JPH04369898A - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents
多層配線基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04369898A JPH04369898A JP3147118A JP14711891A JPH04369898A JP H04369898 A JPH04369898 A JP H04369898A JP 3147118 A JP3147118 A JP 3147118A JP 14711891 A JP14711891 A JP 14711891A JP H04369898 A JPH04369898 A JP H04369898A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wiring board
- multilayer wiring
- benzocyclobutene
- solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 78
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 140
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 118
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 93
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 92
- -1 poly(benzocyclobutene) Polymers 0.000 claims description 80
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 78
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 75
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 74
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 66
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 65
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 56
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 53
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims description 53
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 39
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 38
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 37
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical group C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 21
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 19
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000001047 cyclobutenyl group Chemical group C1(=CCC1)* 0.000 claims description 12
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 claims description 10
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 claims description 10
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 7
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 claims description 5
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- IZXIZTKNFFYFOF-UHFFFAOYSA-N 2-Oxazolidone Chemical compound O=C1NCCO1 IZXIZTKNFFYFOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 4
- CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N cyclobutene Chemical compound C1CC=C1 CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 4
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 claims 2
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 claims 1
- 125000006840 diphenylmethane group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 72
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 56
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 53
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 265
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 38
- 239000002585 base Substances 0.000 description 36
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 29
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 8
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- YRRXYCJBMKLGJO-UHFFFAOYSA-N 7-[4-(7-bicyclo[4.2.0]octa-1(8),2,4,6-tetraenyl)phenyl]bicyclo[4.2.0]octa-1(8),2,4,6-tetraene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=CC=C(C=C3)C3=C4C=CC=CC4=C3)=C21 YRRXYCJBMKLGJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001494 Technora Polymers 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 4
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000004950 technora Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- FPVSTPLZJLYNMB-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(2-phenylethynyl)benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=C(C#CC=2C=CC=CC=2)C=C1 FPVSTPLZJLYNMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOMCDFYZPYYILP-UHFFFAOYSA-N 7-[3-(7-bicyclo[4.2.0]octa-1(8),2,4,6-tetraenyl)phenyl]bicyclo[4.2.0]octa-1(8),2,4,6-tetraene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=3C=CC=C(C=3)C3=C4C=CC=CC4=C3)=C21 UOMCDFYZPYYILP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- HMQFJYLWNWIYKQ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbutadiyne Chemical compound C1=CC=CC=C1C#CC#CC1=CC=CC=C1 HMQFJYLWNWIYKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 1,4a-dimethyl-7-propan-2-yl-2,3,4,4b,5,6,10,10a-octahydrophenanthrene-1-carboxylic acid Chemical compound C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAUKYPQSFIENDE-UHFFFAOYSA-N 1-ethynyl-4-(2-phenylethynyl)benzene Chemical group C1=CC(C#C)=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 WAUKYPQSFIENDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEVBAGCIOOTPLF-UHFFFAOYSA-N 2-[[5-(oxiran-2-ylmethoxy)naphthalen-2-yl]oxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC(C=C1C=CC=2)=CC=C1C=2OCC1CO1 MEVBAGCIOOTPLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBSMHWVGUPQNJJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenyl)phenyl]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(N)=CC=2)C=C1 QBSMHWVGUPQNJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZIAOTUERDUSJC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenyl)phenyl]phenyl]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(N)=CC=2)C=C1 JZIAOTUERDUSJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDVGPRKWYIVXGR-UHFFFAOYSA-N 4-phenylcyclohexa-2,4-diene-1,1-diamine Chemical group C1=CC(N)(N)CC=C1C1=CC=CC=C1 PDVGPRKWYIVXGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTGKPOCQLYDDIU-UHFFFAOYSA-N 6-phenylhexa-1,3,5-triynylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C#CC#CC#CC1=CC=CC=C1 GTGKPOCQLYDDIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZGYWVJLKRPART-UHFFFAOYSA-N 6-phenylhexa-1,5-dien-3-ynylbenzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC#CC=CC1=CC=CC=C1 SZGYWVJLKRPART-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZFMEOMDXPZZBY-MDZDMXLPSA-N 7-[(E)-2-(7-bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5,7-tetraenyl)ethenyl]bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5,7-tetraene Chemical compound C1=CC=C2C(/C=C/C=3C4=CC=CC=C4C=3)=CC2=C1 UZFMEOMDXPZZBY-MDZDMXLPSA-N 0.000 description 1
- MAAUSIMQOQNVND-UHFFFAOYSA-N 7-[2-(7-bicyclo[4.2.0]octa-1(8),2,4,6-tetraenyl)phenyl]bicyclo[4.2.0]octa-1(8),2,4,6-tetraene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=CC=CC=C3C3=C4C=CC=CC4=C3)=C21 MAAUSIMQOQNVND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCHBUGSZHBSTFL-UHFFFAOYSA-N 7-[2-[3-[2-(7-bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5,7-tetraenyl)ethenyl]phenyl]ethenyl]bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5,7-tetraene Chemical compound C1(=CC2=C1C=CC=C2)C=CC1=CC(=CC=C1)C=CC1=CC2=C1C=CC=C2 MCHBUGSZHBSTFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLICDPGUGRFWFH-UHFFFAOYSA-N 7-[2-[4-[2-(7-bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5,7-tetraenyl)ethenyl]phenyl]ethenyl]bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5,7-tetraene Chemical compound C1(=CC2=C1C=CC=C2)C=CC1=CC=C(C=C1)C=CC1=CC2=C1C=CC=C2 XLICDPGUGRFWFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OWIKHYCFFJSOEH-UHFFFAOYSA-N Isocyanic acid Chemical compound N=C=O OWIKHYCFFJSOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-N anhydrous cyanic acid Natural products OC#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- NDMVXIYCFFFPLE-UHFFFAOYSA-N anthracene-9,10-diamine Chemical group C1=CC=C2C(N)=C(C=CC=C3)C3=C(N)C2=C1 NDMVXIYCFFFPLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical group C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- BWFPGXWASODCHM-UHFFFAOYSA-N copper monosulfide Chemical compound [Cu]=S BWFPGXWASODCHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000006317 isomerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000010137 moulding (plastic) Methods 0.000 description 1
- WSKHYOXDVZCOJP-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,6-diamine Chemical compound NC1=CC=CC2=CC(N)=CC=C21 WSKHYOXDVZCOJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- XURVRZSODRHRNK-UHFFFAOYSA-N o-quinodimethane Chemical compound C=C1C=CC=CC1=C XURVRZSODRHRNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005594 polymer fiber Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000035936 sexual power Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高集積ＬＳＩ、終端抵
抗、コンデンサなどを高密度で実装する薄膜多層配線基
板およびその製造方法に関する。また、これを用いるモ
ジュール、更にはコンピュータに関する。
抗、コンデンサなどを高密度で実装する薄膜多層配線基
板およびその製造方法に関する。また、これを用いるモ
ジュール、更にはコンピュータに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層配線基板の製造方法を、図９
に示した工程図を例として説明する。
に示した工程図を例として説明する。
【０００３】図９（ａ）に示すように、基板９１の上面
全面にわたって、めっきの電極となりうる下地金属層９
２を形成し、その上面に図９（ｂ）に示すように、所望
の導体配線パターンの形状に穴あけ加工されたレジスト
９３を形成する。しかる後、露出した溝部分９４の下地
金属層９２を電極として電気めっきを行い、図９（ｃ）
に示すように、レジスト９３の溝部分９４を選択的に導
体充填して、配線導体、ビアホール導体、グランドある
いはスルーホール導体９５を形成する。次いで、図９（
ｄ）に示すように、レジスト９３を除去して導体９５を
露出させた後、図９（ｅ）に示すように、導体９５に対
接する部分以外の下地金属層９２を除去する。次に、図
９（ｆ）に示すように、基板９１の上面全面に導体９５
を包むようにポリマーの絶縁層９６を形成した後、図９
（ｇ）に示すように、研磨などにより、導体９５の上面
を露出させるとともに、絶縁層９６の表面を平面研磨す
る。上記の工程を逐次複数回繰り返して多層配線基板を
製造する。
全面にわたって、めっきの電極となりうる下地金属層９
２を形成し、その上面に図９（ｂ）に示すように、所望
の導体配線パターンの形状に穴あけ加工されたレジスト
９３を形成する。しかる後、露出した溝部分９４の下地
金属層９２を電極として電気めっきを行い、図９（ｃ）
に示すように、レジスト９３の溝部分９４を選択的に導
体充填して、配線導体、ビアホール導体、グランドある
いはスルーホール導体９５を形成する。次いで、図９（
ｄ）に示すように、レジスト９３を除去して導体９５を
露出させた後、図９（ｅ）に示すように、導体９５に対
接する部分以外の下地金属層９２を除去する。次に、図
９（ｆ）に示すように、基板９１の上面全面に導体９５
を包むようにポリマーの絶縁層９６を形成した後、図９
（ｇ）に示すように、研磨などにより、導体９５の上面
を露出させるとともに、絶縁層９６の表面を平面研磨す
る。上記の工程を逐次複数回繰り返して多層配線基板を
製造する。
【０００４】なお、この種の技術として関連するものに
は、例えば、ブロシーディングス・オブ・ザ・サーティ
フォース・イー・シー・シー・〈エレクトロニック・コ
ンポーネント・コンファレンス〉（Ｐｒｏｃｃｃｄｉｎ
ｇ ｏｆ ｔｈｅ ３４ｔｈ ＥＣＣ〈Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｃｏｎｆｏｒｅｎｃｅ〉
）ｐ８２−８７’，８４がある。
は、例えば、ブロシーディングス・オブ・ザ・サーティ
フォース・イー・シー・シー・〈エレクトロニック・コ
ンポーネント・コンファレンス〉（Ｐｒｏｃｃｃｄｉｎ
ｇ ｏｆ ｔｈｅ ３４ｔｈ ＥＣＣ〈Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｃｏｎｆｏｒｅｎｃｅ〉
）ｐ８２−８７’，８４がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記の従来技術の一番
困難な問題は、導体配線層、グランド層、ビアホール導
体層などの各層毎にレジスト形成と除去の工程、下地金
属層の形成と除去の工程、絶縁層形成工程、および、こ
の平坦化工程を含み、そのため工程数が多く、リードタ
イムが長く、量産性が著しく劣ることにある。
困難な問題は、導体配線層、グランド層、ビアホール導
体層などの各層毎にレジスト形成と除去の工程、下地金
属層の形成と除去の工程、絶縁層形成工程、および、こ
の平坦化工程を含み、そのため工程数が多く、リードタ
イムが長く、量産性が著しく劣ることにある。
【０００６】また、単に工程数が多いというだけでなく
、ポリマー絶縁層の研削、研磨を必要とするなど技術的
に問題のある工程を含んでいたり、研削粉、研磨粉の洗
浄による異物排除処理が容易でないなどの問題も多く含
まれている。
、ポリマー絶縁層の研削、研磨を必要とするなど技術的
に問題のある工程を含んでいたり、研削粉、研磨粉の洗
浄による異物排除処理が容易でないなどの問題も多く含
まれている。
【０００７】本発明は、上記の工程数、研削研磨などの
問題の抜本的解決を目的としてなされたものであり、工
程数、リードタイムを大幅に短縮し量産性にすぐれた多
層配線基板およびその新規な製造方法を提供するもので
ある。
問題の抜本的解決を目的としてなされたものであり、工
程数、リードタイムを大幅に短縮し量産性にすぐれた多
層配線基板およびその新規な製造方法を提供するもので
ある。
【０００８】また、前記の図９に示した従来技術は現在
までのところ最もスループットの点で優れているとはい
え、まだ現実的なリードタイムのものではなく、量産に
供するにはさらにスループットを向上し、リードタイム
を１／２〜１／３くらいに短縮することが必要である。 リードタイムを著しく長くしている原因は、絶縁層を形
成するポリマーとしてポリイミド系の樹脂を採用してい
ることによる。すなわちポリイミド系材料は、加熱硬化
反応により、溶媒や水分が蒸発して下地の凹凸に沿って
収縮するので、基板の凹凸に沿って絶縁膜が形成される
ためポリイミドの平坦性が著しく劣る。そのため研削、
研磨が必要なこと、さらに、絶縁膜の形成において、ポ
リイミド系材料をポリアミド酸溶液あるいはポリイミド
溶液化して塗布加熱するので、一回塗りでは所要の膜厚
が得られず、塗布乾燥等の工程数が多いこと、またさら
に、ポリイミドの硬化には、高温、長時間を要すること
などが主な原因である。
までのところ最もスループットの点で優れているとはい
え、まだ現実的なリードタイムのものではなく、量産に
供するにはさらにスループットを向上し、リードタイム
を１／２〜１／３くらいに短縮することが必要である。 リードタイムを著しく長くしている原因は、絶縁層を形
成するポリマーとしてポリイミド系の樹脂を採用してい
ることによる。すなわちポリイミド系材料は、加熱硬化
反応により、溶媒や水分が蒸発して下地の凹凸に沿って
収縮するので、基板の凹凸に沿って絶縁膜が形成される
ためポリイミドの平坦性が著しく劣る。そのため研削、
研磨が必要なこと、さらに、絶縁膜の形成において、ポ
リイミド系材料をポリアミド酸溶液あるいはポリイミド
溶液化して塗布加熱するので、一回塗りでは所要の膜厚
が得られず、塗布乾燥等の工程数が多いこと、またさら
に、ポリイミドの硬化には、高温、長時間を要すること
などが主な原因である。
【０００９】本発明の別の目的は、短時間硬化が可能な
トランスファ成形が適用できる無溶剤型有機耐熱高分子
材料の採用により、スループットを２〜３倍向上させ、
リードタイムを１／２〜１／３以下に短縮可能な量産性
に優れた多層配線基板、およびその製造方法に関するも
のである。また、それによってモジュールひいてはコン
ピュータの開発、製造期間を著しくし短縮し、かつ、こ
れらに高い信頼性を付与することである。
トランスファ成形が適用できる無溶剤型有機耐熱高分子
材料の採用により、スループットを２〜３倍向上させ、
リードタイムを１／２〜１／３以下に短縮可能な量産性
に優れた多層配線基板、およびその製造方法に関するも
のである。また、それによってモジュールひいてはコン
ピュータの開発、製造期間を著しくし短縮し、かつ、こ
れらに高い信頼性を付与することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明においては、レジスト層又はポリマー層
の溶剤による除去および下地金属層のエッチング除去を
各層ごとに行うことをせず、レジスト層および下地金属
をすべて含んだままで多層化を行った後、レジスト層と
下地金属層を一括除去してスケルトン構造の多層配線を
形成し、しかる後、スケルトン構造の多層配線の空間に
無溶剤状態のワニスをトランスファ成形によって充填し
て、絶縁層を形成するという画期的方法を提案するもの
である。多層配線を形成する場合に、導体金属のみはろ
う材の助けなくして、通常のプロセスにて一括的に多層
化する手段は困難であり、導体接続の信頼性の点からめ
っきなどによる逐次積層のプロセスをとらざるを得ない
。しかし、逐次プロセスは一括に比べて多大な時間を必
要とする。そこで導体金属の多層化には、その所要時間
を逐次プロセス中で最も少ない方法例えばめっき、特に
電気めっきを適用することが効率的かつ合理的である。 一方、絶縁層形成は、無溶剤ワニスを用いるトランスフ
ァ成形によれば逐次も一括も共に可能なので効率的かつ
合理的な一括プロセスを適用することが最もよい。 これが、本発明の薄膜多層基板の製造法における工期が
多大にかかる難点に対して解決法を提案する根本思想で
ある。
ために、本発明においては、レジスト層又はポリマー層
の溶剤による除去および下地金属層のエッチング除去を
各層ごとに行うことをせず、レジスト層および下地金属
をすべて含んだままで多層化を行った後、レジスト層と
下地金属層を一括除去してスケルトン構造の多層配線を
形成し、しかる後、スケルトン構造の多層配線の空間に
無溶剤状態のワニスをトランスファ成形によって充填し
て、絶縁層を形成するという画期的方法を提案するもの
である。多層配線を形成する場合に、導体金属のみはろ
う材の助けなくして、通常のプロセスにて一括的に多層
化する手段は困難であり、導体接続の信頼性の点からめ
っきなどによる逐次積層のプロセスをとらざるを得ない
。しかし、逐次プロセスは一括に比べて多大な時間を必
