JP5140758B2 - 配線基板 - Google Patents
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Description
また、本発明は、前記金属配線膜の前記露出部分の表面には、金メッキ薄膜が設けられた配線基板である。
また、本発明は、前記配線膜はパターニングされた銅薄膜を有し、前記亜鉛薄膜は前記銅薄膜上に形成された配線基板である。
また、本発明は、前記保護膜は、下記式(1)、
また、表面処理をしなくて済むので有機溶剤等の廃液を少なくできる。
本発明では亜鉛薄膜は単分子膜(0.15nm)以上であれば良い。望ましくは2nm〜5nm程度である。
剥離強度の大きさは特に重要ではなく、保護膜として最低限度あればいい。つまり碁盤目試験OK程度の密着性があればよい。
11a、11b……金属薄膜
12a、12b、15、23……亜鉛薄膜
13……接続膜
17a、17b……保護膜
18a、18b……金メッキ薄膜
19……貫通孔
図2(e)では、符号15a、15bにて表面と裏面の亜鉛薄膜15を示すと、接続端子21a、21bを有する金属薄膜11a、11bと保護膜17a、17bとの間には亜鉛薄膜15a、15bが位置し、亜鉛薄膜15a、15bが保護膜17a、17bと接触している。
この例のベースフィルム10は可撓性を有していても、堅い基板であってもよい。
図1(a)の符号1は、本発明の配線基板5の製造に用いる積層基板を示している。該積層基板1は、上述したように、樹脂から成り、可撓性を有するベースフィルム10を有している。ベースフィルム10の表面と裏面には、金属薄膜11a、11bがそれぞれ形成されており、この金属薄膜11a、11bの表面には、防錆膜12a、12bがそれぞれ配置されている。防錆膜12a、12bは、亜鉛薄膜の場合がある。
この状態では、接続薄膜13の表面は清浄ではなく、保護膜を形成しても剥離したり、また清浄であっても接続薄膜13と保護膜との間には、後述の金メッキ液が侵入してしまう。
図2(c)の符号16a、16bは、それらの保護膜用光反応性樹脂層を示している。
塗布→80℃10min仮乾燥→平均膜厚10〜15μm→露光(1500mJ/cm2)→現像(3%NaOH・40℃、60秒以内)→200℃60分の焼成(ベーク)
である。
前記ブロック剤は、例えば、アルコール類、フェノール類、ラクタム類、オキシム類、アセト酢酸アルキルエステル類、マロン酸アルキルエステル類、フタルイミド類、イミタゾール類、塩化水素、シアン化水素または亜硫酸水素ナトリウムなどが知られている。
その反面、ブロックイソシアネートは、感光性組成物架橋剤として、架橋剤の反応性制御が容易で接着剤ワニスの保存安定性を確保しやすく、両面銅張りフィルム及び多層プリント配線板の特性低下を誘発しない。
ブロックイソシアネートは、液状でも固形状でもよい。
ブロックイソシアネートのポリイソシアネート部に関しては、TDI・MDI型等の他種であっても密着効果が得られるが、有効な含有率範囲が狭く、範囲の広いHDI型が望ましい。
よって、再生温度は80℃よりも高温で、200℃よりも低温であることになるが、温度余裕が必要なことから、100℃以上180℃以下が望ましい。
本発明は、下記式(1)、
mは1〜30の整数であり、nは0〜20の整数が好ましい。
酸二無水物は、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物であることが好ましい。
感光剤は、ポリイミド樹脂100質量部に対し、5〜30質量部ほどの範囲で含有することが好ましい。
更に、架橋剤を含むことが好ましく、架橋剤には、エポキシ樹脂や、オキサジン樹脂が好ましい。
式(1)〜(4)中、R1、R2、m及びnは、式(1)において既に説明した通りであり、Xは塩素、臭素などのハロゲン原子である。式(1)のアミド基含有シロキサンジアミン化合物の製造方法においては、まず、式(2)のジアミン化合物と、式(3)のニトロベンゾイルハライドを求核置換反応させ、式(4)のアミド基含有ジニトロ化合物を形成する。
先ず、上記式(1)を用いたポリイミドの合成方法について説明する。
3450cm-1(νN−H)、3370cm-1(νN−H)、3340cm-1(νN−H)、3222cm-1(νN−H)、1623cm-1(νC=O)、1260cm-1(νCH3)、1000〜1100cm-1(νSi−O)
1H−NMR(CDCl3,δ):
−0.2〜0.2(m、メチル)、0.4〜0.6(m、4H、メチレン)、1、4〜1.8(m、4H、メチレン)、3.2〜3.5(m、4H、メチレン)、3.9(bs、4H、アミノ基水素)、5.8〜6.3(m、2H、アミド基水素)、6.4(m、4H、アミノ基隣接芳香環水素)、7.1〜7.7(m、芳香環水素)
