JPH07202425A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH07202425A JPH07202425A JP33513793A JP33513793A JPH07202425A JP H07202425 A JPH07202425 A JP H07202425A JP 33513793 A JP33513793 A JP 33513793A JP 33513793 A JP33513793 A JP 33513793A JP H07202425 A JPH07202425 A JP H07202425A
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- insulating layer
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Abstract
(57)【要約】
【構成】基板上の少なくとも片面に下地層が形成され、
該下地層上に導体層と絶縁層とが交互にそれぞれ２層以
上形成された多層配線基板の製造方法において、導体層
と絶縁層各層を形成するのに必要なアライメントマーク
を前記下地層上にすべて（ｎ個，ｎ≧２）形成し、導体
層と絶縁層各層を形成する際、少なくとも一つの層で該
アライメントマークのうちの（ｎ−１）個以下を使用す
ることを特徴とする多層配線基板の製造方法。 【効果】積層の際の位置合わせ（アライメント）が容易
かつ正確にできる。
該下地層上に導体層と絶縁層とが交互にそれぞれ２層以
上形成された多層配線基板の製造方法において、導体層
と絶縁層各層を形成するのに必要なアライメントマーク
を前記下地層上にすべて（ｎ個，ｎ≧２）形成し、導体
層と絶縁層各層を形成する際、少なくとも一つの層で該
アライメントマークのうちの（ｎ−１）個以下を使用す
ることを特徴とする多層配線基板の製造方法。 【効果】積層の際の位置合わせ（アライメント）が容易
かつ正確にできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に導体層と絶縁
層を交互に層状に形成した多層配線基板の製造方法に関
するものであり、さらに詳しくは、積層の際の位置合わ
せ（アライメント）を容易にかつ正確に行なえるよう工
夫した多層配線基板の製造方法に関するものである。
層を交互に層状に形成した多層配線基板の製造方法に関
するものであり、さらに詳しくは、積層の際の位置合わ
せ（アライメント）を容易にかつ正確に行なえるよう工
夫した多層配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、超ＬＳＩの進歩は目覚ましく、高
集積化、高速化は止まることを知らない。これに伴いＬ
ＳＩを搭載する基板も、高密度化が要求され、多層化が
進んでいる。
集積化、高速化は止まることを知らない。これに伴いＬ
ＳＩを搭載する基板も、高密度化が要求され、多層化が
進んでいる。
【０００３】従来、多層配線基板作製のためのアライメ
ントの方法としては、一層ごとに次の層のためのアライ
メントマークを形成する方法、すなわち、一つ前の層
（導体層または絶縁層）のアライメントマークに、次に
作製する層のパターン化に使用するマスクのアライメン
トマークを合わせる方法が一般的に用いられている。し
かしながら、このアライメントの方法では層を積層する
に従って、同一箇所に多数のアライメントマークが形成
され、下層が透けて見える場合にはアライメントすべき
マークを識別するのが困難となる。また、導体層、絶縁
層を作製する際のエッチング時や現像時に、正確なサイ
ズのアライメントマークを形成するのは困難であり、正
確なアライメントが困難である。
ントの方法としては、一層ごとに次の層のためのアライ
メントマークを形成する方法、すなわち、一つ前の層
（導体層または絶縁層）のアライメントマークに、次に
作製する層のパターン化に使用するマスクのアライメン
トマークを合わせる方法が一般的に用いられている。し
かしながら、このアライメントの方法では層を積層する
に従って、同一箇所に多数のアライメントマークが形成
され、下層が透けて見える場合にはアライメントすべき
マークを識別するのが困難となる。また、導体層、絶縁
層を作製する際のエッチング時や現像時に、正確なサイ
