JPH0846357A - セラミック薄膜混成基板の製造方法 - Google Patents
セラミック薄膜混成基板の製造方法Info
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- JPH0846357A JPH0846357A JP17799494A JP17799494A JPH0846357A JP H0846357 A JPH0846357 A JP H0846357A JP 17799494 A JP17799494 A JP 17799494A JP 17799494 A JP17799494 A JP 17799494A JP H0846357 A JPH0846357 A JP H0846357A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、セラミック薄膜混成基板の製造方法
に関し、特に、セラミックと薄膜有機絶縁膜の界面剥離
を防止する方法にかかわるものである。 【構成】有機絶縁膜１１の端部付近にあらかじめセラミ
ック基板１上にカバー用パッドを設けておき、有機絶縁
膜の不要な部分を除去した後、カバー用パッドの上にニ
ッケル／金めっき膜を形成することにより、有機絶縁膜
１１の端面とセラミック基板１の境界付近をめっき膜で
覆うことを特徴とする。 【効果】セラミックと有機絶縁膜の界面剥離防止に効果
がある。
に関し、特に、セラミックと薄膜有機絶縁膜の界面剥離
を防止する方法にかかわるものである。 【構成】有機絶縁膜１１の端部付近にあらかじめセラミ
ック基板１上にカバー用パッドを設けておき、有機絶縁
膜の不要な部分を除去した後、カバー用パッドの上にニ
ッケル／金めっき膜を形成することにより、有機絶縁膜
１１の端面とセラミック基板１の境界付近をめっき膜で
覆うことを特徴とする。 【効果】セラミックと有機絶縁膜の界面剥離防止に効果
がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック薄膜混成基
板の製造方法に関する。
板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック基板上に、有機絶縁膜と金属
配線パターンからなる薄膜多層配線を設けたセラミック
薄膜混成基板は、まず、セラミック上に、有機絶縁膜を
塗布、加熱硬化により形成する。この有機絶縁膜は、セ
ラミック上の部品搭載パッドで、薄膜配線形成によるダ
メージから保護するために、フォトリソ技術を用いパタ
ーニングされる。その後、セラミック上の配線パッドと
薄膜配線とを接続するために、セラミック上に金属膜を
スパッタリング法により形成し、フォトリソ技術を用い
パターニングする。パターニングには、金属膜の除去、
レジスト膜の除去が必要であり、薬液によるウェットエ
ッチが用いられる。次に、その上に、有機絶縁膜を塗
布、加熱硬化により形成する。そして、先に形成した金
属配線層と接続をとるために、フォトリソ技術を用いス
ルホールが形成される。そして、その上に再びスパッタ
リング法により金属配線膜が形成され、前記と同様の方
法でパターニングされる。このようにして、有機絶縁層
と金属配線層を交互に複数回くり返すことにより、所望
の薄膜多層配線ができ上がる。最終的には、薄膜多層配
線で不要な領域の有機絶縁膜は、フォトリソ技術を用
い、一括で除去される。
配線パターンからなる薄膜多層配線を設けたセラミック
薄膜混成基板は、まず、セラミック上に、有機絶縁膜を
塗布、加熱硬化により形成する。この有機絶縁膜は、セ
ラミック上の部品搭載パッドで、薄膜配線形成によるダ
メージから保護するために、フォトリソ技術を用いパタ
ーニングされる。その後、セラミック上の配線パッドと
薄膜配線とを接続するために、セラミック上に金属膜を
スパッタリング法により形成し、フォトリソ技術を用い
パターニングする。パターニングには、金属膜の除去、
レジスト膜の除去が必要であり、薬液によるウェットエ
ッチが用いられる。次に、その上に、有機絶縁膜を塗
布、加熱硬化により形成する。そして、先に形成した金
属配線層と接続をとるために、フォトリソ技術を用いス
ルホールが形成される。そして、その上に再びスパッタ
リング法により金属配線膜が形成され、前記と同様の方
法でパターニングされる。このようにして、有機絶縁層
