JPH0799390A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH0799390A JPH0799390A JP31350493A JP31350493A JPH0799390A JP H0799390 A JPH0799390 A JP H0799390A JP 31350493 A JP31350493 A JP 31350493A JP 31350493 A JP31350493 A JP 31350493A JP H0799390 A JPH0799390 A JP H0799390A
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】基板上の少なくとも片面に、導体層と該導体層
上に形成された絶縁体層とを含む層が３層以上形成され
た多層配線基板において、コンタクトホールの面積が、
その下の導体層のうちの該コンタクトホールと接続する
領域の面積の１０％以上を占有し、コンタクトホールの
位置は、その下の絶縁体層に形成されたコンタクトホー
ルの位置とは重ならず、２層下の絶縁体層に形成された
コンタクトホールの位置と少なくとも一部が重なること
を特徴とする多層配線基板。 【効果】本発明は、上述のような構造のコンタクトホー
ルを持った多層配線基板を採用したことにより、主とし
て放熱を目的とした凹凸の小さいコンタクトホールを、
限られた面積に形成することが可能になった。
上に形成された絶縁体層とを含む層が３層以上形成され
た多層配線基板において、コンタクトホールの面積が、
その下の導体層のうちの該コンタクトホールと接続する
領域の面積の１０％以上を占有し、コンタクトホールの
位置は、その下の絶縁体層に形成されたコンタクトホー
ルの位置とは重ならず、２層下の絶縁体層に形成された
コンタクトホールの位置と少なくとも一部が重なること
を特徴とする多層配線基板。 【効果】本発明は、上述のような構造のコンタクトホー
ルを持った多層配線基板を採用したことにより、主とし
て放熱を目的とした凹凸の小さいコンタクトホールを、
限られた面積に形成することが可能になった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主に放熱のためのコン
タクトホールを有する多層配線基板に関するものであ
る。
タクトホールを有する多層配線基板に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年超ＬＳＩの進歩は目覚ましく、高集
積化、高速化は止まることを知らない。これに伴いＬＳ
Ｉを搭載する基板も、高密度化が要求され、多層化が進
んでいる。ＬＳＩが高速化すればするほど、ＬＳＩから
発生する熱は大きくなり、放熱が大きな課題となる。
積化、高速化は止まることを知らない。これに伴いＬＳ
Ｉを搭載する基板も、高密度化が要求され、多層化が進
んでいる。ＬＳＩが高速化すればするほど、ＬＳＩから
発生する熱は大きくなり、放熱が大きな課題となる。
【０００３】従来、放熱は絶縁体層にコンタクトホール
を形成し、上下の導体の接続をとることによって行なわ
れている。すなわち、コンタクトホールによって上下の
導体層を接続し、導体層の最上層（ＬＳＩなどのと接続
する部分）から最下層（基板などと接続する部分）まで
を接続し、ＬＳＩなどから発生する熱を基板側に設けら
れた冷却媒体まで伝導するのである。そのため、コンタ
クトホールは絶縁体層の最上層から最下層までできる限
りまっすぐに形成されなければ放熱の役割を果たさな
い。まっすぐの場合に、放熱のための熱伝導の経路が最
短になるからであり、コンタクトホールの位置が層によ
って異なると、熱の伝導経路が、例えばらせん状とな
り、放熱の効果が著しく劣ったものとなるからである。
を形成し、上下の導体の接続をとることによって行なわ
れている。すなわち、コンタクトホールによって上下の
導体層を接続し、導体層の最上層（ＬＳＩなどのと接続
する部分）から最下層（基板などと接続する部分）まで
を接続し、ＬＳＩなどから発生する熱を基板側に設けら
れた冷却媒体まで伝導するのである。そのため、コンタ
クトホールは絶縁体層の最上層から最下層までできる限
りまっすぐに形成されなければ放熱の役割を果たさな
い。まっすぐの場合に、放熱のための熱伝導の経路が最
短になるからであり、コンタクトホールの位置が層によ
って異なると、熱の伝導経路が、例えばらせん状とな
り、放熱の効果が著しく劣ったものとなるからである。
【０００４】上下の導体の接続をとる方法としては、コ
ンタクトホール形成後電解メッキでホールを金属で埋め
る、金属粉末を溶解したポリマと混合したペーストをホ
ールに埋め込む等の方法が一般的に用いられている。メ
ッキの方法は工程が複雑になる、配線パターンに制約が
出る等の問題があり、ペーストを埋める方法は精度に問
題があり、コンタクトホールが小さくなると実現が困難
である。
ンタクトホール形成後電解メッキでホールを金属で埋め
る、金属粉末を溶解したポリマと混合したペーストをホ
ールに埋め込む等の方法が一般的に用いられている。メ
ッキの方法は工程が複雑になる、配線パターンに制約が
出る等の問題があり、ペーストを埋める方法は精度に問
題があり、コンタクトホールが小さくなると実現が困難
である。
【０００５】これに対して、導体層をスパッタリング等
で形成する際に、コンタクトホールにも導体を形成する
方法が提案されている。この方法によると上記のような
問題はないが、コンタクトホールの中のみを形成するわ
けではないので、図８に示すように多層にするに従っ
て、コンタクトホール部分とそれ以外の部分の凹凸が大
きくなり、多層になればなるほど、形成が困難となる、
導体の断線が起こりやすいなどの問題がある。
で形成する際に、コンタクトホールにも導体を形成する
方法が提案されている。この方法によると上記のような
問題はないが、コンタクトホールの中のみを形成するわ
けではないので、図８に示すように多層にするに従っ
て、コンタクトホール部分とそれ以外の部分の凹凸が大
きくなり、多層になればなるほど、形成が困難となる、
導体の断線が起こりやすいなどの問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
所は、絶縁体層に形成されたコンタクトホールを、該絶
縁体層の上の導体層を形成する際にスパッタリングなど
で形成する場合にも、限られた面積に、できるだけ凹凸
の少ないコンタクトホールを形成できるような形状の多
層配線基板を提供することにある。
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とする
所は、絶縁体層に形成されたコンタクトホールを、該絶
縁体層の上の導体層を形成する際にスパッタリングなど
で形成する場合にも、限られた面積に、できるだけ凹凸
の少ないコンタクトホールを形成できるような形状の多
層配線基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
基板上の少なくとも片面に、導体層と該導体層上に形成
された絶縁体層とを含む層が３層以上形成された多層配
線基板において、 第ｎ層の導体層上の第ｎ層の絶縁体層に形成されたコ
ンタクトホールの面積が、第ｎ層の導体層のうちの該コ
ンタクトホールと接続する領域の面積の１０％以上を占
有し、 第（ｎ＋１）層の絶縁体層に形成されたコンタクトホ
ールの位置は、第ｎ層の絶縁体層に形成されたコンタク
トホールの位置とは重ならず、 第（ｎ＋２）層の絶縁体層に形成されたコンタクトホ
ールの位置は、第ｎ層の絶縁体層に形成されたコンタク
トホールの位置と少なくとも一部が重なる、ことを特徴
とする多層配線基板により達成される。
基板上の少なくとも片面に、導体層と該導体層上に形成
された絶縁体層とを含む層が３層以上形成された多層配
線基板において、 第ｎ層の導体層上の第ｎ層の絶縁体層に形成されたコ
ンタクトホールの面積が、第ｎ層の導体層のうちの該コ
ンタクトホールと接続する領域の面積の１０％以上を占
有し、 第（ｎ＋１）層の絶縁体層に形成されたコンタクトホ
ールの位置は、第ｎ層の絶縁体層に形成されたコンタク
トホールの位置とは重ならず、 第（ｎ＋２）層の絶縁体層に形成されたコンタクトホ
ールの位置は、第ｎ層の絶縁体層に形成されたコンタク
トホールの位置と少なくとも一部が重なる、ことを特徴
とする多層配線基板により達成される。
【０００８】基板としては、アルミナセラミックス、金
属粉末の入ったペーストを所定のコンタクトホールの形
成されたアルミナグリーンシート上に印刷し、これを必
要枚数重ねてプレス焼結した多層セラミックス基板、シ
リコンウエハ、窒化アルミ、Ａｌ、Ｃｕ板に絶縁層を形
成したものなどが例としてあげられる。
属粉末の入ったペーストを所定のコンタクトホールの形
成されたアルミナグリーンシート上に印刷し、これを必
要枚数重ねてプレス焼結した多層セラミックス基板、シ
リコンウエハ、窒化アルミ、Ａｌ、Ｃｕ板に絶縁層を形
成したものなどが例としてあげられる。
【０００９】導体層としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属単体またはこれら
