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24750389A JP2642749B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 薄膜配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108788A JPH03108788A (ja) | 1991-05-08 |
| JP2642749B2 true JP2642749B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=17164442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24750389A Expired - Fee Related JP2642749B2 (ja) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | 薄膜配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2642749B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4896816B2 (ja) * | 2007-05-21 | 2012-03-14 | トーソー株式会社 | ブラインド用スラット |
| JP4886594B2 (ja) * | 2007-05-22 | 2012-02-29 | トーソー株式会社 | ブラインド用スラット |
| CN109659104B (zh) * | 2018-12-28 | 2021-06-08 | 广东爱晟电子科技有限公司 | 一种高可靠双面异质复合电极热敏芯片 |
-
1989
- 1989-09-22 JP JP24750389A patent/JP2642749B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03108788A (ja) | 1991-05-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |