JPH09214141A

JPH09214141A - 配線構造

Info

Publication number: JPH09214141A
Application number: JP8286643A
Authority: JP
Inventors: Naonori Orito; 直典下戸; Yoshitsugu Funada; 佳嗣船田; Koji Matsui; 孝二松井; Yuzo Shimada; 勇三嶋田; Kazuaki Uchiumi; 和明内海
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1995-11-29
Filing date: 1996-10-29
Publication date: 1997-08-15

Abstract

(57)【要約】【課題】耐熱性、低誘電率、低熱膨張率などの優れた
特性を有し、更にフォトレジストと同様なプロセスで高
精度かつ微細なヴィアホールをできる、高性能かつ高密
度な配線構造を提供する。【解決手段】少なくとも１層の絶縁膜と導体パターン
とを有し、前記絶縁膜の少なくとも１層がフルオレン骨
格を有するエポキシアクリレート樹脂からなることを特
徴とし、絶縁膜と導体パターンの積層を繰り返すことに
より、任意の層数を有する多層配線構造を得ることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、印刷配線板等の電
子部品に代表される配線構造に関し、更に詳しくは、半
導体素子を搭載する実装基板の多層配線構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの高速化並びに高集積化
に伴い、これを搭載する配線基板を構成する層間絶縁
膜、あるいはパッシベーション膜には、耐熱性を有し、
併せて低誘電率、低吸水率、低熱膨張率、導体及び絶縁
膜同士の高密着性、良好な耐薬品性等が要求されてい
る。更に最近では、上下電極配線を導通させるためのヴ
ィアホール形成の工程簡略化を図るため、フォトレジス
トと同様なプロセスでヴィアホールを形成できるよう
に、材料自体が感光性を有することが好ましい。

【０００３】現在、これらの特性を有する層間絶縁膜材
料として、ポリイミド系樹脂（例えば、特開平４−２８
４４５５号公報、特開平５−１６５２１７号公報）、有
機珪素系樹脂（例えば、特開平３−４３４５５号公報、
特開平４−４６９３４号公報、特開平６−１３０３６４
号公報、特開平７−２２５０８号公報）等が提案されて
いる。

【０００４】上記のポリイミド系樹脂は、硬化時に縮合
水を伴い、また分子内に導入されている感光性基が脱離
するため、硬化時の収縮率が大きく、高精度かつ微細な
ヴィアホールの形成が困難である。また、収縮応力が発
生することから、膜を多層化した場合に、クラックが発
生するという問題点もある。

【０００５】有機珪素系樹脂においては、硬化時の収縮
はポリイミドほど深刻ではないものの、ヴィアホールを
形成するための現像液に有機溶媒を用いるため、露光部
の硬化した膜が膨潤し、解像度が低下する。この為、高
精度かつ微細なヴィアホールの形成が困難となり、高密
度の多層配線構造体を得ることが難しくなる。また、有
機溶媒系の現像液は、環境汚染や安全衛生上、使用する
ことは好ましくない。

【０００６】更に、ポリイミド系樹脂及び有機珪素系樹
脂ともに、硬化温度が４００℃と高く、絶縁膜を形成す
る基材として、通常のプリント配線板やモールド配線板
等の低コストな樹脂製基材が耐熱性の点から選択するこ
とができず、このため、セラミックス類やＳｉ等の基板
上にしか絶縁膜を形成できないため、コスト高となるこ
とを余儀なくされる。

【０００７】一方、低コストな樹脂製基材上に形成でき
る絶縁膜材料として、エポキシ系樹脂が良く知られてい
る。しかしながら、このエポキシ系樹脂は、誘電率が高
い、熱膨張率が大きい、ガラス転移温度が低い、解像度
に劣る、硬化膜の平坦性に劣る等の問題点があり、最近
の電子部品の高性能化に伴い、その適用が困難になりつ
つある。

【０００８】これらに対して、ベンゾシクロブテン樹脂
は層間絶縁膜あるいはパッシベーション膜に必要な特性
をバランス良く有するものとして知られている。ベンゾ
シクロブテン樹脂は、特に吸水率が０．２５ｗｔ％と低
く、分子構造上の特徴から銅とのマイグレーションも起
こらないので、例えば図９に示すような銅を主成分とす
る配線とベンゾシクロブテン樹脂絶縁膜から構成される
多層配線基板が知られている（例えば、特公平７−１９
９７３号公報）。