と金属配線層を交互に複数回くり返すことにより、所望
の薄膜多層配線ができ上がる。最終的には、薄膜多層配
線で不要な領域の有機絶縁膜は、フォトリソ技術を用
い、一括で除去される。
【０００３】なお、この種の従来技術として、例えば特
開平４−９８８９３号公報が挙げられる。
開平４−９８８９３号公報が挙げられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、セラ
ミック上の部品搭載用パッドの保護のための有機絶縁膜
をパターニングする際、この有機絶縁膜の除去が不十分
となったり、あるいは、その後の、セラミック上の配線
パッドと薄膜配線とを接続するための金属膜をパターニ
ングする際用いる、エッチング液や、レジスト剥離液
が、セラミック上に微かに残り、セラミックと有機絶縁
膜の層間密着力が低下するという問題があった。
ミック上の部品搭載用パッドの保護のための有機絶縁膜
をパターニングする際、この有機絶縁膜の除去が不十分
となったり、あるいは、その後の、セラミック上の配線
パッドと薄膜配線とを接続するための金属膜をパターニ
ングする際用いる、エッチング液や、レジスト剥離液
が、セラミック上に微かに残り、セラミックと有機絶縁
膜の層間密着力が低下するという問題があった。
【０００５】層間密着力が低下すると、基板完成後、Ｌ
ＳＩなどの部品を搭載する際、セラミックと有機絶縁層
の間に、例えば半田付けのためのフラックス、或いは、
洗浄液等が侵入し、さらに密着力が低下し、セラミック
と薄膜多層配線の接続信頼性が低下するという問題もあ
る。
ＳＩなどの部品を搭載する際、セラミックと有機絶縁層
の間に、例えば半田付けのためのフラックス、或いは、
洗浄液等が侵入し、さらに密着力が低下し、セラミック
と薄膜多層配線の接続信頼性が低下するという問題もあ
る。
【０００６】この問題を解決するために、セラミックと
有機絶縁膜の接着性に悪影響を与えないよう、エッチン
グ後のセラミック上の外観検査を強化し、エッチング後
のセラミック上の清浄化を、強化する必要がある。これ
らは確実性がなく、工数も大きくなる。
有機絶縁膜の接着性に悪影響を与えないよう、エッチン
グ後のセラミック上の外観検査を強化し、エッチング後
のセラミック上の清浄化を、強化する必要がある。これ
らは確実性がなく、工数も大きくなる。
【０００７】本発明の目的は、セラミック上に有機絶縁
膜、及び金属配線膜を形成する際に生じる、エッチング
のこりや、エッチング液やレジスト剥離液等が微かに残
り、セラミックと有機絶縁膜の層間密着力が多少低下し
ても、部品搭載工程で、フラックスや、洗浄液のしみ込
みを防止し、セラミックと薄膜多層配線の接続信頼性を
向上させたセラミック薄膜混成基板を提供することにあ
る。
膜、及び金属配線膜を形成する際に生じる、エッチング
のこりや、エッチング液やレジスト剥離液等が微かに残
り、セラミックと有機絶縁膜の層間密着力が多少低下し
ても、部品搭載工程で、フラックスや、洗浄液のしみ込
みを防止し、セラミックと薄膜多層配線の接続信頼性を
向上させたセラミック薄膜混成基板を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のセラミック薄膜混成基板の製造方法は、
有機薄膜領域とセラミックの境界に、両者を同時に金属
膜で覆うようにしたものである。
めに、本発明のセラミック薄膜混成基板の製造方法は、
有機薄膜領域とセラミックの境界に、両者を同時に金属
膜で覆うようにしたものである。
【０００９】この金属膜により、セラミックと有機絶縁
膜のすき間に、部品搭載工程で使用されるフラックス
や、洗浄液の侵入を防止できる。
膜のすき間に、部品搭載工程で使用されるフラックス
や、洗浄液の侵入を防止できる。
【００１０】また、この目的を達成するために、有機絶
縁膜の端部を順にテーパ状に加工するようにしたもので
ある。このためには、有機絶縁膜のエッチングの際、異
方性のドライエッチングの後、薬液によるウェットエッ
チングにより達成できる。
縁膜の端部を順にテーパ状に加工するようにしたもので
ある。このためには、有機絶縁膜のエッチングの際、異
方性のドライエッチングの後、薬液によるウェットエッ
チングにより達成できる。
【００１１】また前記金属膜の覆いは、スパッタリング
法とフォトリソ技術により形成できるが、本発明では、
セラミックと有機薄膜領域の境界付近のセラミック上に
あらかじめ金属膜を形成しておき、有機薄膜領域を形成
した後、めっき法により、セラミックと有機絶縁膜の境
界を覆うようにしたものである。
法とフォトリソ技術により形成できるが、本発明では、
セラミックと有機薄膜領域の境界付近のセラミック上に
あらかじめ金属膜を形成しておき、有機薄膜領域を形成
した後、めっき法により、セラミックと有機絶縁膜の境
界を覆うようにしたものである。
【００１２】
【作用】セラミック基板と有機薄膜部の境界に同時に金
属膜を覆うように形成することにより、後工程のＬＳＩ
搭載などに使用するフラックスや洗浄液が、セラミック
と有機絶縁膜の層間に入り込むのを防ぐことができる。
属膜を覆うように形成することにより、後工程のＬＳＩ
搭載などに使用するフラックスや洗浄液が、セラミック
と有機絶縁膜の層間に入り込むのを防ぐことができる。
【００１３】有機絶縁膜の端部を順テーパ状に加工して
おくことにより、金属膜による覆いを完全なものにする
ことができる。
おくことにより、金属膜による覆いを完全なものにする
ことができる。
【００１４】また、セラミック基板と有機薄膜部の境界
のセラミック基板上にあらかじめ、金属膜を形成してお
くことにより、覆いとなる金属膜をめっき法により形成
でき、またセラミックと覆いとなる金属膜の密着性も確
実である。
のセラミック基板上にあらかじめ、金属膜を形成してお
くことにより、覆いとなる金属膜をめっき法により形成
でき、またセラミックと覆いとなる金属膜の密着性も確
実である。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明の一実施例のセラミック薄膜
混成基板の断面図である。この基板は、焼結メタライズ
２を有するセラミック基板１上に、タングステンペース
トの印刷パターンで配線引き出し用パッド３、カバー用
パッド７、部品搭載用パッド１０が形成され、さらに、
ニッケルめっき層４の上に、上層の配線パターン６の直
接接続による合金層の形成とそれによる導通性能の低下
を防止する目的で、クロム膜層５が形成される。セラミ
ック上は、有機絶縁膜１１からなりクロム膜層５の上に
スルホールが形成され、そこにアルミ配線パターン６が
形成されている。有機絶縁膜１１の上には、さらに、有
機絶縁膜１２が形成され、アルミ配線パターン６と接続
をとるようにスルホールが形成され、そこにアルミ配線
パターンが形成されている。
混成基板の断面図である。この基板は、焼結メタライズ
２を有するセラミック基板１上に、タングステンペース
トの印刷パターンで配線引き出し用パッド３、カバー用
パッド７、部品搭載用パッド１０が形成され、さらに、
ニッケルめっき層４の上に、上層の配線パターン６の直
接接続による合金層の形成とそれによる導通性能の低下
を防止する目的で、クロム膜層５が形成される。セラミ
ック上は、有機絶縁膜１１からなりクロム膜層５の上に
スルホールが形成され、そこにアルミ配線パターン６が
形成されている。有機絶縁膜１１の上には、さらに、有
機絶縁膜１２が形成され、アルミ配線パターン６と接続
をとるようにスルホールが形成され、そこにアルミ配線
パターンが形成されている。
【００１６】また、有機薄膜部の端面は、順テーパ状に
加工され、さらにカバー用パッド７に、ニッケル／金め
っき膜８が形成されることにより基板と有機絶縁層にす
き間が開くことを防止できる。
加工され、さらにカバー用パッド７に、ニッケル／金め
っき膜８が形成されることにより基板と有機絶縁層にす
き間が開くことを防止できる。
【００１７】このセラミック薄膜混成基板の製造方法に
ついて、図２〜図８を用いて説明する。
ついて、図２〜図８を用いて説明する。
【００１８】図２は、本実施例の初期材料である焼結メ
タライズ２を有するセラミック基板１を示すものであ
る。このセラミック基板１上に、タングステンペースト
の印刷パターンで配線引き出し用パッド３、部品搭載用
パッド１０、外部接続用パッド１３、及びカバー用パッ
ド７が形成され、これらの上に、ニッケルめっき膜４が
２〜３μｍ形成されている。
タライズ２を有するセラミック基板１を示すものであ
る。このセラミック基板１上に、タングステンペースト
の印刷パターンで配線引き出し用パッド３、部品搭載用
パッド１０、外部接続用パッド１３、及びカバー用パッ