要とする。そこで導体金属の多層化には、その所要時間
を逐次プロセス中で最も少ない方法例えばめっき、特に
電気めっきを適用することが効率的かつ合理的である。 一方、絶縁層形成は、無溶剤ワニスを用いるトランスフ
ァ成形によれば逐次も一括も共に可能なので効率的かつ
合理的な一括プロセスを適用することが最もよい。 これが、本発明の薄膜多層基板の製造法における工期が
多大にかかる難点に対して解決法を提案する根本思想で
ある。
【００１１】これについて、本発明にかかる多層配線基
板の製造方法の一例を示すものである図１の工程図に基
づいて説明する。
板の製造方法の一例を示すものである図１の工程図に基
づいて説明する。
【００１２】図１（ａ）に示すように、ベース基板１（
内部に多層配線を含む場合もある）の上面全面にわたっ
て、電気めっきの電極あるいは無電解めっきの下地膜と
なりうる下地金属層２を形成し、その上面に図１（ｂ）
に示すように所望の導体配線パターンの形状に穴あけ加
工されたレジスト３を形成する。しかる後、露出した穴
４の部分の下地金属層２を電気めっきの電極あるいは無
電解めっきの下地膜としてめっきを行い、図１（ｃ）に
示すように、レジスト３の穴４を選択的に導体充填して
、ビアホール用導体５を形成し、第１番目の層とする。 ここまでは、従来の方法と同様である。
内部に多層配線を含む場合もある）の上面全面にわたっ
て、電気めっきの電極あるいは無電解めっきの下地膜と
なりうる下地金属層２を形成し、その上面に図１（ｂ）
に示すように所望の導体配線パターンの形状に穴あけ加
工されたレジスト３を形成する。しかる後、露出した穴
４の部分の下地金属層２を電気めっきの電極あるいは無
電解めっきの下地膜としてめっきを行い、図１（ｃ）に
示すように、レジスト３の穴４を選択的に導体充填して
、ビアホール用導体５を形成し、第１番目の層とする。 ここまでは、従来の方法と同様である。
【００１３】次に、レジストの除去と下地金属層の除去
を行うことなく、上記図１（ａ）から（ｃ）までの工程
を１サイクルとして複数回繰り返して多層構造とする。 ｎ層の多層構造において、各１層をビアホール層、Ｘ層
、Ｙ層およびグランド層のそれぞれと数えるとｎ≧２で
ある。下地金属膜はめっき厚さを均一化する目的と配線
形成の電気めっきの電極あるいは無電解めっきの下地膜
として、Ｘ層、Ｙ層、グランド層の下側には必要である
が、その上側に設けられるビアホールの下側は、Ｘ層、
Ｙ層、グランド層の下地金属層が電極として共用できる
ので、特に設けなくても支障はないが、設けることを妨
げることもない。
を行うことなく、上記図１（ａ）から（ｃ）までの工程
を１サイクルとして複数回繰り返して多層構造とする。 ｎ層の多層構造において、各１層をビアホール層、Ｘ層
、Ｙ層およびグランド層のそれぞれと数えるとｎ≧２で
ある。下地金属膜はめっき厚さを均一化する目的と配線
形成の電気めっきの電極あるいは無電解めっきの下地膜
として、Ｘ層、Ｙ層、グランド層の下側には必要である
が、その上側に設けられるビアホールの下側は、Ｘ層、
Ｙ層、グランド層の下地金属層が電極として共用できる
ので、特に設けなくても支障はないが、設けることを妨
げることもない。
【００１４】なお、図１に示す多層配線基板では、第１
層をビアホール層としているが、ビアホール層の代わり
にＸ層またはＹ層の配線層あるいはグランド層としても
よい。また、ＸおよびＹに対して必ずしも直角である必
要はなく、傾斜した角度の配線を有する層としてもよい
。
層をビアホール層としているが、ビアホール層の代わり
にＸ層またはＹ層の配線層あるいはグランド層としても
よい。また、ＸおよびＹに対して必ずしも直角である必
要はなく、傾斜した角度の配線を有する層としてもよい
。
【００１５】なお、上記の製造方法において、中間のビ
アホール導体を形成する際、その下層の配線導体（配線
導体とその下部の残存する下地金属が実質的に電極又は
めっき下地膜として働く）を電気めっきの電極あるいは
無電解めっきの下地膜として用いることができる場合は
、そのビアホール導体層の下の下地金属層は設けなくて
もよい。
アホール導体を形成する際、その下層の配線導体（配線
導体とその下部の残存する下地金属が実質的に電極又は
めっき下地膜として働く）を電気めっきの電極あるいは
無電解めっきの下地膜として用いることができる場合は
、そのビアホール導体層の下の下地金属層は設けなくて
もよい。
【００１６】図１（ｄ）の多層構造は、ビアホール層６
→Ｘ層７→ビアホール層８→Ｙ層９→ビアホール層１０
→グランド層１１→ビアホール層１２からなるｎ＝７の
場合を示している。必要ならばこのような多層構造を形
成したのち、最上層の上に固定板１３を取り付ける。
→Ｘ層７→ビアホール層８→Ｙ層９→ビアホール層１０
→グランド層１１→ビアホール層１２からなるｎ＝７の
場合を示している。必要ならばこのような多層構造を形
成したのち、最上層の上に固定板１３を取り付ける。
【００１７】次に、図１（ｅ）に示すように、レジスト
層を溶剤により一括除去し、さらに図１（ｆ）に示すよ
うに、金属の下地金属層をエッチング液で一括除去する
。レジスト層の除去と下地金属層の除去は工程の順序を
逆にすることもできるし、また一層ずつ交互にあるいは
同時に行うこともできる。このようにして、レジスト層
の除去と下地金属層の除去により、図１（ｆ）に示すよ
うな、空間１４を有するスケルトン構造の多層配線を形
成する。このとき、銅配線のカバーとして、別種のめっ
き、例えばＮｉめっきを施してもよい。
層を溶剤により一括除去し、さらに図１（ｆ）に示すよ
うに、金属の下地金属層をエッチング液で一括除去する
。レジスト層の除去と下地金属層の除去は工程の順序を
逆にすることもできるし、また一層ずつ交互にあるいは
同時に行うこともできる。このようにして、レジスト層
の除去と下地金属層の除去により、図１（ｆ）に示すよ
うな、空間１４を有するスケルトン構造の多層配線を形
成する。このとき、銅配線のカバーとして、別種のめっ
き、例えばＮｉめっきを施してもよい。
【００１８】しかる後、スケルトン構造の多層配線基板
にホットプレートをかぶせ全体を箱状容器などに入れ、
図１（ｇ）に示すように、上記空間１４を脱ガス処理を
施して無溶剤状態の絶縁ワニス１５で減圧下、常圧下も
しくは加圧下、又はこれらの併用でトランスファ成形に
よって充填硬化して多層配線基板を製造する。なお、中
間のビアホール導体層の下に下地金属層を設けない場合
には、図１（ｇ）に相当する段階は図１（ｈ）のように
なる。無溶剤ワニスの注入は基板とホットプレート間の
隙間から行うか、あるいはホットプレートに湯口を設け
て上部から行う。このワニスのトランスファ成形による
充填に先立って、スケルトン構造の多層配線の空間１４
に溶剤型絶縁ワニスを含浸して配線導体を一括被覆して
絶縁化しさらにこの溶剤型ワニスによる導体被覆処理と
無溶剤状態のワニスのトランファ成形による充填処理と
を併用してもよい。なお、無溶剤状態のワニスにフィラ
を含むことを妨げない。例えば、半導体モールドやプラ
スチックモールディングに用いられているフィラが用い
られる。溶融石英粉、球状シリカや球状ムライトフィラ
、繊維状物質、ポリイミド粉なども適している。上記無
溶剤状態のワニスの塗布性向上のため、低分子の有機化
合物を脱ガス処理、塗布膜のボイド発生フリーの条件を
阻害しないように添加することは可能であり、それらの
有機化合物の添加を妨げない。
にホットプレートをかぶせ全体を箱状容器などに入れ、
図１（ｇ）に示すように、上記空間１４を脱ガス処理を
施して無溶剤状態の絶縁ワニス１５で減圧下、常圧下も
しくは加圧下、又はこれらの併用でトランスファ成形に
よって充填硬化して多層配線基板を製造する。なお、中
間のビアホール導体層の下に下地金属層を設けない場合
には、図１（ｇ）に相当する段階は図１（ｈ）のように
なる。無溶剤ワニスの注入は基板とホットプレート間の
隙間から行うか、あるいはホットプレートに湯口を設け
て上部から行う。このワニスのトランスファ成形による
充填に先立って、スケルトン構造の多層配線の空間１４
に溶剤型絶縁ワニスを含浸して配線導体を一括被覆して
絶縁化しさらにこの溶剤型ワニスによる導体被覆処理と
無溶剤状態のワニスのトランファ成形による充填処理と
を併用してもよい。なお、無溶剤状態のワニスにフィラ
を含むことを妨げない。例えば、半導体モールドやプラ
スチックモールディングに用いられているフィラが用い
られる。溶融石英粉、球状シリカや球状ムライトフィラ
、繊維状物質、ポリイミド粉なども適している。上記無
溶剤状態のワニスの塗布性向上のため、低分子の有機化
合物を脱ガス処理、塗布膜のボイド発生フリーの条件を
阻害しないように添加することは可能であり、それらの
有機化合物の添加を妨げない。
【００１９】以上述べた本発明による多層配線基板のト
ランスファ成形による製造方法と他の製造方法との併用
による多層化、多層配線基板同士のろう材による接続を
妨げないことはいうまでもない。
ランスファ成形による製造方法と他の製造方法との併用
による多層化、多層配線基板同士のろう材による接続を
妨げないことはいうまでもない。
【００２０】以下に、本発明の多層配線基板の製造方法
において用いる各部の材質について述べる。
において用いる各部の材質について述べる。
【００２１】本発明において、ベース基板１としては信
号層を含むものでも含まないものでもよく、また材質は
、基板としての絶縁性を有するものであれば、セラミッ
クスでもポリマーでもよく、特に限定されない。
号層を含むものでも含まないものでもよく、また材質は
、基板としての絶縁性を有するものであれば、セラミッ
クスでもポリマーでもよく、特に限定されない。
【００２２】また、下地金属層２としては、電気めっき
の電極あるいは無電解めっきの下地となりうるもので、
特定エッチング波によりエッチング可能であるものであ
ることが必要である。例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ，Ｔｉ
／Ｃｕ／Ｔｉ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｃｏ，Ｆｏ，
Ｎｉ，Ｎｉ／Ｃｕ，Ｒｈ，Ｉｎなどの金属の層を蒸着、
スパッタリング、イオンプレーティング、無電解めっき
あるいは電気めっきなどの手段を単独あるいは併用して
形成することができる。さらに有機導電体の膜で形成し
てもよい。
の電極あるいは無電解めっきの下地となりうるもので、
特定エッチング波によりエッチング可能であるものであ
ることが必要である。例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ，Ｔｉ
／Ｃｕ／Ｔｉ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｃｏ，Ｆｏ，
Ｎｉ，Ｎｉ／Ｃｕ，Ｒｈ，Ｉｎなどの金属の層を蒸着、
スパッタリング、イオンプレーティング、無電解めっき
あるいは電気めっきなどの手段を単独あるいは併用して
形成することができる。さらに有機導電体の膜で形成し
てもよい。
【００２３】めっきのレジスト３としては、後で特定溶
剤で溶解除去可能であれば、無機、有機を問わず、ワニ
ス状のものでも、電着タイプのレジストでも、フィルム
状のものでもよい。また感光性のものでも非感光性のも
のでもよい。例えば、ホトレジスト、感光性ポリイミド
、非感光性の各種ポリマー、セラミックスやガラス等か
ら選択することができる。フィルム状のものに対しては
、それ自体に接着性を有するものの他に、フィルムに接
着剤や粘着剤をつける場合もある。また、別ラインで予
め穴あけ加工を施しておく場合もある。レジストの穴あ
け加工方法としては、通常行われているホトリソグラフ
ィ、レーザ加工、ウェットならびにドライエッチングな
どが適宜用いられる。
剤で溶解除去可能であれば、無機、有機を問わず、ワニ
ス状のものでも、電着タイプのレジストでも、フィルム
状のものでもよい。また感光性のものでも非感光性のも
のでもよい。例えば、ホトレジスト、感光性ポリイミド
、非感光性の各種ポリマー、セラミックスやガラス等か
ら選択することができる。フィルム状のものに対しては
、それ自体に接着性を有するものの他に、フィルムに接
着剤や粘着剤をつける場合もある。また、別ラインで予
め穴あけ加工を施しておく場合もある。レジストの穴あ
け加工方法としては、通常行われているホトリソグラフ
ィ、レーザ加工、ウェットならびにドライエッチングな
どが適宜用いられる。
【００２４】上記の穴あけ加工されたレジスト３の穴４
に充填される導体金属としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕなど
従来配線導体やビアホール（スルーホール）導体の形成
に用いられているものを用いることができる。
に充填される導体金属としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕなど
従来配線導体やビアホール（スルーホール）導体の形成
に用いられているものを用いることができる。
【００２５】必要ならば、最上層配線の上に固定板１３
をめっきで積み上げるかハンダなどで接続する。これは
下層の配線群を動かないように支持するためのもので、
蒸着、スパッタリング、めっきなどで形成される。固定
板１３は、レジスト層の溶剤除去や、下地金属層のエッ
チング除去の工程において溶解せず、スケルトン構造形
成後のワニス注入工程においてビアホール導体の上面を
固定する役割をもつものである。例えば、Ｎｉ，Ｎｉ合
金や、Ｃｒ，Ｔｉ、または、アルミナ、ムライト、ジル
コニア、ポリイミド板などを用いることができるが、こ
れらに限定されるものではない。
をめっきで積み上げるかハンダなどで接続する。これは
下層の配線群を動かないように支持するためのもので、
蒸着、スパッタリング、めっきなどで形成される。固定
板１３は、レジスト層の溶剤除去や、下地金属層のエッ
チング除去の工程において溶解せず、スケルトン構造形
成後のワニス注入工程においてビアホール導体の上面を
固定する役割をもつものである。例えば、Ｎｉ，Ｎｉ合
金や、Ｃｒ，Ｔｉ、または、アルミナ、ムライト、ジル
コニア、ポリイミド板などを用いることができるが、こ
れらに限定されるものではない。
【００２６】スケルトンの配線導体を被覆するには、溶
剤型ワニスやトランスファ成形によって充填するには無
溶剤状態のワニスが用いられる。これらのワニスは、モ
ノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれの形態のものも
含む。
剤型ワニスやトランスファ成形によって充填するには無
溶剤状態のワニスが用いられる。これらのワニスは、モ
ノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれの形態のものも
含む。
【００２７】本願発明において、無溶剤状態のワニスと
は、常温常圧で液状である、いわゆる無溶液型のワニス
に限らず、硬化温度あるいはそれ以下の温度で常圧下ま
たは加圧下において溶剤なしで溶融し円滑に流動するこ
とが可能なワニスを含むものである。
は、常温常圧で液状である、いわゆる無溶液型のワニス
に限らず、硬化温度あるいはそれ以下の温度で常圧下ま
たは加圧下において溶剤なしで溶融し円滑に流動するこ
とが可能なワニスを含むものである。
【００２８】溶剤型ワニスとしては、例えば、フッ素系
ポリマー、シリコーン、ポリイミド、ポリアミドイミド
、ポリエステルイミド、ポリベンズイミダゾールなどの
芳香族、非芳香族のポリマーがある。低誘電率化による
信号伝播速度の向上には、フッ素系ポリマーが有効であ
る。フッ素系ポリマーとしては、例えば、エマルジョン
型ＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰアモルファスＡＦ等がある
。
ポリマー、シリコーン、ポリイミド、ポリアミドイミド
、ポリエステルイミド、ポリベンズイミダゾールなどの
芳香族、非芳香族のポリマーがある。低誘電率化による
信号伝播速度の向上には、フッ素系ポリマーが有効であ
る。フッ素系ポリマーとしては、例えば、エマルジョン
型ＰＴＦＥ，ＰＦＡ，ＦＥＰアモルファスＡＦ等がある
。
【００２９】スケルトン構造の配線導体の空間にトラン
スファ成形によって注入する無溶剤状態のワニスとして
は、エポキシレジン（特にナフタレン骨格、ビフェニル
骨格、ターフェニル骨格のエポキシレジン）、イソシア
ヌレート・オキサゾリドンレジン、イソシアン酸エステ
ル系レジン、付加重合型ポリイミド、シクロブテン環を
もつ耐熱ポリマーなどを用いることができる。低誘電率
化（ε＜２．７）、耐熱性（＞３５０℃）、注型作業性
、平坦性などの諸条件から、シクロブテン環をもつ耐熱
ポリマーや耐熱エポキシレジンが特に適している。ここ
で、シクロブテン環をもつ耐熱ポリマーとしては、例え
ば、特許公表公報昭６０−５０１５７２号に記載のもの
が使用できる。
スファ成形によって注入する無溶剤状態のワニスとして
は、エポキシレジン（特にナフタレン骨格、ビフェニル
骨格、ターフェニル骨格のエポキシレジン）、イソシア
ヌレート・オキサゾリドンレジン、イソシアン酸エステ
ル系レジン、付加重合型ポリイミド、シクロブテン環を
もつ耐熱ポリマーなどを用いることができる。低誘電率
化（ε＜２．７）、耐熱性（＞３５０℃）、注型作業性
、平坦性などの諸条件から、シクロブテン環をもつ耐熱
ポリマーや耐熱エポキシレジンが特に適している。ここ
で、シクロブテン環をもつ耐熱ポリマーとしては、例え
ば、特許公表公報昭６０−５０１５７２号に記載のもの
が使用できる。
【００３０】無溶液状態のポリマーが具備すべき耐熱性
について一言説明を加えると、多層配線基板をモジュー
ル化する場合、種々の階層で半田接続を伴うので、多層
配線基板が通過する半田接続のプロセス最高温度に耐え
なければならない。現在、最高級のコンピュータ用モジ
ュールで少なくともＴｇで２５０℃以上、望ましくは２
８０℃以上が必要であり、その条件を満たすポリマーが
本発明では使用される。
について一言説明を加えると、多層配線基板をモジュー
ル化する場合、種々の階層で半田接続を伴うので、多層
配線基板が通過する半田接続のプロセス最高温度に耐え
なければならない。現在、最高級のコンピュータ用モジ
ュールで少なくともＴｇで２５０℃以上、望ましくは２
８０℃以上が必要であり、その条件を満たすポリマーが
本発明では使用される。
【００３１】この無溶剤状態のワニスを用いる効果は以
下のようである。
下のようである。
【００３２】すなわち、ポリイミドのような溶剤型ポリ
マーでは残存溶剤があることや、硬化に伴い縮合水の発
生があることにより塗布膜にボイドやピンホールの発生
を伴う。また、ベース基板には、一般に多くの表面欠陥
ボイドが存在するが、何回かにわけて溶剤型ワニスを塗
布したとしてもこのボイドを埋めつくすことは困難であ
る。すなわち、溶剤型ワニスは平坦性が劣ること、濃度
が低いわりに粘度が高くて埋めることのできないボイド
が基板上に多数残る問題がある。これに対して、無溶剤
状態のワニスの場合には、揮発成分を一切含まない上、
重合に際して水のような副生物の発生がないので、上記
のピンホールやボイドの発生は皆無である。また、揮発
成分が発生しないので注入に際して減圧したり、加圧し
たりできるので、細かい穴への充填が可能である。また
、シクロブテン環をもつポリマーのように、イミド環を
含まないか、含んでもそれが主体でないため著しく少な
いポリマーは、銅と直接接しても不活性であり、銅を侵
す心配はない。すなわち、エレクトロマイグレーション
に対しても安全である。また、従来のポリイミド（最終
硬化温度３５０℃〜４００℃）に比べて、低温、短時間
硬化できるメリットは大きい。耐熱エポキシレジンは、
例えば、１５０℃〜２００℃で十分硬化できる。
マーでは残存溶剤があることや、硬化に伴い縮合水の発
生があることにより塗布膜にボイドやピンホールの発生
を伴う。また、ベース基板には、一般に多くの表面欠陥
ボイドが存在するが、何回かにわけて溶剤型ワニスを塗
布したとしてもこのボイドを埋めつくすことは困難であ
る。すなわち、溶剤型ワニスは平坦性が劣ること、濃度
が低いわりに粘度が高くて埋めることのできないボイド
が基板上に多数残る問題がある。これに対して、無溶剤
状態のワニスの場合には、揮発成分を一切含まない上、
重合に際して水のような副生物の発生がないので、上記
のピンホールやボイドの発生は皆無である。また、揮発
成分が発生しないので注入に際して減圧したり、加圧し
たりできるので、細かい穴への充填が可能である。また
、シクロブテン環をもつポリマーのように、イミド環を
含まないか、含んでもそれが主体でないため著しく少な
いポリマーは、銅と直接接しても不活性であり、銅を侵
す心配はない。すなわち、エレクトロマイグレーション
に対しても安全である。また、従来のポリイミド（最終
硬化温度３５０℃〜４００℃）に比べて、低温、短時間
硬化できるメリットは大きい。耐熱エポキシレジンは、
例えば、１５０℃〜２００℃で十分硬化できる。
【００３３】以上の効果から、従来の溶剤型ポリマーで
みられたボイド、ピンホールによる配線のショート、オ
ーブン不良の発生は見られない。このような、この無溶
剤状態のワニスは、多層配線基板の製造において、エレ
クトロマイグレーションの発生を防止し、ピンホールレ
ス絶縁を実現し、かつベース基板の平坦化処理にも好適
に使用することができる。
みられたボイド、ピンホールによる配線のショート、オ
ーブン不良の発生は見られない。このような、この無溶
剤状態のワニスは、多層配線基板の製造において、エレ
クトロマイグレーションの発生を防止し、ピンホールレ
ス絶縁を実現し、かつベース基板の平坦化処理にも好適
に使用することができる。
【００３４】無溶剤状態のワニスのもう１つの重要な効
果は肉厚化できることである。溶剤型ポリマーでは溶剤
をとばしながら積み上げて肉厚化しなければならないた
め肉厚化が面倒である。無溶剤状態のワニスでは溶剤を
含まず、かつ硬化時に副生物の発生がないので、肉厚化
はもちろん、多数の基板を同時に接着し内蔵化すること
が可能である。このことは、膨張係数の小さいＬＳＩと
整合のとれたセラミックスなどの無機絶縁シートまたは
基板をモジュール基板の上層に接合することを可能とす
る。また発熱の大きいＬＳＩに対しては熱伝導性にすぐ
れたＡＩＮなどのような基板を最上部に接合することも
できる。また、別工程でオフラインでセラミックスシー
トまたは基板上に薄膜抵抗を形成し、無溶剤状態のワニ
スの耐熱限界を越える温度で熱処理し、トリミングによ
って抵抗値を整え、それから薄膜多層基板に接着して配
置し、一体化できる効果がある。
果は肉厚化できることである。溶剤型ポリマーでは溶剤
をとばしながら積み上げて肉厚化しなければならないた
め肉厚化が面倒である。無溶剤状態のワニスでは溶剤を
含まず、かつ硬化時に副生物の発生がないので、肉厚化
はもちろん、多数の基板を同時に接着し内蔵化すること
が可能である。このことは、膨張係数の小さいＬＳＩと
整合のとれたセラミックスなどの無機絶縁シートまたは
基板をモジュール基板の上層に接合することを可能とす
る。また発熱の大きいＬＳＩに対しては熱伝導性にすぐ
れたＡＩＮなどのような基板を最上部に接合することも
できる。また、別工程でオフラインでセラミックスシー
トまたは基板上に薄膜抵抗を形成し、無溶剤状態のワニ
スの耐熱限界を越える温度で熱処理し、トリミングによ
って抵抗値を整え、それから薄膜多層基板に接着して配
置し、一体化できる効果がある。
【００３５】なお、上記のように無溶剤状態のワニスを
トランスファ成形によって充填するには、モジュール基
板の側面は型どりして四辺を囲まなくてはならない。こ
の囲いとしては、離型処理を施した金属板やＲＴＶゴム
などが挙げられる。この方法に限らず、ベース基板上に
めっきで配線導体を形成するときに同時に四辺にめっき
で封止用の壁を作ることもできる。また、ベース基板の
四辺だけでなく、上部表面層をもめっきで内部配線群の
遮断膜と１７作ることも可能である。
トランスファ成形によって充填するには、モジュール基
板の側面は型どりして四辺を囲まなくてはならない。こ
の囲いとしては、離型処理を施した金属板やＲＴＶゴム
などが挙げられる。この方法に限らず、ベース基板上に
めっきで配線導体を形成するときに同時に四辺にめっき
で封止用の壁を作ることもできる。また、ベース基板の
四辺だけでなく、上部表面層をもめっきで内部配線群の
遮断膜と１７作ることも可能である。
【００３６】前述の方法で作製した基板の面積が著しく
大きい場合、たとえば、図２に示すように、ベース基板
２１上のビアホール導体２２に接続する長いＸ層配線導
体２３が、次の層のビアホール導体２４を介して長いＹ
層配線導体２５に接続し、さらにその次の層のビアホー
ル導体２６を介して半導体層２７に接続している等の場
合には、スケルトン構造の配線は一端が固定されていな
いため、配線寸法を空間において規定の値に保持できな
いおそれがある。
大きい場合、たとえば、図２に示すように、ベース基板
２１上のビアホール導体２２に接続する長いＸ層配線導
体２３が、次の層のビアホール導体２４を介して長いＹ
層配線導体２５に接続し、さらにその次の層のビアホー
ル導体２６を介して半導体層２７に接続している等の場
合には、スケルトン構造の配線は一端が固定されていな
いため、配線寸法を空間において規定の値に保持できな
いおそれがある。
【００３７】この対策として、本発明においては、配線
を支えるスペーサを設ける。
を支えるスペーサを設ける。
【００３８】配線を支える方法としては、配線間に単に
物理的にスペーサを挿入する方法の他、配線形成時にス
ペーサを形成して行く方法がある。
物理的にスペーサを挿入する方法の他、配線形成時にス
ペーサを形成して行く方法がある。
【００３９】物理的にスペーサを挿入する方法は、例え
ば、前記図１（ｆ）のようなスケルトン構造の配線が形
成された際に、スケルトンの空間のところどころに、た
とえばＸ層とＹ層の間に、スペーサを挿入することがで
きる。この場合、配線用の絶縁が保持できればスペーサ
自体の材質は絶縁性であれば、セラミックス、ガラス、
ワニスなど有機、無機の材質にかかわらず使用可能であ
る。
ば、前記図１（ｆ）のようなスケルトン構造の配線が形
成された際に、スケルトンの空間のところどころに、た
とえばＸ層とＹ層の間に、スペーサを挿入することがで
きる。この場合、配線用の絶縁が保持できればスペーサ
自体の材質は絶縁性であれば、セラミックス、ガラス、
ワニスなど有機、無機の材質にかかわらず使用可能であ
る。
【００４０】上記の手段より能率的かつ合理的な方法は
、レジストを塗布する前に、ポリマーをホトリソグラフ
ィでパターン化してスペーサを一括作製する方法である
。すなわち、図３（ａ）に示すように、ベース基板３１
上に（必ずしもベース電極のすぐ上である必要はないが
）下地金属層３２を形成した後、ホトレジスト３４を用
いてパターン化してスペーサ３３を設け、次に図３（ｂ
）に示すように、ホトレジスト３４に、ドライエッチン
グにより穴あけを行って穴３７を形成し、次いで、この
穴３７に、図３（ｃ）に示すように、銅めっきを行い、
導体３５を充填する。さらに、図３（ｄ）に示すように
、この上に配線３６を形成する。この後、図３（ｅ）に
示すように、配線導体の下部に接する部分以外の下地金
属層３２とレジスト３４とをエッチング除去し、スケル
トン構造を形成する。
、レジストを塗布する前に、ポリマーをホトリソグラフ
ィでパターン化してスペーサを一括作製する方法である
。すなわち、図３（ａ）に示すように、ベース基板３１
上に（必ずしもベース電極のすぐ上である必要はないが
）下地金属層３２を形成した後、ホトレジスト３４を用
いてパターン化してスペーサ３３を設け、次に図３（ｂ
）に示すように、ホトレジスト３４に、ドライエッチン
グにより穴あけを行って穴３７を形成し、次いで、この
穴３７に、図３（ｃ）に示すように、銅めっきを行い、
導体３５を充填する。さらに、図３（ｄ）に示すように
、この上に配線３６を形成する。この後、図３（ｅ）に
示すように、配線導体の下部に接する部分以外の下地金
属層３２とレジスト３４とをエッチング除去し、スケル
トン構造を形成する。
【００４１】この場合のスペーサ３３を構造するポリマ
ーは、レジストを除去する特定溶剤や下地金属層を除去
するエッチング液のいずれにも侵されないものであるこ
とが必要である。その結果、前述のようにして、スケル
トン構造が形成された際、スペーサ３３は、スケルトン
の空間に残存して、配線３６を支持することになる。上
記レジストが感光性ポリイミドの場合、レーザ加熱で硬