(式(1)の新規なアミド基含有シロキサンジアミン化合物を全ジアミン成分中1mol%含有する例)
窒素導入管、撹絆機、及びディーン・スターク・トラップを備えた20リットル反応容器に、シロキサンジアミン化合物(X−22−9409、信越化学工業株式会社)を4460.6g(3.30mol)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA、新日本理化株式会社、純度99.70%)を1912.7g(5.34mol)、γ−ブチロラクトン287gと、上述した式(1)のアミド基含有シロキサンジアミン化合物89.0g(54.3mmol、純度97.10%)との混合液、及びトリグライム2870gを投入し、その混合液を攪拌した。更に、トルエン1100gを投入した後、混合液を185℃で2時間加熱還流させ、続いて減圧脱水およびトルエン除去を行い、酸無水物末端オリゴイミドの溶液を得た。
(式(1)の新規なアミド基含有シロキサンジアミン化合物を全ジアミン成分中5mol%含有する例)
重合例において、シロキサンジアミン化合物(X−22−9409、信越化学工業株式会社)を4099.8g(3.04mol)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA、新日本理化株式会社、純度99.70%)を1907.0g(5.32mol)、参考例1で得た新規なアミド基含有シロキサンジアミン化合物を443.7g(270.5mmol、純度97.10%)、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン(BSDA、小西化学工業株式会社、純度99.70%)を549.5g(1.96mol)と変更した点以外は重合例1と同様の操作を行い、アミド基を有する新規なポリイミド樹脂を合成した。得られたポリイミドの実測固形分は47.4%であった。また、GPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)によるポリスチレン換算分子量は、重量平均分子量として57000であった。
(式(1)の新規なアミド基含有シロキサンジアミン化合物を全ジアミン成分中10mol%含有する例)
重合例において、シロキサンジアミン化合物(X−22−9409、信越化学工業株式会社)を3665.3g(2.72mol)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA、新日本理化株式会社、純度99.70%)を1895.1g(5.29mol )、参考例1で得た新規なアミド基含有シロキサンジアミン化合物を881.9g(537.7mmol、純度97.10%)、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン(BSDA、小西化学工業株式会社、純度99.70%)を557.8g(1.99mol)と変更した点以外は重合例1と同様の操作を行い、アミド基を有する新規なポリイミド樹脂を合成した。得られたポリイミドの実測固形分は47.7%であった。また、GPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)によるポリスチレン換算分子量は、重量平均分子量として77000であった。
(式(1)の新規なアミド基含有シロキサンジアミン化合物を含有しない例)
重合例において、シロキサンジアミン化合物(X−22−9409、信越化学工業株式会社)を4550.2g(3.37mol)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA、新日本理化株式会社、純度99.70%)を1914.5g(5.34mol)、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン(BSDA、小西化学工業株式会社、純度99.70%)を535.3g(1.91mol)と変更し、参考例1で得た新規なアミド基含有シロキサンジアミン化合物を加えなかった点以外は重合例1と同様の操作を行い、ポリイミド樹脂を合成した。
(式(1)の新規なアミド基含有シロキサンジアミン化合物を全ジアミン成分中1mol%含有する例)