ド７が形成され、これらの上に、ニッケルめっき膜４が
２〜３μｍ形成されている。
【００１９】図２に示したセラミック基板上に薄膜多層
配線を形成する際、ニッケルめっき膜と薄膜の配線材料
であるアルミを直接接続すると、層間に合金層が形成さ
れ、導通性能の低下が生じる。そこで、図２に示すよう
にクロム膜５を形成する。まず、基板全体にスパッタリ
ング法によりクロム膜を約０．１５μｍの厚さに成膜し
た後、ネガレジスト膜をエッチングマスクとしてパター
ニングし、クロム膜のエッチングを行い、クロム膜５を
形成する。クロム膜のエッチングには硝酸セリウム第２
アンモニウム／水＝２５００ｇ／１４ｌの水溶液を用い
る。またクロム膜５の形成後、ネガレジスト膜をレジス
ト剥離剤により除去する。
配線を形成する際、ニッケルめっき膜と薄膜の配線材料
であるアルミを直接接続すると、層間に合金層が形成さ
れ、導通性能の低下が生じる。そこで、図２に示すよう
にクロム膜５を形成する。まず、基板全体にスパッタリ
ング法によりクロム膜を約０．１５μｍの厚さに成膜し
た後、ネガレジスト膜をエッチングマスクとしてパター
ニングし、クロム膜のエッチングを行い、クロム膜５を
形成する。クロム膜のエッチングには硝酸セリウム第２
アンモニウム／水＝２５００ｇ／１４ｌの水溶液を用い
る。またクロム膜５の形成後、ネガレジスト膜をレジス
ト剥離剤により除去する。
【００２０】次に図３に示すように、有機絶縁膜１１と
してＰＩＱ（ポリイミド系樹脂、日立化成工業（株）、
商標）膜を４００℃の熱処理後約６μｍ厚となるように
形成する。さらに、ネガ型レジスト膜をエッチングマス
クとしてパターニングした後、ＰＩＱのエッチング処理
を行ない、上層に形成されるアルミ配線パターンとクロ
ム膜層５との接続のためのスルホールを形成する。ＰＩ
Ｑのエッチングには、約３０℃に加熱したヒドラジン溶
液を用いる。また、ＰＩＱのパターニング後、ネガ型レ
ジスト膜をレジスト剥離液により除去する。
してＰＩＱ（ポリイミド系樹脂、日立化成工業（株）、
商標）膜を４００℃の熱処理後約６μｍ厚となるように
形成する。さらに、ネガ型レジスト膜をエッチングマス
クとしてパターニングした後、ＰＩＱのエッチング処理
を行ない、上層に形成されるアルミ配線パターンとクロ
ム膜層５との接続のためのスルホールを形成する。ＰＩ
Ｑのエッチングには、約３０℃に加熱したヒドラジン溶
液を用いる。また、ＰＩＱのパターニング後、ネガ型レ
ジスト膜をレジスト剥離液により除去する。
【００２１】次に図４に示すように、基板全面にスパッ
タリング法によりアルミ膜を約４μｍ厚で成膜した後、
ポジ型レジストをエッチングマスクとしてパターニング
し、アルミ膜のエッチングを行ない、アルミ配線パター
ン６を形成する。アルミ膜のエッチングには、りん酸：
酢酸：硝酸：水＝１５：３：１：１の組成のエッチング
液を用いる。またアルミ配線パターン６を形成後、ポジ
型レジストをレジスト剥離液により除去する。
タリング法によりアルミ膜を約４μｍ厚で成膜した後、
ポジ型レジストをエッチングマスクとしてパターニング
し、アルミ膜のエッチングを行ない、アルミ配線パター
ン６を形成する。アルミ膜のエッチングには、りん酸：
酢酸：硝酸：水＝１５：３：１：１の組成のエッチング
液を用いる。またアルミ配線パターン６を形成後、ポジ
型レジストをレジスト剥離液により除去する。
【００２２】次に図５に示すように、有機絶縁膜１２と
してＰ−ＰＩＱ（感光性ポリイミド系樹脂、日立化成工
業（株）、商標）膜を回転塗布法で塗布し、８５℃の窒
素雰囲気中で熱処理した後、ホトマスクと紫外光を用い
たホトリソグラフィ技術により、アルミ配線パターン６
の上部以外の部分に紫外光を照射し架橋させた後、現像
液に浸漬して現像処理を行なうことで、アルミ配線パタ
ーンのみスルホールを形成する。さらに４００℃の熱処
理を行なうことで約６μｍ厚さの有機絶縁膜１２を得
る。その後、その上から基板全面にスパッタリング法に
よりクロム膜を約０．２μｍ厚で成膜し、その後連続で
ニッケル−銅の合金膜を約０．５μｍ厚で成膜する。そ
の後、ネガ型レジスト膜をエッチングマスクとしてスル
ホールの上にレジストパターンが残るようにパターニン
グし、ニッケル−銅膜のエッチングを行ない、その後ク
ロム膜のエッチングを行ない、ＬＳＩ接続用パッド１４
を形成する。
してＰ−ＰＩＱ（感光性ポリイミド系樹脂、日立化成工