化してスペーサ部分を形成し、後に、光露光と現像とに
より配線溝を形成することができる。この方法がとれる
のは加熱重合性及び光重合性の２つの機能をもつポリマ
ーによってである。
ーは、レジストを除去する特定溶剤や下地金属層を除去
するエッチング液のいずれにも侵されないものであるこ
とが必要である。その結果、前述のようにして、スケル
トン構造が形成された際、スペーサ３３は、スケルトン
の空間に残存して、配線３６を支持することになる。上
記レジストが感光性ポリイミドの場合、レーザ加熱で硬
化してスペーサ部分を形成し、後に、光露光と現像とに
より配線溝を形成することができる。この方法がとれる
のは加熱重合性及び光重合性の２つの機能をもつポリマ
ーによってである。
【００４２】さらに別の形態として、Ｘ層とＹ層の間の
ビアホール導体層の空間となるべき部分の全部または一
部をポリマーで充填する方法がある。例えば、スケルト
ン構造の配線構成は、図４（ａ）に示すように、ベース
基板４１上のビアホール層４２→Ｘ層４３→ビアホール
層４４→Ｙ層４５→ビアホール層４６のように配線層と
ビアホール層が交互になっている場合がある。そこで、
図４（ａ）において、Ｘ層４３とＹ層４５との間のビア
ホール層４４の空間となるべき部分を、図４（ｂ）に示
すようにＸ層４３を形成後、全面ポリマーで充填してス
ペーサ４７を形成する。なお、Ｙ層へつなぐビアホール
は、スペーサポリマーをレーザで溝加工して穴を設け、
その穴に導体をめっきで充填してつくる。または、図４
（ｃ）に示すように、部分的にポリマーで充填してスペ
ーサ４７とする。
ビアホール導体層の空間となるべき部分の全部または一
部をポリマーで充填する方法がある。例えば、スケルト
ン構造の配線構成は、図４（ａ）に示すように、ベース
基板４１上のビアホール層４２→Ｘ層４３→ビアホール
層４４→Ｙ層４５→ビアホール層４６のように配線層と
ビアホール層が交互になっている場合がある。そこで、
図４（ａ）において、Ｘ層４３とＹ層４５との間のビア
ホール層４４の空間となるべき部分を、図４（ｂ）に示
すようにＸ層４３を形成後、全面ポリマーで充填してス
ペーサ４７を形成する。なお、Ｙ層へつなぐビアホール
は、スペーサポリマーをレーザで溝加工して穴を設け、
その穴に導体をめっきで充填してつくる。または、図４
（ｃ）に示すように、部分的にポリマーで充填してスペ
ーサ４７とする。
【００４３】ポリマーによる充填は、網状または格子状
とすることも可能である。この場合のスペーサとなるポ
リマーは、レジストの除去に用いる特定溶剤や、下地金
属層の除去に用いる特定エッチング液に侵されないもの
である。感光性ポリマー例えば感光性ポリイミド、不溶
性耐熱ポリマー例えば通常のポリイミドやシクロブテン
環をもつ耐熱ポリマー、付加重合型ポリイミド、シアン
酸エステル基を含む耐熱レジン、あるいは耐熱エポキシ
などが適切である。この結果、レジストや下地金属が一
括除去される際に、スペーサとなるポリマーは残り、Ｘ
層とＹ層がこのポリマーで固定されることになる。
とすることも可能である。この場合のスペーサとなるポ
リマーは、レジストの除去に用いる特定溶剤や、下地金
属層の除去に用いる特定エッチング液に侵されないもの
である。感光性ポリマー例えば感光性ポリイミド、不溶
性耐熱ポリマー例えば通常のポリイミドやシクロブテン
環をもつ耐熱ポリマー、付加重合型ポリイミド、シアン
酸エステル基を含む耐熱レジン、あるいは耐熱エポキシ
などが適切である。この結果、レジストや下地金属が一
括除去される際に、スペーサとなるポリマーは残り、Ｘ
層とＹ層がこのポリマーで固定されることになる。
【００４４】なお、スペーサを網状または格子状に形成
するには、例えば、ホトリソグラフィ、レーザ加工、ド
ライエッチングなどで行うことができる。
するには、例えば、ホトリソグラフィ、レーザ加工、ド
ライエッチングなどで行うことができる。
【００４５】なお、上記はＸ層とＹ層の中間のビアホー
ル層にスペーサを形成する場合を述べたが、スペーサを
形成する層はこれに限らず、いずれの配線層にスペーサ
を設けてもよい。
ル層にスペーサを形成する場合を述べたが、スペーサを
形成する層はこれに限らず、いずれの配線層にスペーサ
を設けてもよい。
【００４６】また、上記の方法において、スペーサとな
るポリマー層の形成を、予めビアホール加工を施した下
地金属膜付きの耐熱ポリマーフィルムを用いて能率的に
行うことができる。また、ポリマーフィルムの代わりに
セラミックスやガラス膜などの無機絶縁膜を下地金属膜
に接着して使うこともできる。
るポリマー層の形成を、予めビアホール加工を施した下
地金属膜付きの耐熱ポリマーフィルムを用いて能率的に
行うことができる。また、ポリマーフィルムの代わりに
セラミックスやガラス膜などの無機絶縁膜を下地金属膜
に接着して使うこともできる。
【００４７】また別の方法として、めっきによる配線導
体の形成の時と同時に、ベース基板の四辺にめっきで壁
（柱でもよい）を設け、配線の末端部分あるいは配線の
途中からアンテナのごとき導体をのばして、この壁に接
続し、後に行う配線群の固定後に壁を取り除くと共に、
別途このアンテナ用の導体をその根元のところでレーザ
などにより切断して取り外すなどの方法もある。
体の形成の時と同時に、ベース基板の四辺にめっきで壁
（柱でもよい）を設け、配線の末端部分あるいは配線の
途中からアンテナのごとき導体をのばして、この壁に接
続し、後に行う配線群の固定後に壁を取り除くと共に、
別途このアンテナ用の導体をその根元のところでレーザ
などにより切断して取り外すなどの方法もある。
【００４８】図５では、感光性ポリイミドを用いている
が、非感光性の耐熱ポリマー例えばポリイミドフィルム
を貼りつけてドライエッチング、あるいはレーザによる
微細加工でスペーサポリマーとビアホール部分のポリマ
ーを作ったり、あるいはビアホール穴加工を行うことも
できる。また、平坦性にすぐれたホトレジストを用いて
、スペーサを耐熱ポリマーで作成したのちに、その他の
溝をホトレジストで埋めて、そのホトレジストにホトリ
ソグラフィ加工でビアホール穴を形成するプロセスを採
用することもできる。
が、非感光性の耐熱ポリマー例えばポリイミドフィルム
を貼りつけてドライエッチング、あるいはレーザによる
微細加工でスペーサポリマーとビアホール部分のポリマ
ーを作ったり、あるいはビアホール穴加工を行うことも
できる。また、平坦性にすぐれたホトレジストを用いて
、スペーサを耐熱ポリマーで作成したのちに、その他の
溝をホトレジストで埋めて、そのホトレジストにホトリ
ソグラフィ加工でビアホール穴を形成するプロセスを採
用することもできる。
【００４９】以上に、スペーサの形成方法を種々述べた
が、これらの単独または併用に限らず、スケルトンを保
持できれば他の方法を採ることを防げない。
が、これらの単独または併用に限らず、スケルトンを保
持できれば他の方法を採ることを防げない。
【００５０】以上述べた方法のなかで、特定の溶剤ある
いは特定のエッチング液という表現を用いる場合があっ
たのは、レジストや下地金属に対応した溶剤あるいはエ
ッチング液という意味であり、その材質に応じてそれら
を溶解するものであり、それ以外の特別の限定を加える
ものではない。たとえば、前述の薄膜プロセスを用いて
スペーサを一括形成する方法において、Ｘ層とＹ層との
間のビアホール層をポリマーで充填する場合には、その
ポリマーは、上記溶剤やエッチング液のいずれにも侵さ
れるものであってはならない。その意味で、特定の溶剤
、特定エッチング液は対応するレジストや下地金属を選
択的に溶解するものである。
いは特定のエッチング液という表現を用いる場合があっ
たのは、レジストや下地金属に対応した溶剤あるいはエ
ッチング液という意味であり、その材質に応じてそれら
を溶解するものであり、それ以外の特別の限定を加える
ものではない。たとえば、前述の薄膜プロセスを用いて
スペーサを一括形成する方法において、Ｘ層とＹ層との
間のビアホール層をポリマーで充填する場合には、その
ポリマーは、上記溶剤やエッチング液のいずれにも侵さ
れるものであってはならない。その意味で、特定の溶剤
、特定エッチング液は対応するレジストや下地金属を選
択的に溶解するものである。
【００５１】本発明は、単なるプロセスの簡略化とそれ
に必然的に伴う信頼性、歩留まりの向上だけでなく、機
能性の向上にも大きな成果を与えるものである。その例
を以下に示す。
に必然的に伴う信頼性、歩留まりの向上だけでなく、機
能性の向上にも大きな成果を与えるものである。その例
を以下に示す。
【００５２】ベース基板上に、特定エッチング液に可溶
性の下地金属層を電気めっき電極あるいは無電解めっき
の下地膜として形成し、その上に配線導体のパターン形
状に穴あけ加工された特定溶剤に可溶性のめっきレジス
ト層を設け、溝の内部にめっきにより配線導体を充填す
る。この操作をｎ回繰り返して多層化を行うが、その過
程の中間に、あるいは最上層かその近くに、特定溶剤に
不溶性の絶縁材からなる配線層を設ける。ここで、この
絶縁材からなる配線層は、コンデンサやＣｒＳｉＯｘ，
ＴａＳｉＯｘなどからなる抵抗素子を搭載あるいは内蔵
するものである。上記絶縁材からなる配線層の形成前後
で、めっきレジストならびに下地金属を溶解除去して、
スケルトン構造の多層配線を作製し、このスケルトン構
造の空間に無溶剤状態のワニスを充填するか溶剤型ワニ
スを含浸あるいは両者を併用する。
性の下地金属層を電気めっき電極あるいは無電解めっき
の下地膜として形成し、その上に配線導体のパターン形
状に穴あけ加工された特定溶剤に可溶性のめっきレジス
ト層を設け、溝の内部にめっきにより配線導体を充填す
る。この操作をｎ回繰り返して多層化を行うが、その過
程の中間に、あるいは最上層かその近くに、特定溶剤に
不溶性の絶縁材からなる配線層を設ける。ここで、この
絶縁材からなる配線層は、コンデンサやＣｒＳｉＯｘ，
ＴａＳｉＯｘなどからなる抵抗素子を搭載あるいは内蔵
するものである。上記絶縁材からなる配線層の形成前後
で、めっきレジストならびに下地金属を溶解除去して、
スケルトン構造の多層配線を作製し、このスケルトン構
造の空間に無溶剤状態のワニスを充填するか溶剤型ワニ
スを含浸あるいは両者を併用する。
【００５３】本発明方法の大きな特徴として、ベース基
板上だけでなく、多層配線基板上部表面かその近く、ま
たは、中間位置に上述の如くして自由に機能素材を内蔵
させることができる。
板上だけでなく、多層配線基板上部表面かその近く、ま
たは、中間位置に上述の如くして自由に機能素材を内蔵
させることができる。
【００５４】また、本発明において、配線やビアホール
等を形成するための穴あけ加工は、ホトリソグラフィ、
レーザ加工、ウェットエッチング、ドライエッチングな
どで行うことができる。さらに、穴あけ加工を行わずに
、めっきレジスト、スペーサなどのパターンは高精度印
刷技術で形成すること、あるいはパターンを作るための
マスクを印刷で形成し、穴あけは上記の方法で行うこと
もできる。
等を形成するための穴あけ加工は、ホトリソグラフィ、
レーザ加工、ウェットエッチング、ドライエッチングな
どで行うことができる。さらに、穴あけ加工を行わずに
、めっきレジスト、スペーサなどのパターンは高精度印
刷技術で形成すること、あるいはパターンを作るための
マスクを印刷で形成し、穴あけは上記の方法で行うこと
もできる。
【００５５】また、従来方法において絶縁層にポリイミ
ド系材料を用いていたことによる問題を解決するために
、絶縁層形成のための樹脂として、シアン酸エステル系
レジン、ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマーまたは
耐熱エポキシレジン、付加重合型ポリイミドなどを使用
することを特徴とし、ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポ
リマ材前駆体またはエポキシレジン組成物など上記ポリ
マーや、オリゴマ、モノマを配線導体間の空間にトラン
スファ成形によって充填硬化し、絶縁層を形成する。
ド系材料を用いていたことによる問題を解決するために
、絶縁層形成のための樹脂として、シアン酸エステル系
レジン、ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマーまたは
耐熱エポキシレジン、付加重合型ポリイミドなどを使用
することを特徴とし、ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポ
リマ材前駆体またはエポキシレジン組成物など上記ポリ
マーや、オリゴマ、モノマを配線導体間の空間にトラン
スファ成形によって充填硬化し、絶縁層を形成する。
【００５６】従来のペディスタル方ではポリマーとして
溶剤型ワニスであるポリイミドを用いるのは、市販され
ているポリマー中では耐熱性（ガラス転移温度、熱分解
開始温度）が最も高いこと、皮膜としての機械的物性が
優れていること、熱膨張率を配線金属であるＡｌやＣｕ
と同じにできるなどが挙げられる。しかし、反面高分子
量であるため使用にあたっては溶剤に溶解しなければな
らないこと、溶解させるにはその前駆体のアミド酸の状
態にしておかなければならないこと、硬化反応は高温長
時間型であり、その際に縮合水ができること、溶質濃度
が小さく、平坦性が劣ることなど様々な問題をもってお
り、これらの問題が多層基板の生産性を著しく劣化させ
る原因となっている。以上のことを総括して表１に示す
。
溶剤型ワニスであるポリイミドを用いるのは、市販され
ているポリマー中では耐熱性（ガラス転移温度、熱分解
開始温度）が最も高いこと、皮膜としての機械的物性が
優れていること、熱膨張率を配線金属であるＡｌやＣｕ
と同じにできるなどが挙げられる。しかし、反面高分子
量であるため使用にあたっては溶剤に溶解しなければな
らないこと、溶解させるにはその前駆体のアミド酸の状
態にしておかなければならないこと、硬化反応は高温長
時間型であり、その際に縮合水ができること、溶質濃度
が小さく、平坦性が劣ることなど様々な問題をもってお
り、これらの問題が多層基板の生産性を著しく劣化させ
る原因となっている。以上のことを総括して表１に示す
。
【００５７】
【表１】
【００５８】したがって、ポリイミドに関する上述の様
々な問題を解決する一つの重要な手段としては、本発明
者らは、無溶剤状態で使用できる新しい多層配線基板用
ポリマーを案出する必要があると判断したが、このコン
セプトは、これまで多層配線基板、特に逐次多層配線基
板では従来なかったものである。その理由を推測するな
らば、これまで大面積超多層の薄膜多層配線基板が必要
とされず、層数の少ないときにはポリイミドの良い性質
のみ目立って、上記の欠点はそれほど欠点として認識さ
れる状態ではなかったこと、無溶剤ワニスでポリイミド
に代替できる諸物性をもっているものが高分子の長い歴
史の中で従来見当らなかったことが考えられる。
々な問題を解決する一つの重要な手段としては、本発明
者らは、無溶剤状態で使用できる新しい多層配線基板用
ポリマーを案出する必要があると判断したが、このコン
セプトは、これまで多層配線基板、特に逐次多層配線基
板では従来なかったものである。その理由を推測するな
らば、これまで大面積超多層の薄膜多層配線基板が必要
とされず、層数の少ないときにはポリイミドの良い性質
のみ目立って、上記の欠点はそれほど欠点として認識さ
れる状態ではなかったこと、無溶剤ワニスでポリイミド
に代替できる諸物性をもっているものが高分子の長い歴
史の中で従来見当らなかったことが考えられる。
【００５９】本発明では無溶剤ワニスとして種々採り上
げているが、特に耐熱性が優れているシクロブテン環を
有するポリマー（ガラス移転温度２９０℃以上、熱分解
開始温度３５０℃以上）では、溶剤型ワニスとして検討
が進められていて、無溶剤型としてはとり上げられ検討
されていない。また、エポキシレジン組成物は、特に低
温速硬化性（１５０℃〜２００℃で硬化可能）であり、
無溶剤型ワニスとしての使用実績もかなりあるが、耐熱
性が２００℃を越すもので無溶剤型のものは見当らない
。特にコンピュータ用薄膜多層配線基板で必要とされる
ガラス転移温度２３０℃以上、望ましくは２６０℃以上
、特に望ましく３００℃以上を満たすものはなかった。
げているが、特に耐熱性が優れているシクロブテン環を
有するポリマー（ガラス移転温度２９０℃以上、熱分解
開始温度３５０℃以上）では、溶剤型ワニスとして検討
が進められていて、無溶剤型としてはとり上げられ検討
されていない。また、エポキシレジン組成物は、特に低
温速硬化性（１５０℃〜２００℃で硬化可能）であり、
無溶剤型ワニスとしての使用実績もかなりあるが、耐熱
性が２００℃を越すもので無溶剤型のものは見当らない
。特にコンピュータ用薄膜多層配線基板で必要とされる
ガラス転移温度２３０℃以上、望ましくは２６０℃以上
、特に望ましく３００℃以上を満たすものはなかった。
【００６０】本発明では、コンピュータ用薄膜超多層配
線基板の配線仕様（例えば、幅２５μｍ、高さ４０μｍ
、ピッチ３５μｍ）でも十分トランスファ成形によって
注入充填、あるいは溶融流動により充填できるように無
溶剤ワニスは分子設計上考慮している。本発明の無溶剤
型ポリマーは１８０℃以下で液状か、加圧したときに２
８０℃以下、あるいは硬化温度以下で溶融流動すること
を前提としているものである。硬化反応はポリイミドに
比べると低温短時間で行うことができるので、繰り返し
て多層化しなければならない超多層配線基板には生産性
を高める点で好適である。加圧により溶融流動するもの
であるので、ホットプレス下でポリマーを加圧するなら
ば、ホットプレスの平坦性を高めてさえおけば、その平
坦な面がそのまま転写される。したがって、ポリマーへ
は平坦性の要求はなく、それだけ分子設計の自由度が大
きいメリットがある。このような優れた平坦性は、機械
加工によって絶縁膜を平坦化する作業を不用とするので
生産性向上に大きく貢献するものである。
線基板の配線仕様（例えば、幅２５μｍ、高さ４０μｍ
、ピッチ３５μｍ）でも十分トランスファ成形によって
注入充填、あるいは溶融流動により充填できるように無
溶剤ワニスは分子設計上考慮している。本発明の無溶剤
型ポリマーは１８０℃以下で液状か、加圧したときに２
８０℃以下、あるいは硬化温度以下で溶融流動すること
を前提としているものである。硬化反応はポリイミドに
比べると低温短時間で行うことができるので、繰り返し
て多層化しなければならない超多層配線基板には生産性
を高める点で好適である。加圧により溶融流動するもの
であるので、ホットプレス下でポリマーを加圧するなら
ば、ホットプレスの平坦性を高めてさえおけば、その平
坦な面がそのまま転写される。したがって、ポリマーへ
は平坦性の要求はなく、それだけ分子設計の自由度が大
きいメリットがある。このような優れた平坦性は、機械
加工によって絶縁膜を平坦化する作業を不用とするので
生産性向上に大きく貢献するものである。
【００６１】超薄膜多層配線基板は、一般的に厚いセラ
ミック基板の上部に積み上げられるものであり、その昇
温、降温はポリマーのベーク時間というよりはセラミッ
ク基板の熱容量の大きさに依存する場合が多い。そのよ
うな場合にホットプレスによる上方からの加熱は、ホッ
トプレスが急速加熱、急速冷却できるので、昇温、降温
時間を短くし、生産性向上に大きく貢献するものである
。
ミック基板の上部に積み上げられるものであり、その昇
温、降温はポリマーのベーク時間というよりはセラミッ
ク基板の熱容量の大きさに依存する場合が多い。そのよ
うな場合にホットプレスによる上方からの加熱は、ホッ
トプレスが急速加熱、急速冷却できるので、昇温、降温
時間を短くし、生産性向上に大きく貢献するものである
。
【００６２】本発明の無溶剤型ワニス、あるいは無溶剤
状態のポリマーをトランスファ成形によって注入あるい
は溶融流動させる場合、減圧によって抱き込んだ空気を
排出したり、僅かに含まれる溶剤を排出し、それらによ
るボイド、ピンホールの発生を皆無とするものに有効で
ある。しかし、そのまま常圧にもどすと、ボイビ、ピン
ホールをそのまま若干含むこともあるので、そのような
場合、減圧を一定時間かけた後、静水圧で全体を加圧す
ることが必要であり、それによってボイビ、ピンホール
を皆無とすることができる。
状態のポリマーをトランスファ成形によって注入あるい
は溶融流動させる場合、減圧によって抱き込んだ空気を
排出したり、僅かに含まれる溶剤を排出し、それらによ
るボイド、ピンホールの発生を皆無とするものに有効で
ある。しかし、そのまま常圧にもどすと、ボイビ、ピン
ホールをそのまま若干含むこともあるので、そのような
場合、減圧を一定時間かけた後、静水圧で全体を加圧す
ることが必要であり、それによってボイビ、ピンホール
を皆無とすることができる。
【００６３】ポリイミドの物性の中で、熱膨張率はそれ
だけに着目するならばＬＳＩ（大規模集積回路）のＳｉ
基板の熱膨張率と同じ位まで下げられるが同時に接着し
がたくなるので、せいぜい銅並みの熱膨張率（１８×１
０￣６℃￣１）までしか下げられないのが実態である。 本発明では、溶融石英粉などの無機フィラ、負の膨張率
をもつアラミド繊維、あるいはＳｉと同程度の熱膨張率
をもつポリイミド粉を混和することにより、熱膨張率を
適宜調整し配線基板の求める熱膨張率と整合をとること
が可能である。ポリマー繊維あるいはポリマー粉による
補強のメリットは、この熱膨張率の整合の他に、伸びの
大きいポリマー粉の使用による効果も大きい。また、ポ
リイミドをワニスから使用するときには硬化反応に際し
て縮合水を放出するが、ポリイミド粉末では既に硬化反
応が完結しているので縮合水は出ない。すなわち、ポリ
イミド粉を混和することにより、ポリイミドの優れた物
性を寄与させることができ、また、ドライエッチングに
おいては、無溶剤型ポリマーとエッチングレートが略同
一であるので、ドライ加工上の障害とならない。このよ
うに数々のメリットのあるポリイミド粉を補強のため逐
次薄膜多層基板に使用した例は従来ない。
だけに着目するならばＬＳＩ（大規模集積回路）のＳｉ
基板の熱膨張率と同じ位まで下げられるが同時に接着し
がたくなるので、せいぜい銅並みの熱膨張率（１８×１
０￣６℃￣１）までしか下げられないのが実態である。 本発明では、溶融石英粉などの無機フィラ、負の膨張率
をもつアラミド繊維、あるいはＳｉと同程度の熱膨張率
をもつポリイミド粉を混和することにより、熱膨張率を
適宜調整し配線基板の求める熱膨張率と整合をとること
が可能である。ポリマー繊維あるいはポリマー粉による
補強のメリットは、この熱膨張率の整合の他に、伸びの
大きいポリマー粉の使用による効果も大きい。また、ポ
リイミドをワニスから使用するときには硬化反応に際し
て縮合水を放出するが、ポリイミド粉末では既に硬化反
応が完結しているので縮合水は出ない。すなわち、ポリ
イミド粉を混和することにより、ポリイミドの優れた物
性を寄与させることができ、また、ドライエッチングに
おいては、無溶剤型ポリマーとエッチングレートが略同
一であるので、ドライ加工上の障害とならない。このよ
うに数々のメリットのあるポリイミド粉を補強のため逐
次薄膜多層基板に使用した例は従来ない。
【００６４】ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材前
駆体としては、分子内に１個以上のベンゾシクロブテン
骨格を有する１８０℃以下の温度で溶剤無添加で液状ま
たは２８０℃以下の温度で加圧下溶剤無添加で液状、も
しくは流動性をもつベンゾシクロブテン系モノマ、また
はベンゾシクロブテン系モノマとそのオリゴマとの混合
物、またはベンゾシクロブテン系オリゴマを用いる。あ
るいはポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材前駆体と
して、分子内に１個以上のベンゾシクロブテン骨格を有
するベンゾシクロブテン系モノマとジェノフィルとなり
うる分子団を１個以上有する剛直な分子構造のコモノマ
とを混合して得られる１８０℃以下の温度で溶剤無添加
で液状または２８０℃以下の温度で加圧下溶剤無添加で
液状、もしくは流動性をもつモノマ混合物、またはモノ
マとオリゴマの混合物、または上記２種類のモノマのオ
リゴマ混合物を用いる。
駆体としては、分子内に１個以上のベンゾシクロブテン
骨格を有する１８０℃以下の温度で溶剤無添加で液状ま
たは２８０℃以下の温度で加圧下溶剤無添加で液状、も
しくは流動性をもつベンゾシクロブテン系モノマ、また
はベンゾシクロブテン系モノマとそのオリゴマとの混合
物、またはベンゾシクロブテン系オリゴマを用いる。あ
るいはポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材前駆体と
して、分子内に１個以上のベンゾシクロブテン骨格を有
するベンゾシクロブテン系モノマとジェノフィルとなり
うる分子団を１個以上有する剛直な分子構造のコモノマ
とを混合して得られる１８０℃以下の温度で溶剤無添加
で液状または２８０℃以下の温度で加圧下溶剤無添加で
液状、もしくは流動性をもつモノマ混合物、またはモノ
マとオリゴマの混合物、または上記２種類のモノマのオ
リゴマ混合物を用いる。
【００６５】ここで、上記ポリ（ベンゾシクロブテン）
系ポリマ材を形成するベンゾシクロブテン系モノマとし
ては、下記一般式（１）で示される化学構造式の化合物
を用いることができる。
系ポリマ材を形成するベンゾシクロブテン系モノマとし
ては、下記一般式（１）で示される化学構造式の化合物
を用いることができる。
【００６６】
【化１】
【００６７】ただしＲは次の（ｉ）〜（ｉｉｉ）のいず
れかで示されるものである。
れかで示されるものである。
【００６８】
【化２】
【００６９】
【化３】
【００７０】
【化４】
【００７１】
【化５】
【００７２】一般式（１）で示されるベンゾシクロブテ
ンモノマの具体例を挙げれば、例えば、■４，４’−ビ
スベンゾシクロブテン
ンモノマの具体例を挙げれば、例えば、■４，４’−ビ
スベンゾシクロブテン
【００７３】
【化６】
【００７４】■ビスベンゾシクロブテニルエテン
【００
７５】
７５】
【化７】
【００７６】■ｍ−ビスベンゾシクロブテニルエテニル
ベンゼン
ベンゼン
【００７７】
【化８】
【００７８】■ｐ−ビスベンゾシクロブテニルベンゼン
【００７９】
【化９】
【００８０】等である。
【００８１】前記のポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリ
マ材前駆体は、１８０℃以下の温度で液状または２８０
℃以下の温度で加圧下溶剤無添加で液状、もしくは流動
可動となる。加熱硬化処理において、収縮が少なく、ま
たその内部にボイドやピンホール等を発生することなく
硬化する。
マ材前駆体は、１８０℃以下の温度で液状または２８０
℃以下の温度で加圧下溶剤無添加で液状、もしくは流動
可動となる。加熱硬化処理において、収縮が少なく、ま
たその内部にボイドやピンホール等を発生することなく
硬化する。
【００８２】また、上記のポリ（ベンゾシクロブテン）
系ポリマ材で形成される絶縁層は、銅、アルミニウム等
の配線層と同程度以下の熱膨張係数を実現できるので加
熱硬化処理による配線層の残留機械的ストレスが少ない
ことに加えて、上記ポリ（べンゾシクロブテン）系ポリ
マ材は強い耐アルカリ性を有し、配線層のめっき処理に
より変質しない。
系ポリマ材で形成される絶縁層は、銅、アルミニウム等
の配線層と同程度以下の熱膨張係数を実現できるので加
熱硬化処理による配線層の残留機械的ストレスが少ない
ことに加えて、上記ポリ（べンゾシクロブテン）系ポリ
マ材は強い耐アルカリ性を有し、配線層のめっき処理に
より変質しない。
【００８３】上記溶融したポリマ前駆体には、従来のポ
リアミド酸溶液のように溶剤が含まれないので加熱硬化
による収縮がなく、また、硬化前に低粘度で溶融する。
リアミド酸溶液のように溶剤が含まれないので加熱硬化
による収縮がなく、また、硬化前に低粘度で溶融する。
【００８４】さらに、溶剤の蒸発や反応時にできる水分
の蒸発がないので絶縁膜内にボイドやピンホール等が発
生することを防止することができる。
の蒸発がないので絶縁膜内にボイドやピンホール等が発
生することを防止することができる。
【００８５】また、上記オリゴマ化した絶縁材料の粘性
を加熱温度や加熱時間等により適宜設定できる。
を加熱温度や加熱時間等により適宜設定できる。
【００８６】また、上記本発明の絶縁材料は被覆する金
属配線層とほぼ同等ないしはそれ以下の熱膨張率を示す
ことができるので、配線構造体製造時の熱処理サイクル
により絶縁膜と配線の間に残留する熱応力がほとんどな
く、このため絶縁膜と配線の剥離、配線の変形、同断線
がみられない。
属配線層とほぼ同等ないしはそれ以下の熱膨張率を示す
ことができるので、配線構造体製造時の熱処理サイクル
により絶縁膜と配線の間に残留する熱応力がほとんどな
く、このため絶縁膜と配線の剥離、配線の変形、同断線
がみられない。
【００８７】以下、上記本発明に用いる絶縁材料とその
処理条件について説明する。
処理条件について説明する。
【００８８】上記ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ
材の一つは、分子内に１個以上のベンゾシクロブテン骨
格を有し、１８０℃以下の温度にて１ないし２種類以上
のモノマあるいはオリゴマを有する液状物を加熱硬化し
て生成する。
材の一つは、分子内に１個以上のベンゾシクロブテン骨
格を有し、１８０℃以下の温度にて１ないし２種類以上
のモノマあるいはオリゴマを有する液状物を加熱硬化し
て生成する。
【００８９】また、上記ポリ（ベンゾシクロブテン）系
ポリマ材の二つ目は、分子内に１個以上のベンゾシクロ
ブテン骨格を有する１種あるいは２種類以上のベンゾシ
クロブテン系モノマに対してジェノフィルとなりうる分
子団を１個以上有する剛直な分子構造のコモノマを１種
類、あるいは２種類以上をモル比で０．１〜９９．９の
範囲内に混合した１８０℃以下で液状となるモノマ混合
物より生成されるオリゴマ混合物より生成される（ベン
ゾシクロブテン−ジェノフィル）系コポリマ材である。
ポリマ材の二つ目は、分子内に１個以上のベンゾシクロ
ブテン骨格を有する１種あるいは２種類以上のベンゾシ
クロブテン系モノマに対してジェノフィルとなりうる分
子団を１個以上有する剛直な分子構造のコモノマを１種
類、あるいは２種類以上をモル比で０．１〜９９．９の
範囲内に混合した１８０℃以下で液状となるモノマ混合
物より生成されるオリゴマ混合物より生成される（ベン
ゾシクロブテン−ジェノフィル）系コポリマ材である。
【００９０】上記ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ
ーを生成するモノマとしては前記化学式（１）に示す一
般化学構造式の化合物を用いる。
ーを生成するモノマとしては前記化学式（１）に示す一
般化学構造式の化合物を用いる。
【００９１】また、上記無溶剤ワニスは前記化学式（１
）に示したビス（ベンゾシクロブテン）類の中の１種あ
るいは２種類以上の組成物である。
）に示したビス（ベンゾシクロブテン）類の中の１種あ
るいは２種類以上の組成物である。
【００９２】上記無溶剤タイプのポリ（ベンゾシクロブ
テン）ポリマー単独では低熱膨張率を示さない場合には
、このポリ（ベンゾシクロブテン）ポリマーを生成する
１８０℃以下では液状のモノマに、ジェノフィルとなり
うる分子団を分子内に１個以上有する剛直な分子構造の
コモノマを溶解させた無溶剤ワニスを用いるようにする
。
テン）ポリマー単独では低熱膨張率を示さない場合には
、このポリ（ベンゾシクロブテン）ポリマーを生成する
１８０℃以下では液状のモノマに、ジェノフィルとなり
うる分子団を分子内に１個以上有する剛直な分子構造の
コモノマを溶解させた無溶剤ワニスを用いるようにする
。
【００９３】また、このようなコポリマは、単独では低
熱膨張率を示さない上記ポリ（ベンゾシクロブテン）ポ
リマーを生成する１８０℃以下では固体のモノマを、ジ
ェノフィルとなりうる分子団を分子内に１個以上有する
剛直な分子構造の１８０℃以下では液状のコモノマに溶
解させた無溶剤ワニスであってもよく、また、単独で低
熱膨張性ポリ（ベンゾシクロブテン）ポリマーを与える
モノマと上記剛直分子構造のコモノマから得られるもの
でもよい。
熱膨張率を示さない上記ポリ（ベンゾシクロブテン）ポ
リマーを生成する１８０℃以下では固体のモノマを、ジ
ェノフィルとなりうる分子団を分子内に１個以上有する
剛直な分子構造の１８０℃以下では液状のコモノマに溶
解させた無溶剤ワニスであってもよく、また、単独で低
熱膨張性ポリ（ベンゾシクロブテン）ポリマーを与える
モノマと上記剛直分子構造のコモノマから得られるもの
でもよい。
【００９４】このような剛直構造のコモノマよりなる絶
縁膜は耐熱性に優れ、同時に優れた可とう性も得られる
ので機械的強度が向上する。
縁膜は耐熱性に優れ、同時に優れた可とう性も得られる
ので機械的強度が向上する。
【００９５】上記ジェノフィルコモノマは式（２）に示
すような分子構造のものであることが好ましい。
すような分子構造のものであることが好ましい。
【００９６】Ｙ−Ｘ−Ｙ’
（２） ただし、Ｘは直接結合、
（２） ただし、Ｘは直接結合、
【００９７】
【化１０】
【００９８】（ｍは１〜４の整数、ｎは１以上の整数、
Ｒは水素原子、アルキル基、アリール基）、
Ｒは水素原子、アルキル基、アリール基）、
【００９９
】
】
【化１１】
【０１００】であり、Ｙ，Ｙ’は
【０１０１】
【化１２】
【０１０２】（ｎは１以上の整数、Ｒは水素原子、アル
キル基、アリール基）、
キル基、アリール基）、
【０１０３】
【化１３】
【０１０４】（ｎは１以上の整数、Ｒは水素原子、アル
キル基、アリール基）から任意の組合せが選ばれる。
キル基、アリール基）から任意の組合せが選ばれる。
【０１０５】この中、特に好ましいのは
【０１０６】
【化１４】
【０１０７】
【化１５】
【０１０８】である。
【０１０９】上記可とう性が向上する理由は、ビス（ベ
ンゾシクロブテン）類とこれらのビス（ジェノフィル）
類とが加熱反応する際に、それぞれの単独重合、すなわ
ち架橋反応の他に、ベンゾシクロブテンが異性化して生
成されたｏ−キノジメタンがジェノフィル部位とディー
ルズ・アルーダ反応して式（３）に示した直線状分子構
造の共重合成分が生成され、これが硬化膜中に混入して
耐熱性を保持しつつ架橋密度を低下させるためと思われ
る。
ンゾシクロブテン）類とこれらのビス（ジェノフィル）
類とが加熱反応する際に、それぞれの単独重合、すなわ
ち架橋反応の他に、ベンゾシクロブテンが異性化して生
成されたｏ−キノジメタンがジェノフィル部位とディー
ルズ・アルーダ反応して式（３）に示した直線状分子構
造の共重合成分が生成され、これが硬化膜中に混入して
耐熱性を保持しつつ架橋密度を低下させるためと思われ
る。
【０１１０】
【化１６】
【０１１１】本発明では、上記液状ビス（ベンゾシクロ
ブテン）に１種または２種類以上のビス（ジェノフィル
）類を溶解させた無溶剤ワニスを用いる。
ブテン）に１種または２種類以上のビス（ジェノフィル
）類を溶解させた無溶剤ワニスを用いる。
【０１１２】また、上記無溶剤ワニスを所定時間加熱し
て融点が１８０℃以下のオリゴマタイプの無溶剤ワニス
を用いてもよい。
て融点が１８０℃以下のオリゴマタイプの無溶剤ワニス
を用いてもよい。
【０１１３】エポキシレジンは、重合に際して発泡の原
因となる水の副生がなく、無溶剤状態があるので、加圧
、減圧下で硬化することができる。特にアミン硬化のも
のは低温短時間で硬化できる。例えばナフタレン骨格の
エポキシレジンをジアミノジフェニルメタンで硬化させ
るとき、１７０〜２００℃、数分〜２時間で硬化可能で
ある。これは従来のポリイミドの硬化は低温から手順を
踏んで高温に上げ、最終的に３５０℃〜４００℃で合計
数時間必要であるのに対して、硬化時間だけで生産性は
大幅に向上する。
因となる水の副生がなく、無溶剤状態があるので、加圧
、減圧下で硬化することができる。特にアミン硬化のも
のは低温短時間で硬化できる。例えばナフタレン骨格の
エポキシレジンをジアミノジフェニルメタンで硬化させ
るとき、１７０〜２００℃、数分〜２時間で硬化可能で
ある。これは従来のポリイミドの硬化は低温から手順を
踏んで高温に上げ、最終的に３５０℃〜４００℃で合計
数時間必要であるのに対して、硬化時間だけで生産性は
大幅に向上する。
【０１１４】すなわち、配線導体間の空間に、耐熱エポ
キシレジンとその硬化剤を含む耐熱エポキシレジン組成
物をトランスファ成形によって充填、硬化することによ
り、配線導体間の絶縁層を形成する。
キシレジンとその硬化剤を含む耐熱エポキシレジン組成
物をトランスファ成形によって充填、硬化することによ
り、配線導体間の絶縁層を形成する。
【０１１５】この発明で用いる耐熱エポキシレジンは、
下記一般式（４）で示される化学構造のものが使用でき
るが、ナフタレン骨格、ビフェニル骨格もしくはターフ
ェニル骨格の少なくとも１種以上で構成されることが望
ましい。
下記一般式（４）で示される化学構造のものが使用でき
るが、ナフタレン骨格、ビフェニル骨格もしくはターフ
ェニル骨格の少なくとも１種以上で構成されることが望
ましい。
【０１１６】
【化１７】
【０１１７】ただし、
【０１１８】
【化１８】
【０１１９】から任意に選ばれる組合せであり、ＲとＲ
’が同じ場合も含まれる。
’が同じ場合も含まれる。
【０１２０】（ｍ，ｎは１〜２の整数）Ａｒは、下記に
例示されるアリール基であり、Ｒ，Ｒ’は、アリール基
の末端芳香環に結合する。また、アリール基内でのフェ
ニル基同士またはフェニル基と−Ｏ−基あるいは−ＣＨ
２−基との結合はｐ位に限らず、ｍ位、ｏ位の結合ある
いはその混合も含まれる。
例示されるアリール基であり、Ｒ，Ｒ’は、アリール基
の末端芳香環に結合する。また、アリール基内でのフェ
ニル基同士またはフェニル基と−Ｏ−基あるいは−ＣＨ
２−基との結合はｐ位に限らず、ｍ位、ｏ位の結合ある
いはその混合も含まれる。
【０１２１】また、アリール基の末端芳香環とＲ，Ｒ’
との結合においては、可能である限り、末端芳香環のい
ずれの位置にＲ，Ｒ’が結合する場合も含む。
との結合においては、可能である限り、末端芳香環のい
ずれの位置にＲ，Ｒ’が結合する場合も含む。
【０１２２】
【化１９】
【０１２３】
【化２０】
【０１２４】
【化２１】
【０１２５】硬化剤である芳香族ジフェニルメタン骨格
、ナフタレン骨格、ビフェニル骨格もしくはターフェニ
ル骨格の少なくとも一種以上を含むものであることが望
ましく、例えば４，４′−ジアミノジフェニルメタン、
４，４′−ジアミノビフェニル、４，４″−ジアミノパ
ラターフェニル、４，４′′′−ジアミノパラクォータ
ーフェニル、１，６−ジアミノナフタレン、９，１０−
ジアミノアントラセンなどであり、下記一般式（５）で
示される化学構造式のものである。
、ナフタレン骨格、ビフェニル骨格もしくはターフェニ
ル骨格の少なくとも一種以上を含むものであることが望
ましく、例えば４，４′−ジアミノジフェニルメタン、
４，４′−ジアミノビフェニル、４，４″−ジアミノパ
ラターフェニル、４，４′′′−ジアミノパラクォータ
ーフェニル、１，６−ジアミノナフタレン、９，１０−
ジアミノアントラセンなどであり、下記一般式（５）で
示される化学構造式のものである。
【０１２６】Ｈ２Ｎ−Ａｒ−ＨＮ２
…（５）
…（５）
【０１２７】
【化２２】
【０１２８】
【化２３】
【０１２９】
【化２４】
【０１３０】なお、配線導体感の空間に充填される絶縁
材料としては、上記のポリ（ベンゾシクロブテン）系ポ
リマ材とエポキシレジンを混在して使用することもでき
る。従来のポリイミドに代えて、ポリ（ベンゾシクロブ
テン）系ポリマ材または耐熱エポキシレジンを用いるこ
とによって、硬化時間は大幅に減少する。硬化時間だけ
でなく、多層配線基板のベース基板が厚手のセラミック
基板の場合、昇温、降温に著しく時間をとるので、ベー
ク時間も多大な時間を要する。
材料としては、上記のポリ（ベンゾシクロブテン）系ポ
リマ材とエポキシレジンを混在して使用することもでき
る。従来のポリイミドに代えて、ポリ（ベンゾシクロブ
テン）系ポリマ材または耐熱エポキシレジンを用いるこ
とによって、硬化時間は大幅に減少する。硬化時間だけ
でなく、多層配線基板のベース基板が厚手のセラミック
基板の場合、昇温、降温に著しく時間をとるので、ベー
ク時間も多大な時間を要する。
【０１３１】本発明では、セラミツク基板の昇温、降温
に要する時間を省くために、ポリ（ベンゾシクロブテン
）系ポリマ材前駆体またはエポキシレジン組成物がホッ
トプレート上に十分溶融、硬化することに着目し、加熱
が可能なホットプレートを用いて樹脂材料を硬化する手
段を採用する。ホットプレートの表面を高精度に平坦に
しておくと、硬化後の配線の上部表面も平坦となる。 ±０．５μｍ以上の高精度の平坦性の付与も可能である
。例えば、エポキシレジン組成物は約８０℃から溶融し
始め、１７０℃、２時間で十分硬化できる。１７０℃か
ら２００℃に昇温しながら硬化させれば数分の硬化時間
で十分硬化できる。ホットプレートは急速加熱ができる
が、セラミック基板をオープンで加熱すると急速加熱は
困難であり、ホットプレートによる加熱、減圧、加圧、
溶融流動、平坦化硬化システムは製造時間の短縮に多い
に貢献する。
に要する時間を省くために、ポリ（ベンゾシクロブテン
）系ポリマ材前駆体またはエポキシレジン組成物がホッ
トプレート上に十分溶融、硬化することに着目し、加熱
が可能なホットプレートを用いて樹脂材料を硬化する手
段を採用する。ホットプレートの表面を高精度に平坦に
しておくと、硬化後の配線の上部表面も平坦となる。 ±０．５μｍ以上の高精度の平坦性の付与も可能である
。例えば、エポキシレジン組成物は約８０℃から溶融し
始め、１７０℃、２時間で十分硬化できる。１７０℃か
ら２００℃に昇温しながら硬化させれば数分の硬化時間
で十分硬化できる。ホットプレートは急速加熱ができる
が、セラミック基板をオープンで加熱すると急速加熱は
困難であり、ホットプレートによる加熱、減圧、加圧、
溶融流動、平坦化硬化システムは製造時間の短縮に多い
に貢献する。
【０１３２】エポキシレジン組成物は従来ガラス転移温
度が２００℃以上に高いものは知られていなかったが、
本発明では、２５０℃以上、望ましくは３００℃以上の
ガラス転移温度をもち、かつ低熱膨張性のエポキシレジ
ン組成物を新規に見出し、それを薄膜多層配線基板へ使
用できるように工夫した。例えばナフタレン骨格のエポ
キシレジンをジアミノジフェニルメタンで硬化したもの
は３００℃以上のガラス転移温度をもつことが見出され
た。高いガラス転移温度をもつことにより、半田付けに
よる組み立て温度を高くすることができ、それだけ半田
付け階層接続上のハイラルキーを大幅に増やせる効果が
ある。この高ガラス転移温度の効果は、複雑な多階層の
コンピュータのモジュール組み立てに対して極めて重要
な意義をもつものである。
度が２００℃以上に高いものは知られていなかったが、
本発明では、２５０℃以上、望ましくは３００℃以上の
ガラス転移温度をもち、かつ低熱膨張性のエポキシレジ
ン組成物を新規に見出し、それを薄膜多層配線基板へ使
用できるように工夫した。例えばナフタレン骨格のエポ
キシレジンをジアミノジフェニルメタンで硬化したもの
は３００℃以上のガラス転移温度をもつことが見出され
た。高いガラス転移温度をもつことにより、半田付けに
よる組み立て温度を高くすることができ、それだけ半田
付け階層接続上のハイラルキーを大幅に増やせる効果が
ある。この高ガラス転移温度の効果は、複雑な多階層の
コンピュータのモジュール組み立てに対して極めて重要
な意義をもつものである。
【０１３３】エポキシレジン組成物の硬化物は、ポリイ
ミドに比べて伸びが小さいことが、昇温、降温による熱
ストレスの大きい多層配線基板の製造プロセスでは心配
される。エポキシレジン組成物そのものは接着生がよく
、機械的性質も優れているが、銅やセラミックスなどの
熱膨張係数の小さいものを複合化する場合には、一層信
頼性を高める必要がある。これに対する解決手段として
は、繊維状物質あるいは石英粉、ポリイミド粉などのフ
ィラを充填剤として用いることである。繊維状物質とし
ては高張力、高モジュラスであり、かつ熱および湿度に
対する膨張係数がともに負でイオン物質性物質の含有が
著しく少ないアラミド繊維、例えば帝人（株）製のテク
ノーラ（登録商標）などが使用できる。イオン性物質が
少ないことは配線密度の向上に伴う銅のマイグレーショ
ン発生や半導体チップの直接搭載における電極の腐食の
問題に対して優位性を持っている。また、他の手段とし
ては、高張力、高い伸び、低膨張の有機質粉末、特にポ
リイミド粉末を充填材として用いることである。ポリイ
ミド粉末の例は、下記一般式（６）で示される化学構造
を有するものが挙げられる。
ミドに比べて伸びが小さいことが、昇温、降温による熱
ストレスの大きい多層配線基板の製造プロセスでは心配
される。エポキシレジン組成物そのものは接着生がよく
、機械的性質も優れているが、銅やセラミックスなどの
熱膨張係数の小さいものを複合化する場合には、一層信
頼性を高める必要がある。これに対する解決手段として
は、繊維状物質あるいは石英粉、ポリイミド粉などのフ
ィラを充填剤として用いることである。繊維状物質とし
ては高張力、高モジュラスであり、かつ熱および湿度に
対する膨張係数がともに負でイオン物質性物質の含有が
著しく少ないアラミド繊維、例えば帝人（株）製のテク
ノーラ（登録商標）などが使用できる。イオン性物質が
少ないことは配線密度の向上に伴う銅のマイグレーショ
ン発生や半導体チップの直接搭載における電極の腐食の
問題に対して優位性を持っている。また、他の手段とし
ては、高張力、高い伸び、低膨張の有機質粉末、特にポ
リイミド粉末を充填材として用いることである。ポリイ
ミド粉末の例は、下記一般式（６）で示される化学構造
を有するものが挙げられる。
【０１３４】
【化２５】
【０１３５】上記（６）において、Ｒが
【０１３６】
【化２６】
【０１３７】の場合は、ポリ（Ｎ，Ｎ’−オキシジフェ
ニレンビフェニルテトラカルボキシルイミド）、Ｒが
ニレンビフェニルテトラカルボキシルイミド）、Ｒが
【
０１３８】
０１３８】
【化２７】
【０１３９】の場合は、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレ
ンビフェニルテトラカルボキシルイミド）であり、宇部
興産（株）製（各々商品名ＵＩＰ−ＲとＵＩＰ−Ｓ）が
使用可能である。
ンビフェニルテトラカルボキシルイミド）であり、宇部
興産（株）製（各々商品名ＵＩＰ−ＲとＵＩＰ−Ｓ）が
使用可能である。
【０１４０】これらの補強材によって、耐熱エポキシレ
ジン組成物の硬化物の伸びの不足が十分にカバーされる
。このような補強材の添加は、前述のポリ（ベンゾシク
ロブテン）系ポリマ材にももちろん有効である。
ジン組成物の硬化物の伸びの不足が十分にカバーされる
。このような補強材の添加は、前述のポリ（ベンゾシク
ロブテン）系ポリマ材にももちろん有効である。
【０１４１】上記のような補強材による補強方法は、補
強材を充填して後、配線導体感の空間にポリ（ベンゾシ
クロブテン）系ポリマ材前駆体または耐熱エポキシレジ
ン組成物をトランスファ成形によって充填、硬化するか
あるいは、補強材を添加したポリ（ベンゾシクロブテン
）系ポリマ材前駆体または補強材を添加した耐熱エポキ
シレジン組成物を配線導体間の空間にトランスファ成形
によって充填、硬化することにより可能である。
強材を充填して後、配線導体感の空間にポリ（ベンゾシ
クロブテン）系ポリマ材前駆体または耐熱エポキシレジ
ン組成物をトランスファ成形によって充填、硬化するか
あるいは、補強材を添加したポリ（ベンゾシクロブテン
）系ポリマ材前駆体または補強材を添加した耐熱エポキ
シレジン組成物を配線導体間の空間にトランスファ成形
によって充填、硬化することにより可能である。
【０１４２】また、ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリ
マ材前駆体または耐熱エポキシレジン組成物の樹脂材料
を配線導体の上端面に付着させないためには、配線導体
の上端表面のみを、フッ素入り界面活性剤もしくはフッ
素入りポリマーで処理することが有効である。これは、
配線導体間の空間に樹脂材料を充填した後に行う配線導
体の上端表面をクリーニングするためのドライ加工の時
間を短くし、容易にするものである。すなわち、導体の
上端表面にレジンが厚く付着していれば、それを取り除
くためにドライエッチング時間を長くしなければならな
いが、ほとんど付着していなければフッ素化合物の除去
だけの時間ですむ。あるいはホットプレートの絶縁膜を
接する側にシリコーンゴムの薄い層を設けることが有効
である。ホットプレート上に厚さ１〜５μｍの生のシリ
コーンゴムを塗布し、その上に配線導体をおくとビアホ
ールの上端が埋まる。その状態で硬化させる。そのよう
な状態下で無溶剤ワニスを注入する。シリコーンゴムは
離型性がよく簡単に配線導体を外せる。しかる後のビア
ホール導体の上端はクリーンな状態である。多層配線基
板を形成するためには、これより上層の配線層を形成す
るプロセスにおいて、配線導体の上端表面は電気メッキ
で導体を接続するので、導体金属が露出してクリーンで
なければならない。
マ材前駆体または耐熱エポキシレジン組成物の樹脂材料
を配線導体の上端面に付着させないためには、配線導体
の上端表面のみを、フッ素入り界面活性剤もしくはフッ
素入りポリマーで処理することが有効である。これは、
配線導体間の空間に樹脂材料を充填した後に行う配線導
体の上端表面をクリーニングするためのドライ加工の時
間を短くし、容易にするものである。すなわち、導体の
上端表面にレジンが厚く付着していれば、それを取り除
くためにドライエッチング時間を長くしなければならな
いが、ほとんど付着していなければフッ素化合物の除去
だけの時間ですむ。あるいはホットプレートの絶縁膜を
接する側にシリコーンゴムの薄い層を設けることが有効
である。ホットプレート上に厚さ１〜５μｍの生のシリ
コーンゴムを塗布し、その上に配線導体をおくとビアホ
ールの上端が埋まる。その状態で硬化させる。そのよう
な状態下で無溶剤ワニスを注入する。シリコーンゴムは
離型性がよく簡単に配線導体を外せる。しかる後のビア
ホール導体の上端はクリーンな状態である。多層配線基
板を形成するためには、これより上層の配線層を形成す
るプロセスにおいて、配線導体の上端表面は電気メッキ
で導体を接続するので、導体金属が露出してクリーンで
なければならない。
【０１４３】以上のように、硬化に際して従来のポリイ
ミドのように水の副生がないこと、低温で速く硬化する
こと、高ガラス転移温度、低熱膨張性であることなどの
諸条件を満たす樹脂材料を使用することに加えて、昇温
、降温が急速にできるホットプレートを用いて無溶媒性
樹脂の加熱によって樹脂を硬化させること、さらには充
填材として、高張力、高モジュラス並びに、熱や湿度に
対して負の膨張係数を持つアラミド繊維、あるいは高張
力、高伸び、低熱膨張性のポリイミド粉末を添加するこ
と、配線導体表面のフッ素処理、硬化に際しての減圧、
加圧処理などの１つ１つの効果が相乗的に働いて、多層
配線基板の製造における高スループット、小リードタイ
ムが実現され、優れた量産生が達成される。また、ポリ
イミドを用いる場合に見られるピンホールやボイドを防
止しショート、オープンなどの電気的不良を皆無とし、
信頼性、歩留まり向上に有効である。ポリイミドワニス
では大きさが３０ミクロン以下の基板ボイドは埋めつく
せないが、ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材また
は無溶剤型のエポキシレジンは減圧下でこれを埋めつく
すことが容易であり、このことは絶縁層のピンホール、
ボイドの発生を阻止するとともに、それを防止するため
に必要とされる困難性の高いセラミック基板側のボイド
レス化の努力を全く必要としないので、従来方法に比べ
て効果が大きい。
ミドのように水の副生がないこと、低温で速く硬化する
こと、高ガラス転移温度、低熱膨張性であることなどの
諸条件を満たす樹脂材料を使用することに加えて、昇温
、降温が急速にできるホットプレートを用いて無溶媒性
樹脂の加熱によって樹脂を硬化させること、さらには充
填材として、高張力、高モジュラス並びに、熱や湿度に
対して負の膨張係数を持つアラミド繊維、あるいは高張
力、高伸び、低熱膨張性のポリイミド粉末を添加するこ
と、配線導体表面のフッ素処理、硬化に際しての減圧、
加圧処理などの１つ１つの効果が相乗的に働いて、多層
配線基板の製造における高スループット、小リードタイ
ムが実現され、優れた量産生が達成される。また、ポリ
イミドを用いる場合に見られるピンホールやボイドを防
止しショート、オープンなどの電気的不良を皆無とし、
信頼性、歩留まり向上に有効である。ポリイミドワニス
では大きさが３０ミクロン以下の基板ボイドは埋めつく
せないが、ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材また
は無溶剤型のエポキシレジンは減圧下でこれを埋めつく
すことが容易であり、このことは絶縁層のピンホール、
ボイドの発生を阻止するとともに、それを防止するため
に必要とされる困難性の高いセラミック基板側のボイド
レス化の努力を全く必要としないので、従来方法に比べ
て効果が大きい。
【０１４４】
【作用】下地金属層とめっきレジストとめっきを用いレ
ジスト除去と下地金属除去ならびに絶縁ポリマー被覆と
研削を各層毎に行う従来の多層配線基板の逐次製造を特
徴とするベディスタル方法に比べて、本発明方法は、レ
ジストの一括除去、下地金属の一括除去、それに次いで
の絶縁ワニスのトランスファ成形による一括注入処理ま
たは絶縁材の一括被覆処理もしくは両処理の併用により
、工程数の大幅減少や絶縁ポリマーの研削研磨工程の排
除により、プロセスの簡略化を達成する。また、それば
かりでなく、無溶剤状態のワニスの使用による欠陥ボイ
ドの低減や異物発生工程を排除したことにより、異物に
よる配線間のショート、配線のオープンなど発生が抑え
られて、歩留まり向上、また、配線寿命の安定化に大き
く寄与するものである。
ジスト除去と下地金属除去ならびに絶縁ポリマー被覆と
研削を各層毎に行う従来の多層配線基板の逐次製造を特
徴とするベディスタル方法に比べて、本発明方法は、レ
ジストの一括除去、下地金属の一括除去、それに次いで
の絶縁ワニスのトランスファ成形による一括注入処理ま
たは絶縁材の一括被覆処理もしくは両処理の併用により
、工程数の大幅減少や絶縁ポリマーの研削研磨工程の排
除により、プロセスの簡略化を達成する。また、それば
かりでなく、無溶剤状態のワニスの使用による欠陥ボイ
ドの低減や異物発生工程を排除したことにより、異物に
よる配線間のショート、配線のオープンなど発生が抑え
られて、歩留まり向上、また、配線寿命の安定化に大き
く寄与するものである。
【０１４５】さらに、無溶剤状態の耐熱ワニスの使用に
より、ベース基板の平坦化も容易に行うことができる。
より、ベース基板の平坦化も容易に行うことができる。
【０１４６】また、製造工程で、スケルトン構造の配線
を形成することは、配線が露出しているので水洗の強化
が容易にでき、めっき液の残留も生じない。
を形成することは、配線が露出しているので水洗の強化
が容易にでき、めっき液の残留も生じない。
【０１４７】さらにまた、ベース基板上だけでなく、多
層配線基板上部表面かその近く、または中間位置に自由
に機能素材を内蔵させることができる。特に上下基板を
無溶剤状態のワニスの充填で同時に接着固定化できる。 そのため、オンラインで上部または中間基板を作製する
ことを可能とし、工程数短縮、歩留まり向上に関して、
極めて効果が大きい。それに加えて、コンデンサ、抵抗
素子の内蔵は、外部に機能素子を設ける場合に比べて、
実装密度ひいては信号伝播速度の向上に著しく寄与する
ものである。 以上のように、本発明は個々の要素は
もちろん重要であるが、薄膜超多層化プロセスという全
体へ個々の要素を巧みに整合させつつとり入れて組立て
たシステムとしてとらえなければならない。
層配線基板上部表面かその近く、または中間位置に自由
に機能素材を内蔵させることができる。特に上下基板を
無溶剤状態のワニスの充填で同時に接着固定化できる。 そのため、オンラインで上部または中間基板を作製する
ことを可能とし、工程数短縮、歩留まり向上に関して、
極めて効果が大きい。それに加えて、コンデンサ、抵抗
素子の内蔵は、外部に機能素子を設ける場合に比べて、
実装密度ひいては信号伝播速度の向上に著しく寄与する
ものである。 以上のように、本発明は個々の要素は
もちろん重要であるが、薄膜超多層化プロセスという全
体へ個々の要素を巧みに整合させつつとり入れて組立て
たシステムとしてとらえなければならない。
【０１４８】特に、超多層においては、各層を１００％
の歩留まりで完成させることがこれまでのプロセスの仕
事と画期的に異なるところであり、特に全体のシステム
に個々の要素をどのように整合させていくかということ