【０００９】即ち、シリコンウエハ、セラミックス、プ
リント基板などの基材４１上に、導体配線層４２が設け
られている。この上に、ベンゾシクロブテン樹脂膜４３
が設けられ、上下導体配線を電気的に接続させるための
ヴィアホール４４が形成される。その上に、銅配線４５
が形成される。以後、ベンゾシクロブテン樹脂絶縁膜と
銅などの導体配線を交互に所望の層数積層させていくこ
とによって、多層配線基板が完成する。

【００１０】このベンゾシクロブテン樹脂の層間絶縁膜
を形成する方法としては、スピンコート法で塗布してフ
ォトリソ工程でパターンを形成し、形成されたパターン
を熱硬化させる方法が一般的に良く知られている。但
し、銅からなるプレート構造のパターン上に形成する場
合のみ、例えば、IEEE Transactions on Components, P
ackaging, and Manufacturing Technology-Part B, Vo
l. 18, No. 1 (1995)の１９頁に記載されているよう
に、密着性の長期信頼性を確保する理由で、ベンゾシク
ロブテン樹脂を塗布する前に、３−アミノプロピルトリ
エトキシシランを塗布することが知られている。このプ
ロセスにより形成される配線構造は、図１０に示すよう
なものになる。即ち、銅電極５１及び銅配線５２が設け
られた支持基材５３上に、膜厚数十オングストロームの
３−アミノプロピルトリエトキシシラン薄膜層５４が形
成され、更にその上にベンゾシクロブテン樹脂膜５５が
設けられて配線構造５６が形成される。

【００１１】このプロセスにより、銅電極５１及び銅配
線５２と、ベンゾシクロブテン樹脂膜５５との間に３−
アミノプロピルトリエトキシシラン薄膜層５４が形成さ
れ密着信頼性が向上するが、一方でこの薄膜層５４を通
して銅イオンがマイグレーションするという問題が発生
する。先の文献では、グランドあるいは電源プレートパ
ターンのみの場合には、微細な配線が存在しないのでマ
イグレーションによる絶縁性低下は実用上ほとんど問題
にならないレベルである。しかしながら、最近の電子機
器の高速化に伴いグランドを強化する意味でグランドプ
レート電極と微細信号配線が混在するケースも多く、マ
イグレーションによる絶縁性低下の問題がクローズアッ
プされている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点を
鑑み、耐熱性、低誘電率、低熱膨張率等の優れた特性を
有する高性能、高密度な配線構造体を提供することを目
的とする。

【００１３】また本発明の目的は、フォトレジストと同
様なプロセスで高精度かつ微細なヴィアホールを形成で
きる高性能かつ高密度な多層配線構造を提供することに
ある。

【００１４】また本発明は、ベンゾシクロブテン樹脂を
使用した場合に、該樹脂本来の優れた性能を損なうこと
なく、密着性の長期的信頼性に優れ、かつ銅などのイオ
ンのマイグレーションを防いだ絶縁信頼性に優れる配線
構造を構成することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に鋭意検討した結果、次のような発明に至った。

【００１６】即ち本発明は、少なくとも１層の絶縁膜と
電極パターンとからなり、前記絶縁膜の少なく１層がフ
ルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂からな
ることを特徴とする配線構造である。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。

【００１８】本発明では層間絶縁膜材料として、フルオ
レン骨格を有するエポキシアクリレートを使用し、その
上に導体パターンを形成することにより多層配線構造体
を製造する。ここで、フルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレートとしては、下記一般式（Ｉ）で示される材
料が好ましく用いられる。

【００１９】

【化２】ここで、Ｒは水素原子若しくは低級アルキル基であり、
ｎは０〜２０の整数である。この材料は、特開平４−２
９２６１１号公報にて光学用としての応用が開示されて
いる。

【００２０】一般的に、エポキシアクリレート樹脂は、
多層配線基板の層間絶縁膜材料として使用される材料の
一種である。しかしながら、前記一般式（Ｉ）で示され
るフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂
は、通常のエポキシアクリレート系樹脂と比較して耐熱
性が高く、熱膨張率が小さく、かつ吸水性の面で非常に
優れていることが明らかになった。従来、耐熱性を有し
ている絶縁材料は、概して硬化温度が非常に高いという
問題があったが、この樹脂は１６０〜２００℃程度で硬
化が可能であり、多層配線用絶縁材料として非常に好ま
しいものである。また、熱膨張率や吸水性に関して、前
記特開平４−２９２６１１号公報で開示されている光学
用としての応用では全く考慮されていない要素であり、
本発明はこの材料がこれらの点で優れていることを見出
して初めてなし得たものである。尚、この材料は多層配
線のみならず、単層の配線構造にも使用可能であること
は云うまでもない。