の合金からなる単層あるいは複層からなる金属膜をパタ
ーン状に加工したものが例としてあげられる。これらの
中で好ましいのは、Ｃｕまたは、ＣｕとＣｒが層状に形
成されたものである。これらの導体層はスパッタリン
グ、メッキ、蒸着等の方法により形成される。パターン
加工の方法としてはフォトリソ法等の公知の方法が用い
られる。
ｒ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属単体またはこれら
の合金からなる単層あるいは複層からなる金属膜をパタ
ーン状に加工したものが例としてあげられる。これらの
中で好ましいのは、Ｃｕまたは、ＣｕとＣｒが層状に形
成されたものである。これらの導体層はスパッタリン
グ、メッキ、蒸着等の方法により形成される。パターン
加工の方法としてはフォトリソ法等の公知の方法が用い
られる。
【００１０】絶縁体層としては、ポリイミド樹脂、ベン
ゾシクロブテン樹脂等からなる有機膜が例としてあげら
れ、特にポリイミド樹脂、中でも感光性ポリイミド樹脂
がコンタクトホール形成の容易さから好ましい。感光性
ポリイミド樹脂としては、感光基がポリイミド前駆体の
カルボキシル基とエステル結合しているエステルタイプ
とよばれるもの（例えば、Photogra.Sci.Eng.23,303(19
79) ）や、感光基がポリイミド前駆体のカルボキシル基
と塩結合している塩結合タイプと呼ばれるもの（例え
ば、J.Macromol.Sci.(Chem)A21.1614(1984) ）などを３
００℃〜４００℃でコンタクトホール形成後熱処理した
もの等が例としてあげることができる。感光性ポリイミ
ド樹脂でのコンタクトホールの形成方法としては、フォ
トリソ法が一般的である。
ゾシクロブテン樹脂等からなる有機膜が例としてあげら
れ、特にポリイミド樹脂、中でも感光性ポリイミド樹脂
がコンタクトホール形成の容易さから好ましい。感光性
ポリイミド樹脂としては、感光基がポリイミド前駆体の
カルボキシル基とエステル結合しているエステルタイプ
とよばれるもの（例えば、Photogra.Sci.Eng.23,303(19
79) ）や、感光基がポリイミド前駆体のカルボキシル基
と塩結合している塩結合タイプと呼ばれるもの（例え
ば、J.Macromol.Sci.(Chem)A21.1614(1984) ）などを３
００℃〜４００℃でコンタクトホール形成後熱処理した
もの等が例としてあげることができる。感光性ポリイミ
ド樹脂でのコンタクトホールの形成方法としては、フォ
トリソ法が一般的である。
【００１１】本発明においては、まず、第ｎ層の導体層
上の第ｎ層の絶縁体層に形成されたコンタクトホールの
面積は、第ｎ層の導体層のうちの該コンタクトホールと
接続する領域の面積の１０％以上を占有していることが
必要である。好ましくは、１５％以上５０％以下であ
る。すなわち、コンタクトホールは主に放熱のために形
成されるので、１０％未満では十分に放熱の機能を果た
さない。また、５０％をこえると、凹凸の少ない多層配
線基板を得ることが困難になる。
上の第ｎ層の絶縁体層に形成されたコンタクトホールの
面積は、第ｎ層の導体層のうちの該コンタクトホールと
接続する領域の面積の１０％以上を占有していることが
必要である。好ましくは、１５％以上５０％以下であ
る。すなわち、コンタクトホールは主に放熱のために形
成されるので、１０％未満では十分に放熱の機能を果た
さない。また、５０％をこえると、凹凸の少ない多層配
線基板を得ることが困難になる。
【００１２】次に、第（ｎ＋１）層の絶縁体層に形成さ
れたコンタクトホールの位置は、第ｎ層の絶縁体層に形
成されたコンタクトホールの位置と重なってはならな
い。すなわち、第（ｎ＋１）層の絶縁体層のコンタクト
ホールは、第ｎ層の絶縁体層のコンタクトホールとは、
ずれて形成される。図８に示すように、第（ｎ＋１）層
の絶縁体層のコンタクトホールを第ｎ層の絶縁体層と重
ねて形成すると、コンタクトホール部分とそれ以外の部
分の凹凸の激しいものとなり、多層になればなるほど形
成が困難となり、導体の断線も起こりやすくなる。
れたコンタクトホールの位置は、第ｎ層の絶縁体層に形
成されたコンタクトホールの位置と重なってはならな
い。すなわち、第（ｎ＋１）層の絶縁体層のコンタクト
ホールは、第ｎ層の絶縁体層のコンタクトホールとは、
ずれて形成される。図８に示すように、第（ｎ＋１）層
の絶縁体層のコンタクトホールを第ｎ層の絶縁体層と重
ねて形成すると、コンタクトホール部分とそれ以外の部
分の凹凸の激しいものとなり、多層になればなるほど形