とが大きい課題であり、本発明はこの課題に答えるもの
である。
の歩留まりで完成させることがこれまでのプロセスの仕
事と画期的に異なるところであり、特に全体のシステム
に個々の要素をどのように整合させていくかということ
とが大きい課題であり、本発明はこの課題に答えるもの
である。
【０１４９】
〔実施例１〕図１に示す工程によって多層配線基板を製
造した。図１（ａ）に示すように、ベース基板１上に厚
さ０．５〜０．８μｍのＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの重ねスパッ
タ薄膜からなる下地金属層２を形成し、ホトレジストに
よる溝加工後に、ビアホール導体部分の真下に位置する
Ｃｒはエッチングにより除去して銅を露呈させた。次に
図１（ｂ）に示すように厚膜レジスト（厚さ２２μｍ）
３として、例えば、フェノールノボラック型のポジレジ
ストをスピンコートで塗布し、溶剤を乾燥揮散させたの
ちプレキュアし、ホトリソグラフィによりマスク露光、
現像、定着を行い、所望のビアホール配置パターンに従
って、穴あけ加工を行った。次に、図１（ｃ）に示すよ
うに、穴４の底部に露呈させた下地金属層の銅の上部に
選択的に硫酸銅水溶液を用いて電気めっきを行い、厚膜
レジスト３とほぼ同じ高さの銅導体５をビアホール用と
して形成した。
造した。図１（ａ）に示すように、ベース基板１上に厚
さ０．５〜０．８μｍのＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの重ねスパッ
タ薄膜からなる下地金属層２を形成し、ホトレジストに
よる溝加工後に、ビアホール導体部分の真下に位置する
Ｃｒはエッチングにより除去して銅を露呈させた。次に
図１（ｂ）に示すように厚膜レジスト（厚さ２２μｍ）
３として、例えば、フェノールノボラック型のポジレジ
ストをスピンコートで塗布し、溶剤を乾燥揮散させたの
ちプレキュアし、ホトリソグラフィによりマスク露光、
現像、定着を行い、所望のビアホール配置パターンに従
って、穴あけ加工を行った。次に、図１（ｃ）に示すよ
うに、穴４の底部に露呈させた下地金属層の銅の上部に
選択的に硫酸銅水溶液を用いて電気めっきを行い、厚膜
レジスト３とほぼ同じ高さの銅導体５をビアホール用と
して形成した。
【０１５０】なお、以上の工程では、ビアホール層の形
成を含む場合の工程を示しているが、配線導体層を形成
する場合もパターンが相違するほか、ほぼ同様に行われ
る。
成を含む場合の工程を示しているが、配線導体層を形成
する場合もパターンが相違するほか、ほぼ同様に行われ
る。
【０１５１】ここまでの下地金属層の形成から電気めっ
きに至る工程を１サイクルとし、以後、ビアホール導体
と配線導体とが交互になるようにして、図１（ｄ）に示
す段階において、ｎ＝３０すなわち３０層の多層構造を
形成した。
きに至る工程を１サイクルとし、以後、ビアホール導体
と配線導体とが交互になるようにして、図１（ｄ）に示
す段階において、ｎ＝３０すなわち３０層の多層構造を
形成した。
【０１５２】最後に、最上層のビアホール層１２の表面
に網状のＣｕ／Ｃｒ／Ｎｉのスパッタ膜を支持層１３と
して設け、さらに０．５ｍｍのＮｉ板からなる固定板１
４を補強のためにハンダで接続した。
に網状のＣｕ／Ｃｒ／Ｎｉのスパッタ膜を支持層１３と
して設け、さらに０．５ｍｍのＮｉ板からなる固定板１
４を補強のためにハンダで接続した。
【０１５３】しかる後、厚膜レジストは、例えば、炭酸
ナトリウム、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶液を用いて
溶剤により一括除去し、続いて、下地Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
のスパッタ膜を、例えば、硝酸第２セリウムアンモニウ
ム等を用いて一括エッチング除去して、図１（ｆ）に示
す段階において、スケルトン構造の３０段の銅配線を形
成した。
ナトリウム、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶液を用いて
溶剤により一括除去し、続いて、下地Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
のスパッタ膜を、例えば、硝酸第２セリウムアンモニウ
ム等を用いて一括エッチング除去して、図１（ｆ）に示
す段階において、スケルトン構造の３０段の銅配線を形
成した。
【０１５４】次いで、このスケルトン銅配線を純粋で十
分洗浄後、乾燥により水分を除去し、ＲＴＶゴムで作っ
た箱状の容器に前記スケルトン銅配線を入れ、その上部
に±０．５μｍ以上の平坦性の真空下で加熱注入により
シクロブテン環をもつ耐熱無溶剤型ワニス（ｔｒａｎｓ
−１，２−ビス（ベンゾシクロブテニル）エテン）（融
点１３２℃）１６を一側面から流し込み、ホットプレー
ト加熱により最終２５０℃を越える温度と静水圧１０ｋ
ｇ／ｃｍ２で硬化処理を行い、誘電率の低い（ε＝２．
６）ボイドレスモジュール基板を得た。その後に、ハン
ダを加熱除去して最上部のＮｉ固定板１４を外した。
分洗浄後、乾燥により水分を除去し、ＲＴＶゴムで作っ
た箱状の容器に前記スケルトン銅配線を入れ、その上部
に±０．５μｍ以上の平坦性の真空下で加熱注入により
シクロブテン環をもつ耐熱無溶剤型ワニス（ｔｒａｎｓ
−１，２−ビス（ベンゾシクロブテニル）エテン）（融
点１３２℃）１６を一側面から流し込み、ホットプレー
ト加熱により最終２５０℃を越える温度と静水圧１０ｋ
ｇ／ｃｍ２で硬化処理を行い、誘電率の低い（ε＝２．
６）ボイドレスモジュール基板を得た。その後に、ハン
ダを加熱除去して最上部のＮｉ固定板１４を外した。
【０１５５】〔実施例２〕実施例１と同様にしてスケル
トン銅配線を形成し、このスケルトン銅配線を溶剤型フ
ッ素系ワニス、例えば、エマルジョン型ＰＴＦＥ，ＰＦ
Ａ，ＦＥＰ等で含浸し、銅の表面に厚さ３μｍの被覆を
形成した。次にこれをＲＴＶゴムで作った箱状容器に入
れた。その上部にホットプレートをかぶせ、側面から真
空下で加熱加圧注入により、実施例１で用いたのと同じ
シクロブテン環をもつ耐熱無溶剤型ワニスを流し込み、
最終２５０℃を越える温度で硬化処理を行い、一段と低
誘電率化した（ε＝２．４）ボイドレスモジュール基板
を得た。
トン銅配線を形成し、このスケルトン銅配線を溶剤型フ
ッ素系ワニス、例えば、エマルジョン型ＰＴＦＥ，ＰＦ
Ａ，ＦＥＰ等で含浸し、銅の表面に厚さ３μｍの被覆を
形成した。次にこれをＲＴＶゴムで作った箱状容器に入
れた。その上部にホットプレートをかぶせ、側面から真
空下で加熱加圧注入により、実施例１で用いたのと同じ
シクロブテン環をもつ耐熱無溶剤型ワニスを流し込み、
最終２５０℃を越える温度で硬化処理を行い、一段と低
誘電率化した（ε＝２．４）ボイドレスモジュール基板
を得た。
【０１５６】〔実施例３〕図６に示す工程によって、ス
ペーサを有するスケルトン構造の多層配線を作製した。 図６（ａ）に示すように、ベース基板６１上にＣｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒの重ねスパッタ薄膜からなる下地金属層６２を
形成し、その上に第１ポリマー層として感光性ポリイミ
ド６３をスピナー塗布し、図６（ｂ）に示すように、ス
ペーサ６４の部分のみを露光した。次に図６（ｃ）にし
めすように、ビアホール部分の穴６５をレーザ穴あけし
、この穴６５に銅を充填して図６（ｄ）に示すように、
ビアホール導体６６を形成した。
ペーサを有するスケルトン構造の多層配線を作製した。 図６（ａ）に示すように、ベース基板６１上にＣｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒの重ねスパッタ薄膜からなる下地金属層６２を
形成し、その上に第１ポリマー層として感光性ポリイミ
ド６３をスピナー塗布し、図６（ｂ）に示すように、ス
ペーサ６４の部分のみを露光した。次に図６（ｃ）にし
めすように、ビアホール部分の穴６５をレーザ穴あけし
、この穴６５に銅を充填して図６（ｄ）に示すように、
ビアホール導体６６を形成した。
【０１５７】次いで図６（ｅ）に示すように、次の層の
下地金属層６７を形成し、その上に図６（ｆ）に示すよ
うに第２ポリマー層として感光性ポリイミド６３を塗布
し、図６（ｇ）に示すように、Ｘ層部分の溝６９のレー
ザ穴あけを行い、図６（ｈ）に示すように、溝６９に銅
を充填してＸ層配線導体６８を形成した。
下地金属層６７を形成し、その上に図６（ｆ）に示すよ
うに第２ポリマー層として感光性ポリイミド６３を塗布
し、図６（ｇ）に示すように、Ｘ層部分の溝６９のレー
ザ穴あけを行い、図６（ｈ）に示すように、溝６９に銅
を充填してＸ層配線導体６８を形成した。
【０１５８】しかる後、図６（ｉ）に示すように、感光
性ポリイミドを溶剤で除去し、次いで図６（ｊ）に示す
ように、下地金属をエッチング除去して、スケルトン構
造の２層の配線を形成した。
性ポリイミドを溶剤で除去し、次いで図６（ｊ）に示す
ように、下地金属をエッチング除去して、スケルトン構
造の２層の配線を形成した。
【０１５９】次に実施例１として準拠して、箱状容器に
入れて、ホットプレートをかぶせて、側面からの減圧ト
ランスファ注入により耐熱無溶剤型ワニスＰ−ビス（ベ
ンゾシクロブテニル）ベンゼン（融点１７０℃）を充填
し硬化した。以上の工程を繰り返し行って１０層の多層
配線構造をもつモジュール基板を作製した。
入れて、ホットプレートをかぶせて、側面からの減圧ト
ランスファ注入により耐熱無溶剤型ワニスＰ−ビス（ベ
ンゾシクロブテニル）ベンゼン（融点１７０℃）を充填
し硬化した。以上の工程を繰り返し行って１０層の多層
配線構造をもつモジュール基板を作製した。
【０１６０】〔実施例４〕セラミック多層配線基板状に
厚さ０．５μｍのＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの重ねスパッタ薄膜
からなる下地金属層を電気めっきの電極として形成する
。次に、ビアホール導体部分の真下に位置するＣｒはエ
ッチングにより除去して銅を露呈させる。次に、可溶型
耐熱ポリイミドをスピナーにより塗布し、加熱して溶剤
を乾燥揮散させたのち、Ａｌマスクをスパッタリングと
ホトリソグラフィで形成し、ドライエッチングにより穴
あけ加工を行う。次に、穴の底部に露呈させた下地金属
膜の銅の上部に、選択的に硫黄銅水溶液を用いて電気め
っきを行い、可溶耐熱ポリイミドとほぼ同じ厚さに銅を
充填した。
厚さ０．５μｍのＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの重ねスパッタ薄膜
からなる下地金属層を電気めっきの電極として形成する
。次に、ビアホール導体部分の真下に位置するＣｒはエ
ッチングにより除去して銅を露呈させる。次に、可溶型
耐熱ポリイミドをスピナーにより塗布し、加熱して溶剤
を乾燥揮散させたのち、Ａｌマスクをスパッタリングと
ホトリソグラフィで形成し、ドライエッチングにより穴
あけ加工を行う。次に、穴の底部に露呈させた下地金属
膜の銅の上部に、選択的に硫黄銅水溶液を用いて電気め
っきを行い、可溶耐熱ポリイミドとほぼ同じ厚さに銅を
充填した。
【０１６１】これ迄の工程を１サイクルとし、ビアホー
ル導体と配線導体とが交互にくるように３０層の多層化
を行う。
ル導体と配線導体とが交互にくるように３０層の多層化
を行う。
【０１６２】最後に、最上層の配線層の上にＣｒ／Ｃｕ
／Ｃｒ／Ｎｉの重ねスパッタ膜を設ける。その上部に、
耐熱無溶剤型ワニスを厚さ２〜３μｍに塗布し、あらか
じめビアホール用の貫通孔と、リング状のＣｒＳｉＯ２
薄膜抵抗素子を設けた厚さ３０μｍのセラミックス板を
搭載し、加熱接着して固定化した。ビアホール用の貫通
孔には、その底部の耐熱無溶剤型ワニスの硬化膜を、ド
ライエッチングにより除去して、めっきレジストを施し
た上で、電気めっきにより銅を充填する。次に、上部め
っきレジストを除去し、薄いＣｒバリヤ層を介してＡｌ
電極をＣｒＳｉＯ２とＣｕとを接続するように設ける。 しかるのち、上記の方法に準拠して、ビアホール層を上
部に設け、かつ、ＬＳＩを搭載するための端子を設ける
。
／Ｃｒ／Ｎｉの重ねスパッタ膜を設ける。その上部に、
耐熱無溶剤型ワニスを厚さ２〜３μｍに塗布し、あらか
じめビアホール用の貫通孔と、リング状のＣｒＳｉＯ２
薄膜抵抗素子を設けた厚さ３０μｍのセラミックス板を
搭載し、加熱接着して固定化した。ビアホール用の貫通
孔には、その底部の耐熱無溶剤型ワニスの硬化膜を、ド
ライエッチングにより除去して、めっきレジストを施し
た上で、電気めっきにより銅を充填する。次に、上部め
っきレジストを除去し、薄いＣｒバリヤ層を介してＡｌ
電極をＣｒＳｉＯ２とＣｕとを接続するように設ける。 しかるのち、上記の方法に準拠して、ビアホール層を上
部に設け、かつ、ＬＳＩを搭載するための端子を設ける
。
【０１６３】次に、上記３０層の多層配線中にレジスト
層と下地金属膜層を除去してスケルトン配線とした後、
このスケルトンの空間に、実施例１で用いたのと同じ耐
熱無溶剤型ワニスを減圧下にトランスファ成形方式で充
填加熱硬化し、機能素子を内蔵したモジュール基板を得
た。
層と下地金属膜層を除去してスケルトン配線とした後、
このスケルトンの空間に、実施例１で用いたのと同じ耐
熱無溶剤型ワニスを減圧下にトランスファ成形方式で充
填加熱硬化し、機能素子を内蔵したモジュール基板を得
た。
【０１６４】〔実施例５〕ベース基板上にＣｒ／Ｃｕ／
Ｃｒからなる厚さ０．８μｍの導電膜を設ける。その上
にホトレジストを厚さ２５μｍ塗布する。マスク露光、
現像によってＸ層配線パターン形状に穴あけ加工し、そ
の底部分のＣｒはエッチングで除去する。次いで電気め
っきにより穴の内部に銅を充填する。次に、めっき電極
としてはＸ層配線の下地導電膜をそのまま用い、すなわ
ちＸ層配線層上には導電膜を設けず、Ｘ線配線の上にホ
トレジストを厚さ２５μｍ塗布する。マスク露光、現像
によって、Ｙ層配線パターンに通じるビアホールの形状
に穴あけ加工する。電気めっきによって、この穴の内部
に銅を充填する。しかるのち、有機溶剤によりホトレジ
ストを一括除去し、次いでエッチング液でめっき電極の
導電膜を一括除去する。最後に、スケルトン構造の配線
をよく洗浄した後に、実施例１に準拠しシクロブテン環
をもつ無溶剤耐熱ワニスｃｉｓ−１，２−ビス（ベンゾ
シクロブテニル）エテン（オイル状）を減圧下でトラン
スファ成形方式で流し込み充填、静水圧２０ｋｇ／ｃｍ
２下で加熱硬化する。表面ドライエッチングしてビアホ
ール導体上をクリーンに露出させる。
Ｃｒからなる厚さ０．８μｍの導電膜を設ける。その上
にホトレジストを厚さ２５μｍ塗布する。マスク露光、
現像によってＸ層配線パターン形状に穴あけ加工し、そ
の底部分のＣｒはエッチングで除去する。次いで電気め
っきにより穴の内部に銅を充填する。次に、めっき電極
としてはＸ層配線の下地導電膜をそのまま用い、すなわ
ちＸ層配線層上には導電膜を設けず、Ｘ線配線の上にホ
トレジストを厚さ２５μｍ塗布する。マスク露光、現像
によって、Ｙ層配線パターンに通じるビアホールの形状
に穴あけ加工する。電気めっきによって、この穴の内部
に銅を充填する。しかるのち、有機溶剤によりホトレジ
ストを一括除去し、次いでエッチング液でめっき電極の
導電膜を一括除去する。最後に、スケルトン構造の配線
をよく洗浄した後に、実施例１に準拠しシクロブテン環
をもつ無溶剤耐熱ワニスｃｉｓ−１，２−ビス（ベンゾ
シクロブテニル）エテン（オイル状）を減圧下でトラン
スファ成形方式で流し込み充填、静水圧２０ｋｇ／ｃｍ
２下で加熱硬化する。表面ドライエッチングしてビアホ
ール導体上をクリーンに露出させる。
【０１６５】以上の操作によって、最初のＸ層配線とビ
アホールの形成を完了する。以下同じ操作を繰り返して
Ｙ層配線、ビアホール、ならびにグランド層、ビアホー
ル層を順次形成して、多層化し、さらにこのサイクルを
２回繰り返して信号層２組の多層配線基板を作製した。
アホールの形成を完了する。以下同じ操作を繰り返して
Ｙ層配線、ビアホール、ならびにグランド層、ビアホー
ル層を順次形成して、多層化し、さらにこのサイクルを
２回繰り返して信号層２組の多層配線基板を作製した。
【０１６６】〔実施例６〕図５の工程に従って薄膜プロ
セスでスペーサを形成した。ベース基板５１にＣｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒからなる厚さ０．８μｍの導電膜５２を設ける
。その上に、感光性ポリイミド５３を、硬化後で厚さが
２０μｍになるように塗布する。マスク露光後現像し、
さらに、ポストキュアして、ビアホールのところにその
穴径より数μｍ大きい円柱５４を形成すると同時に、Ｘ
層配線を支えるスペーサ５５をビアホールの位置とオー
バーラップしない位置にパターン状に形成する。 スペーサ５５とビアホール形成用円柱５４以外に部分は
、電気めっきでＺｎ膜を厚さ２０μｍに形成する。その
上にドライエッチング耐性のあるレジストを塗布し、マ
スク露光現像によってビアホール形成用マスクを形成す
る。このマスクを用いて、先にビアホール形成用として
形成した円柱５４の部分をドライエッチングで穴あけ加
工し、次に、形成された穴５８に電気めっきでＣｕ５９
を充填する。
セスでスペーサを形成した。ベース基板５１にＣｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒからなる厚さ０．８μｍの導電膜５２を設ける
。その上に、感光性ポリイミド５３を、硬化後で厚さが
２０μｍになるように塗布する。マスク露光後現像し、
さらに、ポストキュアして、ビアホールのところにその
穴径より数μｍ大きい円柱５４を形成すると同時に、Ｘ
層配線を支えるスペーサ５５をビアホールの位置とオー
バーラップしない位置にパターン状に形成する。 スペーサ５５とビアホール形成用円柱５４以外に部分は
、電気めっきでＺｎ膜を厚さ２０μｍに形成する。その
上にドライエッチング耐性のあるレジストを塗布し、マ
スク露光現像によってビアホール形成用マスクを形成す
る。このマスクを用いて、先にビアホール形成用として
形成した円柱５４の部分をドライエッチングで穴あけ加
工し、次に、形成された穴５８に電気めっきでＣｕ５９
を充填する。
【０１６７】しかるのち、この上層にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
層を設け、以下、上記に準拠してＸ層配線を形成する。 以下、実施例８に準拠して、ビアホール→Ｙ層配線→ビ
アホール→グランド層→固定板層の順に多層化し、次い
で、ホストレジスト、導電膜、Ｚｎ膜を溶剤およびエッ
チング液により除去し、スケルトン構造の配線を形成す
る。次に、実施例に準拠し無溶剤型ワニスを減圧下トラ
ンスファ成形によって充填するか、溶剤型ワニスで処理
した後、さらに無溶剤型ワニスを減圧下トランスファ成
形によって充填し、ホットプレートで加熱硬化させるこ
とによって、モジュール基板を得た。
層を設け、以下、上記に準拠してＸ層配線を形成する。 以下、実施例８に準拠して、ビアホール→Ｙ層配線→ビ
アホール→グランド層→固定板層の順に多層化し、次い
で、ホストレジスト、導電膜、Ｚｎ膜を溶剤およびエッ
チング液により除去し、スケルトン構造の配線を形成す
る。次に、実施例に準拠し無溶剤型ワニスを減圧下トラ
ンスファ成形によって充填するか、溶剤型ワニスで処理
した後、さらに無溶剤型ワニスを減圧下トランスファ成
形によって充填し、ホットプレートで加熱硬化させるこ
とによって、モジュール基板を得た。
【０１６８】〔実施例７〕図７（ａ）に示すように、ベ
ース基板７１の端子７２をテープ研磨によって平坦化す
る。次に、ベース基板７１表面上の欠陥ボイド７３を埋
めるため、図７（ｂ）に示すように、無溶剤型ベンゾシ
クロブテンポリマーポリ（ビスベンゾシクロブテン）（
ガラス転移温度３００℃、熱分解温度４００℃）７０を
スピナー処理によって形成し、表面層７４を形成した後
、図７（ｃ）に示すように、ドライエッチングによって
端子７２を露呈させるとともに、平坦な基板表面層７４
を形成する。スピナー処理を減圧下で行い、その後常圧
にもどすことによって、従来の溶剤型ワニス、例えばポ
リイミドワニスなどでは無理のある、表面欠陥ボイドを
皆無とすることができる。また、ベース基板の全面が平
坦化できるのは、無溶剤型ワニスの平坦性が抜群にすぐ
れているためである。
ース基板７１の端子７２をテープ研磨によって平坦化す
る。次に、ベース基板７１表面上の欠陥ボイド７３を埋
めるため、図７（ｂ）に示すように、無溶剤型ベンゾシ
クロブテンポリマーポリ（ビスベンゾシクロブテン）（
ガラス転移温度３００℃、熱分解温度４００℃）７０を
スピナー処理によって形成し、表面層７４を形成した後
、図７（ｃ）に示すように、ドライエッチングによって
端子７２を露呈させるとともに、平坦な基板表面層７４
を形成する。スピナー処理を減圧下で行い、その後常圧
にもどすことによって、従来の溶剤型ワニス、例えばポ
リイミドワニスなどでは無理のある、表面欠陥ボイドを
皆無とすることができる。また、ベース基板の全面が平
坦化できるのは、無溶剤型ワニスの平坦性が抜群にすぐ
れているためである。
【０１６９】このベース基板７１を用いて図８に示す工
程でスケルトン配線を形成した。
程でスケルトン配線を形成した。
【０１７０】図８（ａ）に示すように、ベース基板７１
上に、厚さ０．５μｍのＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの重ねスパッ
タ膜の下地導電膜７５を形成し、図８（ｂ）に示すよう
に、その上にホトレジスト７６をスピナー処理により塗
布した。次いで、図８（ｃ）に示すように、露光、現像
によりＸ層配線用穴として溝７７を形成し、図８（ｄ）
に示すように、溝７７内に電気めっきにより銅を充填し
、Ｘ層配線用の導体７８を形成した。
上に、厚さ０．５μｍのＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの重ねスパッ
タ膜の下地導電膜７５を形成し、図８（ｂ）に示すよう
に、その上にホトレジスト７６をスピナー処理により塗
布した。次いで、図８（ｃ）に示すように、露光、現像
によりＸ層配線用穴として溝７７を形成し、図８（ｄ）
に示すように、溝７７内に電気めっきにより銅を充填し
、Ｘ層配線用の導体７８を形成した。
【０１７１】次に図８（ｅ）に示すように、ホトレジス
ト７６を塗布し、露光、現像により、図８（ｆ）に示す
ようにビアホール用の穴７９を形成し、次いで図８（ｇ
）に示すように、前記Ｘ層配線用の導体７８をめっきの
電極として、穴７９内に銅を充填し、ビアホール用の導
体８０を形成した。
ト７６を塗布し、露光、現像により、図８（ｆ）に示す
ようにビアホール用の穴７９を形成し、次いで図８（ｇ
）に示すように、前記Ｘ層配線用の導体７８をめっきの
電極として、穴７９内に銅を充填し、ビアホール用の導
体８０を形成した。
【０１７２】上記の方法に準拠して、図８（ｈ）に示す
ように、Ｘ層配線用層８１→ビアホール層８２→Ｙ層配
線層８３→ビアホール層８４→グランド層（ビアホール
を含む）８５→ビアホール層８６の順に多層化し、最上
層の上に実施例１に準拠して固定板８７を取り付けた。 次に、特定溶剤によるホトレジストの一括溶剤除去、特
定エッチング液による導電膜の一括的溶解除去を続けて
行い、図８（ｉ）に示すようなスケルトン構造の配線を
形成した。
ように、Ｘ層配線用層８１→ビアホール層８２→Ｙ層配
線層８３→ビアホール層８４→グランド層（ビアホール
を含む）８５→ビアホール層８６の順に多層化し、最上
層の上に実施例１に準拠して固定板８７を取り付けた。 次に、特定溶剤によるホトレジストの一括溶剤除去、特
定エッチング液による導電膜の一括的溶解除去を続けて
行い、図８（ｉ）に示すようなスケルトン構造の配線を
形成した。
【０１７３】しかるのち、フッ素ポリマーワニス含浸処
理と乾燥硬化を行いスケルトン導体上に被覆を形成する
。次に、無溶剤型ワニスｍ−ビス（ベンゾシクロブテニ
ル）ベンゼンとｏ−ビス（ベンゾシクロブテニル）ベン
ゼンの１：１混合物（オイル状）を、減圧化で側面から
トランスファ成形で注入充填し、２５０℃を越える温度
で静水圧１０ｋｇ／ｃｍ２下に硬化することにより形成
する。上記ポリマー処理を施すのに対して、固定板を上
方の型として、ベース基板を下方の型として、その間に
存在するスケルトン構造の配線が対象となる。
理と乾燥硬化を行いスケルトン導体上に被覆を形成する
。次に、無溶剤型ワニスｍ−ビス（ベンゾシクロブテニ
ル）ベンゼンとｏ−ビス（ベンゾシクロブテニル）ベン
ゼンの１：１混合物（オイル状）を、減圧化で側面から
トランスファ成形で注入充填し、２５０℃を越える温度
で静水圧１０ｋｇ／ｃｍ２下に硬化することにより形成
する。上記ポリマー処理を施すのに対して、固定板を上
方の型として、ベース基板を下方の型として、その間に
存在するスケルトン構造の配線が対象となる。
【０１７４】フッ素ポリマーワニスによる前段の処理は
、誘電率２．２のすぐれた性質を活用するためである。 また、ベンゾシクロブテンポリマーは、誘電率は通常の
ポリマーより低い２．７であり、その観点から選択され
たものであると同時に、ボイドレス高耐熱性（ガラス転
移温度２８０℃、熱分解温度４００℃以上）の無溶剤ポ
リマーたる化学構造をとりうるためである。
、誘電率２．２のすぐれた性質を活用するためである。 また、ベンゾシクロブテンポリマーは、誘電率は通常の
ポリマーより低い２．７であり、その観点から選択され
たものであると同時に、ボイドレス高耐熱性（ガラス転
移温度２８０℃、熱分解温度４００℃以上）の無溶剤ポ
リマーたる化学構造をとりうるためである。
【０１７５】多層配線基板においては、その形成工程が
あまりにも多いため量産性が著しく劣ることが隘路であ
った。本実施例は、この問題に対し、基板平坦化プロセ
ス以外では工程数の多いドライエッチングは極力排除し
、ホトレジストと導電膜の一括除去、ポリマーの一括含
浸、トランスファ注入充填によって従来ペデスタル法の
１／３以下の工程ですますことができる。また、固定板
は最終的にエッチング除去して、引き続き同じプロセス
を繰り返して１セットずつ多様化していくことができる
。あるいは、１セットずつ別々に形成し、後刻それぞれ
金ゲルマニウムなどのろう材を用いて接続して、１セッ
ト以上の多層配線基板を作製することができる。
あまりにも多いため量産性が著しく劣ることが隘路であ
った。本実施例は、この問題に対し、基板平坦化プロセ
ス以外では工程数の多いドライエッチングは極力排除し
、ホトレジストと導電膜の一括除去、ポリマーの一括含
浸、トランスファ注入充填によって従来ペデスタル法の
１／３以下の工程ですますことができる。また、固定板
は最終的にエッチング除去して、引き続き同じプロセス
を繰り返して１セットずつ多様化していくことができる
。あるいは、１セットずつ別々に形成し、後刻それぞれ
金ゲルマニウムなどのろう材を用いて接続して、１セッ
ト以上の多層配線基板を作製することができる。
【０１７６】〔実施例８〕スケルトン構造の配線が細か
くなってくると、空間に存在する配線がたわんで位置精
度が狂ってくる場合がある。このようなケースで問題と
なるのは、線幅にくらべて線長が著しく長いＸ層または
Ｙ層の渡り配線である。そのような場合には、Ｘ層また
はＹ層の配線は、その下方の絶縁膜で固定する形にする
ことがよい方法である。下方の絶縁層にはビアホールが
含まれていて、Ｘ層配線とその末端で接続している。
くなってくると、空間に存在する配線がたわんで位置精
度が狂ってくる場合がある。このようなケースで問題と
なるのは、線幅にくらべて線長が著しく長いＸ層または
Ｙ層の渡り配線である。そのような場合には、Ｘ層また
はＹ層の配線は、その下方の絶縁膜で固定する形にする
ことがよい方法である。下方の絶縁層にはビアホールが
含まれていて、Ｘ層配線とその末端で接続している。
【０１７７】そこで、信号配線を１組形成するに当たっ
ては、ベース基板上にＸ層配線をまず形成し、次いで、
その上にビアホールを形成し、この段階で、既に詳述し
た如く、ホトレジストと下地金属層を構成する導電膜と
を溶解除去し、その後で無溶剤型耐熱ワニスビスベンゾ
シクロブテン（オイル状、３，３′一体、３，４′一体
、４，４′一体の混合物）を減圧下でトランスファ成形
によって注入し、ホットプレートで加熱硬化して配線の
全体を固定する。また、全体をドライエッチングでクリ
ーン化することによってビアホール導体を露呈し、次の
Ｙ層以下の配線形成プロセスに操作をつなぐことができ
る。