【００２１】図１は、導体電極パターンの層間絶縁膜
を、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂
膜で形成したことを特徴とする多層配線構造の製造工程
の一例を示す断面構成図である。

【００２２】例えばアルミ、銅などの金属からなる導体
フィルム１上に、前記一般式(I)で示されるフルオレン
骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を溶解したコー
ティング溶液をスピンコーティング法、スプレーコーテ
ィング法、印刷法などにより塗布し、塗布膜２を得る
（図１（ａ））。次にベーキング処理を施した後、所定
のパターン処理を施したガラスマスク３を通して、露光
を行う（図１（ｂ））。次いで、水酸化カリウム、ある
いはアミン系のアルカリ現像液に浸し、未露光部を溶解
して現像し、更に１８０℃から２００℃で３０分程度の
加熱処理（ポストベーク）を行うことにより、露光部を
固化させ、ヴィアホール４を有する層間絶縁膜５を得る
（図１（ｃ））。

【００２３】その後、層間絶縁膜５上に、スパッタリン
グ法、蒸着法、あるいは無電解メッキ法などにより、銅
あるいはアルミなどの金属からなる導体層を形成し、フ
ォトリソ工程などにより所定の形状にエッチングを施し
て導体配線６を形成し、多層配線構造７を得る（図１
（ｄ））。

【００２４】以下、層間絶縁膜形成工程と導体配線形成
工程を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層配
線構造８を得ることができる（図１（ｅ））。また、必
要ならば、図１（ｆ）に示すように、導体フィルム１を
所定の形状にエッチングし、導体配線９を設けた多層配
線構造１０を得ることもできる。

【００２５】ここで、塗布膜２の現像にアルカリ系の現
像液を用いることで、露光された塗布膜２は膨潤するこ
となく、更に加熱硬化して層間絶縁膜５を得るときの収
縮率は、およそ６％程度と大変に小さいので、高精度か
つ微細なヴィアホール４を容易に得ることができる。

【００２６】このようにして得られた層間絶縁膜は、高
耐熱性、低誘電率、低熱膨張率、低吸水率などの優れた
特性を有しており、これを層間絶縁膜として形成した多
層配線構造は、高速かつ高性能な電子部品や実装基板へ
の適用に対して大変有効である。

【００２７】また、本発明の多層配線構造は、例えばガ
ラス、セラミックス、金属、耐熱性フィルム、Si基板、
半導体デバイスなどからなる支持基材上にフルオレン骨
格を有するエポキシアクリレート樹脂からなる絶縁膜を
形成し、その上に導体電極パターンを形成することによ
り得ることもできる。

【００２８】更に上述したように、フルオレン骨格を有
するエポキシアクリレート樹脂は、１８０℃から２００
℃で３０分程度の加熱処理で硬化して層間絶縁膜を形成
することができるので、プリント配線基板、あるいはモ
ールド樹脂配線基板などの非常に低コストな樹脂製の支
持基材上にも高密度な多層配線構造を形成することがで
き、多層配線構造の低コスト化を図ることができる。

【００２９】また本発明の配線構造では、従来公知のベ
ンゾシクロブテン樹脂を前記のフルオレン骨格を有する
エポキシアクリレート類と併用して絶縁層を形成して、
従来問題となっていた銅などの金属イオンのマイグレー
ションを防止しつつ、密着性の改善された配線構造を提
供することが可能である。つまり、金属導体配線あるい
は金属導体電極上に、フルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレート樹脂の薄膜層を、好ましくはパターン状に
形成し、その上にベンゾシクロブテン樹脂膜を形成して
配線構造を作製するものである。以下、図面を参照して
説明する。

【００３０】図７は、金属導体配線、あるいは金属導体
電極を有する支持基材上に、前記一般式（Ｉ）で示され
るフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂に
より薄膜層を形成し、その上にベンゾシクロブテン樹脂
膜を形成したことを特徴とする配線構造の製造工程の一
例を示す模式的断面図である。

【００３１】まず、銅などの金属からなる電極２１及び
配線２２を有する支持基材２３上に、例えばスピンコー
ト法などにより膜厚０．１μｍ〜１．０μｍ程度のフル
オレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層２４を
塗布し、７５℃で１０分間の乾燥を施した後、例えば波
長３６５ｎｍで２００〜４００ｍＪ／ｃｍ²の露光を行
う（工程（ａ））。次に、例えば感光性を有するベンゾ
シクロブテン樹脂膜をスピンコート法、あるいはカーテ
ンコート法などの塗布法により塗布した後、露光、現像
工程を経て、ヴィアホール２５を有するベンゾシクロブ
テン樹脂膜２６を形成する（工程（ｂ））。次いで、８
０〜２００℃で３０分程度の加熱処理の後に、プラズマ
エッチング法などによりヴィアホール２５の底部にある
フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層２
４を除去して配線構造２７を得る（工程（ｃ））。

【００３２】その後必要であれば、ベンゾシクロブテン
樹脂膜２６上に、スパッタリング法、蒸着法、電解メッ
キ法、無電解メッキ法などの金属導体プロセスとフォト
リソグラフィープロセスを併用して、銅などの金属から
なる上部配線２８を設けることができる（工程
（ｄ））。更に前記工程（ａ）〜（ｄ）を繰り返すこと
により、任意の層数を有する多層の配線構造２９を形成
することもできる（図７（ｅ））。

【００３３】ここで、支持基板２３としては、例えば、
ガラス、セラミックス、金属、プリント基板、モールド
基板、シリコン基板、半導体デバイスなども選択でき
る。また、前述のリジッドな基板のみならず、樹脂や金
属からなるフィルム形状のものも使用できる。

【００３４】また本発明では、金属導体配線あるいは金
属導体電極上のみにフルオレン骨格を有するエポキシア
クリレート樹脂膜が形成されるようにパターン化して、
その上にベンゾシクロブテン樹脂膜を形成することもで
きる。その製造工程を図８に示す。

【００３５】まず、前記と同様に銅などの金属からなる
電極３０及び配線３１を有する支持基材３２上に、例え
ばスピンコート法などにより膜厚０．１μｍ〜１．０μ
ｍ程度のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート
樹脂層３３を塗布し、７５℃で１０分間の乾燥を行う
（工程（ａ））。次に所定のパターン形状を施したガラ
スマスクを通して後、例えば波長３６５ｎｍで２００〜
４００ｍＪ／ｃｍ²の露光を行った後、１％炭酸ナトリ
ウム水溶液で現像を行い、電極３０及び配線３１の所定
の部位のみにエポキシアクリレート樹脂層３３を形成
し、同時にヴィアホール３４を形成する（工程
（ｂ））。次いで、感光性を有するベンゾシクロブテン
樹脂膜をスピンコート法、あるいはカーテンコート法な
どの塗布法により塗布した後、ヴィアホール３５に対応
したマスクを介して露光、現像工程を経て、ヴィアホー
ル３５を有するベンゾシクロブテン樹脂膜３６を形成し
て配線構造３７を得る（工程（ｃ））。前記同様、工程
（ａ）〜（ｃ）を繰り返すことにより、任意の層数を有
する多層の配線構造３８を形成することもできる（図８
（ｄ））。

【００３６】これらの配線構造では、金属導体配線、あ
るいは金属導体電極を有する支持基材上に、フルオレン
骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層を形成し、そ
の上にベンゾシクロブテン樹脂膜を形成しているので、
ベンゾシクロブテン樹脂本来の優れた性能を損なうこと
なく、密着性の長期信頼性を確保しつつ、銅などの金属
イオンのマイグレーションを防いだ絶縁信頼性に優れる
配線構造を形成することができる。

【００３７】

【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものでは
ない。

【００３８】実施例１図１に示す工程により配線構造を形成した。まず、アル
ミ、銅などの金属からなる導体フィルム１上に、前記一
般式（Ｉ）で示されるフルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレート樹脂（Ｒ＝Ｈ、ｎ＝０）を溶解したコーテ
ィング溶液をスピンコーティング法、スプレーコーティ
ング法、印刷法などにより塗布し、塗布膜２を得る（図
１（ａ））。次に７５℃で１０分間のベーキングを施し
た後、所定のパターン処理を施したガラスマスク３を通
して、例えば波長３６５ｎｍで２００ｍＪ／ｃｍ²の露
光を行う（図１（ｂ））。次いで、炭酸ナトリウム、あ
るいはアミン系のアルカリ現像液に浸し、未露光部を溶
解して現像し、更に１８０℃から２００℃で３０分程度
の加熱処理（ポストベーク）を行うことにより、露光部
を固化させ、ヴィアホール４を有する層間絶縁膜５を得
る（図１（ｃ））。

【００３９】その後、層間絶縁膜５上に、スパッタリン
グ法、蒸着法、あるいは無電解メッキ法などにより、銅
あるいはアルミなどの金属からなる導体層を形成し、フ
ォトリソ工程などにより所定の形状にエッチングを施し
て導体配線６を形成し、多層配線構造７を得る（図１
（ｄ））。

【００４０】以下、層間絶縁膜工程と導体配線工程を繰
り返すことにより、任意の層数を有する多層配線構造８
を得る（図１（ｅ））。また、必要ならば、図１（ｆ）
に示すように、導体フィルム１を所定の形状にエッチン
グを施し、導体配線９を設けた多層配線構造１０を得る
こともできる。

【００４１】ここで、塗布膜２の現像にアルカリ系の現
像液を用いることで、露光された塗布膜２は膨潤するこ
となく、更に加熱硬化して層間絶縁膜５を得るときの収
縮率は、およそ６％程度と大変に小さいので、高精度か
つ微細なヴィアホール４を容易に得ることができる。得
られた層間絶縁膜の特性値を表１に示す。

【００４２】

【表１】

【００４３】表１から解るとおり、本発明により、高耐
熱性、低誘電率、低熱膨張率、低吸水率などの優れた特
性を有する配線構造体が得られる。

【００４４】尚、この例においては、ｎ＝０のフルオレ
ン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を用いたが、
ｎの値が大きくなるに従い、更に重量減少開始温度が高
くなり、また、吸水率の低下する傾向が認められた。

【００４５】実施例２図２〜図６はプリント配線基板からなる支持基板上に前
記一般式（Ｉ）で示されるフルオレン骨格を有するエポ
キシアクリレート樹脂を絶縁膜材料として用い、その上
に導体電極パターンを形成したことを特徴とする多層配
線構造体の製造工程を順に示す断面図である。

【００４６】表層導体電極１１と内層導体１２を有する
プリント配線基板１３上に、フルオレン骨格を有するエ
ポキシアクリレート樹脂を塗布し、露光、現像、硬化工
程によりヴィアホール１４を有する層間絶縁膜１５を形
成する（図２）。

【００４７】次いで、層間絶縁膜１５上に、例えば銅、
アルミなどの金属からなる導体層をスパッタリング法、
蒸着法、電解あるいは無電解メッキ法などにより設けた
後、所定の形状にエッチングを施すことにより導体電極
パターン１６を形成して多層配線構造１７を得る（図
３）。必要ならば、層間絶縁膜形成工程と導体電極パタ
ーン形成工程を繰り返すことにより、任意の層数を有す
る多層配線構造１８を得ることができる（図４）。更
に、プリント配線基板１３の裏面にも層間絶縁膜１５と
導体電極パターン１６を形成して多層配線構造１９を形
成することもできる（図５）。また、貫通スルーホール
２０を介して、表面電極配線１１、内層導体１２及び導
体電極パターン１６とを電気的に接続しても良い（図
６）。

【００４８】実施例３図７に示す支持基材２３として、膜厚１ｍｍのエポキシ
樹脂プリント基板（ＦＲ−４）上に膜厚0.1〜1.0μｍ程
度のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂
層２４を塗布し、７５℃で１０分間の乾燥を施し、波長
３６５ｎｍで２００〜４００ｍＪ／ｃｍ²の露光を行
う。次に膜厚１０μｍのベンゾシクロブテン樹脂膜をス
ピンコート法により塗布した後、露光現像工程を経て、
ヴィアホール２５を有するベンゾシクロブテン樹脂膜２
６を形成する（工程（ｂ））。次いで、８０〜２００℃
で３０分程度の加熱処理の後に、プラズマエッチング法
などによりヴィアホール２５の底部にあるフルオレン骨
格を有するエポキシアクリレート樹脂層２４を除去して
配線構造２７を得る（工程（ｃ））。その上に、幅２０
μｍ、間隔２０μｍ、膜厚５μｍの銅配線２８を櫛形状
に形成して図７（ｄ）に示す配線構造２９を得る。

【００４９】このようにして形成された配線構造に対し
て、プレッシャークッカバイアス試験（温度１２１℃、
湿度１００％、圧力２気圧、バイアス１２Ｖ）を行った
ところ、１００時間を経過しても絶縁特性劣化及び銅イ
オンのマイグレーションは全く観測されなかった。ま
た、図８に示すように、フルオレン骨格を有するエポキ
シアクリレート樹脂層をパターン状に形成した場合にも
同様の結果が得られた。

【００５０】一方、同様の支持基板を用いて、フルオレ
ン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂層の代わり
に、３−アミノプロピルトリエトキシシラン薄膜層を形
成し、以下同様にして形成した配線構造に対して、同様
にプレッシャークッカバイアス試験を行ったところ、６
０時間を経過した頃から銅イオンのマイグレーションが
確認され、中には絶縁特性が劣化したものも確認され
た。

【００５１】

【発明の効果】本発明によれば、耐熱性、低誘電率、低
熱膨張率などの優れた特性を有し、更に高精度かつ微細
なヴィアホールを有する配線構造が提供でき、電子部品
や実装基板の高性能化、及び高密度化による小型化を図
ることができる。更に、本発明の多層配線構造は、低コ
ストなプリント配線基板あるいはモールド樹脂配線基板
上にも形成できるので、電子部品や実装基板の低コスト
化を図ることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの一実
施形態を示す断面構成図である。

【図２】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の
実施形態の第１工程を示す断面構成図である。

【図３】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の
実施形態の第２工程を示す断面構成図である。

【図４】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の
実施形態の第３工程を示す断面構成図である。

【図５】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の
実施形態の第４工程を示す断面構成図である。

【図６】本発明の多層配線構造体の製造プロセスの別の
実施形態の第５工程を示す断面構成図である。

【図７】金属イオンのマイグレーションを防止した配線
構造の製造工程を説明する模式的断面図である。

【図８】金属イオンのマイグレーションを防止した配線
構造の別の製造工程を説明する模式的断面図である。

【図９】従来のベンゾシクロブテンを用いた配線構造の
模式的断面図である。

【図１０】密着性の改良された従来の配線構造の模式的
断面図である。

【符号の説明】

１導体フィルム２塗布膜３ガラスマスク４ヴィアホール５層間絶縁膜６、９導体配線７、８、１０多層配線構造１１表層導体電極１２内層導体１３プリント配線基板１４ヴィアホール１５層間絶縁膜１６導体電極パターン１７、１８、１９多層配線構造２０貫通スルーホール２１電極２２配線２３支持基材２４エポキシアクリレート層２５ヴィアホール２６ベンゾシクロブテン樹脂膜２７配線構造２８上部配線２９多層配線構造３０電極３１配線３２支持基材３３エポキシアクリレート樹脂層３４、３５ヴィアホール３６ベンゾシクロブテン樹脂膜３７配線構造３８多層配線構造

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ＭＨ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ (72)発明者嶋田勇三東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内 (72)発明者内海和明東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも１層の絶縁膜と導体電極パタ
ーンとを有してなり、前記絶縁膜の少なくとも１層がフ
ルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂よりな
ることを特徴とする配線構造。
【請求項２】少なくとも１層の層間絶縁膜と導体電極
パターンが交互に順次形成された多層配線構造を形成し
ていることを特徴とする請求項１の配線構造。
【請求項３】フルオレン骨格を有するエポキシアクリ
レート樹脂よりなる絶縁膜が支持基材上に形成され、該
絶縁膜上に前記導体電極パターンを有する請求項１又は
２の配線構造。
【請求項４】フルオレン骨格を有するエポキシアクリ
レート樹脂が下記一般式(I)で表されることを特徴とす
る請求項１乃至３のいずれかに記載の配線構造。【化１】（但し、Ｒは水素原子若しくは低級アルキル基であり、
ｎは０〜２０の整数である。）
【請求項５】支持基材がプリント配線基板あるいはモ
ールド樹脂配線基板であることを特徴とする請求項３記
載の配線構造。
【請求項６】前記フルオレン骨格を有するエポキシア
クリレート樹脂よりなる絶縁膜が金属導体配線あるいは
金属導体電極パターンを有する支持基材上に形成されて
おり、その上にベンゾシクロブテン樹脂からなる絶縁膜
を形成したことを特徴とする請求項１の配線構造。
【請求項７】前記フルオレン骨格を有するエポキシア
クリレート樹脂よりなる絶縁膜が金属導体配線あるいは
金属導体電極パターン上にパターン状に形成されている
ことを特徴とする請求項６の配線構造。