成が困難となり、導体の断線も起こりやすくなる。
【００１３】さらに、第（ｎ＋２）層の絶縁体層に形成
されたコンタクトホールの位置は、第ｎ層の絶縁体層に
形成されたコンタクトホールの位置と少なくとも一部が
重なることが必要である。もちろん、第（ｎ＋２）層の
絶縁体層に形成されたコンタクトホールの位置は、第
（ｎ＋１）層の絶縁体層に形成されたコンタクトホール
の位置と重なってはならない。このように２層ごとにコ
ンタクトホールの位置を重ねる必要があるのは、放熱の
ための熱伝導の経路をできる限り短くすることが好まし
いからである。このように構成せずに、ただ下層のコン
タクトホールの位置とずらしていくだけでは、熱伝導の
経路が不要に長くなり（例えば、らせん状）、放熱の効
果が劣ったものとなる。
されたコンタクトホールの位置は、第ｎ層の絶縁体層に
形成されたコンタクトホールの位置と少なくとも一部が
重なることが必要である。もちろん、第（ｎ＋２）層の
絶縁体層に形成されたコンタクトホールの位置は、第
（ｎ＋１）層の絶縁体層に形成されたコンタクトホール
の位置と重なってはならない。このように２層ごとにコ
ンタクトホールの位置を重ねる必要があるのは、放熱の
ための熱伝導の経路をできる限り短くすることが好まし
いからである。このように構成せずに、ただ下層のコン
タクトホールの位置とずらしていくだけでは、熱伝導の
経路が不要に長くなり（例えば、らせん状）、放熱の効
果が劣ったものとなる。
【００１４】また、導体層の位置については、全ての層
について重なっていることが好ましい。具体的には、コ
ンタクトホールを介して接続された第ｎ層および第（ｎ
＋１）層の導体層は５０％以上重なっていることが好ま
しい。より好ましくは、７０％以上である。
について重なっていることが好ましい。具体的には、コ
ンタクトホールを介して接続された第ｎ層および第（ｎ
＋１）層の導体層は５０％以上重なっていることが好ま
しい。より好ましくは、７０％以上である。
【００１５】コンタクトホールの形状は、長方形（正方
形を含む）または円形が好ましく、それぞれ、短い一辺
または直径が、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好
ましい。
形を含む）または円形が好ましく、それぞれ、短い一辺
または直径が、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好
ましい。
【００１６】以上の条件を満足するように多層配線基板
を形成するには、例えば以下のようにすれば良い。
を形成するには、例えば以下のようにすれば良い。
【００１７】基板上に、図３に示すパターンの第１層
の導体層を形成する。 その上に、図４に示すパターンの第１層の絶縁体層を
形成する。 その上に、図３に示すパターンの第２層の導体層を形
成する。 その上に、図５に示すパターンの第２層の絶縁体層を
形成する。 その上に、図３に示すパターンの第３層の導体層を形
成する。 その上に、図４に示すパターンの第３層の絶縁体層を
形成する。
の導体層を形成する。 その上に、図４に示すパターンの第１層の絶縁体層を
形成する。 その上に、図３に示すパターンの第２層の導体層を形
成する。 その上に、図５に示すパターンの第２層の絶縁体層を
形成する。 その上に、図３に示すパターンの第３層の導体層を形
成する。 その上に、図４に示すパターンの第３層の絶縁体層を
形成する。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明で層の凹凸については下記の方法で測定
した。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明で層の凹凸については下記の方法で測定
した。
【００１９】［層の凹凸量］東京精密製表面粗さ測定機
Ｓｕｒｆｃｏｍ１５００Ａを使用し、×５０００倍で凹
凸の大きさを測定した。
Ｓｕｒｆｃｏｍ１５００Ａを使用し、×５０００倍で凹
凸の大きさを測定した。
【００２０】実施例１ ４インチシリコーンウエハー上にスパッタリング装置
（アネルバ製ＳＰＬ−５００）を用いてウエハーとの密
着を上げるため、Ｃｒを０．１μｍスパッタリングで付
けた後、Ｃｕを４μｍ膜厚形成した。さらにポリイミド
との反応を避けるためＣｒを０．１μｍスパッタリング
で付けた。この上にネガタイプレジスト（東京応化製Ｏ
ＭＲ−８５，３５ＣＰＳ）を大日本スクリーン製塗布・
現像装置を用い３０００ｒｐｍ×３０ｓｅｃで回転塗布
した。その後ホットプレートで１１５℃×２分プリベー
ク後、キャノン製コンタクト露光装置ＰＬＡ５０１Ｆを