ズのアライメントマークを形成するのは困難であり、正
確なアライメントが困難である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
ところは、積層の際の位置合わせ（アライメント）を容
易にかつ正確に行なうことのできる多層配線基板の製造
方法を提供することにある。
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
ところは、積層の際の位置合わせ（アライメント）を容
易にかつ正確に行なうことのできる多層配線基板の製造
方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
基板上の少なくとも片面に下地層が形成され、該下地層
上に導体層と絶縁層とが交互にそれぞれ２層以上形成さ
れた多層配線基板の製造方法において、導体層と絶縁層
各層を形成するのに必要なアライメントマークを前記下
地層上にすべて（ｎ個，ｎ≧２）形成し、導体層と絶縁
層各層を形成する際、少なくとも一つの層で該アライメ
ントマークのうちの（ｎ−１）個以下を使用することを
特徴とする多層配線基板の製造方法により達成される。
基板上の少なくとも片面に下地層が形成され、該下地層
上に導体層と絶縁層とが交互にそれぞれ２層以上形成さ
れた多層配線基板の製造方法において、導体層と絶縁層
各層を形成するのに必要なアライメントマークを前記下
地層上にすべて（ｎ個，ｎ≧２）形成し、導体層と絶縁
層各層を形成する際、少なくとも一つの層で該アライメ
ントマークのうちの（ｎ−１）個以下を使用することを
特徴とする多層配線基板の製造方法により達成される。
【０００６】基板としては、アルミナセラミックス、金
属粉末の入ったペーストを所定のコンタクトホールの形
成されたアルミナグリーンシート上に印刷し、これを必
要枚数重ねてプレス焼結した多層セラミックス基板、シ
リコーンウエハ、窒化アルミ、Ａｌ、Ｃｕ板に絶縁層を
形成したものなどが例としてあげられる。これらの中で
は、シリコーンウエハが一般的である。
属粉末の入ったペーストを所定のコンタクトホールの形
成されたアルミナグリーンシート上に印刷し、これを必
要枚数重ねてプレス焼結した多層セラミックス基板、シ
リコーンウエハ、窒化アルミ、Ａｌ、Ｃｕ板に絶縁層を
形成したものなどが例としてあげられる。これらの中で
は、シリコーンウエハが一般的である。
【０００７】基板上に形成される下地層は、絶縁するた
めあるいはアライメントマークを形成するために形成さ
れる。基板がシリコーンウエハのときは無機膜が一般的
であり、基板がセラミックのときは金属膜が一般的であ
る。無機膜としてはＳｉＯ2、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＰＳＧ膜等
が例としてあげられるが、ＳｉＯ2 膜が特に好ましい。
金属膜としては、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ等の薄膜が例
としてあげられるが、通常、金属膜と上の導体層との導
通を防ぐために金属膜の上に絶縁層が形成される。これ
らの下地層の膜厚としては０．１〜０．５μｍ程度が好
ましい。
めあるいはアライメントマークを形成するために形成さ
れる。基板がシリコーンウエハのときは無機膜が一般的
であり、基板がセラミックのときは金属膜が一般的であ
る。無機膜としてはＳｉＯ2、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＰＳＧ膜等
が例としてあげられるが、ＳｉＯ2 膜が特に好ましい。
金属膜としては、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ等の薄膜が例
としてあげられるが、通常、金属膜と上の導体層との導
通を防ぐために金属膜の上に絶縁層が形成される。これ
らの下地層の膜厚としては０．１〜０．５μｍ程度が好
ましい。
【０００８】導体層としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属単体またはこれら
の合金からなる単層あるいは複層からなる金属膜をパタ
ーン状に加工したものが例としてあげられる。これらの
導体層はスパッタリング、メッキ、蒸着等の方法により
形成される。パターン加工の方法としてはフォトリソ法