ては、ベース基板上にＸ層配線をまず形成し、次いで、
その上にビアホールを形成し、この段階で、既に詳述し
た如く、ホトレジストと下地金属層を構成する導電膜と
を溶解除去し、その後で無溶剤型耐熱ワニスビスベンゾ
シクロブテン（オイル状、３，３′一体、３，４′一体
、４，４′一体の混合物）を減圧下でトランスファ成形
によって注入し、ホットプレートで加熱硬化して配線の
全体を固定する。また、全体をドライエッチングでクリ
ーン化することによってビアホール導体を露呈し、次の
Ｙ層以下の配線形成プロセスに操作をつなぐことができ
る。
【０１７８】このとき、ビアホールの上層にさらに天板
を設けてもよい。天板は、無用剤型耐熱ワニスの充填に
際して、上方の金型の如き役目を果たし、無溶剤型耐熱
ワニスの上表面を平坦となすとともに、その高さ位置が
ビアホールと天板との境界を越えないようにする役目も
果たす。後に、天板をウェットエッチングなどで除けば
、露呈されたビアホールが表われることになる。
を設けてもよい。天板は、無用剤型耐熱ワニスの充填に
際して、上方の金型の如き役目を果たし、無溶剤型耐熱
ワニスの上表面を平坦となすとともに、その高さ位置が
ビアホールと天板との境界を越えないようにする役目も
果たす。後に、天板をウェットエッチングなどで除けば
、露呈されたビアホールが表われることになる。
【０１７９】以上のプロセスによって、ベース基板上に
Ｘ層とビアホールを逐次的にではあるが連続して作製し
、ホトレジストと導電膜は、一括的に溶解除去し、かつ
、無溶剤型耐熱ワニスを２層分一度に減圧下トランスフ
ァ成形によって充填し静水圧下ホットプレートで加熱硬
化させることができる。
Ｘ層とビアホールを逐次的にではあるが連続して作製し
、ホトレジストと導電膜は、一括的に溶解除去し、かつ
、無溶剤型耐熱ワニスを２層分一度に減圧下トランスフ
ァ成形によって充填し静水圧下ホットプレートで加熱硬
化させることができる。
【０１８０】本実施例では、真空含浸のため、ボイドレ
スになる。また、数１０μｍの肉厚を実現するには、溶
剤型ワニスの場合には、何回にも分けて塗布しなければ
ならないが、無溶剤型の場合は、縮合水の如き副生物の
発生がなく、かつ、溶剤を揮散させる必要がないので、
どんな肉厚でも１回で充填し硬化可能である。また、シ
クロブテン系無溶剤型ワニスを使用するので、配線材料
がＣｕの如きものでも不活性であり、Ｃｕの表面を保護
しなくてもすむ。
スになる。また、数１０μｍの肉厚を実現するには、溶
剤型ワニスの場合には、何回にも分けて塗布しなければ
ならないが、無溶剤型の場合は、縮合水の如き副生物の
発生がなく、かつ、溶剤を揮散させる必要がないので、
どんな肉厚でも１回で充填し硬化可能である。また、シ
クロブテン系無溶剤型ワニスを使用するので、配線材料
がＣｕの如きものでも不活性であり、Ｃｕの表面を保護
しなくてもすむ。
【０１８１】次に、Ｙ層→ビアホール→グランド層（ビ
アホールも存在する）→ビアホールと形成するか、さら
に、この上に天板を設けることは、上記に準ずる。グラ
ンド層や天板は、ベース基板から伸ばした円柱あるいは
角柱によって支持固定される。
アホールも存在する）→ビアホールと形成するか、さら
に、この上に天板を設けることは、上記に準ずる。グラ
ンド層や天板は、ベース基板から伸ばした円柱あるいは
角柱によって支持固定される。
【０１８２】この円柱や角柱は、ビアホールと同様にし
て形成することができる。ホトレジストと導電膜の除去
後、無溶剤型耐熱ワニスを減圧下トランスファ成形で注
入し静水圧下加熱硬化することは、上記の通りである。
て形成することができる。ホトレジストと導電膜の除去
後、無溶剤型耐熱ワニスを減圧下トランスファ成形で注
入し静水圧下加熱硬化することは、上記の通りである。
【０１８３】このように、Ｘ層→ビアホールの２層形成
とＹ層→ビアホール→グランド層（ビアホールも含む）
→ビアホールの４層形成を交互に繰り返せば、信号層を
繰り返し積み重ねて行くことができる。このように、ス
ケルトン構造でブラブラした渡り配線をなくすことがで
き、かつ工程数を、従来のペデスタル法の１／３以下に
する効果がある。
とＹ層→ビアホール→グランド層（ビアホールも含む）
→ビアホールの４層形成を交互に繰り返せば、信号層を
繰り返し積み重ねて行くことができる。このように、ス
ケルトン構造でブラブラした渡り配線をなくすことがで
き、かつ工程数を、従来のペデスタル法の１／３以下に
する効果がある。
【０１８４】〔実施例９〕多層配線基板中に薄膜抵抗素
子を内蔵すると、実装密度向上に大きな効果がある。し
かし、多数の抵抗素子を内蔵しなければならず、必要と
されるすべての抵抗値を仕様値の範囲内にそろえること
が内蔵後では難しい。そこで薄膜多層基板の多層化製造
プロセスとは異なる別のラインで抵抗素子をあらかじめ
形成し、これを、多層配線基板に実装することが好まし
い。
子を内蔵すると、実装密度向上に大きな効果がある。し
かし、多数の抵抗素子を内蔵しなければならず、必要と
されるすべての抵抗値を仕様値の範囲内にそろえること
が内蔵後では難しい。そこで薄膜多層基板の多層化製造
プロセスとは異なる別のラインで抵抗素子をあらかじめ
形成し、これを、多層配線基板に実装することが好まし
い。
【０１８５】これに用いる抵抗素子は、高温熱処理を行
って、抵抗値アニールをすませておく。これにより、多
層配線基板の多層化工程とは別の工程で熱処理を行うこ
とになるので、多層化工程での抵抗値変化を生ずること
が抑えられる。また、実装の仕方に応じて、電極をつけ
たり、ビアホール穴を形成したり、拡大層、配線層もあ
らかじめ形成しておく。
って、抵抗値アニールをすませておく。これにより、多
層配線基板の多層化工程とは別の工程で熱処理を行うこ
とになるので、多層化工程での抵抗値変化を生ずること
が抑えられる。また、実装の仕方に応じて、電極をつけ
たり、ビアホール穴を形成したり、拡大層、配線層もあ
らかじめ形成しておく。
【０１８６】図１０に、このような内蔵用の薄膜抵抗素
子の一例を示す。
子の一例を示す。
【０１８７】同図に示す薄膜抵抗素子は、ビアホール用
貫通孔１０２を形成したベース基板１０１に、貫通孔１
０２を中心として、リング状の抵抗薄膜１０３を設け、
この抵抗薄膜１０３のリング内周に、貫通孔１０２を通
して素子外部と接続するための電極１０４を設け、外周
に、これと対向する電極１０５を設けてから構成される
。なお、電極は、多層配線基板に実装後の多層化プロセ
スにおいて設けてもよい。
貫通孔１０２を形成したベース基板１０１に、貫通孔１
０２を中心として、リング状の抵抗薄膜１０３を設け、
この抵抗薄膜１０３のリング内周に、貫通孔１０２を通
して素子外部と接続するための電極１０４を設け、外周
に、これと対向する電極１０５を設けてから構成される
。なお、電極は、多層配線基板に実装後の多層化プロセ
スにおいて設けてもよい。
【０１８８】抵抗薄膜１０３の抵抗値の制御は、基板間
のバラツキ低減のためには、電極間寸法の加減、酸化還
元制御などによって行い、基板内のバラツキ低減の場合
は、レーザトリミングなどで行う。
のバラツキ低減のためには、電極間寸法の加減、酸化還
元制御などによって行い、基板内のバラツキ低減の場合
は、レーザトリミングなどで行う。
【０１８９】貫通孔１０２の形成は、レーザ穴あけやホ
トリソグラフィとウェットあるいはドライエッチングな
どで行う。
トリソグラフィとウェットあるいはドライエッチングな
どで行う。
【０１９０】上記素子を搭載するベース基板１０１とし
ては、可及的に薄い無機膜、例えばセラミックス、ガラ
スあるいは有機膜、例えばポリイミドフィルムなどが用
いられる。後刻エッチアウトできるＺｎ，Ｎｉ，Ａｌな
どの補強のための金属板上に形成した無機膜あるいは有
機膜を用いることもできる。
ては、可及的に薄い無機膜、例えばセラミックス、ガラ
スあるいは有機膜、例えばポリイミドフィルムなどが用
いられる。後刻エッチアウトできるＺｎ，Ｎｉ，Ａｌな
どの補強のための金属板上に形成した無機膜あるいは有
機膜を用いることもできる。
【０１９１】〔実施例１０〕以上のようにして作製した
抵抗素子板を搭載する方法としては、■スケルトン構造
の配線上、■最上層のホトレジスト上に導電膜を形成し
て、そのうえに粘着材または接着材つきの抵抗素子基板
をもってくる、■無溶剤型耐熱ワニスを加熱硬化した状
態の多層配線基板（ただし端子は露呈）上にもってくる
方法などがある。
抵抗素子板を搭載する方法としては、■スケルトン構造
の配線上、■最上層のホトレジスト上に導電膜を形成し
て、そのうえに粘着材または接着材つきの抵抗素子基板
をもってくる、■無溶剤型耐熱ワニスを加熱硬化した状
態の多層配線基板（ただし端子は露呈）上にもってくる
方法などがある。
【０１９２】図１１に、薄膜抵抗素子を多層配線基板に
搭載する本実施例の態様を示す。まず、多層配線基板の
薄膜抵抗素子がその上に搭載される層２００に、レジス
ト２０３を用いてパターンを設定し、電気メッキ等によ
り、導体、例えば銅を成長させて、ビアホール２０１を
設ける。さらに、このビアホール２０１上に、例えば、
スパッタリングにより、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜を形成して
、パッド２０２をビアホール２０１と電気的に接続した
状態で設ける。このバッド２０２は、ビアホール２０１
と抵抗素子の貫通孔１０２との位置整合の誤差を吸収し
て、電気的に確実に接続するためのものである。従って
、ビアホール２０１および／または貫通孔１０２の径を
大きく形成する場合には、省略することができる。
搭載する本実施例の態様を示す。まず、多層配線基板の
薄膜抵抗素子がその上に搭載される層２００に、レジス
ト２０３を用いてパターンを設定し、電気メッキ等によ
り、導体、例えば銅を成長させて、ビアホール２０１を
設ける。さらに、このビアホール２０１上に、例えば、
スパッタリングにより、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜を形成して
、パッド２０２をビアホール２０１と電気的に接続した
状態で設ける。このバッド２０２は、ビアホール２０１
と抵抗素子の貫通孔１０２との位置整合の誤差を吸収し
て、電気的に確実に接続するためのものである。従って
、ビアホール２０１および／または貫通孔１０２の径を
大きく形成する場合には、省略することができる。
【０１９３】次に、抵抗素子を、上記バッド２０２と貫
通孔１０２とを位置整合させて多層配線基板の搭載層２
００の上面に、例えば接着剤２０４を用いて固着する。 この後、ドライエッチングにより、貫通孔１０２内をエ
ッチングして、底部にある接着剤等の有機物を除去する
と共に、バッド２０２のＣｒをエッチング除去してＣｕ
を露出させて、Ｃｕを該貫通孔１０２内に充填して、ビ
アホール２０５を形成する。このビアホール２０５によ
り、抵抗素子の電極１０４と多層配線基板のビアホール
２０１とが接続される。
通孔１０２とを位置整合させて多層配線基板の搭載層２
００の上面に、例えば接着剤２０４を用いて固着する。 この後、ドライエッチングにより、貫通孔１０２内をエ
ッチングして、底部にある接着剤等の有機物を除去する
と共に、バッド２０２のＣｒをエッチング除去してＣｕ
を露出させて、Ｃｕを該貫通孔１０２内に充填して、ビ
アホール２０５を形成する。このビアホール２０５によ
り、抵抗素子の電極１０４と多層配線基板のビアホール
２０１とが接続される。
【０１９４】なお、他の電極１０５は、ベース基板１０
１上に共通電極として図示しない配線を設け、この配線
を、上記の電極と同様に、貫通孔を介して下部の多層基
板のビアホールと接続するか、この共通電極上にビアホ
ールを形成して上部の配線層と接続する。
１上に共通電極として図示しない配線を設け、この配線
を、上記の電極と同様に、貫通孔を介して下部の多層基
板のビアホールと接続するか、この共通電極上にビアホ
ールを形成して上部の配線層と接続する。
【０１９５】また、この抵抗素子層には、図示していな
いが、抵抗素子とは接続されないビアホールが設けられ
る。このビアホールは、上記した共通電極とは絶縁され
る。上述した例では、電極１０４および１０５が予め設
けてあるが、ビアホール２０５を設けた後に、これらを
設けてもよい。また、貫通孔１０２がある程度径が大き
くでき、また、壁面を傾斜させることができる場合には
、導体をめっきせず、スパッタリングで形成する電極１
０４の一端をバッド２０２に直接接触させて形成するこ
とにより接続を行ってもよい。
いが、抵抗素子とは接続されないビアホールが設けられ
る。このビアホールは、上記した共通電極とは絶縁され
る。上述した例では、電極１０４および１０５が予め設
けてあるが、ビアホール２０５を設けた後に、これらを
設けてもよい。また、貫通孔１０２がある程度径が大き
くでき、また、壁面を傾斜させることができる場合には
、導体をめっきせず、スパッタリングで形成する電極１
０４の一端をバッド２０２に直接接触させて形成するこ
とにより接続を行ってもよい。
【０１９６】また、上記の例では、抵抗素子の設けてあ
る側を上面としているが、抵抗素子面を下面側として搭
載してもよい。
る側を上面としているが、抵抗素子面を下面側として搭
載してもよい。
【０１９７】さらに、この抵抗素子は、ベース基板のす
ぐ上、多層に形成される配線層の間、拡大層、最上層等
に、適宜搭載することができる。抵抗素子の上面に、抵
抗素子を製造する際に、拡大層等の配線層を併せて設け
てもよい。
ぐ上、多層に形成される配線層の間、拡大層、最上層等
に、適宜搭載することができる。抵抗素子の上面に、抵
抗素子を製造する際に、拡大層等の配線層を併せて設け
てもよい。
【０１９８】抵抗素子を搭載する工程は、上記したスケ
ルトン構造を形成するために各層を順次形成している中
で行うことができる。なお、この抵抗素子を適宜層状に
配置することにより、スケルトン構造を設ける際の、補
強板として機能させることができる。
ルトン構造を形成するために各層を順次形成している中
で行うことができる。なお、この抵抗素子を適宜層状に
配置することにより、スケルトン構造を設ける際の、補
強板として機能させることができる。
【０１９９】また、抵抗素子は、スケルトン構造の中間
、あるいは最上層に搭載されるときは、耐熱無溶剤型ワ
ニスを減圧下トランスファ成形で充填硬化した後でもよ
い。なお、上述した抵抗素子は、スケルトン構造の多層
配線基板に搭載することに好適であるが、これに限らず
、従来の溶剤型ワニスを用いた逐次多層化法による多層
配線基板にも搭載することができる。この場合、上述し
た実装手法を適用することができる。
、あるいは最上層に搭載されるときは、耐熱無溶剤型ワ
ニスを減圧下トランスファ成形で充填硬化した後でもよ
い。なお、上述した抵抗素子は、スケルトン構造の多層
配線基板に搭載することに好適であるが、これに限らず
、従来の溶剤型ワニスを用いた逐次多層化法による多層
配線基板にも搭載することができる。この場合、上述し
た実装手法を適用することができる。
【０２００】また、搭載できる素子は、抵抗に限らず、
コンデンサ等の各種回路素子が可能である。
コンデンサ等の各種回路素子が可能である。
【０２０１】次に上述した本発明の各種実施例に関する
工程数短縮効果について述べる。
工程数短縮効果について述べる。
【０２０２】従来の溶剤型ワニスを用いた逐次多層化法
でｎ層の基板を作る場合、レジスト塗布、露光、現像、
定着などを行った穴あけ加工されたレジスト層形成がｎ
回、その除去がｎ回、下地導電膜の形成がｎ／２回、そ
の除去も同じくｎ／２回、溶剤型ワニス塗布ｎ回、研削
、研磨による平坦化にｎ回と、合計５ｎ回を要する。 これに対して、本発明では、穴あけ加工されたレジスト
層形成がｎ回、その除去が１回、下地導電膜の形成がｎ
／２回、その除去が１回、無溶剤型ワニスの充填１回、
研削、研磨無しで、合計（３／２ｎ＋２）回である。
でｎ層の基板を作る場合、レジスト塗布、露光、現像、
定着などを行った穴あけ加工されたレジスト層形成がｎ
回、その除去がｎ回、下地導電膜の形成がｎ／２回、そ
の除去も同じくｎ／２回、溶剤型ワニス塗布ｎ回、研削
、研磨による平坦化にｎ回と、合計５ｎ回を要する。 これに対して、本発明では、穴あけ加工されたレジスト
層形成がｎ回、その除去が１回、下地導電膜の形成がｎ
／２回、その除去が１回、無溶剤型ワニスの充填１回、
研削、研磨無しで、合計（３／２ｎ＋２）回である。
【０２０３】３０層の層数を積み上げるとすると、従来
法で１５０回、本発明で４７回となり、工程数は、おお
よそ見積もって１／３に短縮される。
法で１５０回、本発明で４７回となり、工程数は、おお
よそ見積もって１／３に短縮される。
【０２０４】前記したように、本発明のプロセスではボ
イドレス絶縁が容易であり、研削、研磨工程を含まない
ので欠陥の原因となる異物発生を防いでいる。
イドレス絶縁が容易であり、研削、研磨工程を含まない
ので欠陥の原因となる異物発生を防いでいる。
【０２０５】また、上記の信頼性、製造歩留まり向上の
他に、セラミックスなどからなる無機絶縁基板を上層、
あるいは中間層として設置可能であり、ＬＳＩとの熱膨
張係数の整合による接続信頼性向上、あるいは薄膜抵抗
やコンデンサなどの回路素子を内蔵化可能なので機能性
と実装密度を飛躍的に向上できる効果がある。これらの
諸効果を生むもとになるのは、本発明による基板形成方
式と無溶剤型耐熱ポリマー材料のそれぞれの進歩と相乗
的な作用効果とによるものである。
他に、セラミックスなどからなる無機絶縁基板を上層、
あるいは中間層として設置可能であり、ＬＳＩとの熱膨
張係数の整合による接続信頼性向上、あるいは薄膜抵抗
やコンデンサなどの回路素子を内蔵化可能なので機能性
と実装密度を飛躍的に向上できる効果がある。これらの
諸効果を生むもとになるのは、本発明による基板形成方
式と無溶剤型耐熱ポリマー材料のそれぞれの進歩と相乗
的な作用効果とによるものである。
【０２０６】〔実施例１１〕
（モジュールの作成）図１２に作成したモジュールの概
略図を示す。実施例１により作成された薄膜基板を用い
て出来上がった厚膜・薄膜混成基板１０６の裏面のピン
付けパッド１０８に高温半田１０９を乗せ、接続部のみ
を局部的に約３５０℃に加熱してガイド穴に入れたピン
１１０を接続・固定する。次に基板表面の半導体素子実
装用表面パッド１０７に半田１１１を乗せ、約２５０℃
に加熱して４個のＬＳＩ１１２を電気的に接続及び固定
する。更に、ＬＳＩ裏面上に電導性・良熱伝導性の耐熱
ゴム板１１４を接着する。最後に基板表面の半田封止部
に低温半田１１３を乗せ、約２００℃に加熱してＬＳＩ
を空冷するための冷却ファン１１５を一体成型したコパ
ール封止キャップ１１６を接続し、封止キャップ内面が
良熱伝導性耐熱ゴムに接触するようにしてモジュールを
完成する。
略図を示す。実施例１により作成された薄膜基板を用い
て出来上がった厚膜・薄膜混成基板１０６の裏面のピン
付けパッド１０８に高温半田１０９を乗せ、接続部のみ
を局部的に約３５０℃に加熱してガイド穴に入れたピン
１１０を接続・固定する。次に基板表面の半導体素子実
装用表面パッド１０７に半田１１１を乗せ、約２５０℃
に加熱して４個のＬＳＩ１１２を電気的に接続及び固定
する。更に、ＬＳＩ裏面上に電導性・良熱伝導性の耐熱
ゴム板１１４を接着する。最後に基板表面の半田封止部
に低温半田１１３を乗せ、約２００℃に加熱してＬＳＩ
を空冷するための冷却ファン１１５を一体成型したコパ
ール封止キャップ１１６を接続し、封止キャップ内面が
良熱伝導性耐熱ゴムに接触するようにしてモジュールを
完成する。
【０２０７】なお、上記モジュールのＬＳＩとしては、
論理ＬＳＩを１個、メモリーＬＳＩを３個を用いた。
論理ＬＳＩを１個、メモリーＬＳＩを３個を用いた。
【０２０８】（計算機の作成）上記モジュール１１７を
プリント基板１１８上に１６個搭載して、図１３に示す
論理パッケージを形成した。
プリント基板１１８上に１６個搭載して、図１３に示す
論理パッケージを形成した。
【０２０９】この論理パッケージに記憶パッケージ、入
出力処理パッケージを組み合わせて計算機を構成した。
出力処理パッケージを組み合わせて計算機を構成した。
【０２１０】〔実施例１２〕４，４’−ビスベンゾシク
ロブテンと１，４−ビス（フェニルエチニル）ベンゼン
とをモル比５：５に混合した無溶剤ワニスを窒素下にお
いて２００℃、２０分間加熱して反応させてオリゴマ化
した後、実施例１に準拠してスケルトン構造の多層配線
基板をトランスファ成形で絶縁層形成した（図１４）。
ロブテンと１，４−ビス（フェニルエチニル）ベンゼン
とをモル比５：５に混合した無溶剤ワニスを窒素下にお
いて２００℃、２０分間加熱して反応させてオリゴマ化
した後、実施例１に準拠してスケルトン構造の多層配線
基板をトランスファ成形で絶縁層形成した（図１４）。
【０２１１】上記４，４’−ビスベンゾシクロブテンは
式（１）のＲ（結合基）がなくベンゾシクロブテンが直
接結合したものである。
式（１）のＲ（結合基）がなくベンゾシクロブテンが直
接結合したものである。
【０２１２】また、上記１，４−ビス（フェニルエチニ
ル）ベンゼンは式（２）において、Ｘをベンゼン環、Ｙ
とＹ’を
ル）ベンゼンは式（２）において、Ｘをベンゼン環、Ｙ
とＹ’を
【０２１３】
【化２８】
【０２１４】のｎを１、Ｒをベンゼン環としたものであ
る。
る。
【０２１５】〔実施例１３〕図１４における絶縁層３０
４として、４，４’−ビスベンゾシクロブテンと１，４
−ジフェニルブタジインとのモル比８：２共重合体（ガ
ラス転移温度３００℃、熱分解温度４２０℃）を用い、
トランスファ成形で側面から注入して形成した。
４として、４，４’−ビスベンゾシクロブテンと１，４
−ジフェニルブタジインとのモル比８：２共重合体（ガ
ラス転移温度３００℃、熱分解温度４２０℃）を用い、
トランスファ成形で側面から注入して形成した。
【０２１６】上記４，４’−ビスベンゾシクロブテンは
実施例１において用いたものと同一である。
実施例１において用いたものと同一である。
【０２１７】また、１，４−ジフェニルブタジインは式
（２）において、Ｘを直接結合とし、ＹとＹ’を実施例
１５と同一にしたものである。
（２）において、Ｘを直接結合とし、ＹとＹ’を実施例
１５と同一にしたものである。
【０２１８】〔実施例１４〕実施例１２における絶縁層
３０４（図４）として、４，４’−ビスベンゾシクロブ
テンと４−エチニルフェニルフェニルアセチレンとのモ
ル比７：３共重合体（ガラス転移温度２９０℃、熱分解
温度４１０℃）を用いた。
３０４（図４）として、４，４’−ビスベンゾシクロブ
テンと４−エチニルフェニルフェニルアセチレンとのモ
ル比７：３共重合体（ガラス転移温度２９０℃、熱分解
温度４１０℃）を用いた。
【０２１９】上記４，４’−ビスベンゾシクロブテンは
実施例１２において用いたものと同一である。
実施例１２において用いたものと同一である。
【０２２０】また、上記４−エチニルフェニルフェニル
アセチレンは式（２）において、Ｘをベンゼン環とし、
Ｙを
アセチレンは式（２）において、Ｘをベンゼン環とし、
Ｙを
【０２２１】
【化２９】
【０２２２】のｎを１、Ｒを水素原子とし、Ｙ’を
【０
２２３】
２２３】
【化３０】
【０２２４】のｎを１、Ｒをベンゼン環としたものであ
る。
る。
【０２２５】〔実施例１５〕実施例１２における絶縁層
３０４（図１４）として、ｐ−ビス（ベンゾシクロブテ
ニル）ベンゼンと１，４−ジフェニルブタジインとのモ
ル比５：６共重合体（ガラス転移温度２８０℃、熱分解
温度４００℃）を用いた。
３０４（図１４）として、ｐ−ビス（ベンゾシクロブテ
ニル）ベンゼンと１，４−ジフェニルブタジインとのモ
ル比５：６共重合体（ガラス転移温度２８０℃、熱分解
温度４００℃）を用いた。
【０２２６】なお、上記１，４−ビス（ベンゾシクロブ
テニル）ベンゼンは、式（１）のＲをベンゼン環とした
ものであり、また、１，４−ジフェニルブタジインは実
施例１６に用いたものと同一である。
テニル）ベンゼンは、式（１）のＲをベンゼン環とした
ものであり、また、１，４−ジフェニルブタジインは実
施例１６に用いたものと同一である。
【０２２７】〔実施例１６〕実施例１２における絶縁層
３０４（図１４）として、１，４−ビス（ベンゾシクロ
ブテニル）ベンゼンとビス（フェニルエテニル）アセチ
レンとのモル比７：３共重合体（ガラス転移温度２９５
℃、熱分解温度４２０℃）を用いた。
３０４（図１４）として、１，４−ビス（ベンゾシクロ
ブテニル）ベンゼンとビス（フェニルエテニル）アセチ
レンとのモル比７：３共重合体（ガラス転移温度２９５
℃、熱分解温度４２０℃）を用いた。
【０２２８】なお、ｐ−ビス（ベンゾシクロブテニル）
ベンゼンは式（１）のＲをベンゼン環としたものであり
、また、ビス（フェニルエチニル）アセチレンは、式（
２）のＸを直接結合とし、Ｙを
ベンゼンは式（１）のＲをベンゼン環としたものであり
、また、ビス（フェニルエチニル）アセチレンは、式（
２）のＸを直接結合とし、Ｙを
【０２２９】
【化３１】
【０２３０】のｎを１、Ｒをベンゼン環とし、Ｙ’を
【
０２３１】
０２３１】
【化３２】
【０２３２】のｎを２、Ｒをベンゼン環としたものであ
る。
る。
【０２３３】〔実施例１７〕図９の従来の多層配線基板
の製造方法を示す工程図の（ａ）〜（ｅ）まで、従来法
に準じて配線導体とビアホール層を形成しておく。
の製造方法を示す工程図の（ａ）〜（ｅ）まで、従来法
に準じて配線導体とビアホール層を形成しておく。
【０２３４】この配線導体（幅２０μｍ、ピット４０μ
ｍ、高さ４０μｍ）の間の空間に、まず直径１０〜１５
μｍのポリイミド粉末（宇部興産（株）ＵＢＥ．ＩＮＤ
ＵＳＴＲＩＥＳ，ＬＴＤ製、商品名ＵＩＰ−Ｓ）を詰め
、次にホットプレートをかぶせ上記の無溶剤状態の４，
４’−ビスベンゾシクロブテンオリゴマを側面から、一
旦減圧下におき、ホットプレート上に約１５ｋｇ／ｃｍ
２の圧力を加えて温度１２０℃でオリゴマをトランスフ
ァ成形で溶融流動させて充填する。しかる後静水圧力２
０ｋｇ／ｃｍ２かけて２５０℃まで電磁誘導でホットプ
レートを急速昇温させて約３０分かけて硬化する。ビア
ホール銅とホットプレートにはさまれたポリマーはほと
んどなく、配線層の全表面はホットプレートの±０．５
μｍ以上の平坦性が転写されている。減圧後加圧処理し
たことと、もともと溶剤を含んでおらず且つ硬化に際し
て水を発生しないポリマーの性格上、ポリマーの中にピ
ンホール、ボイドが見られなかった。ホットプレートを
外した後、ドラエッチングで表面をクリーニングし、ビ
アホール銅を露呈させる。上記のようにして１層ずつ逐
次配線層を積み上げ、所望の１０層の多層配線基板を作
製した。
ｍ、高さ４０μｍ）の間の空間に、まず直径１０〜１５
μｍのポリイミド粉末（宇部興産（株）ＵＢＥ．ＩＮＤ
ＵＳＴＲＩＥＳ，ＬＴＤ製、商品名ＵＩＰ−Ｓ）を詰め
、次にホットプレートをかぶせ上記の無溶剤状態の４，
４’−ビスベンゾシクロブテンオリゴマを側面から、一
旦減圧下におき、ホットプレート上に約１５ｋｇ／ｃｍ
２の圧力を加えて温度１２０℃でオリゴマをトランスフ
ァ成形で溶融流動させて充填する。しかる後静水圧力２
０ｋｇ／ｃｍ２かけて２５０℃まで電磁誘導でホットプ
レートを急速昇温させて約３０分かけて硬化する。ビア
ホール銅とホットプレートにはさまれたポリマーはほと
んどなく、配線層の全表面はホットプレートの±０．５
μｍ以上の平坦性が転写されている。減圧後加圧処理し
たことと、もともと溶剤を含んでおらず且つ硬化に際し
て水を発生しないポリマーの性格上、ポリマーの中にピ
ンホール、ボイドが見られなかった。ホットプレートを
外した後、ドラエッチングで表面をクリーニングし、ビ
アホール銅を露呈させる。上記のようにして１層ずつ逐
次配線層を積み上げ、所望の１０層の多層配線基板を作
製した。
【０２３５】〔実施例１８〕±０．５μｍ以上の表面平
坦性を有する電磁誘導加熱が可能なホットプレートを用
意する。ｐ−ビスベンゾシクロブテニルエテニルベンゼ
ンオリゴマを８０℃で減圧下乾燥し、無溶剤状態のプリ
プレグを作った。
坦性を有する電磁誘導加熱が可能なホットプレートを用
意する。ｐ−ビスベンゾシクロブテニルエテニルベンゼ
ンオリゴマを８０℃で減圧下乾燥し、無溶剤状態のプリ
プレグを作った。
【０２３６】実施例１７と同様にして形成した配線導体
（幅２０μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）の間の
空間に、まずアラミド繊維（帝人（株）製、商品名テク
ノーラ）を詰めておき、上記ホットプレートを配線導体
の上からかぶせて、一旦減圧下にしておく。次に、ホッ