用い、図３に示すパターンが形成されたマスクを通し
て、２秒露光した。専用現像液、リンス液を用いて、各
１分浸漬法により現像、リンスした後、スピンドライに
より乾燥した。その後クリーンオーブン（ヤマト科学製
ＤＴ−４２）を用い１４０℃×３０分ポストベークし
た。その後Ｃｒエッチング液と銅エッチング液を用いて
金属のエッチングを行い、ネガレジストを専用剥離液で
剥離し、図３に示す金属パターン（第１層の導体層）を
形成した。
（アネルバ製ＳＰＬ−５００）を用いてウエハーとの密
着を上げるため、Ｃｒを０．１μｍスパッタリングで付
けた後、Ｃｕを４μｍ膜厚形成した。さらにポリイミド
との反応を避けるためＣｒを０．１μｍスパッタリング
で付けた。この上にネガタイプレジスト（東京応化製Ｏ
ＭＲ−８５，３５ＣＰＳ）を大日本スクリーン製塗布・
現像装置を用い３０００ｒｐｍ×３０ｓｅｃで回転塗布
した。その後ホットプレートで１１５℃×２分プリベー
ク後、キャノン製コンタクト露光装置ＰＬＡ５０１Ｆを
用い、図３に示すパターンが形成されたマスクを通し
て、２秒露光した。専用現像液、リンス液を用いて、各
１分浸漬法により現像、リンスした後、スピンドライに
より乾燥した。その後クリーンオーブン（ヤマト科学製
ＤＴ−４２）を用い１４０℃×３０分ポストベークし
た。その後Ｃｒエッチング液と銅エッチング液を用いて
金属のエッチングを行い、ネガレジストを専用剥離液で
剥離し、図３に示す金属パターン（第１層の導体層）を
形成した。
【００２１】この上に東レ製感光性ポリイミド前駆体ワ
ニス“フォトニース”ＵＲ−３１４０を約５ｇ滴下し、
ミカサ製スピナー１Ｈ−３６０Ｓを用いて塗布し、プリ
ベーク後図４に示すマスクを通して露光し、専用現像液
を用いて現像後Ｎ2 雰囲気下（８０℃＋１５０℃＋２５
０℃＋３５０℃）×３０分キュアし、図４に示す（穴の
位置が除去されている）ポリイミドパターン（第１層の
絶縁体層）を形成した。膜厚は８μｍであった。
ニス“フォトニース”ＵＲ−３１４０を約５ｇ滴下し、
ミカサ製スピナー１Ｈ−３６０Ｓを用いて塗布し、プリ
ベーク後図４に示すマスクを通して露光し、専用現像液
を用いて現像後Ｎ2 雰囲気下（８０℃＋１５０℃＋２５
０℃＋３５０℃）×３０分キュアし、図４に示す（穴の
位置が除去されている）ポリイミドパターン（第１層の
絶縁体層）を形成した。膜厚は８μｍであった。
【００２２】この上に、同様にして、図３に示す金属パ
ターン（第２層の導体層）、図５に示すポリイミドパタ
ーン（第２層の絶縁体層）、図３に示す金属パターン
（第３の導体層）、図４に示すポリイミドパターン（第
３層の絶縁体層）を順に形成した。
ターン（第２層の導体層）、図５に示すポリイミドパタ
ーン（第２層の絶縁体層）、図３に示す金属パターン
（第３の導体層）、図４に示すポリイミドパターン（第
３層の絶縁体層）を順に形成した。
【００２３】金属、ポリイミド各３層からなる多層配線
基板の概略断面図を図１に示す。図１の右図（１）、
（２）はそれぞれ、図１左図の（１）、（２）の位置で
多層配線基板を切断したときの概略断面図である。図１
でポリイミドと金属パターンの凹凸は１２μｍで３層目
のポリイミドもパターン形成可能であった。第１層の絶
縁体層に形成されたコンタクトホールの占有面積は第１
層の導体層の３１．３％、第２層の絶縁体層では２５
％、第３層の絶縁体層では３１．３％であった。
基板の概略断面図を図１に示す。図１の右図（１）、
（２）はそれぞれ、図１左図の（１）、（２）の位置で
多層配線基板を切断したときの概略断面図である。図１
でポリイミドと金属パターンの凹凸は１２μｍで３層目
のポリイミドもパターン形成可能であった。第１層の絶
縁体層に形成されたコンタクトホールの占有面積は第１
層の導体層の３１．３％、第２層の絶縁体層では２５
％、第３層の絶縁体層では３１．３％であった。
【００２４】実施例２ 実施例１と同様の方法で、第３層の絶縁体層までの多層
配線基板を作成した。ただし、パターンは、図３に示す
金属パターン（第１層の導体層）、図４に示すポリイミ
ドパターン（第１層の絶縁体層）、図３に示す金属パタ
ーン（第２層の導体層）、図５に示すポリイミドパター
ン（第２層の絶縁体層）、図３に示す金属パターン（第
３層の導体層）、図６に示す図３のポリイミドパターン
とは少しずれたポリイミドパターン（第３層の絶縁体
層）とした。
配線基板を作成した。ただし、パターンは、図３に示す
金属パターン（第１層の導体層）、図４に示すポリイミ
ドパターン（第１層の絶縁体層）、図３に示す金属パタ
ーン（第２層の導体層）、図５に示すポリイミドパター