業（株）、商標）膜を回転塗布法で塗布し、８５℃の窒
素雰囲気中で熱処理した後、ホトマスクと紫外光を用い
たホトリソグラフィ技術により、アルミ配線パターン６
の上部以外の部分に紫外光を照射し架橋させた後、現像
液に浸漬して現像処理を行なうことで、アルミ配線パタ
ーンのみスルホールを形成する。さらに４００℃の熱処
理を行なうことで約６μｍ厚さの有機絶縁膜１２を得
る。その後、その上から基板全面にスパッタリング法に
よりクロム膜を約０．２μｍ厚で成膜し、その後連続で
ニッケル−銅の合金膜を約０．５μｍ厚で成膜する。そ
の後、ネガ型レジスト膜をエッチングマスクとしてスル
ホールの上にレジストパターンが残るようにパターニン
グし、ニッケル−銅膜のエッチングを行ない、その後ク
ロム膜のエッチングを行ない、ＬＳＩ接続用パッド１４
を形成する。
【００２３】次に図６に示すように、基板全面に有機系
レジスト膜を形成した後、アルミ膜をスパッタリング法
により約４μｍ厚で成膜し、ポジ型レジスト膜をエッチ
ングマクスとしてパターニングして、アルミマスク１６
を形成する。
レジスト膜を形成した後、アルミ膜をスパッタリング法
により約４μｍ厚で成膜し、ポジ型レジスト膜をエッチ
ングマクスとしてパターニングして、アルミマスク１６
を形成する。
【００２４】次に図７に示すように、酸素プラズマを用
いた異方性のドライエッチングで、レジスト膜１５、有
機絶縁膜１１，１２を同時に除去する。その後、約３０
℃に加熱したヒドラジン溶液で、有機絶縁膜の端面をサ
イドエッチングする。この時、エッチングの特性で有機
絶縁膜の端面は順テーパとなる。
いた異方性のドライエッチングで、レジスト膜１５、有
機絶縁膜１１，１２を同時に除去する。その後、約３０
℃に加熱したヒドラジン溶液で、有機絶縁膜の端面をサ
イドエッチングする。この時、エッチングの特性で有機
絶縁膜の端面は順テーパとなる。
【００２５】次に図８に示すように、アルミマスク１６
をエッチング液により剥離除去し、その後レジスト膜１
５をレジスト剥離液により除去する。その後、ＬＳＩ用
接続パッド１４、カバー用パッド７、部品搭載用パッド
１０、外部接続用パッド１３の表面に、無電界めっき法
により、ニッケルめっき２μｍ、その上に金めっき約
０．１μｍ析出させ、ニッケル金めっき膜８を形成す
る。ニッケルめっき液は、日本カンゼン社製のシューマ
Ｓ６８０、金めっき液には、エヌ・イー・ケムキャット
社製のアトメックスを用いる。
をエッチング液により剥離除去し、その後レジスト膜１
５をレジスト剥離液により除去する。その後、ＬＳＩ用
接続パッド１４、カバー用パッド７、部品搭載用パッド
１０、外部接続用パッド１３の表面に、無電界めっき法
により、ニッケルめっき２μｍ、その上に金めっき約
０．１μｍ析出させ、ニッケル金めっき膜８を形成す
る。ニッケルめっき液は、日本カンゼン社製のシューマ
Ｓ６８０、金めっき液には、エヌ・イー・ケムキャット
社製のアトメックスを用いる。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、薄膜絶縁膜の端面を
めっき膜で覆うことにより、セラミックと薄膜絶縁膜が
界面より剥がれることを防止できる。また、セラミック
上層の有機絶縁膜を順テーパにすることで、有機絶縁膜
端面のカバレージを良好にできる。また、覆いの金属膜
を、ＬＳＩ接続用パッド、部品搭載用パッド、及び外部
接続用パッドのめっき処理と同時にできることで、スパ
ッタリング法等の方法に比べ工程の短縮にもなる。
めっき膜で覆うことにより、セラミックと薄膜絶縁膜が
界面より剥がれることを防止できる。また、セラミック
上層の有機絶縁膜を順テーパにすることで、有機絶縁膜
端面のカバレージを良好にできる。また、覆いの金属膜
を、ＬＳＩ接続用パッド、部品搭載用パッド、及び外部
接続用パッドのめっき処理と同時にできることで、スパ
ッタリング法等の方法に比べ工程の短縮にもなる。
【図１】本発明の一実施例のセラミック薄膜混成基板の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の一実施例の多層配線基板の製造工程説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の一実施例の多層配線基板の製造工程説
明図である。