重合例1において、シロキサンジアミン化合物(X−22−9409、信越化学工業株式会社)を4289.6g(3.18mol)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA、新日本理化株式会社、純度99.70%)を1988.4g(5.62mol)、参考例1で得た新規なアミド基含有シロキサンジアミン化合物を90.5g(54.8mmol)、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン(BSDA、小西化学工業株式会社、純度99.70%)を631.5g(2.25mol)と変更した点以外は同様の操作を行い、アミド基を有する新規なポリイミドを合成した。得られたポリイミドの実測固形分は、49.50%であった。また、GPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)によるポリスチレン換算分子量は、重量平均分子量として69000であった。
「ポリイミド樹脂の重合例」で合成したアミド基含有ポリイミド樹脂100質量部に対して、感光剤としてジアゾナフトキノン(4NT−300、東洋合成工業株式会社)と、架橋剤として、オキサジン化合物(6,6’−(1−メチリデン)ビス[3,4−ジヒドロ−3−フェニル−2H−1,3−ベンゾオキサジン])(BF−BXZ、小西化学工業)、レゾール(昭和高分子(株)の「BRL−274」)と、及び他の架橋剤としては無添加(No.4)、エポキシ樹脂(No.1、2、5、6)、又はブロックイソシアネート樹脂(No.3)を添加し、更に、防錆剤CDA−10(株式会社ADEKA)とを、下記表1に記載したNo.1〜6に記載したそれぞれの配合量添加し、十分に均一になるまで混合し、保護膜用の感光性樹脂組成物を作成した。
ピール強度について、No.1 は6.7N/cmになった。これに対しNo.2・No.3では強度が向上し、ブロック型ポリイソシアネート樹脂を用いたNo.4では、ピール強度が約4倍の24.8N/cmになった。No.1・5とNo.2・6より、Cu・Zn基材表面によるピール強度差は無い。No.5に対し、若干No.4のピール強度は5.9N/cmに低下した。このNo.4も含め、いずれのサンプルでも碁盤目試験はOKとなった。
Zn層あり・なしの資料の断面のTEM画像を得て観察したところ、Zn層ありの試料では、Cu層・蒸着層間(TEM観察のための蒸着層)に白い薄層が観察された。更に拡大すると約2.5nm程度の層が確認され、EDXよりZnの存在が示唆された。よって、5nm以下の、薄層があれば電解メッキ耐性向上できることが分かった。
Claims (4)
- 基板と、
前記基板上に配置され、パターニングされた金属配線膜と、
前記金属配線膜と密着して配置されたポリイミド樹脂から成る保護膜とを有し、
前記保護膜の前記金属配線膜上の位置には、前記保護膜が部分的に除去された除去部が形成され、前記除去部の底面には前記金属配線膜が露出した露出部分が形成された配線基板であって、
前記露出部分に接続された前記金属配線膜は、少なくとも前記保護膜との間の部分の表面に亜鉛薄膜が設けられ、前記金属配線膜の前記亜鉛薄膜が前記保護膜と密着された配線基板。 - 前記金属配線膜の前記露出部分の表面には、金メッキ薄膜が設けられた請求項1記載の配線基板。
- 前記配線膜はパターニングされた銅薄膜を有し、前記亜鉛薄膜は前記銅薄膜上に形成された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の配線基板。
- 前記保護膜は、下記式(1)、
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JPH0846357A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Hitachi Ltd | セラミック薄膜混成基板の製造方法 |
JP2002124756A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Nitto Denko Corp | 回路基板および回路基板の端子部の接続構造 |
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---|---|---|---|---|
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JP2003163446A (ja) * | 1998-07-08 | 2003-06-06 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
JP2002124756A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Nitto Denko Corp | 回路基板および回路基板の端子部の接続構造 |
JP2004146846A (ja) * | 2003-12-19 | 2004-05-20 | Sony Chem Corp | フレキシブルプリント配線板 |
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