等の公知の方法が用いられる。
ｒ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属単体またはこれら
の合金からなる単層あるいは複層からなる金属膜をパタ
ーン状に加工したものが例としてあげられる。これらの
導体層はスパッタリング、メッキ、蒸着等の方法により
形成される。パターン加工の方法としてはフォトリソ法
等の公知の方法が用いられる。
【０００９】絶縁層としては、ポリイミド樹脂、ベンゾ
シクロブテン樹脂等からなる有機膜が例としてあげら
れ、特にポリイミド樹脂、中でも感光性ポリイミド樹脂
がコンタクトホール形成の容易さから好ましい。感光性
ポリイミド樹脂としては、感光基がポリイミド前駆体の
カルボキシル基とエステル結合しているエステルタイプ
と呼ばれるもの（例えば、Photogra.Sci.Eng.23,303(19
79) ）や、感光基がポリイミド前駆体のカルボキシル基
と塩結合している塩結合タイプと呼ばれるもの（例え
ば、J.Macromol.Sci.(Chem)A21.1614(1984) ）などを３
００〜４００℃でコンタクトホール形成後熱処理したも
の等を例としてあげることができる。
シクロブテン樹脂等からなる有機膜が例としてあげら
れ、特にポリイミド樹脂、中でも感光性ポリイミド樹脂
がコンタクトホール形成の容易さから好ましい。感光性
ポリイミド樹脂としては、感光基がポリイミド前駆体の
カルボキシル基とエステル結合しているエステルタイプ
と呼ばれるもの（例えば、Photogra.Sci.Eng.23,303(19
79) ）や、感光基がポリイミド前駆体のカルボキシル基
と塩結合している塩結合タイプと呼ばれるもの（例え
ば、J.Macromol.Sci.(Chem)A21.1614(1984) ）などを３
００〜４００℃でコンタクトホール形成後熱処理したも
の等を例としてあげることができる。
【００１０】本発明における多層配線基板は、基板上の
少なくとも片面に下地層が形成され、該下地層上に導体
層と絶縁層が交互にそれぞれ２層以上形成されたもので
ある。図７にその概略断面図を示す。図７は、基板１上
に下地層２が形成され、その上に導体層３ａ、絶縁層４
ａ、導体層３ｂ、絶縁層４ｂ、導体層３ｃ、絶縁層４ｃ
がこの順に形成されている状態を示す。導体層と絶縁層
はそれぞれ３層ずつ形成されている。
少なくとも片面に下地層が形成され、該下地層上に導体
層と絶縁層が交互にそれぞれ２層以上形成されたもので
ある。図７にその概略断面図を示す。図７は、基板１上
に下地層２が形成され、その上に導体層３ａ、絶縁層４
ａ、導体層３ｂ、絶縁層４ｂ、導体層３ｃ、絶縁層４ｃ
がこの順に形成されている状態を示す。導体層と絶縁層
はそれぞれ３層ずつ形成されている。
【００１１】本発明においては、導体層と絶縁層各層を
形成するのに必要なアライメントマークを下地層上にす
べて（ｎ個，ｎ≧２）形成し、導体層と絶縁層各層を形
成する際、少なくとも一つの層で該アライメントマーク
のうちの（ｎ−１）個以下を使用することを特徴とす
る。
形成するのに必要なアライメントマークを下地層上にす
べて（ｎ個，ｎ≧２）形成し、導体層と絶縁層各層を形
成する際、少なくとも一つの層で該アライメントマーク
のうちの（ｎ−１）個以下を使用することを特徴とす
る。
【００１２】アライメントマークとは、導体層や絶縁層
を次々と積層していく際の位置合わせ（アライメント）
のために用いられるマークであり、通常は基板の端の最
終的には除去される部分に形成される。すなわち、基板
上に各層を積層する際に、下層に形成されたアライメン
トマークの上に、上層のパターン化に使用するマスクに
予め形成されたマークを合わせることによって位置合わ
せを行なう。図７に、下地層２上の端部にアライメント
マーク５が形成されている図を示す。
を次々と積層していく際の位置合わせ（アライメント）
のために用いられるマークであり、通常は基板の端の最
終的には除去される部分に形成される。すなわち、基板
上に各層を積層する際に、下層に形成されたアライメン
トマークの上に、上層のパターン化に使用するマスクに
予め形成されたマークを合わせることによって位置合わ
せを行なう。図７に、下地層２上の端部にアライメント
マーク５が形成されている図を示す。
【００１３】本発明によると、アライメントマークをす
べて下地層上に形成するので、下地層以外の層（導体層