ン（第２層の絶縁体層）、図３に示す金属パターン（第
３層の導体層）、図６に示す図３のポリイミドパターン
とは少しずれたポリイミドパターン（第３層の絶縁体
層）とした。
【００２５】金属、ポリイミド各３層からなる多層配線
基板の概略断面図を図２に示す。図２の右図は、図２左
図の点線の位置で多層配線基板を切断したときの概略断
面図である。図２でポリイミドと金属パターンの凹凸は
１２μｍで３層目のポリイミドもパターン形成可能であ
った。第１層の絶縁体層に形成されたコンタクトホール
の占有面積は第１層の導体層の３１．３％、第２層の絶
縁体層では２５％、第３層の絶縁体層では３１．３％で
あった。
基板の概略断面図を図２に示す。図２の右図は、図２左
図の点線の位置で多層配線基板を切断したときの概略断
面図である。図２でポリイミドと金属パターンの凹凸は
１２μｍで３層目のポリイミドもパターン形成可能であ
った。第１層の絶縁体層に形成されたコンタクトホール
の占有面積は第１層の導体層の３１．３％、第２層の絶
縁体層では２５％、第３層の絶縁体層では３１．３％で
あった。
【００２６】比較例１ 実施例１と同様の方法で、第３層の絶縁体層までの多層
配線基板を作成した。ただし、パターンは、図３に示す
金属パターン（第１層の導体層）、図４に示すポリイミ
ドパターン（第１層の絶縁体層）、図３に示す金属パタ
ーン（第２層の導体層）、図４に示すポリイミドパター
ン（第２層の絶縁体層）、図３に示す金属パターン（第
３層の導体層）、図４に示すポリイミドパターン（第３
層の絶縁体層）とした。
配線基板を作成した。ただし、パターンは、図３に示す
金属パターン（第１層の導体層）、図４に示すポリイミ
ドパターン（第１層の絶縁体層）、図３に示す金属パタ
ーン（第２層の導体層）、図４に示すポリイミドパター
ン（第２層の絶縁体層）、図３に示す金属パターン（第
３層の導体層）、図４に示すポリイミドパターン（第３
層の絶縁体層）とした。
【００２７】金属、ポリイミド各３層からなる多層配線
基板の概略断面図を図７に示す。図７の右図は、図７左
図の点線の位置で多層配線基板を切断したときの概略断
面図である。図７でポリイミドと金属パターンの凹凸は
２４μｍと厚く、３層目のポリイミドは金属上でのパタ
ーン形成が困難であった。第１層の絶縁体層に形成され
たコンタクトホールの占有面積は第１層の導体層の３
１．３％、第２層の絶縁体層では３１．３％、第３層の
絶縁体層では３１．３％であった。
基板の概略断面図を図７に示す。図７の右図は、図７左
図の点線の位置で多層配線基板を切断したときの概略断
面図である。図７でポリイミドと金属パターンの凹凸は
２４μｍと厚く、３層目のポリイミドは金属上でのパタ
ーン形成が困難であった。第１層の絶縁体層に形成され
たコンタクトホールの占有面積は第１層の導体層の３
１．３％、第２層の絶縁体層では３１．３％、第３層の
絶縁体層では３１．３％であった。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、上述のような構造のコンタク
トホールを持った多層配線基板を採用したことにより、
主として放熱を目的とした凹凸の小さいコンタクトホー
ルを、限られた面積に形成することが可能になった。
トホールを持った多層配線基板を採用したことにより、
主として放熱を目的とした凹凸の小さいコンタクトホー
ルを、限られた面積に形成することが可能になった。
【図１】本発明にかかる多層配線基板の一実施態様を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図２】本発明にかかる多層配線基板の他の実施態様を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図３】本発明にかかる多層配線基板の導体層のパター
ンの一例である。
ンの一例である。
【図４】本発明にかかる多層配線基板の絶縁体層のパタ
ーンの一例である。
ーンの一例である。
【図５】本発明にかかる多層配線基板の絶縁体層のパタ
ーンの他の例である。
ーンの他の例である。
【図６】本発明にかかる多層配線基板の絶縁体層のパタ
ーンの他の例である。
ーンの他の例である。
【図７】従来の多層配線基板の一例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図８】従来の多層配線基板の他の例を示す概略断面図
である。
である。
１：基板 ２：導体層 ３：絶縁体層 ４：導体パターン ５：絶縁体パターン
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｓ 6921−4Ｅ Ｕ 6921−4Ｅ