明図である。
【図４】本発明の一実施例の多層配線基板の製造工程説
明図である。
明図である。
【図５】本発明の一実施例の多層配線基板の製造工程説
明図である。
明図である。
【図６】本発明の一実施例の多層配線基板の製造工程説
明図である。
明図である。
【図７】本発明の一実施例の多層配線基板の製造工程説
明図である。
明図である。
【図８】本発明の一実施例の多層配線基板の製造工程説
明図である。
明図である。
１…セラミック基板、 ２…焼結メタライズ、 ３…配線引出し用パッド、 ４…ニッケルめっき層、 ５…クロム膜層、 ６…アルミ配線パターン、 ７…カバー用パッド、 ８…ニッケル／金めっき膜、 １０…部品搭載用パッド、 １１，１２…有機絶縁膜、 １３…外部接続用パッド、 １４…ＬＳＩ接続用パッド、 １５…レジスト膜、 １６…アルミマスク。
Claims (3)
- 【請求項１】セラミック基板と薄膜絶縁層の端部を金属
膜で同時に覆うことを特徴とするセラミック薄膜混成基
板の製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、薄膜絶縁層の端部をあ
らかじめ順テーパに加工しておくことを特徴とするセラ
ミック薄膜混成基板の製造方法。 - 【請求項３】請求項１において、薄膜絶縁層の外周のセ
ラミック基板上にあらかじめ金属膜を形成しておくこと
を特徴とするセラミック薄膜混成基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17799494A JPH0846357A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | セラミック薄膜混成基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17799494A JPH0846357A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | セラミック薄膜混成基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846357A true JPH0846357A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16040688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17799494A Pending JPH0846357A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | セラミック薄膜混成基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846357A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2418538A (en) * | 2004-09-22 | 2006-03-29 | Vetco Gray Controls Ltd | Thick-film printed circuit |
| JP2011108959A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Kyocera Corp | 配線基板およびプローブカードならびに電子装置 |
| JP5140758B2 (ja) * | 2009-02-28 | 2013-02-13 | デクセリアルズ株式会社 | 配線基板 |
| JP2019091767A (ja) * | 2017-11-13 | 2019-06-13 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板及び配線基板を備える実装基板並びに配線基板の製造方法 |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP17799494A patent/JPH0846357A/ja active Pending
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
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