および絶縁層）にはパターン形成のためのアライメント
マークは形成されない。したがって、上層に正確なサイ
ズのアライメントマークを形成するのが困難であるとい
った問題は発生せず、正確にアライメントすることが可
能となる。
べて下地層上に形成するので、下地層以外の層（導体層
および絶縁層）にはパターン形成のためのアライメント
マークは形成されない。したがって、上層に正確なサイ
ズのアライメントマークを形成するのが困難であるとい
った問題は発生せず、正確にアライメントすることが可
能となる。
【００１４】また、少なくとも一つの層で該アライメン
トマークのうちの（ｎ−１）個以下を使用するので、い
いかえると、少なくとも１個のアライメントマークは全
ての層では使用されないので、少なくともそのマークに
ついては、同一箇所に多数のアライメントマークが形成
され、下層が透けて識別が困難になるという問題が発生
しない。この理由から、各層で該アライメントマークの
うちの（ｎ−１）個以下を使用することが好ましく、各
層で別々のアライメントマークを使用することが最も好
ましい。各層で別々のアライメントマークを使用すれ
ば、最下層の下地層上のアライメントマークの内の使用
した所のみ導体層または絶縁層のパターンが残り他は除
去されるので、多層に積層した場合でも、最下層のアラ
イメントマークを容易に認知することができ、容易で正
確なアライメントが可能となる。
トマークのうちの（ｎ−１）個以下を使用するので、い
いかえると、少なくとも１個のアライメントマークは全
ての層では使用されないので、少なくともそのマークに
ついては、同一箇所に多数のアライメントマークが形成
され、下層が透けて識別が困難になるという問題が発生
しない。この理由から、各層で該アライメントマークの
うちの（ｎ−１）個以下を使用することが好ましく、各
層で別々のアライメントマークを使用することが最も好
ましい。各層で別々のアライメントマークを使用すれ
ば、最下層の下地層上のアライメントマークの内の使用
した所のみ導体層または絶縁層のパターンが残り他は除
去されるので、多層に積層した場合でも、最下層のアラ
イメントマークを容易に認知することができ、容易で正
確なアライメントが可能となる。
【００１５】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を
説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明
は、導体層と絶縁層を交互に各５層形成する方法であ
り、各層で別々のアライメントマークを使用する例であ
る。
説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明
は、導体層と絶縁層を交互に各５層形成する方法であ
り、各層で別々のアライメントマークを使用する例であ
る。
【００１６】シリコーンウエハなどの基板上に、下地層
としてＳｉＯ2 膜を形成する。このＳｉＯ2 膜の上にネ
ガタイプレジストを塗布し、図１に示すアライメントマ
ーク用パターン（斜線部は光の当たらない部分、以下同
じ）が端部に形成されたマスクを通して露光する。現
像、エッチング、レジスト剥離を行ない、図１に示すパ
ターン（斜線部が除去される部分、以下同じ）をＳｉＯ
2 膜上に形成する。図１にはアライメントマークが１０
個形成されており、上半分が導体層用、下半分が絶縁層
用で、左から第１層、第２層、第３層、第４層、第５層
用である。図２に、図１のパターンの第２層用（導体層
用、絶縁層用共通）のマークの拡大図を示す。その他の
マークは数字が異なるのみで同様のマークである。
としてＳｉＯ2 膜を形成する。このＳｉＯ2 膜の上にネ
ガタイプレジストを塗布し、図１に示すアライメントマ
ーク用パターン（斜線部は光の当たらない部分、以下同
じ）が端部に形成されたマスクを通して露光する。現
像、エッチング、レジスト剥離を行ない、図１に示すパ
ターン（斜線部が除去される部分、以下同じ）をＳｉＯ
2 膜上に形成する。図１にはアライメントマークが１０
個形成されており、上半分が導体層用、下半分が絶縁層
用で、左から第１層、第２層、第３層、第４層、第５層
用である。図２に、図１のパターンの第２層用（導体層
用、絶縁層用共通）のマークの拡大図を示す。その他の
マークは数字が異なるのみで同様のマークである。
【００１７】このＳｉＯ2 膜上にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ（導
体層）を全面にスパッタリングで形成し、ネガタイプレ
ジストを塗布しマスクを用いてパターン化する。Ｃｒ／
Ｃｕ／Ｃｒの上には、感光性ポリイミド（絶縁層）を全
面に形成し、マスクを用いてパターン化する。これらの
工程を５回繰り返すことにより、導体層と絶縁層が各５
層形成された多層配線基板が得られる。
体層）を全面にスパッタリングで形成し、ネガタイプレ
ジストを塗布しマスクを用いてパターン化する。Ｃｒ／
Ｃｕ／Ｃｒの上には、感光性ポリイミド（絶縁層）を全
面に形成し、マスクを用いてパターン化する。これらの
工程を５回繰り返すことにより、導体層と絶縁層が各５
層形成された多層配線基板が得られる。
【００１８】導体層および絶縁層の形成にあたっては、
例えば第３層の導体層の場合、図３に示すアライメント
マークパターンが端部に形成されたマスクを使用する。
図４に図３のパターンの拡大図を示す。その他の層のパ
ターン化には、マーク位置、数字の異なる同様のマスク
を使用する。したがって、導体層、絶縁層の各層のアラ
イメントマーク部は、ＳｉＯ2 膜の各層に対応する部分
でそれぞれ重なり、その他の部分は除去される。
例えば第３層の導体層の場合、図３に示すアライメント
マークパターンが端部に形成されたマスクを使用する。
図４に図３のパターンの拡大図を示す。その他の層のパ
ターン化には、マーク位置、数字の異なる同様のマスク
を使用する。したがって、導体層、絶縁層の各層のアラ
イメントマーク部は、ＳｉＯ2 膜の各層に対応する部分
でそれぞれ重なり、その他の部分は除去される。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２０】実施例１ ４インチシリコーンウエハー上に導体層と絶縁層が交互
に各５層積層された多層基板を作製した。
に各５層積層された多層基板を作製した。
【００２１】４インチシリコーンウエハー上に熱酸化に
よりＳｉＯ2 膜を膜厚５００ｎｍ形成した。この上にネ
ガタイプレジスト（東京応化製ＯＭＲ−８５，３５ＣＰ
Ｓ）を大日本スクリーン製塗布・現像装置を用い３００
０ｒｐｍ×３０ｓｅｃで回転塗布した。その後ホットプ
レートで１１５℃×２分プリベーク後、キャノン製コン
タクト露光装置ＰＬＡ５０１Ｆを用い、図１に示すアラ
イメントマーク用パターンが端部に形成されたマスクを
通して、２秒露光した。専用現像液、リンス液を用い
て、各１分浸漬法により現像、リンスした後、スピンド
ライにより乾燥した。その後クリーンオーブン（ヤマト
科学製ＤＴ−４２）を用い１４０℃×３０分ポストベー
クした。その後ＨＦ／ＮＨ4 Ｆから成るＳｉＯ2 エッチ
ング液を用いてＳｉＯ2 膜のエッチングを行い、ネガレ
ジストを専用剥離液で剥離し、図１に示すパターンをＳ
ｉＯ2 膜上に形成した。
よりＳｉＯ2 膜を膜厚５００ｎｍ形成した。この上にネ
ガタイプレジスト（東京応化製ＯＭＲ−８５，３５ＣＰ
Ｓ）を大日本スクリーン製塗布・現像装置を用い３００
０ｒｐｍ×３０ｓｅｃで回転塗布した。その後ホットプ
レートで１１５℃×２分プリベーク後、キャノン製コン
タクト露光装置ＰＬＡ５０１Ｆを用い、図１に示すアラ
イメントマーク用パターンが端部に形成されたマスクを
通して、２秒露光した。専用現像液、リンス液を用い
て、各１分浸漬法により現像、リンスした後、スピンド
ライにより乾燥した。その後クリーンオーブン（ヤマト
科学製ＤＴ−４２）を用い１４０℃×３０分ポストベー
クした。その後ＨＦ／ＮＨ4 Ｆから成るＳｉＯ2 エッチ
ング液を用いてＳｉＯ2 膜のエッチングを行い、ネガレ
ジストを専用剥離液で剥離し、図１に示すパターンをＳ
ｉＯ2 膜上に形成した。
【００２２】このＳｉＯ2 膜上にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ（導
体層）を全面にスパッタリングで形成した。膜厚は、Ｃ
ｒ／Ｃｕ／Ｃｒ＝１００ｎｍ／４０００ｎｍ／１００ｎ
ｍであった。この上にネガタイプレジストを大日本スク
リーン製塗布・現像装置を用い３０００ｒｐｍ×３０ｓ
ｅｃで回転塗布した。その後ホットプレートで１１５℃
×２分プリベーク後、キャノン製コンタクト露光装置Ｐ
ＬＡ５０１Ｆを用い、２秒露光した。専用現像液、リン
ス液を用いて各１分浸漬法により現像、リンスした後、
スピンドライにより乾燥した。その後、クリーンオーブ
ンを用い１４０℃×３０分ポストベークした。その後水
酸化ナトリウム／フェリシアン化カリウムからなるＣｒ
用エッチング液でＣｒをエッチング後、塩化ナトリウム
／過硫酸アンモニウムからなるＣｕ用エッチング液でＣ
ｕをエッチング後、再度Ｃｒエッチング液でＣｒをエッ
チングし、ネガレジストを専用剥離液で剥離し、導体パ
ターンを形成した。上記導体パターン上に、東レ製感光
性ポリイミド前駆体ワニス“フォトニース”ＵＲ−３１
４０を大日本スクリーン製塗布・現像装置を用い２２０
０ｒｐｍ×３０ｓｅｃで回転塗布した。その後ホットプ
レートで８０℃×７．５分＋９０℃×７．５分プリベー
ク後キャノン製コンタクト露光装置ＰＬＡ５０１Ｆを用
い、１５秒露光した。現像液として東レ製専用現像液Ｄ
Ｖ−６０５で５分現像し、イソプロピルアルコールで１
分リンスした後、３０００ｒｐｍ×３０ｓｅｃスピンド
ライした。その後、２００℃に設定した真空吸着式ホッ
トプレートを用い、４分熱処理した。このポリイミド前
駆体ワニス塗布から熱処理までを再度繰り返し、その後
Ｎ2 雰囲気下（８０℃＋１５０℃＋２５０℃＋３５０
℃）×３０分キュアした。
体層）を全面にスパッタリングで形成した。膜厚は、Ｃ
ｒ／Ｃｕ／Ｃｒ＝１００ｎｍ／４０００ｎｍ／１００ｎ
ｍであった。この上にネガタイプレジストを大日本スク
リーン製塗布・現像装置を用い３０００ｒｐｍ×３０ｓ
ｅｃで回転塗布した。その後ホットプレートで１１５℃
×２分プリベーク後、キャノン製コンタクト露光装置Ｐ
ＬＡ５０１Ｆを用い、２秒露光した。専用現像液、リン
ス液を用いて各１分浸漬法により現像、リンスした後、
スピンドライにより乾燥した。その後、クリーンオーブ
ンを用い１４０℃×３０分ポストベークした。その後水
酸化ナトリウム／フェリシアン化カリウムからなるＣｒ
用エッチング液でＣｒをエッチング後、塩化ナトリウム
／過硫酸アンモニウムからなるＣｕ用エッチング液でＣ
ｕをエッチング後、再度Ｃｒエッチング液でＣｒをエッ
チングし、ネガレジストを専用剥離液で剥離し、導体パ
ターンを形成した。上記導体パターン上に、東レ製感光
性ポリイミド前駆体ワニス“フォトニース”ＵＲ−３１
４０を大日本スクリーン製塗布・現像装置を用い２２０
０ｒｐｍ×３０ｓｅｃで回転塗布した。その後ホットプ
レートで８０℃×７．５分＋９０℃×７．５分プリベー
ク後キャノン製コンタクト露光装置ＰＬＡ５０１Ｆを用
い、１５秒露光した。現像液として東レ製専用現像液Ｄ
Ｖ−６０５で５分現像し、イソプロピルアルコールで１
分リンスした後、３０００ｒｐｍ×３０ｓｅｃスピンド
ライした。その後、２００℃に設定した真空吸着式ホッ
トプレートを用い、４分熱処理した。このポリイミド前
駆体ワニス塗布から熱処理までを再度繰り返し、その後
Ｎ2 雰囲気下（８０℃＋１５０℃＋２５０℃＋３５０
℃）×３０分キュアした。
【００２３】これらの工程を交互に５回繰り返すことに
より、導体層と絶縁層が各５層形成された多層配線基板
が得られた。
より、導体層と絶縁層が各５層形成された多層配線基板
が得られた。
【００２４】導体層および絶縁層の形成にあたっては、
例えば第３層の場合、図３に示すパターンが端部に形成
されたマスクを使用した。その他の層についてもマーク
位置、数字の異なる同様のマスクを使用した。
例えば第３層の場合、図３に示すパターンが端部に形成
されたマスクを使用した。その他の層についてもマーク
位置、数字の異なる同様のマスクを使用した。
【００２５】これにより利用するマークの所のみ導体層
または絶縁層のパターンが残り、多層に積層した場合で
も、最下層のＳｉＯ2 膜上のアライメントマークを容易
に認知することができるので、アライメントを容易にか
つ正確に行なうことが可能となった。
または絶縁層のパターンが残り、多層に積層した場合で
も、最下層のＳｉＯ2 膜上のアライメントマークを容易
に認知することができるので、アライメントを容易にか
つ正確に行なうことが可能となった。
【００２６】比較例１ 実施例１において、ＳｉＯ2 膜上には図５に示すパター
ンを形成し、第１層導体層には図６に示すパターン、第
１層絶縁層には図５のパターンを形成した。以後、導体
層には図６のパターン、絶縁層には図５のパターンと、
前の層のアライメントマークに合わせながら交互に形成
し、各５層形成した。
ンを形成し、第１層導体層には図６に示すパターン、第
１層絶縁層には図５のパターンを形成した。以後、導体
層には図６のパターン、絶縁層には図５のパターンと、
前の層のアライメントマークに合わせながら交互に形成
し、各５層形成した。
【００２７】このアライメント方法では積層するに従っ
て、多数のアライメントマークが同一箇所に形成され、
形成されたアライメントマークが完全に一致せず、少し
ズレた形で存在し、さらに絶縁層、導体層に形成された
アライメントマークはエッチング等の方法で形成する際
サイドエッチング等によりサイズがばらついた。これら
のことから、アライメントが積層するに従って不正確で
困難になった。
て、多数のアライメントマークが同一箇所に形成され、
形成されたアライメントマークが完全に一致せず、少し
ズレた形で存在し、さらに絶縁層、導体層に形成された
アライメントマークはエッチング等の方法で形成する際
サイドエッチング等によりサイズがばらついた。これら
のことから、アライメントが積層するに従って不正確で
困難になった。
【００２８】
【発明の効果】本発明によると、アライメントマークを
すべて下地層上に形成するので、下地層以外の層（導体
層および絶縁層）にはアライメントマークは形成されな
い。したがって、上層に正確なサイズのアライメントマ
ークを形成するのが困難であるといった問題は発生せ
ず、正確にアライメントすることが可能となる。
すべて下地層上に形成するので、下地層以外の層（導体
層および絶縁層）にはアライメントマークは形成されな
い。したがって、上層に正確なサイズのアライメントマ
ークを形成するのが困難であるといった問題は発生せ
ず、正確にアライメントすることが可能となる。
【００２９】また、少なくとも一つの層で該アライメン
トマークのうちの（ｎ−１）個以下を使用するので、同
一箇所に多数のアライメントマークが形成され、下層が
透けて識別が困難になるという問題が発生しない。特
に、各層で別々のアライメントマークを使用すれば、最
下層の下地層のアライメントマークの内の使用した所の
み導体層または絶縁層のパターンが残り、他は除去され
るので、多層に積層した場合でも、最下層のアライメン
トマークを容易に認知することができ、容易で正確なア
ライメントマークが可能となる。
トマークのうちの（ｎ−１）個以下を使用するので、同
一箇所に多数のアライメントマークが形成され、下層が
透けて識別が困難になるという問題が発生しない。特
に、各層で別々のアライメントマークを使用すれば、最
下層の下地層のアライメントマークの内の使用した所の
み導体層または絶縁層のパターンが残り、他は除去され
るので、多層に積層した場合でも、最下層のアライメン
トマークを容易に認知することができ、容易で正確なア
ライメントマークが可能となる。
【図１】ＳｉＯ2 膜上にアライメントマークを形成する
ためのマスクのパターンを表す概略図である。
ためのマスクのパターンを表す概略図である。
【図２】図１のパターンの第２層用のマークの拡大図で
ある。
ある。
【図３】第３層の導体層のパターン化に用いられるマス
クのアライメントマークパターンを表す概略図である。
クのアライメントマークパターンを表す概略図である。
【図４】図３のパターンのマークの拡大図である。
【図５】比較例でＳｉＯ2 膜、絶縁層に使用するアライ
メントマークパターンを表す概略図である。
メントマークパターンを表す概略図である。
【図６】比較例で導体層に使用するアライメントマーク
パターンを表す概略図である。
パターンを表す概略図である。
【図７】多層配線基板の概略断面図である。
１：基板 ２：無機膜または金属膜 ３：導体層 ４：絶縁層 ５：アライメントマーク
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上の少なくとも片面に下地層が形成
され、該下地層上に導体層と絶縁層とが交互にそれぞれ
２層以上形成された多層配線基板の製造方法において、
導体層と絶縁層各層を形成するのに必要なアライメント
マークを前記下地層上にすべて（ｎ個，ｎ≧２）形成
し、導体層と絶縁層各層を形成する際、少なくとも一つ
の層で該アライメントマークのうちの（ｎ−１）個以下
を使用することを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２】 導体層と絶縁層各層を形成する際、各層
で該アライメントマークのうちの（ｎ−１）個以下を使
用することを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の
製造方法。 - 【請求項３】 導体層と絶縁層各層を形成する際、各層
で別々のアライメントマークを使用することを特徴とす
る請求項１記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項４】 下地層が無機膜であることを特徴とする
請求項１記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項５】 無機膜がＳｉＯ2 膜からなることを特徴
とする請求項４記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項６】 下地層が金属膜の上に絶縁層が積層され
たものであることを特徴とする請求項１記載の多層配線
基板の製造方法。 - 【請求項７】 絶縁層がポリイミド樹脂からなることを
特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項８】 基板としてシリコーンウエハを使用する
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33513793A JPH07202425A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33513793A JPH07202425A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202425A true JPH07202425A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18285185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33513793A Pending JPH07202425A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07202425A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014002794A1 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-03 | 株式会社村田製作所 | 薄膜積層素子の製造方法 |
| JP2014004713A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Canon Inc | 液体吐出ジェットヘッドの製造方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33513793A patent/JPH07202425A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014004713A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Canon Inc | 液体吐出ジェットヘッドの製造方法 |
| WO2014002794A1 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-03 | 株式会社村田製作所 | 薄膜積層素子の製造方法 |
| KR20150013265A (ko) * | 2012-06-27 | 2015-02-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 박막 적층 소자의 제조방법 |
| CN104471675A (zh) * | 2012-06-27 | 2015-03-25 | 株式会社村田制作所 | 薄膜层叠元件的制造方法 |
| JPWO2014002794A1 (ja) * | 2012-06-27 | 2016-05-30 | 株式会社村田製作所 | 薄膜積層素子の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040316 |