Claims (9)
- 【請求項１】基板上の少なくとも片面に、導体層と該導
体層上に形成された絶縁体層とを含む層が３層以上形成
された多層配線基板において、 第ｎ層の導体層上の第ｎ層の絶縁体層に形成されたコ
ンタクトホールの面積が、第ｎ層の導体層のうちの該コ
ンタクトホールと接続する領域の面積の１０％以上を占
有し、 第（ｎ＋１）層の絶縁体層に形成されたコンタクトホ
ールの位置は、第ｎ層の絶縁体層に形成されたコンタク
トホールの位置とは重ならず、 第（ｎ＋２）層の絶縁体層に形成されたコンタクトホ
ールの位置は、第ｎ層の絶縁体層に形成されたコンタク
トホールの位置と少なくとも一部が重なる、ことを特徴
とする多層配線基板。 - 【請求項２】基板が、セラミックス、セラミックス多層
配線板、金属またはシリコンウエハであることを特徴と
する請求項１記載の多層配線基板。 - 【請求項３】導体層が、Ｃｕまたは、ＣｕとＣｒが層状
に形成されたものであることを特徴とする請求項１また
は２記載の多層配線基板。 - 【請求項４】絶縁体層がポリイミド樹脂の層であること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の多層配線基
板。 - 【請求項５】ポリイミド樹脂が感光性ポリイミド樹脂で
あることを特徴とする請求項４記載の多層配線基板。 - 【請求項６】コンタクトホールの形状が長方形であり、
短い一辺が５μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴と
する請求項１〜５のいずれか記載の多層配線基板。 - 【請求項７】コンタクトホールの形状が円形であり、直
径が５μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請
求項１〜５のいずれか記載の多層配線基板。 - 【請求項８】第ｎ層の絶縁体層に形成されたコンタクト
ホールを介して接続された第ｎ層および第（ｎ＋１）層
の導体層が互いに５０％以上重なっており、３層以上の
導体層がコンタクトホールを介して接続していることを
特徴とする請求項１〜７のいずれか記載の多層配線基
板。 - 【請求項９】導体層が最上層から最下層までコンタクト
ホールを介して接続していることを特徴とする請求項８
記載の多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31350493A JPH0799390A (ja) | 1993-06-23 | 1993-12-14 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15241093 | 1993-06-23 | ||
| JP5-152410 | 1993-06-23 | ||
| JP31350493A JPH0799390A (ja) | 1993-06-23 | 1993-12-14 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799390A true JPH0799390A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=26481342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31350493A Pending JPH0799390A (ja) | 1993-06-23 | 1993-12-14 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799390A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165497A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板 |
-
1993
- 1993-12-14 JP JP31350493A patent/JPH0799390A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165497A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040326 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040420 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |