JP2841888B2 - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高集積ＬＳＩ、終端抵
抗、コンデンサなどを高密度で実装する薄膜多層配線基
板およびその製造方法に関する。また、これを用いるモ
ジュール、更にはコンピュータに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の多層配線基板の製造方法を、第９
図に示した工程図を例として説明する。

【０００３】第９図（ａ）に示すように、基板９１の上
面全面にわたって、めっきの電極となりうる下地金属層
９２を形成し、その上面に第９図（ｂ）に示すように、
所望の導体配線パターンの形状に穴あけ加工されたレジ
スト９３を形成する。しかる後、露出した溝部分９４の
下地金属層９２を電極として電気めっきを行い、第９図
（ｃ）に示すように、レジスト９３の溝部分９４を選択
的に導体充填して、配線導体、ビアホール導体、グラン
ドあるいはスルーホール導体９５を形成する。次いで、
第９図（ｄ）に示すように、レジスト９３を除去して導
体９５を露出させた後、第９図（ｅ）に示すように、導
体９５に対接する部分以外の下地金属層９２を除去す
る。次に、第９図（ｆ）に示すように、基板９１の上面
全面に導体９５を包むようにポリマーの絶縁層９６を形
成した後、第９図（ｇ）に示すように、研磨などによ
り、導体９５の上面を露出させるとともに、絶縁層９６
の表面を平面研磨する。上記の工程を逐次複数回繰り返
して多層配線基板を製造する。なお、この種の技術とし
て関連するものには、例えば、プロシーディングス・オ
ブ・ザ・サーティフォース・イー・シー・シー・＜エレ
クトロニック・コンポーネント・コンファレンス＞（Ｐ
roceedings ofthe 34th ＥＣＣ＜Ｅlectronic Ｃom
ponent Ｃonference＞）ｐ82−87'84がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記の従来技術の一番
困難な問題は、導体配線層，グランド層，ビアホール導
体層などの各層毎にレジスト形成と除去の工程、下地金
属層の形成と除去の工程、絶縁層形成工程、および、こ
の平坦化工程を含み、そのため工程数が多く、リードタ
イムが長く、量産性が著しく劣ることにある。

【０００５】また、単に工程数が多いというだけでな
く、ポリマー絶縁層の研削、研磨を必要とするなど技術
的に問題のある工程を含んでいたり、研削粉、研磨粉の
洗浄による異物排除処理が容易でないなどの問題も多く
含まれている。

【０００６】本発明は、上記の工程数、研削研磨などの
問題の抜本的解決を目的としてなされたものであり、工
程数、リードタイムを大幅に短縮し、かつ、研削、研磨
工程を不要とした量産性にすぐれた多層配線基板および
その新規な製造方法を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明においては、レジスト層又はポリマー層
の溶剤による除去および下地金属層のエッチング除去を
各層ごとに行うことをせず、レジスト層および下地金属
をすべて含んだままで多層化を行った後、レジスト層と
下地金属層を一括除去してスケルトン構造の多層配線を
形成し、しかる後、スケルトン構造の多層配線の空間に
無溶剤型ワニスを充填して、絶縁層を形成するという画
期的方法を提案するものである。多層配線を形成する場
合に、導体金属のみはろう材の助けなくして、通常のプ
ロセスにて一括的に多層化する手段は困難であり、導体
接続の信頼性の点からめっきなどによる逐次積層のプロ
セスをとらざるを得ない。しかし、逐次プロセスは一括
に比べて多大な時間を必要とする。そこで導体金属の多
層化には、その所要時間を逐次プロセス中で最も少ない
方法を適用することが効率的かつ合理的である。一方、
絶縁層形成は、逐次も一括も共に可能なので効率的かつ
合理的な一括プロセスを適用することが最もよい。これ
が、本発明の薄膜多層基板の製造法における工期が多大
にかる難点に対して提案する根本思想である。

【０００８】これについて、本発明にかかる多層配線基
板の製造方法を一例を示すものである第１図の工程図に
基づいて説明する。

【０００９】第１図（ａ）に示すように、ベース基板１
（多層配線を含む場合もある）の上面全面にわたって、
電気めっきの電極あるいは無電解めっきの下地膜となり
うる下地金属層２を形成し、その上面に第１図（ｂ）に
示すように所望の導体配線パターンの形状に穴あけ加工
されたレジスト３を形成する。しかる後、露出した穴４
の部分の下地金属層２を電気めっきの電極あるいは無電
解めっきの下地膜としてめっきを行い、第１図（ｃ）に
示すように、レジスト３の穴４を選択的に導体充填し
て、ビアホール用導体５を形成し、第１番目の層とす
る。ここまでは、従来の方法と同様である。

【００１０】次に、レジストの除去と下地金属層の除去
を行うことなく、上記第１図（ａ）から（ｃ）までの工
程を１サイクルとして複数回繰り返して多層構造とす
る。ｎ層の多層構造において、各１層をビアホール層、
Ｘ層、Ｙ層およびグランド層のそれぞれと数えるとｎ≧
２である。下地金属膜はめっき厚さを均一化する目的と
配線形成の電気めっきの電極あるいは無電解めっきの下
地膜として、Ｘ層、Ｙ層、グランド層の下側には必要で
あるが、その上側に設けられるビアホールの下側は、Ｘ
層、Ｙ層、グランド層の下地金属層が電極として使用で
きるか、Ｘ層、Ｙ層、グランド層そのものが無電解めっ
きの下地層として使用できるので、特に設けなくても支
障はないが、設けることを妨げることもない。

【００１１】なお、第１図に示す多層配線基板では、第
１層をビアホール層としているが、ビアホール層の代わ
りにＸ層またはＹ層の配線層あるいはグランド層として
もよい。また、ＸおよびＹに対して必ずしも直角である
必要はなく、傾斜した角度の配線を有する層としてもよ
い。

【００１２】なお、上記の製造方法において、中間のビ
アホール導体を形成する際、その下層の配線導体（配線
導体下部の残存する下地金属が実質的に電極又はめっき
下地膜として働く）を電気めっきの電極あるいは無電解
めっきの下地膜として用いることができるできる場合
は、そのビアホール導体層の下の下地金属層は設けなく
てもよい。

【００１３】第１図（ｄ）の多層構造は、ビアホール層
６→Ｘ層７→ビアホール層８→Ｙ層９→ビアホール層１
０→グランド層１１→ビアホール層１２からなるｎ＝７
の場合を示している。必要ならばこのような多層構造を
形成したのち、最上層の上にメッシュなどの支持層１３
を介して固定板１４を取り付ける。

【００１４】次に、第１図（ｅ）に示すように、全層の
レジスト層を溶剤により一括除去し、さらに第１図
（ｆ）に示すように、全層の下地金属層をエッチング液
で一括除去する。レジスト層の除去と下地金属層の除去
は工程の順序を逆にすることもできるし、また一層ずつ
交互にあるいは同時に行うこともできる。このようにし
て、レジスト層の除去と下地金属層の除去により、第１
図（ｆ）に示すような、空間１５を有するスケルトン構
造の多層配線を形成する。このとき、銅配線に対して、
別種のめっき、例えばＮｉめっきを施してもよい。

【００１５】しかる後、スケルトン構造の多層配線を箱
状容器などに入れ、第１図（ｇ）に示すように、上記空
間１５を脱泡処理を施して無溶剤型絶縁ワニス１６で減
圧下、常圧下もしくは加圧下、又はこれらの併用で一括
注型充填硬化して多層配線基板を製造する。ワニスの注
入は、前記箱状容器の四辺の隙間から行うか、あるいは
上部から行う。前記固定板１４を網板、多孔板、格子な
どで形成しておけば、固定板１４の上部から行うことも
できる。また、無溶剤型ワニスを一括充填後、上部に存
在するビアホールの末端を治具で固定して、無溶剤型ワ
ニスの硬化を行う。治具としては、ビアホールの位置と
整合のとれた穴のあいた板、例えばガラス板を用いる。
このワニスの注型充填の代わりに、スケルトン構造の多
層配線の空間１５に溶剤型絶縁ワニスを含浸して配線導
体を一括被覆して絶縁化してもよい。さらにこの溶剤型
ワニスによる導体被覆処理と無溶剤型ワニスの注型充填
処理とを併用してもよい。また、無溶剤型ワニスの注入
はリキッドインジェクションによることができるし、プ
リプレグを溶融加圧して多層配線導体群をモールドする
こともできる。なお、無溶剤型ワニスにフィラを含むこ
とを妨げない。例えば、プラスチックモールディングに
用いられているフィラが用いられるが、球状シリカや球
状ムライトフィラポリイミド粉なども適している。上記
無溶剤型ワニスの塗布性向上のため、低分子の有機化合
物を脱泡処理、塗布膜のボイド発生フリーの条件を阻害
しないように添加することは可能であり、それらの有機
化合物の添加を妨げない。

【００１６】以上述べた本発明による多層配線基板の製
造方法に併用して、他の製造方法との併用、多層配線基
板同志のろう材による接続を妨げないことはいうまでも
ない。

【００１７】以下に、本発明の多層配線基板の製造方法
において用いる各部の材質について述べる。

【００１８】本発明において、ベース基板１としては信
号層を含むものでも含まないものでもよく、また材質
は、基板としての絶縁性を有するものであれば、セラミ
ックスでもポリマーでもよく、特に限定されない。

【００１９】また、下地金属層２としては、電気めっき
の電極あるいは無電解めっきの下地となりうるもので、
特定エッチング液によりエッチング可能であるものであ
ることが必要である。例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、Ｔｉ
／Ｃｕ／Ｔｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｕ、Ｒｈ、Ｉｎなどの金属の層を蒸着、
スパッタリング、イオンプレーティング、無電解めっき
あるいは電気めっきなどの手段を単独あるいは併用して
形成することができる。さらに有機導電体の膜で形成し
てもよい。

【００２０】めっきのレジスト３としては、後に特定溶
剤で溶剤除去可能であれば、無機、有機を問わず、ワニ
ス状のものでも、電着タイプのレジストでも、フィルム
状のものでもよい。また感光性のものでも非感光性のも
のでもよい。例えば、ホトレジスト、感光性ポリイミ
ド、非感光性の各種ポリマー、セラミックスやガラス、
又は下地金属層との界面に絶縁層を有すればＺｎ、Ｃ
ｕ、Ｎｉなどの金属膜等から選択することができる。フ
ィルム状のものに対しては、それ自体に接着性を有する
ものの他に、フィルムに接着剤や粘着剤をつける場合も
ある。また、別ラインで予め穴あけ加工を施しておく場
合もある。レジストの穴あけ加工方法としては、通常行
われているホトリソグラフィ、レーザ加工、ウェットな
らびにドライエッチングなどが適宜用いられる。

【００２１】上記の穴あけ加工されたレジスト３の穴４
に充填される導体金属としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなど
従来配線導体やビアホール（スルーホール）導体の形成
に用いられているものを用いることができる。

【００２２】最上層配線の上の支持層１３は、その上に
固定板１４をめっきで積み上げるかハンダなどで接続す
る。これは下層の配線群を動かないように支持するため
のもので、蒸着、スパッタリング、めっきなどで形成さ
れる。支持層１３および固定板１４は、レジスト層の溶
剤除去や、下地金属層のエッチング除去の工程において
溶解せず、スケルトン構造形成後のワニス注入工程にお
いてビアホール導体の上面を固定する役割をもつもので
ある。例えば、Ｎｉ、Ｎｉ合金や、Ｃｒ、Ｔｉ、また
は、アルミナ、ムライト、ジルコニア、ポリイミド板な
どを用いることができるが、これらに限定されるもので
はない。

【００２３】スケルトンの配線導体を被覆するには、溶
剤型ワニス、注型充填するには無溶剤型ワニスが用いら
れる。これらのワニスは、モノマー、オリゴマー、ポリ
マーのいずれの形態のものをも含む。

【００２４】溶剤型ワニスとしては、例えば、フッ素系
ポリマー、シリコーン、ポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエステルイミド、ポリベンズイミダゾールなど
の芳香族、非芳香族のポリマーがある。低誘電率化によ
る信号伝播速度の向上には、フッ素系ポリマーが有効で
ある。フッ素系ポリマーとしては、例えば、エマルジョ
ン型ＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰアモルファスＡＦ等があ
る。

【００２５】スケルトン構造の配線導体の空間に注入す
る無溶剤ワニスとしては、エポキシレジン（特にナフタ
レン骨核、ビフェニル骨核、ターフェニル骨核のエポキ
シレジン）、イソシアヌレート・オキサゾリドンレジ
ン、イソシアン酸エステル系レジン、シクロブデン環を
もつ耐熱ポリマーなどを用いることができる。低誘電率
化（ε＜2.7）、耐熱性（＞４００℃）、注型作業性、
平坦性などの諸条件から、シクロブデン環をもつ耐熱ポ
リマーが特に適している。ここで、シクロブデン環をも
つ耐熱ポリマーとしては、たとえば、特許公表公報昭６
０−５０１５７２号に記載のものが使用できる。

【００２６】この無溶剤型ワニスを用いる効果は以下の
ようである。

【００２７】すなわち、ポリイミドのような溶剤型ポリ
マーでは残存溶剤があることや、硬化に伴い縮合水の発
生があることにより塗布膜にボイドやピンホールの発生
を伴う。また、ベース基板には、一般に多くの表面欠陥
ボイドが存在するが、何回かにわけて無溶剤型ワニスを
塗布したとしてもこのボイドを埋めつくすことは困難で
ある。すなわち、溶剤型ワニスは平坦性が劣ること、濃
度が低いわりに粘度が高くて埋めることのできないボイ
ドが基板上に多数残る問題がある。これに対して、無溶
剤型ワニスの場合には、揮発成分を一切含まない上、重
合に際して水のような副生物の発生がないので、上記の
ピンホールやボイドの発生は皆無である。また、注入に
際して減圧したり、加圧したりできるので、細かい穴へ
の充填が可能である。特にシクロブテン環を有する化合
物の場合には平坦性がすぐれているので、反った基板の
上に塗布して反りを吸収して修正容易である。また、シ
クロブデン環をもつポリマーのように、イミド環を含ま
ないか、含んでもそれが主体でないため著しく少ないポ
リマーは、銅と直接接しても不活性であり、銅を浸す心
配はない。すなわち、エレクトロマイグレーションに対
しても安全である。

【００２８】以上の効果から、従来の溶剤型ポリマーで
みられたボイドピンホールによる配線のショート、オー
プン不良の発生は見られない。このように、この無溶剤
型ワニスは、多層配線基板の製造において、エレクトロ
マイグレーションの発生を防止し、ピンホールレス絶縁
を実現し、かつベース基板の平坦化処理にも好適に使用
することができる。

【００２９】また、前記したようにワニスの注型を最上
部に設けた、網板や多孔板，格子などを通して行った場
合には、注型後の網板などをはずした多層基板上面には
ポリマーの凹凸が生ずるが、この平坦化処理にもこの無
溶剤型ワニスを用いることもできる。

【００３０】無溶剤型ワニスのもう１つの重要な効果は
肉厚化できることである。溶剤型ポリマーでは溶剤をと
ばしながら積み上げて肉厚化しなければならないため肉
厚化が面倒であったり、また下部のベース基板の上に接
着積層を行うことができるが、その他に上部あるいは中
間に硬化と同時に基板を接着して設けることができな
い。無溶剤型ワニスでは溶剤を含まず、かつ硬化時に副
生物の発生がないので、肉厚化はもちろん、多数の基板
を同時に接着し内蔵化することが可能である。このこと
は、膨張係数の小さいＬＳＩと整合のとれたセラミック
スなどの無機絶縁シートまたは基板をモジュール基板の
上層に接合することを可能とする。また発熱の大きいＬ
ＳＩに対しては熱伝導性にすぐれたＡｌＮなどのような
基板を最上部に接合することもできる。また、別工程で
オフラインでセラミッスクシートまたは基板上に薄膜抵
抗を形成し、無溶剤型ワニスの耐熱限界を越える温度で
熱処理し、トリミングによって抵抗値を整え、それから
薄膜多層基板に接着して設置し、一体化できる効果があ
る。

【００３１】なお、上記のように無溶剤型ワニスを充填
するには、モジュール基板の側面は型どりして四辺を囲
まなくてはならない。この囲いとしては、離型処理を施
した金属板やＲＴＶゴムなどが挙げられる。この方法に
限らず、ベース基板上にめっきで配線導体を形成すると
きに同時に四辺にめっきで封止用の壁を作ることもでき
る。また、ベース基板の四辺だけでなく、上部表面層を
もめっきで内部配線群の遮蔽膜を作ることも可能であ
る。

【００３２】前述の方法で作製した基板の面積が著しく
大きい場合、たとえば、第２図に示すように、ベース基
板２１上のビアホール導体２２に接続する長いＸ層配線
導体２３が、次の層のビアホール導体２４を介して長い
Ｙ層配線導体２５に接続し、さらにその次の層のビアホ
ール導体２６を介して半導体層２７に接続している等の
場合には、スケルトン構造の配線は一端が固定されてい
ないため、配線寸法を空間において規定の値に保持でき
ないおそれがある。この対策として、本発明において
は、配線を支えるスペーサを設ける手段を各種提案す
る。

【００３３】配線を支える方法としては、配線間に単に
物理的にスペーサを挿入する方法の他、配線形成時にス
ペーサを形成して行く方法がある。

【００３４】物理的にスペーサを挿入する方法は、例え
ば、前記第１図（ｆ）のようなスケルトン構造の配線が
形成された際に、スケルトンの空間のところどころに、
たとえばＸ層とＹ層の間に、スペーサを挿入することが
できる。この場合、配線間の絶縁が保持できればスペー
サ自体の材質は絶縁性，非絶縁性を問わず、セラミック
ス、ガラス、ワニス、金属など有機、無機の材質にかか
わらず使用可能である。ただし、スペーサが非絶縁性の
材質からなるものである場合には、配線との絶縁性を保
つためスペーサに絶縁処理を施すことが必要である。

【００３５】上記の手段により能率的かつ合理的な方法
は、レジストを塗布する前に、ポリマーをホトリソグラ
フィでパターン化してスペーサを一括作製する方法であ
る。すなわち、第３図（ａ）に示すように、ベース基板
３１上に（必ずしもベース電極のすぐ上である必要はな
いが）下地金属層３２を形成した後、ホトレジスト３４
を用いてパターン化してスペーサ３３を設け、次に第３
図（ｂ）に示すように、ホトレジスト３４に、ドライエ
ッチングにより穴あけを行って穴３７を形成し、次い
で、この穴３７に、第３図（ｃ）に示すように、銅めっ
きを行い、導体３５を充填する。さらに、第３図（ｄ）
に示すように、この上に配線３６を形成する。この後、
配線導体の下部に接する部分以外の下地金属層３２とレ
ジスト３４とをエッチング除去し、スケルトン構造を形
成する。

【００３６】この場合のスペーサ３３を構造するポリマ
ーは、レジストを除去する特定溶剤や下地金属層を除去
するエッチング液のいずれにも侵されないものであるこ
とが必要である。その結果、前述のようにして、スケル
トン構造が形成された際、スペーサ３３は、スケルトン
の空間に残存して、配線３６を支持することになる。上
記レジストが感光性ポリイミドの場合、レーザ加熱で硬
化してスペーサ部分を形成し、後に、光露光と現像とに
より配線溝を形成することができる。この方法がとれる
のは加熱重合性及び光重合性の２つの機能をもつポリマ
ーによってである。

【００３７】さらに別の形態として、Ｘ層とＹ層の間の
ビアホール導体層の空間となるべき部分の全部または一
部をポリマーで充填する方法がある。例えば、スケルト
ン構造の配線構成は、第４図（ａ）に示すように、ベー
ス基板４１上のビアホール層４２→Ｘ層４３→ビアホー
ル層４４→Ｙ層４５→ビアホール層４６のように配線層
とビアホール層が交互になっている場合がある。そこ
で、第４図（ａ）において、Ｘ層４３とＹ層４５との間
のビアホール層４４の空間となるべき部分を、第４図
（ｂ）に示すようにＸ層４３を形成後、全面ポリマーで
充填してスペーサ４７を形成する。なお、Ｙ層へつなぐ
ビアホールは、スペーサポリマーをレーザで溝加工して
穴を設け、その穴に導体をめっきで充填してつくる。ま
たは、第４図（ｃ）に示すように、部分的にポリマーで
充填してスペーサ４７とする。

【００３８】ポリマーによる充填は、網状または格子状
とすることも可能である。この場合のスペーサとなるポ
リマーは、レジストの除去に用いる特定溶剤や、下地金
属層の除去に用いる特定エッチング液に侵されないもの
である。感光性ポリマー例えば感光性ポリイミド、不溶
性耐熱ポリマー例えば通常のポリイミドやシクロブテン
環をもつ耐熱ポリマー、シアン酸エステル基を含む耐熱
レジンなどが適切である。この結果、レジストや下地金
属が一括除去される際に、スペーサとなるポリマーは残
り、Ｘ層とＹ層がこのポリマーで固定されることにな
る。

【００３９】なお、スペーサを網状または格子状に形成
するには、例えば、ホトリソグラフィ、レーザ加工、ド
ライエッチングなどで行うことができる。

【００４０】なお、上記はＸ層とＹ層の中間のビアホー
ル層にスペーサを形成する場合を述べたが、スペーサを
形成する層はこれに限らず、いずれの配線層にスペーサ
を設けてもよい。

【００４１】また、上記の方法において、スペーサとな
るポリマー層の形成を、予めビアホール加工を施した下
地金属膜付きの耐熱ポリマーフィルムを用いて能率的に
行うことができる。また、ポリマーフィルムの代わりに
セラミックスやガラス膜などの無機絶縁膜を下地金属膜
に接着して使うこともできる。

【００４２】さらにまた、薄膜プロセスにおいて、めっ
きにより配線導体を形成すると同時に、配線材料とは異
なる金属でスペーサの形成を行うことも可能である。こ
の場合、スペーサを配線と絶縁する必要がある。その目
的のためＣＶＤ法などによりスペーサに絶縁処理を行う
ことが可能である。

【００４３】また別の方法として、めっきによる配線導
体の形成の時と同時に、ベース基板の四辺にめっきで壁
（柱でもよい）を設け、配線の末端部分あるいは配線の
途中からアンテナのごとき導体をのばして、この壁に接
続し、後に、行う配線群の固定後に壁を取り除くと共
に、別途このアンテナ用の導体をその根元ののところで
レーザなどにより切断して取り外すなどの方法もある。

【００４４】さらにまた、薄膜プロセスを用いて、スペ
ーサとビアホール形成用穴を耐熱ポリマーで形成し、そ
れ以外の部分はめっきで埋める方法がある。たとえば、
第５図（ａ）に示すように、ベース基板５１上にＣｒ／
Ｃｕ／Ｃｒスパッタの下地金属層５２を形成し、その上
に感光性ポリイミドの層５３を形成し、第５図（ｂ）の
ように、露光し、次に、第５図（ｃ）に示すように現像
して、ビアホール形成用の部分５４とスペーサ５５を形
成する。次に、第５図（ｄ）に示すように、配線導体と
選択的にエッチング可能な金属５６をめっきする。次い
で第５図（ｅ）に示すように、ドライエッチング耐性の
あるマスク５７でマスキングを行い、ビアホール成形用
の部分５４の上のみを露光，現像してドライ耐性マスク
を形成する。次に、第５図（ｆ）に示すように、ドライ
エッチングにより、ビアホール形成用の穴５８を作る。
次に第５図（ｇ）に示すように、マスク剥離の後ビアホ
ール用穴５８に、配線に用いる導体５９を充填する。

【００４５】ここで、導体５９として銅を用いるとき
は、これと選択的にエッチング可能な金属５６として
は、例えば、亜鉛を用いることができる。この亜鉛は、
後にエッチング液で溶解除去して、スケルトン構造が姿
を現した段階では、空間を形成する。

【００４６】第５図では、感光性ポリイミドを用いてい
るが、非感光性の耐熱ポリマー例えばポリイミドフィル
ムを貼りつけてドライエッチング、あるいはレーザによ
る微細加工でスペーサポリマーとビアホール部分のポリ
マーを作ったり、あるいはビアホール穴加工を行うこと
もできる。また、平坦性にすぐれたホトレジストを用い
て、スペーサを耐熱ポリマーで作製したのちに、その他
の溝をホトレジストで埋めて、そのホトレジストにホト
リソグラフィ加工でビアホール穴を形成するプロセスを
採用することもできる。

【００４７】以上に、スペーサの形成方法を種々述べた
が、これらの単独または併用に限らず、スケルトンを保
持できれば他の方法を採ることを妨げない。

【００４８】以上述べた方法のなかで、特定の溶剤ある
いは特定のエッチング液という表現を用いる場合があっ
たのは、レジストや下地金属に対応した溶剤あるいはエ
ッチング液という意味であり、その材質に応じてそれら
を溶解するものであり、それ以外の特別の限定を加える
ものではない。たとえば、前述の薄膜プロセスを用いて
スペーサを一括形成する方法において、Ｘ層とＹ層との
間のビアホール層をポリマーで充填する場合には、その
ポリマーは、上記溶剤やエッチング液のいずれにも侵さ
れるものであってはならない。その意味で、特定の溶
剤、特定エッチング液は対応するレジストや下地金属を
選択的に溶解するものである。

【００４９】本発明は、単なるプロセスの簡略化とそれ
に必然的に伴う信頼性、歩留りの向上だけでなく、機能
性の向上にも大きな成果を与えるものである。その例を
以下に示す。

【００５０】ベース基板上に、特定エッチング液に可溶
性の下地金属層を電気めっき電極あるいは無電解めっき
の下地膜として形成し、その上に配線導体のパターン形
状に穴あけ加工された特定溶剤に可溶性のめっきレジス
ト層を設け、溝の内部にめっきにより配線導体を充填す
る。この操作をｎ回繰り返して多層化を行うが、その過
程の中間に、或いは最上かその近くに、特定溶剤に不溶
性の絶縁材からなる配線層を設ける。ここで、この絶縁
材からなる配線層は、コンデンサやＣrＳiＯx、TaＳiＯx
などからなる抵抗素子を搭載あるいは内蔵するものであ
る。上記絶縁材からなる配線層の形成前後で、めっきレ
ジストならびに下地金属を溶解除去して、スケルトン構
造の多層配線を作製し、このスケルトン構造の空間に無
溶剤型ワニスを充填するか溶剤型ワニスを含浸被覆ある
いは両者を併用する。

【００５１】本発明方法の大きな特徴として、ベース基
板上だけでなく、多層配線基板上部表面かその近く、ま
たは、中間位置に上述の如くして自由に機能素材を内蔵
させることができる。

【００５２】また、本発明において、配線やビアホール
等を形成するための穴あけ加工は、ホトリソグラフィ、
レーザ加工、ウェツトエッチング、ドライエッチングな
どで行うことができる。さらに、穴あけ加工を行わず
に、めっきレジスト、スペーサなどのパターンは高精度
印刷技術で形成すること、あるいはパターンを作るため
のマスクを印刷で形成し、穴あけは上記の方法で行うこ
ともできる。

【００５３】

【作用】下地金属層とめっきレジストとめっきを用いレ
ジスト除去と下地金属除去ならびに絶縁ポリマー被覆と
研削を各層毎に行う従来の多層配線基板の逐次製造を特
徴とするペディスタル方法に比べて、本発明方法は、レ
ジストの一括除去、下地金属の一括除去、それに次いで
の絶縁ワニスの一括注型処理または絶縁材の一括被覆処
理もしくは両処理の併用により、工程数の大幅減少や絶
縁ポリマーの研削研磨工程の排除により、プロセスの簡
略化を達成する。また、そればかりでなく、無溶剤型ワ
ニスの使用による欠陥ボイドの低減や異物発生工程を排
除したことにより、異物による配線間のショート、配線
のオープンなど発生が抑えられて、歩留り向上、また、
配線寿命の安定化に大きく寄与するものである。

【００５４】さらに、無溶剤型耐熱ワニスの使用によ
り、ベース基板の平坦化も容易に行うことができる。

【００５５】また、製造工程で、スケルトン構造の配線
を形成することは、配線が露出しているので水洗の強化
が容易にでき、めっき液の残留も生じない。

【００５６】さらにまた、ベース基板上だけでなく、多
層配線基板上部表面かその近く、または中間位置に自由
に機能素材を内蔵させることができる。特に上下基板を
無溶剤型ワニスの充填で同時に接着固定化できる。その
ため、オフラインで上部または中間基板を作製すること
を可能とし、工程数短縮、歩留り向上に関して、極めて
効果が大きい。それに加えて、コンデンサ、抵抗素子の
内蔵は、外部に機能素子を設ける場合に比べて、実装密
度ひいては信号伝播速度の向上に著しく寄与するもので
ある。

【００５７】

【実施例１】図１に示す工程によって多層配線基板を製
造した。図１（ａ）に示すように、ベース基板１上に厚
さ0.5〜0.8μｍのＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの重ねスパッタ薄膜
からなる下地金属層２を形成し、ホトレジストによる溝
加工後に、ビアホール導体部分の真下に位置するＣｒは
エッチングにより除去して銅を露呈させた。次に図１
（ｂ）に示すように厚膜レジスト（厚さ２２μｍ）３と
して、例えば、フェノールノボラック型のポジレジスト
をスピンコートで塗布し、溶剤を乾燥揮散させたのちプ
レキュアし、ホトリソグラフィによりマスク露光、現
像、定着を行い、所望のビアホール配置パターンに従っ
て、穴あけ加工を行った。次に、図１（ｃ）に示すよう
に、穴４の底部に露呈させた下地金属層の銅の上部に選
択的に硫酸銅水溶液を用いて電気めっきを行い、厚膜レ
ジスト３とほぼ同じ高さの銅導体５をビアホール用とし
て形成した。

【００５８】なお、以上の工程では、ビアホール層の形
成を含む場合の工程を示しているが、配線導体層を形成
する場合もパターンが相違するほか、ほぼ同様に行われ
る。

【００５９】ここまでの下地金属層の形成から電気銅め
っきに至る工程を１サイクルとし、以後、ビアホール導
体と配線導体とが交互になるようにして、図１（ｄ）に
示す段階において、ｎ＝３０すなわち３０層の多層構造
を形成した。

【００６０】最後に、最上層のビアホール層１２の表面
に網状のＣｕ／Ｃｒ／Ｎｉのスパッタ膜を支持層１３と
して設け、さらに0.5mmのＮｉ板からなる固定板１４を
補強のためにハンダで接続した。

【００６１】しかる後、厚膜レジストは、例えば、炭酸
ナトリウム、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶液を用いて
溶剤により一括除去し、続いて、下地Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
のスパッタ膜を、例えば、硝酸第２セリウムアンモニウ
ム等を用いて一括エッチング除去して、図１（ｆ）に示
す段階において、スケルトン構造の３０段の銅配線を形
成した。

【００６２】次いで、このスケルトン銅配線を純水で十
分洗浄後、乾燥により水分を除去し、ＲＴＶゴムで作っ
た箱状の容器に前記のスケルトン銅配線を入れ、真空下
で加熱注入によりシクロブテン環をもつ耐熱無溶剤型ワ
ニス（例えば、１・２−ジベンゾシクロブテニルエテン
等）１６を流し込み、最終２５０℃を越える温度で硬化
処理を行い、誘電率の低い（ε＝2.6）ボイドレスモジ
ュール基板を得た。その後に、ハンダを加熱除去して最
上部のＮｉ固定板１４を外した。

【００６３】

【実施例２】実施例１と同様にしてスケルトン銅配線を
形成し、ＲＴＶゴムで作った箱状容器に入れた。次に、
このスケルトン銅配線を溶剤型フッ素系ワニス、例え
ば、エマルジョン型ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ等で含浸
し、銅の表面に厚さ３μｍの被覆を形成した。その上か
ら真空下で加熱注入により、実施例１で用いたのと同じ
シクロブテン環をもつ耐熱無溶剤型ワニスを流し込み、
最終２５０℃を越える温度で硬化処理を行い、一段と低
誘電率化した（ε＝2.4）ボイドレスモジュール基板を
得た。

【００６４】

【実施例３】実施例１と同様にしてスケルトン銅配線を
形成した。次に銅配線用にたわみを生じないように、図
２（ｄ）に示すように、位置固定のための絶縁スペーサ
３３を差し込んだ。絶縁スペーサ３３を差し込んだスケ
ルトン銅配線をＲＴＶゴムで作った箱状容器に入れ、ポ
リイミドワニスで含浸して銅配線に厚さ３μｍのエナメ
ル被覆を形成し、耐熱無溶剤型ワニスを充填することな
く、モジュール基板を得た。

【００６５】なお、スペーサ３３は、図３（ａ）に示す
ように、ホトリソグラフィ技術により必要な層ごとに形
成した。なお、別途設けたスペーサ３３をレジストを除
去した空間に物理的に挿入してもよい。

【００６６】

【実施例４】実施例１における製造方法において、下地
金属層とホトレジスト層を個々に形成する代わりに、ス
ルーホール導体または配線導体のパターン形状に穴あけ
加工された下地金属膜付きの粘着性もしくは接着性ポリ
マーフィルムを使用した。

【００６７】このフィルムの穴あけ加工は、感光性ポリ
イミドなど感光性耐熱ポリマーの露光、現像によるか、
非感光性耐熱ポリマーに対しては下地金属層をマスクと
するレーザ露光、ドライエッチングなどの手段によって
行う。上記の下地金属膜付きポリマーフィルムの作製
は、多層化工程とは別にオフラインで行うことができる
ので、多層化工程の中のこれらに要する時間を省くこと
ができる。

【００６８】予め、蒸着、スパッタリング、イオンビー
ムなどの手段で下地金属層Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒを接着形成
させたベース基板上に、その接続用端子の位置と上記ポ
リマーフィルムのビアホールの位置を整合させて、該ポ
リマーフィルムを接着させたのち、ビアホールの底部に
見えるＣｒをエッチング除去して銅を露呈させ、その上
に電気銅めっきを行い、ビアホール中に銅を充填させ、
ビアホール導体層を形成した。

【００６９】次いで、上記ビアホール導体層の形成方法
に準拠して、配線導体層を形成した。以後、これらのサ
イクルを交互に繰り返し、下地金属層とポリマー層を包
含する多層配線基板を作製した。

【００７０】しかる後、まずポリマーフィルム層を溶剤
で溶解除去し、次いで下地金属層をエッチングで除去
し、スケルトン構造の多段配線を作製した。

【００７１】次に、実施例１と同様にして、スケルトン
の空間に耐熱無溶剤型ワニスを充填して、ボイドレスモ
ジュール基板を得た。

【００７２】

【実施例５】図６に示す工程によって、スペーサを有す
るスケルトン構造の多層配線を作製した。図６（ａ）に
示すように、ベース基板上６１にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの重
ねスパッタ薄膜からなる下地金属層６２を形成し、その
上に第１ポリマー層として感光性ポリイミド６３をスピ
ナー塗布し、図６（ｂ）に示すように、スペーサ６４の
部分のみを露光した。次に図６（ｃ）に示すように、ビ
アホール部分の穴６５をレーザ穴あけし、この穴６５に
銅を充填して第６図（ｄ）に示すように、ビアホール導
体６６を形成した。

【００７３】次いで図６（ｅ）に示すように、次の層の
下地金属層６７を形成し、その上に図６（ｆ）に示すよ
うに第２ポリマー層として感光性ポリイミド６３を塗布
し、図６（ｇ）に示すように、Ｘ層部分の溝６９のレー
ザ穴あけを行い、図６（ｈ）に示すように、溝６９に銅
を充填してＸ層配線導体６８を形成した。

【００７４】しかる後、図６（ｉ）に示すように、感光
性ポリイミドを溶剤で除去し、次いで図６（ｊ）に示す
ように、下地金属をエッチング除去して、スケルトン構
造の２層の配線を形成した。

【００７５】次に実施例１と準拠して、箱状容器に入れ
て、耐熱無溶剤型ワニス充填を行いモジュール基板を作
成した。

【００７６】

【実施例６】セラミック多層配線基板上に厚さ0.5μｍ
のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの重ねスパッタ薄膜からなる下地金
属膜層を電気めっきの電極として形成する。次に、ビア
ホール導体部分の真下に位置するＣｒはエッチングによ
り除去して銅を露呈させる。次に、可溶型耐熱ポリイミ
ドワニスワニスをスピナーにより塗布し、加熱して溶剤
を乾燥揮散させたのち、Ａｌマスクをスパッタリングと
ホトリソグラフィで形成し、ドライエッチングにより穴
あけ加工を行う。次に、穴の底部に露呈させた下地金属
膜の銅の上部に、選択的に硫酸銅水溶液を用いて電気め
っきを行い、可溶型耐熱ポリイミドとほぼ同じ厚さに銅
を充填した。

【００７７】これ迄の工程を１サイクルとし、ビアホー
ル導体と配線導体とが交互にくるように３０層の多層化
を行う。

【００７８】最後に、最上層の配線層の上にＣｒ／Ｃｕ
／Ｃｒ／Ｎｉの重ねスパッタ膜を設ける。その上部に、
耐熱無溶剤型ワニスを厚さ２〜３μｍに塗布し、あらか
じめビアホール用の貫通孔と、リング状のＣrＳiＯ₂薄
膜抵抗素子を設けた厚さ３０μｍのセラミックス板を搭
載し、加熱接着して固定化した。ビアホール用の貫通孔
には、その底部の耐熱無溶剤型ワニスの硬化膜を、ドラ
イエッチングにより除去して、めっきレジストを施した
上で、電気めっきにより銅を充填する。次に、上部めっ
きレジストを除去し、薄いＣｒバリヤ層を介してＡｌ電
極をＣrＳiＯ₂とＣｕとを接続するように設ける。しか
るのち、上記の方法に準拠して、ビアホール層を上部に
設け、かつ、ＬＳＩを搭載するための端子を設ける。

【００７９】次に、上記３０層の多層配線中のレジスト
層と下地金属膜層を除去してスケルトン配線とした後、
このスケルトンの空間に、実施例１で用いたのと同じ耐
熱無溶剤型ワニスを充填し、機能素子を内蔵したモジュ
ール基板を得た。

【００８０】

【実施例７】ベース基板上にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなる
厚さ0.8μｍの導電膜を設ける。その上にホトレジスト
を厚さ２５μｍ塗布する。マスク露光、現像によってＸ
層配線パターン形状に穴あけ加工し、その底部分のＣｒ
はエッチングで除去する。次いで電気めっきにより穴の
内部に銅を充填する。次に、めっき電極としてはＸ層配
線の下地導電膜をそのまま用い、すなわちＸ層配線上に
は導電膜を設けず、Ｘ層配線の上にホトレジストを厚さ
２５μｍ塗布する。マスク露光，現像によって、Ｙ層配
線パターンに通じるビアホールの形状に穴あけ加工す
る。電気めっきによって、この穴の内部に銅を充填す
る。しかるのち、有機溶剤によりホトレジストを一括除
去し、次いでエッチング液でめっき電極の導電膜を一括
除去する。最後に、スケルトン構造の配線をよく洗浄し
た後に、シクロブテン環をもつ無溶剤型耐熱ワニスを減
圧下で流し込み充填、硬化する。このワニスは平坦性に
すぐれているため、多層基板上の凹凸は殆んど生じな
い。表面をドライエッチングしてビアホール導体を露出
させる。

【００８１】以上の操作によって、最初のＸ層配線とビ
アホールの形成を完了する。以下同じ操作を繰り返して
Ｙ層配線、ビアホール、ならびにグランド層、ビアホー
ル層を順次形成して、多層化し、さらにこのサイクルを
２回繰り返して信号層２組の多層配線基板を作製した。

【００８２】

【実施例８】実施例７に準拠して、導電膜と穴あけ加工
したホトレジストを用いて電気めっきによりビアホール
→Ｘ層配線→ビアホール→Ｙ層配線→ビアホール→グラ
ンド層（この層はメッシュ状で、かつ層内には、グラン
ドとはポリマーを隔てた絶縁した形で存在するビアーホ
ールを含む）まで逐次的に多層化する。次に、グランド
層上の全面にめっき電極Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ層を厚さ0.8
μｍで形成する。その上層にホトレジストを厚さ２５μ
ｍに塗布する。マスク露光後現像して、ビアーホール導
体上に横切った形で配線溝を穴あけする。この溝の内部
に電気めっきによって厚さ２５μｍの銅を充填する。最
後に設けた配線は、ビアーホール以下の配線をグランド
層で固定するために設けたものある。また、後刻これは
エッチングして除去するので、ビアホール導体の上端を
汚染から防ぐ役目も果たしている。

【００８３】一方、グランド層は、その周囲で下部のベ
ース基板から伸ばした電気めっきによって形成した支柱
によって固定されている。しかるのち、ホトレジストと
導電膜を有機溶剤とエッチング液により次々と、あるい
は交互に除去する。姿を現わしたスケルトン構造の配線
は十分に洗浄後、真空中で無溶剤型耐熱ワニスであるシ
クロブテン系化合物を注入充填して加熱硬化させる。上
記プロセス完了後、グランド上の固定配線をエッチング
液で除去してビアホール導体を露呈させる。

【００８４】以上のプロセスを１サイクルとし、必要な
らば繰り返して多層化することができる。従来の逐次多
層基板の製造法でここまで３６０の時間かかるのに対し
て約７２時間ですむ。

【００８５】以上で使用したシクロブテン系無溶剤型ワ
ニスでは、重合に際して、反応副生物である水やガスな
どの発生や溶剤の残存によるボイドの発生がみられな
い。また、溶剤型ワニスの場合には塗布後溶剤を揮散さ
せなければならないため厚く塗るためには何回も分けて
塗布しなければならないが、無溶剤型ワニスでは、いく
ら厚くても１回の注入ですむ。

【００８６】また、溶剤型ワニスの場合には、上方の基
板と下方の基板とを同時接着できないが、無溶剤型の場
合にはこれができる。さらに、無用剤型ワニスの場合に
は、ベース基板の表面欠陥ボイドを同時に埋めつくすこ
とができる。このことは、溶剤型ワニスによる逐次多層
配線基板でみられるベース基板の表面欠陥ボイドにもと
づく薄膜部の貫通ピンホールや層内ボイドによる配線シ
ョート、オープン不良の発生が皆無となることを意味し
ている。

【００８７】

【実施例９】図５の工程に従って薄膜プロセスでスペー
サを形成した。ベース基板５１にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒから
なる厚さ0.8μｍの導電膜５２を設ける。その上に、感
光性ポリイミド５３を、硬化後で厚さが２０μｍになる
ように塗布する。マスク露光後現像し、さらに、ポスト
キュアして、ビアホールのところにその穴径より数μｍ
大きい円柱５４を形成すると同時に、Ｘ層配線を支える
スペーサ５５をビアホールの位置とオーバーラップしな
い位置にパターン状に形成する。スペーサ５５とビアホ
ール形成用円柱５４以外の部分は、電気めっきでＺｎ膜
を厚さ２０μｍに形成する。その上にドライエッチング
耐性のあるレジストを塗布し、マスク露光現像によって
ビアホール形成用マスクを形成する。このマスクを用い
て、先にビアホール形成用として形成した円柱５４の部
分をドライエッチングで穴あけ加工し、次に、形成され
た穴５８に電気めっきでＣｕ５９を充填する。

【００８８】しかるのち、この上層にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
層を設け、以下、上記に準拠してＸ層配線を形成する。
以下、実施例８に準拠して、ビアホール→Ｙ層配線→ビ
アホール→グランド層→固定板層の順に多層化し、次い
で、ホストレジスト，導電膜、Ｚｎ膜を溶剤およびエッ
チング液により除去し、スケルトン構造の配線を形成す
る。次に、無溶剤型ワニスを充填するか溶剤型ワニスで
処理した後、さらに無溶剤型ワニスをで充填し、加熱硬
化させることによって、モジュール基板を得た、

【００８９】

【実施例１０】 図７（ａ）に示すように、ベース基板７１の端子７２を
テープ研磨によって平坦化する。次に、ベース基板７１
表面上の欠陥ボイド７３を埋めるため、図７（ｂ）に示
すように、ベンゾンシクロブテンポリマー７０をスピナ
ー処理によって塗布し、表面層７４を形成した後、図７
（ｃ）に示すように、ドライエッチングによって端子７
２を露呈させるとともに、平坦な基板表面層７４を形成
する。スピナー処理を減圧下で行うことによって、従来
の溶剤型ワニス、例えばポリイミドワニスなどでは無理
のある、表面欠陥ボイドを皆無とすることができる。ま
た、ベース基板の全面が平坦化できるのは、無溶剤型ワ
ニスの平坦性が抜群にすぐれているためである。

【００９０】このベース基板７１を用いて図８に示す工
程でスケルトン配線を形成した。

【００９１】 図８（ａ）に示すように、ベース基板７１上に、厚さ0.
5μｍのＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの重ねスパッタ膜の下地導電
膜７５を形成し、図８（ｂ）に示すように、その上にホ
トレジスト７６をスピナー処理により塗布した。次い
で、図８（ｃ）に示すように、露光、現像によりＸ層配
線用穴として溝７７を形成し、図８（ｄ）に示すように
溝７７内に電気めっきにより銅を充填し、Ｘ層配線用の
導体７８を形成した。

【００９２】次に、図８（ｅ）に示すように、ホストレ
ジスト７６を塗布し、露光，現像により、図８(ｆ）に
示すようにビアホール用の穴７９を形成し、次いで図８
(ｇ）に示すように、前記Ｘ層配線用の導体７８をめっ
きの電極として、穴７９内に銅を充填し、ビアホール用
の導体８０を形成した。

【００９３】上記の方法に準拠して、図８（ｈ）に示す
ように、Ｘ層配線層８１→ビアホール層８２→Ｙ層配線
層８３→ビアホール層８４→グランド層（ビアホールを
含む）８５→ビアホール層８６の順に多層化し、最上層
の上に実施例１と準拠して固定板８７を取り付けた。次
に、特定溶剤によるホトレジストの一括的溶剤除去，特
定エッチング液による導電膜の一括的溶解除去を続けて
行い、図８（ｉ）に示すようなスケルトン構造の配線を
形成した。

【００９４】しかるのち、フッ素ポリマーワニス含浸処
理と乾燥硬化を行いスケルトン導体上に被覆を形成す
る。次に、ベンゾシクロブテンポリマーが無溶剤型ワニ
スになりうる化学構造上の選択を行い、減圧化で注入充
填し、２５０℃を越える温度で硬化する。上記ポリマー
処理を施すのに対して、固定板を上方の型として、ベー
ス基板を下方の型として、その間に存在するスケルトン
構造の配線が対象となる。

【００９５】フッ素ポリマーワニスによる前段の処理
は、誘電率2.2のすぐれた性質を活用するためである。
また、ベンゾシクロブテンポリマーは、誘電率は通常の
ポリマーより低い2.7であり、その観点から選択された
ものであると同時に、ボイドレスの無溶剤ポリマーたる
化学構造をとりうるためである。

【００９６】多層配線基板においては、その形成工程が
あまりにも多いため量産性が著しく劣ることが隘路であ
った。本実施例は、この問題に対し、基板平坦化プロセ
ス以外では工程数の多いドライエッチングは極力排除
し、ホドレジストと導電膜の一括除去、ポリマーの一括
含浸、注型充填によって従来ペデスタル法の１／３以下
の工程ですますことができる。また、固定板は最終的に
エッチング除去して、引続き同じプロセスを繰り返して
１セットずつ多層化していくことができる。あるいは、
１セットずつ別々に形成し、後刻それぞれを金ゲルマニ
ウムなどのろう材を用いて接続して、１セット以上の多
層配線基板を作製することができる。

【００９７】

【実施例１１】スケルトン構造の配線が細かくなってく
ると、空間に存在する配線がたわんで位置精度が狂って
くる場合がある。このようなケースで問題となるのは、
線幅にくらべて線長が著しく長いＸ層またはＹ層の渡り
配線である。そのような場合には、Ｘ層またはＹ層の配
線は、その下方の絶縁膜で固定する形にすることがよい
方法である。下方の絶縁層にはビアホールが含まれてい
て、Ｘ層配線とその末端で接続している。

【００９８】そこで、信号配線を１組形成するに当って
は、ベース基板上にＸ層配線をまず形成し、次いで、そ
の上にビアホールを形成し、この段階で、既に詳述した
如く、ホトレジストと下地金属層を構成する導電膜とを
溶解除去し、その後で無溶剤型耐熱ワニスを減圧下で注
入し、加熱硬化して配線の全体を固定する。無溶剤型耐
熱ワニスは、低粘性で平坦化にすぐれているので、この
段階で樹脂モールドしても、上面の凹凸は非常に少な
い。また、全体をドライエッチングすることによってビ
アホール導体を露呈し、次のＹ層以下の配線形成プロセ
スに操作をつなぐことができる。

【００９９】このとき、ビアホールの上層にさらに天板
を設けてもよい。天板は、無溶剤型耐熱ワニスの充填に
際して、上方の金型の如き役目を果たし、無溶剤型耐熱
ワニスの上表面を平坦となすとともに、その高さ位置が
ビアホールと天板との境界を超えないようにする役目も
果たす。後に、天板をウェトエッチングで除けば、露呈
されたビアホールが現われることになる。天板がメッシ
ュ状または格子状のときは、その目の部分に無溶剤型耐
熱ワニスが埋まっているため、硬化後、天板をマスクと
して、目の部分内の無溶剤型耐熱ワニスをドライエッチ
ングで除くことが必要となる。

【０１００】いずれにしても、以上のプロセスによっ
て、ベース基板上にＸ層とビアホールを逐次的にではあ
るが連続して作製し、ホトレジストと導電膜は、一括的
に溶解除去し、かつ、無溶剤型耐熱ワニスを２層分一度
に充填し硬化させることができる。

【０１０１】本実施例では、真空含浸のため、ボイドレ
スである。また、数１０μｍの肉厚を実現するには、溶
剤型ワニスの場合には、何回にも分けて塗布しなければ
ならないが、無溶剤型の場合は、縮合水の如き副生物の
発生がなく、かつ、溶剤を揮散させる必要がないので、
どんな肉厚でも１回で充填し硬化可能である。また、シ
クロブテン系無溶剤型ワニスを使用するので、配線材料
がＣｕの如きものでも不活性であり、Ｃｕの表面を保護
しなくてもすむ。

【０１０２】次に、Ｙ層→ビアホール→グランド層（ビ
アホールも存在する）→ビアホールと形成するか、さら
に、この上に天板を設けることは、上記に準ずる。グラ
ンド層や天板は、ベース基板から伸ばした円柱あるいは
角柱によって支持固定される。

【０１０３】この円柱や角柱は、ビアホールと同様に形
成することができる。ホトレジストと導電膜の除去後、
無溶剤型耐熱ワニスを注型し加熱硬化することは、上記
の通りである。

【０１０４】このように、Ｘ層→ビアホールの２層形成
とＹ層→ビアホール→グランド層（ビアホールも含む）
→ビアホールの４層形成を交互に繰り返せば、信号層を
繰り返し積み重ねていくことができる。このように、ス
ケルトン構造でブラブラした渡り配線をなくすことがで
き、かつ工程数を、従来のペデスタル法の１／３以下に
する効果がある。

【０１０５】

【実施例１２】多層配線基板中に薄膜抵抗素子を内蔵す
ると、実装密度向上に大きな効果がある。しかし、多数
の抵抗素子を内蔵しなければならず、必要とされるすべ
ての抵抗値を仕様値の範囲内にそろえることが内蔵後で
は難しい。そこで薄膜多層基板の多層化製造プロセスと
は異なる別のラインで抵抗素子をあらかじめ形成し、こ
れを、多層配線基板に実装することが好ましい。

【０１０６】これに用いる抵抗素子は、高温熱処理を行
って、抵抗値アニールをすませておく。これにより、実
装後に、多層配線基板について、その多層化工程とは別
の工程で熱処理を行なうことになるので、多層化工程で
の抵抗値変化を生ずることが抑えられる。また、実装の
仕方に応じて、電極をつけたり、ビアホール穴を形成し
たり、拡大層、配線層もあらかじめ形成しておく。

【０１０７】図１０に、このような内蔵用の薄膜抵抗素
子の構成の一例を示す。

【０１０８】同図に示す薄膜抵抗素子は、ビアホール用
貫通孔１０２を形成したベース基板１０１に、貫通孔１
０２を中心として、リング状の抵抗薄膜１０３を設け、
この抵抗薄膜１０３のリング内周に、貫通孔１０２を通
して素子外部と接続するための電極１０４を設け、外周
に、これと対向する電極１０５を設けて構成される。な
お、電極は、多層配線基板に実装後の多層化プロセスに
おいて設けてもよい。

【０１０９】抵抗薄膜１０３の抵抗値の制御は、基板間
のバラツキ低減のためには、電極間寸法の加減，酸化還
元制御などによって行い、基板内のバラツキ低減の場合
は、レーザトリミングなどで行う。

【０１１０】貫通孔１０２の形成は、レーザ穴あけやホ
トリソグラフィとウェットあるいはドライエッチングな
どで行う。

【０１１１】上記素子を搭載するベース基板１０１とし
ては、可及的に薄い無機膜、例えばセラミックス、ガラ
スあるいは有機膜、例えばポリイミドフィルムなどが用
いられる。補強のために後刻エッチアウトできるＺｎ、
Ｎｉ、Ａｌなどの金属板上に形成した無機膜あるいは有
機膜を用いることもできる。

【０１１２】

【実施例１３】以上のようにして作製した抵抗素子板を
搭載する方法としては、スケルトン構造の配線上、
最上層のホトレジスト上に導電膜を形成して、そのうえ
に粘着材または接着材つきの抵抗素子基板をもってく
る、無溶剤型耐熱ワニスを加熱硬化した状態の多層配
線基板（ただし端子は露呈）上にもってくる方法などが
ある。

【０１１３】図１０に、薄膜抵抗素子を多層配線基板に
搭載する本実施例の態様を示す。まず、多層配線基板の
薄膜抵抗素子がその上に搭載される層２００に、レジス
ト２０３を用いてパターンを設定し、電気メッキ等によ
り、導体、例えば銅を成長させて、ビアホール２０１を
設ける。さらに、このビアホール２０１上に、例えば、
スパッタリングにより、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜を形成し
て、パッド２０２をビアホール２０１と電気的に接続し
た状態で設ける。このパッド２０２は、ビアホール２０
１と抵抗素子の貫通孔１０２との位置整合の誤差を吸収
して、電気的に確実に接続するためのものである。従っ
て、ビアホール２０１および／または貫通孔１０２の径
を大きく形成する場合には、省略することができる。

【０１１４】次に、抵抗素子を、上記パッド２０２と貫
通孔１０２とを位置整合させて多層配線基板の搭載層２
００の上面に、例えば接着剤２０４を用いて固着する。
この後、ドライエッチングにより、貫通孔１０２内をエ
ッチングして、底部にある接着剤等の有機物を除去する
と共に、パッド２０２のＣｒをエッチング除去してＣｕ
を露出させて、Ｃｕを該貫通孔１０２内に充填して、ビ
アホール２０５を形成する。このビアホール２０５によ
り、抵抗素子の電極１０４と多層配線基板のビアホール
２０１とが接続される。

【０１１５】なお、他の電極１０５は、ベース基板１０
１上に共通電極として図示しない配線を設け、この配線
を、上記の電極と同様に、貫通孔を介して下部の多層基
板のビアホールと接続するか、この共通電極上にビアホ
ールを形成して上部の配線層と接続する。

【０１１６】また、この抵抗素子層には、図示していな
いが、抵抗素子とは接続されないビアホールが設けられ
る。このビアホールは、上記した共通電極とは絶縁され
る。上述した例では、電極１０４および１０５が予め設
けてあるが、ビアホール２０５を設けた後に、これらを
設けてもよい。また、貫通孔１０２がある程度径が大き
くでき、また、壁面を傾斜させることができる場合に
は、導体をめっきせず、スパッタリングで形成する電極
１０４の一端をパッド２０２に直接接触させて形成する
ことにより接続を行ってもよい。

【０１１７】また、上記の例では、抵抗素子の設けてあ
る側を上面としているが、抵抗素子面を下面側として搭
載してもよい。

【０１１８】さらに、この抵抗素子は、ベース基板のす
ぐ上、多層に形成される配線層の間、拡大層、最上層等
に、適宜搭載することができる。抵抗素子の上面に、抵
抗素子を製造する際に、拡大層等の配線層を併せて設け
てもよい。

【０１１９】抵抗素子を搭載する工程は、上記したスケ
ルトン構造を形成するために各層を順次形成している中
で行うことができる。なお、この抵抗素子を適宜層状に
配置することにより、スケルトン構造を設ける際の、補
強板として機能させることができる。

【０１２０】また、抵抗素子は、スケルトン構造の中
間、あるいは最上層に搭載されるときは、耐熱無溶剤型
ワニスを充填硬化した後でもよい。この場合でも、耐熱
無溶剤型ワニスは、平坦性に優れているめた、電極の接
続が容易である。

【０１２１】なお、上述した抵抗素子は、スケルトン構
造の多層配線基板に搭載することに好適であるが、これ
に限らず、従来の溶剤型ワニスを用いた逐次多層化法に
よる多層配線基板にも搭載することができる。この場
合、上述した実装手法を適用することができる。

【０１２２】また、搭載できる素子は、抵抗に限らず、
コンデンサ等の各種回路素子が可能である。

【０１２３】次に、上述した本発明の各種実施例に関す
る工程数短縮効果について述べる。従来の溶剤型ワニス
を用いた逐次多層化法でｎ層の基板を作る場合、レジス
ト塗布、露光、現像、定着などを行った穴あけ加工され
たレジスト層形成がｎ回、その除去がｎ回、下地導電膜
の形成がｎ／２回、その除去も同じくｎ／２回、溶剤型
ワニス塗布ｎ回、研削、研磨による平坦化にｎ回と、合
計５ｎ回を要する。これに対して、本発明では、穴あけ
加工されたレジスト層形成がｎ回、その除去が１回、下
地導電膜の形成がｎ／２回、その除去が１回、無溶剤型
ワニスの充填１回、研削、研磨無しで、合計（３／２ｎ
＋２）回である。

【０１２４】３０層の層数を積み上げるとすると、従来
法で１５０回、本発明法で４７回となり、工程数は、お
およそ見積もって１／３に短縮される。

【０１２５】前記したように、本発明のプロセスではボ
イドレス絶縁が容易であり、研削、研磨工程を含まない
ので欠陥の原因となる異物発生を防いでいる。

【０１２６】また、上記の信頼性、製造歩留り向上の他
に、セラミックスなどからなる無機絶縁基板を上層、あ
るいは中間層として設置可能であり、ＬＳＩとの熱膨張
係数の整合による接続信頼性向上、あるいは薄膜抵抗や
コンデンサなどの回路素子を内蔵化可能なので機能性と
実装密度を飛躍的に向上できる効果がある。これらの諸
効果を生むもととなるのは、本発明による基板形成方式
と無溶剤型耐熱ポリマー材料のそれぞれの進歩と相乗的
な作用効果とによるものである。

【０１２７】

【実施例１４】 （モジュールの作成） 図１２に作成したモジュールの概略図を示す。出来上が
った厚膜・薄膜混成基板１０６の裏面のピン付けパッド
１０８に高温半田１０９を乗せ、接続部のみを局部的に
約３５０℃に加熱してガイド穴に入れたピン１１０を接
続・固定する。次に基板表面の半導体素子実装用表面パ
ッド１０７に半田１１１を乗せ、約２５０℃に加熱して
４個のＬＳＩ１１２を電気的に接続及び固定する。更
に、ＬＳＩ裏面上に導電性・良熱伝導性の耐熱ゴム板１
１４を接着する。最後に基板表面の半田封止部に低温半
田１１３を乗せ、約２００℃に加熱してＬＳＩを空冷す
るための冷却ファン１１５を一体成型したコバール封止
キャップ１１６を接続し、封止キャップ内面が良熱伝導
性耐熱ゴムに接触するようにしてモジュールを完成す
る。

【０１２８】なお、上記モジュールのＬＳＩとしては、
論理ＬＳＩを１個，メモリーＬＳＩを３個を用いた。

【０１２９】 （計算機の作成） 上記モジュール１１７をプリント基板１１８上に１６個
搭載して、図１３に示す論理パッケージを形成した。

【０１３０】この論理パッケージに記憶パッケージ、入
出力処理パッケージを組み合わせて計算機を構成した。

【０１３１】

【発明の効果】本発明は以上説明してきた様な構成及び
製法になっているので、以下に記載した様な効果を奏す
る。即ち、モジュールとしては、 （１）モジュールの製造期間を短縮できる。これは、基
板を製造開始してから完成する迄の期間を大幅に短縮で
きるためである。

【０１３２】 （２）モジュールの製造歩留を向上できる。これは、基
板の製造工程数を従来より大幅に低減できるため、基板
の製造歩留が向上し、結果的にはモジュールの製造歩留
が向上するものである。

【０１３３】 （３）モジュールの信頼性を向上でき、更に長寿命化で
きる。これは、基板の製造工程数の低減によるためであ
る。一例として、絶縁層間の界面数は、従来の逐次に絶
縁層を形成する場合と比較して低減している。この結
果、界面での剥離、異物の混入等の信頼度の低減要因が
減少している。

【０１３４】 計算機としては、下記の効果がある。

【０１３５】 （１）計算機の製造期間を短縮できる。これは、基板を
製造開始してから完成する迄の期間を大幅に短縮できる
ためである。

【０１３６】 （２）計算機の製造歩留を向上できる。これは、基板の
製造工程数を従来より大幅に低減できるため、基板の製
造歩留が向上し、結果的には計算機の製造歩留が向上す
るものである。

【０１３７】 （３）計算機の信頼性を向上でき、更に長寿命化でき
る。これは、基板の製造工程数の低減によるためであ
る。一例として、絶縁層間の界面数は、従来の逐次に絶
縁層を形成する場合と比較して低減している。この結
果、界面での剥離、異物の混入等の信頼度の低減要因が
減少している。

【０１３８】 （４）計算機の高速化が可能となる。これ、基板製造に
使用する、絶縁材料として、信号遅延を少なくできる低
誘電率材料を適用することが、容易になるためである。
一例として、実施例に示して耐熱無溶剤ワニスであるベ
ンゾシクロブテンを含むレジンは従来ポリイミド（3.0
以上）と比較して、低誘電率（2.5）である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る多層配線基板の製造方法の一例を
示す工程図である。

【図２】本発明を実施する面積の大きい基板の一例を示
す斜視図である。

【図３】本発明に係る多層配線基板の製造方法におい
て、スペーサを設ける場合の一例を示す工程図である。

【図４】本発明に係る多層配線基板の製造方法におい
て、スペーサを設ける場合の一例を示す工程図である。

【図５】本発明に係る多層配線基板の製造方法におい
て、スペーサを設ける場合の一例を示す工程図である。

【図６】本発明に係る多層配線基板の製造方法におい
て、スペーサを設ける場合の一例を示す工程図である。

【図７】本発明に係る多層配線基板の製造方法におい
て、ベース基板を平坦化する方法を示す工程図である。

【図８】図７のベース基板を用いて多層配線基板を製造
する場合の工程図である。

【図９】従来の多層配線基板の製造方法を示す工程図で
ある。

【図１０】（ａ）は多層配線基板に内蔵させることに好
適な薄膜抵抗素子の実施例を示す断面図である。（ｂ）
は（ａ）の要部平面図である。

【図１１】薄膜抵抗素子を多層配線基板に搭載した状態
の一例を示す断面図である。

【図１２】本発明に係る厚膜・薄膜混成モジュールを示
す断面図である。

【図１３】本発明に係る計算機の論理パッケージの外観
図である。

【符号の説明】

１．ベース基板 １．下地金属膜 ３．レジスト ４．穴 ５．導体 ６．ビアホール層 ７．Ｘ層 ８．ビアホール層 ９．Ｙ層 １０．ビアホール層 １１．グランド層 １２．ビアホール層 １３．支持層 １４．固定板 １５．空間 １０６．厚膜・薄膜混成基板 １０７．半導体素子実装用表面パッド １０８．セラミック基板裏面のピン付けパッド １０９．高温半田 １１０．接続ピン １１１．半田 １１２．ＬＳＩ １１３．低温半田 １１４．良伝導性耐熱ゴム １１５．冷却ファン １１６．コバール封止キャツプ １１７．厚膜・薄膜混成モジュール １１８．プリント基板

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−26092（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−180197（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−40598（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−202091（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−56999（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−3298（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−163360（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−121698（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−276257（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−83994（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−55236（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−369898（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H05K 3/46

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ベース基板上に下地金属層を形成し、該下
   地金属層上に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー
   層を形成し、該穴内に前記下地金属層を電気めっきの電
   極あるいは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導
   体を充填することにより第１番目の層を形成し、前記下
   地金属層の形成から前記導体充填までの工程を複数回繰
   り返して多層構造を形成し、しかる後、前記レジスト層
   又はポリマー層および配線導体又はビアホール導体の下
   部に接する部分以外の前記下地金属層を溶解除去してス
   ケルトン構造の配線を形成し、該スケルトン構造の配線
   間の空間を無溶剤型耐熱ワニスで充填、硬化することを
   特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】ベース基板上に下地金属層を形成し、該下
   地金属層上に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー
   層を形成し、該穴内に前記下地金属層を電気めっきの電
   極あるいは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導
   体を充填することにより第１番目の層を形成し、前記下
   地金属層の形成から前記導体充填までの工程を複数回繰
   り返して多層構造を形成し、しかる後、前記レジスト層
   又はポリマー層および配線導体又はビアホール導体の下
   部に接する部分以外の前記下地金属層を溶解除去してス
   ケルトン構造の配線を形成し、該スケルトン構造の配線
   を溶剤型耐熱ワニスで被覆することを特徴とする多層配
   線基板の製造方法。
3. 【請求項３】ベース基板上に下地金属層を形成し、該下
   地金属層上に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー
   層を形成し、該穴内に前記下地金属層を電気めっきの電
   極あるいは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導
   体を充填することにより第１番目の層を形成し、前記下
   地金属層の形成から前記導体充填までの工程を複数回繰
   り返して多層構造を形成し、しかる後、前記レジスト層
   又はポリマー層および配線導体又はビアホール導体の下
   部に接する部分以外の前記下地金属層を溶解除去してス
   ケルトン構造の配線を形成し、該スケルトン構造の配線
   を溶剤型耐熱ワニスで被覆した後、前記配線間の空間を
   無溶剤型耐熱ワニスで充填、硬化することを特徴とする
   多層配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】ベース基板上に下地金属層を形成し、該下
   地金属層上に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー
   層を形成し、該穴内に前記下地金属層を電気めっきの電
   極あるいは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導
   体を充填することにより配線層を形成し、該配線層の上
   に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー層を形成
   し、該穴内に前記配線層の導体を電気めっきの電極ある
   いは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導体を充
   填することによりビアホール層を形成し、前記下地金属
   層の形成から前記ビアホール層の形成までの工程を複数
   回繰り返して多層構造を形成し、しかる後、前記レジス
   ト層又はポリマー層および配線導体又はビアホール導体
   の下部に接する部分以外の前記下地金属層を溶解除去し
   てスケルトン構造の配線を形成し、該スケルトン構造の
   配線間の空間を無溶剤型耐熱ワニスで充填、硬化するこ
   とを特徴とする多層配線基板の製造方法。
5. 【請求項５】ベース基板上に下地金属層を形成し、該下
   地金属層上に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー
   層を形成し、該穴内に前記下地金属層を電気めっきの電
   極あるいは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導
   体を充填することにより配線層を形成し、該配線層の上
   に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー層を形成
   し、該穴内に前記配線層の導体を電気めっきの電極ある
   いは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導体を充
   填することによりビアホール層を形成し、前記下地金属
   層の形成から前記ビアホール層の形成までの工程を複数
   回繰り返して多層構造を形成し、しかる後、前記レジス
   ト層又はポリマー層および配線導体又はビアホール導体
   の下部に接する部分以外の前記下地金属層を溶解除去し
   てスケルトン構造の配線を形成し、該スケルトン構造の
   配線を溶剤型耐熱ワニスで被覆することを特徴とする多
   層配線基板の製造方法。
6. 【請求項６】ベース基板上に下地金属層を形成し、該下
   地金属層上に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー
   層を形成し、該穴内に前記下地金属層を電気めっきの電
   極あるいは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導
   体を充填することにより配線層を形成し、該配線層の上
   に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー層を形成
   し、該穴内に前記配線層の導体を電気めっきの電極ある
   いは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導体を充
   填することによりビアホール層を形成し、前記下地金属
   層の形成から前記ビアホール層の形成までの工程を複数
   回繰り返して多層構造を形成し、しかる後、前記レジス
   ト層又はポリマー層および配線導体又はビアホール導体
   の下部に接する部分以外の前記下地金属層を溶解除去し
   てスケルトン構造の配線を形成し、該スケルトン構造の
   配線を溶剤型耐熱ワニスで被覆した後、前記配線間の空
   間を無溶剤型耐熱ワニスで充填、硬化することを特徴と
   する多層配線基板の製造方法。
7. 【請求項７】ベース基板上に下地金属層を形成し、該下
   地金属層上に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー
   層を形成し、該穴内に前記下地金属層を電気めっきの電
   極あるいは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導
   体を充填することにより配線層を形成し、該配線層の上
   に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー層を形成
   し、該穴内に前記配線層の導体を電気めっきの電極ある
   いは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導体を充
   填することによりビアホール層を形成して配線層とビア
   ホール層の２層構造とし、しかる後、前記レジスト層又
   はポリマー層および配線導体又はビアホール導体の下部
   に接する部分以外の前記下地金属層を溶解除去して２層
   のスケルトン構造の配線を形成し、該スケルトン構造の
   配線間の空間を無溶剤型耐熱ワニスで充填、硬化するこ
   とを特徴とする多層配線基板の製造方法。
8. 【請求項８】ベース基板上に下地金属層を形成し、該下
   地金属層上に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー
   層を形成し、該穴内に前記下地金属層を電気めっきの電
   極あるいは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導
   体を充填することにより配線層を形成し、該配線層の上
   に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー層を形成
   し、該穴内に前記配線層の導体を電気めっきの電極ある
   いは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導体を充
   填することによりビアホール層を形成して配線層とビア
   ホール層の２層構造とし、しかる後、前記レジスト層又
   はポリマー層および配線導体又はビアホール導体の下部
   に接する部分以外の前記下地金属層を溶解 除去して２層
   のスケルトン構造の配線を形成し、該スケルトン構造の
   配線を溶剤型耐熱ワニスで被覆することを特徴とする多
   層配線基板の製造方法。
9. 【請求項９】ベース基板上に下地金属層を形成し、該下
   地金属層上に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー
   層を形成し、該穴内に前記下地金属層を電気めっきの電
   極あるいは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導
   体を充填することにより配線層を形成し、該配線層の上
   に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー層を形成
   し、該穴内に前記配線層の導体を電気めっきの電極ある
   いは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導体を充
   填することによりビアホール層を形成して配線層とビア
   ホール層の２層構造とし、しかる後、前記レジスト層又
   はポリマー層および配線導体又はビアホール導体の下部
   に接する部分以外の前記下地金属層を溶解除去して２層
   のスケルトン構造の配線を形成し、該スケルトン構造の
   配線を溶剤型耐熱ワニスで被覆した後、前記配線間の空
   間を無溶剤型耐熱ワニスで充填、硬化することを特徴と
   する多層配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】多層構造を形成した後スケルトン構造の
    配線とする前に、多層構造の最上層の上に配線の固定板
    を設けることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに
    記載の多層配線基板の製造方法。