トプレートを約２０ｋｇ／ｃｍ２加圧下で１００℃に加
熱し、上記オリゴマをトランスファ成形で側面から溶融
流動させて配線導体間の空間に充填する。しかる後静水
圧力を２０ｋｇ／ｃｍ２かけて２５０℃までホットプレ
ートを急速加熱させて約３０分間硬化する。その後ホッ
トプレートを外して表面をドライエッチングし、ビアホ
ール銅をクリーン化する。上記の操作を繰り返して１５
層の多層配線基板を作製した。
（幅２０μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）の間の
空間に、まずアラミド繊維（帝人（株）製、商品名テク
ノーラ）を詰めておき、上記ホットプレートを配線導体
の上からかぶせて、一旦減圧下にしておく。次に、ホッ
トプレートを約２０ｋｇ／ｃｍ２加圧下で１００℃に加
熱し、上記オリゴマをトランスファ成形で側面から溶融
流動させて配線導体間の空間に充填する。しかる後静水
圧力を２０ｋｇ／ｃｍ２かけて２５０℃までホットプレ
ートを急速加熱させて約３０分間硬化する。その後ホッ
トプレートを外して表面をドライエッチングし、ビアホ
ール銅をクリーン化する。上記の操作を繰り返して１５
層の多層配線基板を作製した。
【０２３７】〔実施例１９〕直径７〜１２μｍのポリイ
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約３０重
量％混合したｍ−ビスベンゾシクロブテニルエテニルベ
ンゼンオリゴマを、実施例１７と同様にして形成した配
線導体（幅２０μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）
の上に表面平坦性±０．５μｍホットプレートをかぶせ
、減圧下８０℃でトランスファ成形で注入する。この配
線層とホットプレートの全体に静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２
をかけつつ２５０℃まで急速加熱し３０分間硬化させる
。 ホットプレートを外し、ビアホール銅がクリーン化する
までドライエッチングし、上記操作を繰り返して５層の
多層配線基板を作製した。
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約３０重
量％混合したｍ−ビスベンゾシクロブテニルエテニルベ
ンゼンオリゴマを、実施例１７と同様にして形成した配
線導体（幅２０μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）
の上に表面平坦性±０．５μｍホットプレートをかぶせ
、減圧下８０℃でトランスファ成形で注入する。この配
線層とホットプレートの全体に静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２
をかけつつ２５０℃まで急速加熱し３０分間硬化させる
。 ホットプレートを外し、ビアホール銅がクリーン化する
までドライエッチングし、上記操作を繰り返して５層の
多層配線基板を作製した。
【０２３８】〔実施例２０〕スケルトン構造の配線導体
（幅２５μｍ、ピッチ５０μｍ、高さ４０μｍ）の間の
空間に直径１０〜１５μｍのポリイミド粉末（宇部興産
（株）製、ＵＩＰ−Ｒ４０重量％とＵＩＰ−Ｓ６０重量
％の混合粉末）を詰める。また、配線導体の上端表面に
のみフッ素入りの界面活性剤を接着させておく。±０．
５μｍ以上の表面平坦性を有するホットプレートをポリ
イミド粉末を充填した配線導体の上にかぶせ、側面から
減圧下ビスベンゾシクロブテニルエテンオリゴマをトラ
ンスファ成形方式で注入する。しかる後静水圧２５ｋｇ
／ｃｍ２の加圧下でホットプレートを２５０℃まで急速
に上げ約３０分間で硬化させた。次にホットプレートを
外し、表面をドライエッチングし、ビアホール銅をクリ
ーン化した。上記操作を繰り返して１５層の多層配線基
板を作製した。
（幅２５μｍ、ピッチ５０μｍ、高さ４０μｍ）の間の
空間に直径１０〜１５μｍのポリイミド粉末（宇部興産
（株）製、ＵＩＰ−Ｒ４０重量％とＵＩＰ−Ｓ６０重量
％の混合粉末）を詰める。また、配線導体の上端表面に
のみフッ素入りの界面活性剤を接着させておく。±０．
５μｍ以上の表面平坦性を有するホットプレートをポリ
イミド粉末を充填した配線導体の上にかぶせ、側面から
減圧下ビスベンゾシクロブテニルエテンオリゴマをトラ
ンスファ成形方式で注入する。しかる後静水圧２５ｋｇ
／ｃｍ２の加圧下でホットプレートを２５０℃まで急速
に上げ約３０分間で硬化させた。次にホットプレートを
外し、表面をドライエッチングし、ビアホール銅をクリ
ーン化した。上記操作を繰り返して１５層の多層配線基
板を作製した。
【０２３９】〔実施例２１〕直径７〜１２μｍのポリイ
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約４０％
混合した４，４’−ビスベンゾシクロブテンオリゴマを
、実施例１７と同様にして形成した配線導体（幅２０μ
ｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）上に表面平坦性０
．５μｍ以上のホットプレートをかぶせ、減圧下その側
面から注入する。静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかけつつ２
５０℃まで急速加熱し３０分間硬化させる。しかる後ホ
ットプレートを外し、ビアホール銅がクリーン化するま
でドライエッチングを行う。上記操作を繰り返して１０
層の多層配線基板を作製した。
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約４０％
混合した４，４’−ビスベンゾシクロブテンオリゴマを
、実施例１７と同様にして形成した配線導体（幅２０μ
ｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）上に表面平坦性０
．５μｍ以上のホットプレートをかぶせ、減圧下その側
面から注入する。静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかけつつ２
５０℃まで急速加熱し３０分間硬化させる。しかる後ホ
ットプレートを外し、ビアホール銅がクリーン化するま
でドライエッチングを行う。上記操作を繰り返して１０
層の多層配線基板を作製した。
【０２４０】〔実施例２２〕直径７〜１２μｍのポリイ
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約５０％
混合した４，４’−ビスベンゾシクロブテンオリゴマを
、実施例１７と同様にして形成した配線導体（幅２０μ
ｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）上に表面平坦性０
．５μｍ以上のホットプレートをかぶせ、減圧下その側
面から注入する。静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかけつつ２
５０℃まで急速加熱し３０分間硬化させる。しかる後ホ
ットプレートを外し、ビアホール銅がクリーンになるま
でドライエッチングを行う。上記操作を繰り返して１０
層の多層配線基板を作製した。
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約５０％
混合した４，４’−ビスベンゾシクロブテンオリゴマを
、実施例１７と同様にして形成した配線導体（幅２０μ
ｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）上に表面平坦性０
．５μｍ以上のホットプレートをかぶせ、減圧下その側
面から注入する。静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかけつつ２
５０℃まで急速加熱し３０分間硬化させる。しかる後ホ
ットプレートを外し、ビアホール銅がクリーンになるま
でドライエッチングを行う。上記操作を繰り返して１０
層の多層配線基板を作製した。
【０２４１】〔実施例２３〕直径７〜１２μｍのポリイ
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約７０％
混合した４，４’−ビスベンゾシクロブテンオリゴマを
、実施例１７と同様にして形成した配線導体（幅２０μ
ｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）上に表面平坦性０
．５μｍ以上のホットプレートをかぶせ、減圧下その側
面から注入する。静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかけつつ２
５０℃まで急速加熱し３０分間硬化させる。しかる後ホ
ットプレートを外し、ビアホール銅がクリーンになるま
でドライエッチングを行う。上記操作を繰り返して１０
層の多層配線基板を作製した。
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約７０％
混合した４，４’−ビスベンゾシクロブテンオリゴマを
、実施例１７と同様にして形成した配線導体（幅２０μ
ｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）上に表面平坦性０
．５μｍ以上のホットプレートをかぶせ、減圧下その側
面から注入する。静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかけつつ２
５０℃まで急速加熱し３０分間硬化させる。しかる後ホ
ットプレートを外し、ビアホール銅がクリーンになるま
でドライエッチングを行う。上記操作を繰り返して１０
層の多層配線基板を作製した。
【０２４２】〔実施例２４〕直径７〜１２μｍのポリイ
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約８０％
混合したｃｉｓ−ビスベンゾシクロブテニルエテンオリ
ゴマを、実施例１７と同様にして形成した配線導体（幅
２０μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）表面平坦性
０．５μｍ以上のホットプレートをかぶせ、減圧下その
側面から注入する。静水圧２０ｋｇ／ｃｍ２をかけつつ
３００℃まで急速加熱し３０分間硬化させる。しかる後
ホットプレートを外し、ビアホール銅がクリーンになる
までドライエッチングを行う。上記操作を繰り返して１
５層の多層配線基板を作製した。
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約８０％
混合したｃｉｓ−ビスベンゾシクロブテニルエテンオリ
ゴマを、実施例１７と同様にして形成した配線導体（幅
２０μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）表面平坦性
０．５μｍ以上のホットプレートをかぶせ、減圧下その
側面から注入する。静水圧２０ｋｇ／ｃｍ２をかけつつ
３００℃まで急速加熱し３０分間硬化させる。しかる後
ホットプレートを外し、ビアホール銅がクリーンになる
までドライエッチングを行う。上記操作を繰り返して１
５層の多層配線基板を作製した。
【０２４３】〔実施例２５〕ＲＴＶゴムで作った箱状の
容器に配線導体（幅２０μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４
０μｍ）基板を入れ、その上にホットプレートをかぶせ
、その側面から真空下で加熱注入により４，４’−ビス
ベンゾシクロブテン（融点６２℃）をトランスファ成形
で流し込み、最終２５０℃で硬化処理を行った。硬化後
、ドライエッチングにより絶縁層表面を処理し、ビアホ
ール銅の上端をクリーン化させ、その後の多層化プロセ
スが可能な配線基板を作製した。
容器に配線導体（幅２０μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４
０μｍ）基板を入れ、その上にホットプレートをかぶせ
、その側面から真空下で加熱注入により４，４’−ビス
ベンゾシクロブテン（融点６２℃）をトランスファ成形
で流し込み、最終２５０℃で硬化処理を行った。硬化後
、ドライエッチングにより絶縁層表面を処理し、ビアホ
ール銅の上端をクリーン化させ、その後の多層化プロセ
スが可能な配線基板を作製した。
【０２４４】〔実施例２６〕配線導体（幅２０μｍ、ピ
ッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）の空間にアラミド繊維（
帝人（株）製、商品名テクノール）を詰めておく。ホッ
トプレートを配線導体の上にかぶせ、減圧下１７０℃に
ホットプレートを加熱してｍ−ビスベンゾシクロブテニ
ルベンゼンをトランスファ成形で溶融流動させて配線導
体間のアラミド繊維のある空間に充填した。しかる後、
静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかけて２５０℃まで急速加熱
し３０分かけて硬化する。その後でホットプレートを外
して表面をドライエッチングし、ビアホール銅をクリー
ン化する。上記操作を繰り返して１５層の多層配線基板
を作製した。
ッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）の空間にアラミド繊維（
帝人（株）製、商品名テクノール）を詰めておく。ホッ
トプレートを配線導体の上にかぶせ、減圧下１７０℃に
ホットプレートを加熱してｍ−ビスベンゾシクロブテニ
ルベンゼンをトランスファ成形で溶融流動させて配線導
体間のアラミド繊維のある空間に充填した。しかる後、
静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかけて２５０℃まで急速加熱
し３０分かけて硬化する。その後でホットプレートを外
して表面をドライエッチングし、ビアホール銅をクリー
ン化する。上記操作を繰り返して１５層の多層配線基板
を作製した。
【０２４５】〔実施例２７〕図９の従来の多層配線基板
の製造方法を示す工程図の（ａ）〜（ｅ）まで、従来法
に準じて配線導体を形成する。
の製造方法を示す工程図の（ａ）〜（ｅ）まで、従来法
に準じて配線導体を形成する。
【０２４６】次に、図９の（ｆ）以降の工程において、
配線導体上にホットプレートをかぶせ、側面から配線導
体間の空間部分を、従来のポリイミド材に代えてナフタ
レン骨格を有する４官能のエポキシレジンをメチレンジ
アニリンとからなるエポキシレジン組成物（ガラス転移
温度３３０℃）で注入し絶縁層を形成する。ここで用い
たエポキシレジンは、中央に１，６−ヒドロキシナフタ
レン骨格をもち、その両端にメチレン結合を介してフェ
ノールを結合させた化合物をエピクロルヒドリンを用い
てエポキシ化して４官能性のもの（大日本インク化学工
業（株）ＤＡＩＮＩＰＰＯＮＩＮＫ ＡＮＤ ＣＨ
ＥＭＩＣＡＬＳ，ＩＮＣ．製、ＥＸＡ−４７５０）であ
る。 このエポキシレジンは、これまでに見られない極めて優
れた耐熱性（従来ガラス転移温度２００℃以下）をもっ
ている。このエポキシレジン組成物は１００〜１１０℃
以上から溶融流動化し、１７０℃、２時間で硬化する。 硬化に際して減圧、減圧後加圧処理をする。ポリイミド
の場合は最高３５０℃以上数時間の硬化が必要であるの
に比べると低温かつ短時間で硬化できる。最終的にドラ
イエッチングで表面処理しビアホール銅の上端をクリー
ン化する。
配線導体上にホットプレートをかぶせ、側面から配線導
体間の空間部分を、従来のポリイミド材に代えてナフタ
レン骨格を有する４官能のエポキシレジンをメチレンジ
アニリンとからなるエポキシレジン組成物（ガラス転移
温度３３０℃）で注入し絶縁層を形成する。ここで用い
たエポキシレジンは、中央に１，６−ヒドロキシナフタ
レン骨格をもち、その両端にメチレン結合を介してフェ
ノールを結合させた化合物をエピクロルヒドリンを用い
てエポキシ化して４官能性のもの（大日本インク化学工
業（株）ＤＡＩＮＩＰＰＯＮＩＮＫ ＡＮＤ ＣＨ
ＥＭＩＣＡＬＳ，ＩＮＣ．製、ＥＸＡ−４７５０）であ
る。 このエポキシレジンは、これまでに見られない極めて優
れた耐熱性（従来ガラス転移温度２００℃以下）をもっ
ている。このエポキシレジン組成物は１００〜１１０℃
以上から溶融流動化し、１７０℃、２時間で硬化する。 硬化に際して減圧、減圧後加圧処理をする。ポリイミド
の場合は最高３５０℃以上数時間の硬化が必要であるの
に比べると低温かつ短時間で硬化できる。最終的にドラ
イエッチングで表面処理しビアホール銅の上端をクリー
ン化する。
【０２４７】〔実施例２８〕図９の従来の多層配線基板
の製造方法を示す工程図の（ａ）〜（ｅ）まで、従来法
に準じて配線導体を形成する。
の製造方法を示す工程図の（ａ）〜（ｅ）まで、従来法
に準じて配線導体を形成する。
【０２４８】次に、図９の（ｆ）以降の工程において、
ホットプレートをかぶせた配線導体間の空間部分を、従
来のポリイミド材に代えてナフタレン骨格を有する４官
能のエポキシレジンをメチレンジアニリンとからなるエ
ポキシレジン組成物（ガラス転移温度３３０℃）で減圧
下側面注入でトランスファ成形によって埋めつくし絶縁
層を形成する。ここで用いたエポキシレジンは、中央に
１，６−ヒドロキシナフタレン骨格をもち、その両端に
メチレン結合を介してフェノールを結合させた化合物を
エピクロルヒドリンを用いてエポキシ化した４官能性の
もの（大日本インク化学工業（株）ＤＡＩＮＩＰＰＯＮ
ＩＮＫ ＡＮＤ ＣＨＥＭＩＣＡＬＳ，ＩＮＣ．製
、ＥＸＡ−４７５０）である。このエポキシレジンは、
これまでに見られない極めて優れた耐熱性（ガラス転移
温度３３０℃、従来ガラス転移温度２００℃以下）をも
っており、通常グレートのポリイミドと比べてもその点
では劣らない。このエポキシレジン組成物は１００〜１
１０℃以上から溶融流動化し、１７０℃、２時間で硬化
する。硬化前減圧、硬化時加圧処理をする。ポリイミド
の場合は最高３５０℃以上数時間の硬化が必要であるの
に比べると低温かつ短時間で硬化できる。最終的にドラ
イエッチングで表面をクリーン化しビアホール銅の上端
を異物を除去させる。以上のプセスの繰り返しによって
多層化する。
ホットプレートをかぶせた配線導体間の空間部分を、従
来のポリイミド材に代えてナフタレン骨格を有する４官
能のエポキシレジンをメチレンジアニリンとからなるエ
ポキシレジン組成物（ガラス転移温度３３０℃）で減圧
下側面注入でトランスファ成形によって埋めつくし絶縁
層を形成する。ここで用いたエポキシレジンは、中央に
１，６−ヒドロキシナフタレン骨格をもち、その両端に
メチレン結合を介してフェノールを結合させた化合物を
エピクロルヒドリンを用いてエポキシ化した４官能性の
もの（大日本インク化学工業（株）ＤＡＩＮＩＰＰＯＮ
ＩＮＫ ＡＮＤ ＣＨＥＭＩＣＡＬＳ，ＩＮＣ．製
、ＥＸＡ−４７５０）である。このエポキシレジンは、
これまでに見られない極めて優れた耐熱性（ガラス転移
温度３３０℃、従来ガラス転移温度２００℃以下）をも
っており、通常グレートのポリイミドと比べてもその点
では劣らない。このエポキシレジン組成物は１００〜１
１０℃以上から溶融流動化し、１７０℃、２時間で硬化
する。硬化前減圧、硬化時加圧処理をする。ポリイミド
の場合は最高３５０℃以上数時間の硬化が必要であるの
に比べると低温かつ短時間で硬化できる。最終的にドラ
イエッチングで表面をクリーン化しビアホール銅の上端
を異物を除去させる。以上のプセスの繰り返しによって
多層化する。
【０２４９】さらに実施例１の場合のように多層化した
スケルトン配線構造を一括絶縁処理することもできる。
スケルトン配線構造を一括絶縁処理することもできる。
【０２５０】〔実施例２９〕配線導体の空間に直径約１
５μｍのアラミド繊維（帝人（株）製、商品名テクノー
ラ）を予め充填しておいて他は実施例２８と同様にして
無溶剤型レジンをトランスファ成形によって充填した。 アラミド繊維が熱および湿度に対しての膨張係数がとも
に負の値を示すので、レジンを充填した導体配線層が熱
および湿度に対する膨張係数の小さいものが得られ好適
であった。
５μｍのアラミド繊維（帝人（株）製、商品名テクノー
ラ）を予め充填しておいて他は実施例２８と同様にして
無溶剤型レジンをトランスファ成形によって充填した。 アラミド繊維が熱および湿度に対しての膨張係数がとも
に負の値を示すので、レジンを充填した導体配線層が熱
および湿度に対する膨張係数の小さいものが得られ好適
であった。
【０２５１】〔実施例３０〕補強材として直径７〜１２
μｍのポリイミド粉（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）
を添加５０ｗｔ％したものをエポキシレジン組成物とし
て使用した他は実施例２８と同様にして多層配線基板を
作製した。エポキシレジン組成物の硬化物がポリイミド
に比べて伸びが少ない点を補い好適なものが得られた。
μｍのポリイミド粉（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）
を添加５０ｗｔ％したものをエポキシレジン組成物とし
て使用した他は実施例２８と同様にして多層配線基板を
作製した。エポキシレジン組成物の硬化物がポリイミド
に比べて伸びが少ない点を補い好適なものが得られた。
【０２５２】〔実施例３１〕エポキシレジン組成物とし
て、ナフタレン骨格を有するエポキシレジン（大日本イ
ンク化学工業（株）製、ＨＰ−４０３２）とビフェニル
骨格を有するジアミン（４，４−ジアミノビフェニル）
からなる組成物（ガラス転移温度２３０℃）、およびこ
れに実施例２４で用いたポリイミド粉を添加した組成物
を用い、実施例２８と同様にして多層配線基板を作製し
たところ、短時間硬化性で優れたものが得られた。
て、ナフタレン骨格を有するエポキシレジン（大日本イ
ンク化学工業（株）製、ＨＰ−４０３２）とビフェニル
骨格を有するジアミン（４，４−ジアミノビフェニル）
からなる組成物（ガラス転移温度２３０℃）、およびこ
れに実施例２４で用いたポリイミド粉を添加した組成物
を用い、実施例２８と同様にして多層配線基板を作製し
たところ、短時間硬化性で優れたものが得られた。
【０２５３】〔実施例３２〕直径７〜１２μｍのポリイ
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約７０％
混合したナフタレン骨格を有する２官能のエポキシレジ
ン（大日本インク化学工業（株）製、ＨＰ−４０３２Ｄ
）とメチレンジアニリンからなる組成物（ガラス転移温
度２３０℃）を、平坦なホットプレートをかぶせた配線
導体（幅２０μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）の
空間に減圧下側面からトランスファ成形で充填する。 次に静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかけて２００℃に昇温し
３０分間かけて硬化する。しかる後ホットプレートを外
し、ビアホール銅がクリーンになるまでドライエッチン
グを行う。上記操作を繰り返して１０層の多層配線基盤
を作製した。上記ポリイミド粉末は、ポリイミドの中で
は最も線膨張係数が小さいもので、エポキシレジン組成
物だけでは達成できない低い線膨張係数（０．３×１０
￣５）と高い伸びを有する。
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約７０％
混合したナフタレン骨格を有する２官能のエポキシレジ
ン（大日本インク化学工業（株）製、ＨＰ−４０３２Ｄ
）とメチレンジアニリンからなる組成物（ガラス転移温
度２３０℃）を、平坦なホットプレートをかぶせた配線
導体（幅２０μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）の
空間に減圧下側面からトランスファ成形で充填する。 次に静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかけて２００℃に昇温し
３０分間かけて硬化する。しかる後ホットプレートを外
し、ビアホール銅がクリーンになるまでドライエッチン
グを行う。上記操作を繰り返して１０層の多層配線基盤
を作製した。上記ポリイミド粉末は、ポリイミドの中で
は最も線膨張係数が小さいもので、エポキシレジン組成
物だけでは達成できない低い線膨張係数（０．３×１０
￣５）と高い伸びを有する。
【０２５４】〔実施例３３〕直径７〜１２μｍのポリイ
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約８０％
混合したナフタレン骨格を有する２官能のエポキシレジ
ン（大日本インク化学工業（株）製、ＨＰ−４０３２）
と４，４’−ジアミノ−パラ−ターフェニルからなる組
成物（ガラス転移温度２３０℃）を、平坦なホットプレ
ートをかぶせた配線導体（幅３０μｍ、ピッチ６０μｍ
、高さ５０μｍ）の空間に減圧下１２０℃に加熱し側面
からトランスファ成形で注入する。次に静水圧５０ｋｇ
／ｃｍ２をかけつつ２００℃に昇温し３０分間かけて硬
化させる。しかる後ホットプレートを外し、ビアホール
銅がクリーンになるまでドライエッチングを行う。上記
操作を繰り返して５層の多層配線基板を作製した。
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約８０％
混合したナフタレン骨格を有する２官能のエポキシレジ
ン（大日本インク化学工業（株）製、ＨＰ−４０３２）
と４，４’−ジアミノ−パラ−ターフェニルからなる組
成物（ガラス転移温度２３０℃）を、平坦なホットプレ
ートをかぶせた配線導体（幅３０μｍ、ピッチ６０μｍ
、高さ５０μｍ）の空間に減圧下１２０℃に加熱し側面
からトランスファ成形で注入する。次に静水圧５０ｋｇ
／ｃｍ２をかけつつ２００℃に昇温し３０分間かけて硬
化させる。しかる後ホットプレートを外し、ビアホール
銅がクリーンになるまでドライエッチングを行う。上記
操作を繰り返して５層の多層配線基板を作製した。
【０２５５】〔実施例３４〕直径７〜１２μｍのポリイ
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約５０％
混合したナフタレン骨格を有する４官能のエポキシレジ
ン（大日本インク化学工業（株）製、ＥＸＡ−４７００
）とメチレンジアニリンからなる組成物（ガラス転移温
度３３０℃）を、平坦なホットプレートをかぶせた配線
導体（幅２５μｍ、ピッチ５０μｍ、高さ５０μｍ）の
空間に減圧下８０℃に加熱し側面からトランスファ成形
で注入する。次に静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかけつつ２
００℃に昇温し３０分間かけて硬化させる。しかる後ホ
ットプレートを外し、ビアホール銅がクリーンになるま
でドライエッチングを行う。上記操作を繰り返して１０
層の多層配線基板を作製した。
ミド粉末（宇部興産（株）製、ＵＩＰ−Ｓ）を約５０％
混合したナフタレン骨格を有する４官能のエポキシレジ
ン（大日本インク化学工業（株）製、ＥＸＡ−４７００
）とメチレンジアニリンからなる組成物（ガラス転移温
度３３０℃）を、平坦なホットプレートをかぶせた配線
導体（幅２５μｍ、ピッチ５０μｍ、高さ５０μｍ）の
空間に減圧下８０℃に加熱し側面からトランスファ成形
で注入する。次に静水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかけつつ２
００℃に昇温し３０分間かけて硬化させる。しかる後ホ
ットプレートを外し、ビアホール銅がクリーンになるま
でドライエッチングを行う。上記操作を繰り返して１０
層の多層配線基板を作製した。
【０２５６】〔実施例３５〕直径７〜１２μｍのポリイ
ミド粉末（上記ＵＩＰ−Ｓを再粉砕したもの）を約６０
％混合したナフタレン骨格を有する４官能のエポキシレ
ジン（大日本インク化学工業（株）製、ＥＸＡ−４７０
０）と３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェ
ニルからなる組成物（ガラス転移温度３３０℃）を、平
坦なホットプレートをかぶせた配線導体（幅２０μｍ、
ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）の空間に減圧下８０℃
に加熱し側面からトランスファ成形で注入する。次に静
水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかける。最高２００℃、３０分
の条件で十分硬化させる。しかる後ホットプレートを外
し、ビアホール銅がクリーンになるまでドライエッチン
グを行う。上記操作を繰り返して１０層の多層配線基板
を作製した。
ミド粉末（上記ＵＩＰ−Ｓを再粉砕したもの）を約６０
％混合したナフタレン骨格を有する４官能のエポキシレ
ジン（大日本インク化学工業（株）製、ＥＸＡ−４７０
０）と３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェ
ニルからなる組成物（ガラス転移温度３３０℃）を、平
坦なホットプレートをかぶせた配線導体（幅２０μｍ、
ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）の空間に減圧下８０℃
に加熱し側面からトランスファ成形で注入する。次に静
水圧３０ｋｇ／ｃｍ２をかける。最高２００℃、３０分
の条件で十分硬化させる。しかる後ホットプレートを外
し、ビアホール銅がクリーンになるまでドライエッチン
グを行う。上記操作を繰り返して１０層の多層配線基板
を作製した。
【０２５７】〔実施例３６〕ＲＴＶゴムで作った箱状容
器に平坦なホットプレートをかぶせた配線導体（幅２０
μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）基板を入れ、真
空下でトランスファ成形による注入により、２官能性の
ナフタレン骨格のエポキシレジン（大日本インク化学工
業（株）製、ＨＰ−４０３２）とメチレンジアニリンの
混和物（ガラス転移温度２３０℃）を流し込み、約２０
０℃で硬化した。しかる後、ドライエッチングでビアホ
ール銅をクリーン化し、その次の工程に対応できるよう
にした。同様の方法を逐次繰り返し、１０層の多層配線
基板を作製した。
器に平坦なホットプレートをかぶせた配線導体（幅２０
μｍ、ピッチ４０μｍ、高さ４０μｍ）基板を入れ、真
空下でトランスファ成形による注入により、２官能性の
ナフタレン骨格のエポキシレジン（大日本インク化学工
業（株）製、ＨＰ−４０３２）とメチレンジアニリンの
混和物（ガラス転移温度２３０℃）を流し込み、約２０
０℃で硬化した。しかる後、ドライエッチングでビアホ
ール銅をクリーン化し、その次の工程に対応できるよう
にした。同様の方法を逐次繰り返し、１０層の多層配線
基板を作製した。
【０２５８】〔実施例３７〕図９（ａ）から（ｃ）まで
の工程を行ったのち（ｂ）と（ｃ）の工程を続けて行い
、さらに２つの層を一括して（ｄ）と（ｅ）の工程を行
いスケルトン構造のビアホールとＸまたはＹ層配線導体
、もしくはグランド層を形成する。次に±０．５μｍ以
上の高精度な平坦性を有するホットプレートをかぶせ、
ホットプレートと配線導体間に存在する空間に減圧下、
加熱しつつＢＴレジン（三菱瓦斯化学Ｋ．Ｋ製ＢＴ３３
０９をトランスファ成形法に従って注入充填する。 しかる後静水圧２０ｋｇ／ｃｍ２をかけつつホットプレ
ートで２３０℃に急速昇温して十分硬化する。次にホッ
トプレートを外して、ドライエッチングによりビアホー
ル導体の上端面をクリーン化する。以上の操作を繰り返
して１５層の多層配線基板を製作した。
の工程を行ったのち（ｂ）と（ｃ）の工程を続けて行い
、さらに２つの層を一括して（ｄ）と（ｅ）の工程を行
いスケルトン構造のビアホールとＸまたはＹ層配線導体
、もしくはグランド層を形成する。次に±０．５μｍ以
上の高精度な平坦性を有するホットプレートをかぶせ、
ホットプレートと配線導体間に存在する空間に減圧下、
加熱しつつＢＴレジン（三菱瓦斯化学Ｋ．Ｋ製ＢＴ３３
０９をトランスファ成形法に従って注入充填する。 しかる後静水圧２０ｋｇ／ｃｍ２をかけつつホットプレ
ートで２３０℃に急速昇温して十分硬化する。次にホッ
トプレートを外して、ドライエッチングによりビアホー
ル導体の上端面をクリーン化する。以上の操作を繰り返
して１５層の多層配線基板を製作した。
【０２５９】〔実施例３８〕実施例３７と同様にしてＢ
Ｔレジン４６８０を用いて絶縁化した多層配線基板を製
作した。
Ｔレジン４６８０を用いて絶縁化した多層配線基板を製
作した。
【０２６０】〔実施例３９〕実施例３７と同様にして溶
融石英ガラス粉（球状２〜３μｍφ）を５０ｖｏｌ％添
加したＢＴレジン４６８０を用いて絶縁化した多層配線
基板を製作した。
融石英ガラス粉（球状２〜３μｍφ）を５０ｖｏｌ％添
加したＢＴレジン４６８０を用いて絶縁化した多層配線
基板を製作した。
【０２６１】〔実施例４０〕実施例３７と同様にしてＭ
ａｔｒｉｍｉｄ５２９２ＳＳｙｓｔｅｍ（ＣＩＢＡ−Ｇ
−ＥＩＧＹ製）を用いて絶縁化した多層配線基板を製作
した。
ａｔｒｉｍｉｄ５２９２ＳＳｙｓｔｅｍ（ＣＩＢＡ−Ｇ
−ＥＩＧＹ製）を用いて絶縁化した多層配線基板を製作
した。
【０２６２】〔実施例４１〕実施例３７と同様にして溶
融石英ガラス粉（球状２〜３μｍφ）を５０ｖｏｌ％添
加したＭａｔｒｉｍｉｄ５２９２Ｓｙｓｔｅｍを用いて
絶縁化した多層配線基板を製作した。
融石英ガラス粉（球状２〜３μｍφ）を５０ｖｏｌ％添
加したＭａｔｒｉｍｉｄ５２９２Ｓｙｓｔｅｍを用いて
絶縁化した多層配線基板を製作した。
【０２６３】〔実施例４２〕実施例１７〜４１各々にお
いて、配線導体の上端表面を予めフッ素を含む界面活性
剤またはフッ素を含むポリマーでコーティングしておい
てから、樹脂材料の充填を行ったところ、配線導体の上
端表面が樹脂で濡れなくなり、その部分の樹脂硬化物の
付着が見られなかった。このため、ドライエッチング時
間が少なく、スループットが向上した。
いて、配線導体の上端表面を予めフッ素を含む界面活性
剤またはフッ素を含むポリマーでコーティングしておい
てから、樹脂材料の充填を行ったところ、配線導体の上
端表面が樹脂で濡れなくなり、その部分の樹脂硬化物の
付着が見られなかった。このため、ドライエッチング時
間が少なく、スループットが向上した。
【０２６４】〔実施例４３〕実施例１７〜４１により製
造された薄膜多層配線基板を用いて、実施例１１と同様
に図１２に示したものと同様のモジュールを作製した。 さらにこのモジュールを用いた図１３に示したもの同様
の計算機の論理パッケージを作製した。この論理パッケ
ージに記憶パッケージ、入出力パッケージを組み合わせ
て計算機を構成したところ、良好に作動した。
造された薄膜多層配線基板を用いて、実施例１１と同様
に図１２に示したものと同様のモジュールを作製した。 さらにこのモジュールを用いた図１３に示したもの同様
の計算機の論理パッケージを作製した。この論理パッケ
ージに記憶パッケージ、入出力パッケージを組み合わせ
て計算機を構成したところ、良好に作動した。
【０２６５】
【発明の効果】本発明は以上説明してきた様な構造及び
製法になっているので、以下に記載した様な効果を奏す
る。即ち、モジュールとしては、 （１）モジュールの製造期間を短縮できる。これは、基
板を製造開始してから完成する迄の期間を大幅に短縮で
きるためである。
製法になっているので、以下に記載した様な効果を奏す
る。即ち、モジュールとしては、 （１）モジュールの製造期間を短縮できる。これは、基
板を製造開始してから完成する迄の期間を大幅に短縮で
きるためである。
【０２６６】（２）モジュールの製造歩留を向上できる
。これは、基板の製造工程数を従来より大幅に低減でき
るため、基板の製造歩留が向上し、結果的にはモジュー
ルの製造歩留が向上するものである。
。これは、基板の製造工程数を従来より大幅に低減でき
るため、基板の製造歩留が向上し、結果的にはモジュー
ルの製造歩留が向上するものである。
【０２６７】（３）モジュールの信頼性を向上でき、更
に長寿命化できる。これは、基板の製造工程数の低減に
よるためである。一例として、絶縁層間の界面数は、従
来の逐次に絶縁層を形成する場合と比較して低減してい
る。この結果、界面での剥離、異物の混入等の信頼度の
低減要因が減少している。
に長寿命化できる。これは、基板の製造工程数の低減に
よるためである。一例として、絶縁層間の界面数は、従
来の逐次に絶縁層を形成する場合と比較して低減してい
る。この結果、界面での剥離、異物の混入等の信頼度の
低減要因が減少している。
【０２６８】計算機としては、下記の効果がある。
【０２６９】（１）計算機の製造期間を短縮できる。こ
れは、基板を製造開始してから完成する迄の期間を大幅
に短縮できるためである。
れは、基板を製造開始してから完成する迄の期間を大幅
に短縮できるためである。
【０２７０】（２）計算機の製造歩留を向上できる。こ
れは、基板の製造工程数を従来より大幅に低減できるた
め、基板の製造歩留が向上し、結果的には計算機の製造
歩留が向上するものである。
れは、基板の製造工程数を従来より大幅に低減できるた
め、基板の製造歩留が向上し、結果的には計算機の製造
歩留が向上するものである。
【０２７１】（３）計算機の信頼性を向上でき、更に長
寿命化できる。これは、基板の製造工程数の低減による
ためである。一例として、絶縁層間の界面数は、従来の
逐次に絶縁層を形成する場合と比較して低減している。 この結果、界面での剥離、異物の混入等の信頼度の低減
要因が減少している。
寿命化できる。これは、基板の製造工程数の低減による
ためである。一例として、絶縁層間の界面数は、従来の
逐次に絶縁層を形成する場合と比較して低減している。 この結果、界面での剥離、異物の混入等の信頼度の低減
要因が減少している。
【０２７２】（４）計算機の高速化が可能となる。これ
は、基板製造に使用する絶縁材料として、信号遅延を少
なくできる低誘導率材料を適用することが、容易になる
ためである。一例として、実施例に示して耐熱無溶剤ワ
ニスであるベンゾシクロブテンを含むレジンは従来ポリ
イミド（３．０以上）と比較して、低誘電率（２．５〜
２．７）である。
は、基板製造に使用する絶縁材料として、信号遅延を少
なくできる低誘導率材料を適用することが、容易になる
ためである。一例として、実施例に示して耐熱無溶剤ワ
ニスであるベンゾシクロブテンを含むレジンは従来ポリ
イミド（３．０以上）と比較して、低誘電率（２．５〜
２．７）である。
【０２７３】（５）従来のポリイミド薄膜多層配線に比
べて、本発明によるポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリ
マ材または耐熱エポキシレジンを用いた薄膜多層配線基
板のホットプレートとトランスファ成形による製造方法
は、およそ２〜３倍のスループット向上、１／２〜１／
３のリードタイム縮減を実現する量産性の優れたもので
あり、１５層の多層化を行うのに従来法では６カ月以上
かかるところを３カ月以内の生産工程を組むことが容易
であり、量産性の大幅向上に貢献する。また、無溶剤状
態のポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材または耐熱
エポキシレジンを用いることにより、ボイドやピンホー
ルを含まない絶縁層を容易に形成できる。
べて、本発明によるポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリ
マ材または耐熱エポキシレジンを用いた薄膜多層配線基
板のホットプレートとトランスファ成形による製造方法
は、およそ２〜３倍のスループット向上、１／２〜１／
３のリードタイム縮減を実現する量産性の優れたもので
あり、１５層の多層化を行うのに従来法では６カ月以上
かかるところを３カ月以内の生産工程を組むことが容易
であり、量産性の大幅向上に貢献する。また、無溶剤状
態のポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材または耐熱
エポキシレジンを用いることにより、ボイドやピンホー
ルを含まない絶縁層を容易に形成できる。
【図１】本発明に係る多層配線基板の製造方法の一例を
示す工程図である。
示す工程図である。
【図２】本発明を実施する面積の大きい基板の一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】本発明に係る多層配線基板の製造方法において
、スペーサを設ける場合の一例を示す工程図である。
、スペーサを設ける場合の一例を示す工程図である。
【図４】本発明に係る多層配線基板の製造方法において
、スペーサを設ける場合の一例を示す工程図である。
、スペーサを設ける場合の一例を示す工程図である。
【図５】本発明に係る多層配線基板の製造方法において
、スペーサを設ける場合の一例を示す工程図である。
、スペーサを設ける場合の一例を示す工程図である。
【図６】本発明に係る多層配線基板の製造方法において
、スペーサを設ける場合の一例を示す工程図である。
、スペーサを設ける場合の一例を示す工程図である。
【図７】本発明に係る多層配線基板の製造方法において
、ベース基板を平坦化する方法を示す工程図である。
、ベース基板を平坦化する方法を示す工程図である。
【図８】図７のベース基板を用いて多層配線基板を製造
する場合の工程図である。
する場合の工程図である。
【図９】従来の多層配線基板の製造方法を示す工程図で
ある。
ある。
【図１０】（ａ）は多層配線基板に内蔵させることに好
適な薄膜抵抗素子の実施例を示す断面図である。 （ｂ）は（ａ）の要部平面図である。
適な薄膜抵抗素子の実施例を示す断面図である。 （ｂ）は（ａ）の要部平面図である。
【図１１】薄膜抵抗素子を多層配線基板に搭載した状態
の一例を示す断面図である。
の一例を示す断面図である。
【図１２】本発明に係る厚膜、薄膜混成モジュールを示
す断面図である。
す断面図である。
【図１３】本発明に係る計算機の論理パッケージの外観
図である。
図である。
【図１４】ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材の膜
を備えたシリコン基板の断面図である。
を備えたシリコン基板の断面図である。
１…ベース基板
２…下地金属膜
３…レジスト
４…穴
５…導体
６…ビアホール層
７…Ｘ層
８…ビアホール層
９…Ｙ層
１０…ビアホール層
１１…グランド層
１２…ビアホール層
１３…支持層
１４…固定板
１５…空間
１０６…厚膜・薄膜混成基板
１０７…半導体素子実装用表面パッド
１０８…セラミック基板裏面のビン付けパッド１０９…
高温半田 １１０…接続ピン １１１…半田 １１２…ＬＳＩ １１３…低温半田 １１４…良伝導性耐熱ゴム
高温半田 １１０…接続ピン １１１…半田 １１２…ＬＳＩ １１３…低温半田 １１４…良伝導性耐熱ゴム
Claims (43)
- 【請求項１】少なくとも１つの配線層と、少なくとも１
つのビアホール層とを含むスケルトン構造体を形成し、
該スケルトン構造体が占める空間を無溶剤状態のワニス
でトランスファ成形によって充填、硬化することを特徴
とするの多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２】無溶剤状態のワニスが、エポキシレジン、
イソシアヌレート・オキサゾリドンレジン、シアン酸エ
ステルレジン、付加重合型ポリイミドまたはシクロブテ
ン環を有するポリマーのうち少なくとも１種を有する耐
熱ポリマーである請求項１記載の多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項３】スケルトン構造の配線を、溶剤型耐熱ワニ
スで被覆した後、前記配線間の空間を無溶剤状態の耐熱
ワニスでトランスファ成形によって充填、硬化すること
を特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板の
製造方法。 - 【請求項４】ベース基板上に下地金属層を形成し、該下
地金属層上に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー
層を形成し、該穴内に前記下地金属層を電気めっきの電
極あるいは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導
体充填することにより第１番目の層を形成し、前記下地
金属層の形成から前記導体充填までの工程を複数回繰り
返して、多層構造を形成し、しかる後、前記レジスト層
又はポリマー層および配線導体又はビアホール導体の下
部に接する部分以外の前記下地金属層を溶解除去して、
スケルトン構造の配線を形成することを特徴とする請求
項１に記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項５】ベース基板上に下地金属層を形成し、該下
地金属層上に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー
層を形成し、該穴内に前記下地金属層を電気めっきの電
極あるいは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導
体充填することにより配線層を形成し、該配線層の上に
穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー層を形成し、
該穴内に前記配線層の導体を電気めっきの電極あるいは
無電解めっきの下地膜としてめっきにより導体充填する
ことによりビアホール層を形成し、前記下地金属層の形
成から該ビアホール層の形成までの工程を複数回繰り返
して、多層構造を形成し、しかる後、前記レジスト層又
はポリマー層および配線導体又はビアホール導体の下部
に接する部分以外の前記下地金属層を溶解除去して、ス
ケルトン構造の配線を形成することを特徴とする請求項
１に記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項６】ベース基板上に下地金属層を形成し、該下
地金属層上に穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー
層を形成し、該穴内に前記下地金属層を電気めっきの電
極あるいは無電解めっきの下地膜としてめっきにより導
体充填することにより配線層を形成し、該配線層の上に
穴あけ加工されたレジスト層又はポリマー層を形成し、
該穴内に前記配線層の導体を電気めっきの電極あるいは
無電解めっきの下地膜としてめっきにより導体充填する
ことによりビアホール層を形成して、配線層とビアホー
ル層の２層構造とし、しかる後、前記レジスト層又はポ
リマー層および配線導体又はビアホール導体の下部に接
する部分以外の前記下地金属層を溶解除去して、２層の
スケルトン構造の配線を形成することを特徴とする請求
項１に記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項７】スケルトン構造の配線導体を所定位置に固
定するためのスペーサを設けることを特徴とする請求項
４，５または６に記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項８】スペーサを形成するのに用いるポリマーが
、レジスト層を溶解する溶剤および下地金属層を溶解す
るエッチング液に溶解しないポリマーである請求項９に
記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項９】配線群とそれらの接続に用いられるビアホ
ール群とを含み、これらが形成する空間に、無溶剤状態
の耐熱ワニスをトランスファ成形によって充填硬化した
ことを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項１０】配線群とそれらの接続に用いられるビア
ホール群と、これらを被覆する溶剤型耐熱ワニスとを含
み、溶剤型耐熱ワニスを用いて被覆された配線群とそれ
らの接続に用いられるビアホール群とが形成する空間に
、無溶剤状態の耐熱ワニスをトランスファ成形によって
充填硬化したことを特徴とする請求項８記載の多層配線
基板。 - 【請求項１１】無溶剤状態のワニスが、エポキシレジン
、イソシアヌレート・オキサゾリドンレジン、シアン酸
エステルレジン、付加重合型ポリイミドまたはシクロブ
テン環を有するポリマーのうち少なくとも１種を有する
耐熱ポリマーである請求項８記載の多層配線基板。 - 【請求項１２】無溶剤状態のワニスが、エポキシレジン
、イソシアヌレート・オキサゾリドンレジン、シアン酸
エステルレジン、付加重合型ポリイミドまたはシクロブ
テン環を有するポリマーのうち少なくとも１種を有する
耐熱ポリマーである請求項８記載の多層配線基板。 - 【請求項１３】請求項１〜３記載の基板上（基板内に多
層配線を含む場合もある）にビアホール用貫通孔を１ま
たは２以上設け、かつ、該貫通孔を囲んで抵抗膜を設け
ると共に、この抵抗膜の内周側およびその中心から所定
の距離へだてた外周側に電極を設けて構成され、前記内
周側の電極を、ビアホール用貫通孔に導体を充填して外
部との接続を行うことを特徴とする薄膜抵抗素子。 - 【請求項１４】請求項１〜３記載の基板に回路素子を形
成する場合、回路素子体をオフラインで用意し、多層配
線基板の製造工程において、回路素子を含む層を形成す
る時、前記用意してある回路素子体を当該層に積層する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項１５】請求項１〜３記載の基板に、ビアホール
用貫通孔を１または２以上設けると共に、回路素子を設
けて、回路素子体を製造し、多層配線基板の製造工程に
おいて、回路素子を含む層を形成する時、前記製造され
ている回路素子体を当該層に積層すると共に、ビアホー
ル用貫通孔に、導体を充填して、多層配線基板に設けら
れている接続用導体と回路素子との接続を行うことを特
徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項１６】複数の配線導体と、これらを絶縁して積
層するための絶縁層とを有し、該絶縁層は、ポリ（ベン
ゾシクロブテン）系ポリマ材とトランスファ成形によっ
て形成されていることを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項１７】ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材
が、分子内に１個以上のベンゾシクロブテン骨格を有し
、１８０℃以下の温度で溶剤無添加で液状あるいは２８
０℃以下の温度で加圧下溶剤無添加で液状、もしくは、
流動性を有するベンゾシクロブテン系モノマを加熱硬化
して生成したものである請求項１５記載の多層配線基板
。 - 【請求項１８】ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材
が、分子内に１個以上のベンゾシクロブテン骨格を有す
るベンゾシクロブテン系モノマとそのオリゴマとを含み
、１８０℃以下の温度で溶剤無添加で液状あるいは２８
０℃以下の温度で加圧下溶剤無添加で液状、もしくは流
動性を有する混合物を加熱硬化して生成したものである
請求項１５記載の多層配線基板。 - 【請求項１９】ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材
が、分子内に１個以上のベンゾシクロブテン骨格を有し
、１８０℃以下の温度で溶剤無添加で液状あるいは２８
０℃以下の温度で加圧下溶剤無添加で液状、もしくは、
流動性をもつベンゾシクロブテン系モノマから生成した
オリゴマを加熱硬化して生成したものである請求項１５
記載の多層配線基板。 - 【請求項２０】ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材
が、分子内に１個以上のベンゾシクロブテン骨格を有す
るベンゾシクロブテン系モノマと、ジェノフィルとなり
うる分子団を分子内に１個以上有する剛直な分子構造の
コモノマとを混合して得られる１８０℃以下の温度で溶
剤無添加で液状あるいは２８０℃以下の温度で加圧下溶
剤無添加で液状、もしくは、流動性をもつ混合物を加熱
硬化して生成したものである請求項１５記載の多層配線
基板。 - 【請求項２１】液状、もしくは加圧下で流動性をもつ混
合物が、分子内に１個以上のベンゾシクロブテン骨格を
有するベンゾシクロブテン系モノマとジェノフィルとな
りうる分子団を１個以上有する剛直な分子構造のコモノ
マとの混合物のオリゴマを含むものである請求項１９記
載の多層配線基板。 - 【請求項２２】ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材
が、分子内に１個以上のベンゾシクロブテン骨格を有す
る１種または複数種類のベンゾシクロブテン系モノマと
、ジェノフィルとなりうる分子団を１個以上有する剛直
な分子構造の１種または複数種類のコモノマとをモル比
で０．１から９９．９の範囲内に混合して得られる１８
０℃以下の温度で溶剤無添加で液状あるいは２８０℃以
下の温度で加圧下溶剤無添加で液状、もしくは流動性を
もつモノマ混合物、またはモノマとオリゴマとの混合物
、またはオリゴマ混合物より生成されるポリ（ベンゾシ
クロブテン−ジェノフィル）コポリマ材を加熱硬化して
生成したものである請求項１５記載の多層配線基板。 - 【請求項２３】複数の配線導体と、これらを絶縁して積
層するための絶縁層とを有し、該絶縁層は、耐熱エポキ
シレジンでトランスファ成形によって形成されているこ
とを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項２４】耐熱エポキシレジンが、ナフタレン骨格
、ビフェニル骨格もしくはターフェニル骨格の少なくと
も１種以上を有するものであることを特徴とする請求項
２２記載の多層配線基板。 - 【請求項２５】複数の配線導体と、これらを絶縁して積
層するための絶縁層とを有し、該絶縁層は、ポリ（ベン
ゾシクロブテン）系ポリマ材および耐熱エポキシレジン
のうちいずれかでトランスファ成形によって形成され、
かつ、補強材を含むことを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項２６】補強材が繊維状物質またはポリイミド粉
である請求項２４記載の多層配線基板。 - 【請求項２７】繊維状物質がアラミド繊維である請求項
２５記載の多層配線基板。 - 【請求項２８】配線導体間の空間に、ポリ（ベンゾシク
ロブテン）系ポリマ材前駆体または耐熱エポキシレジン
組成物をトランスファ成形によって充填、硬化すること
を特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２９】耐熱エポキシレジン組成物が、ナフタレ
ン骨格、ビフェニル骨格もしくはターフェニル骨格の少
なくとも１種以上で構成される耐熱エポキシレジンを含
むものであることを特徴とする請求項２７記載の多層配
線基板。 - 【請求項３０】耐熱エポキシレジン組成物が、耐熱エポ
キシレジンの硬化剤として芳香族ジアミンを含むことを
特徴とする請求項２７記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項３１】硬化剤である芳香族ジアミンが、ジフェ
ニルメタン骨格、ナフタレン骨格、ビフェニル骨格もし
くはターフェニル骨格の少なくとも１種以上で構成され
ることを特徴とする請求項２９記載の多層配線基板の製
造方法。 - 【請求項３２】配線導体間の空間に補強材を充填して後
、ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材前駆体または
耐熱エポキシレジン組成物をトランスファ成形によって
充填、硬化することを特徴とする多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項３３】ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材
前駆体または耐熱エポキシレジン組成物に補強材を添加
したものを配線導体間の空間にトランスファ成形によっ
て充填、硬化することを特徴とする多層配線基板の製造
方法。 - 【請求項３４】ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材
前駆体または耐熱エポキシレジン組成物を配線導体間の
空間にトランスファ成形によって充填した後、その上の
ホットプレートによる加熱加圧によって、ポリ（ベンゾ
シクロブテン）系ポリマ材前駆体または耐熱エポキシレ
ジン組成物を硬化させることを特徴とする多層配線基板
の製造方法。 - 【請求項３５】加熱溶融時に減圧または減圧後加圧（静
水圧）を伴うことを特徴とする請求項１〜３記載の多層
配線基板の製造方法。 - 【請求項３６】ポリ（ベンゾシクロブテン）系ポリマ材
前駆体または耐熱エポキシレジン組成物の充填に先立ち
、配線導体の上端表面がフッ素を含有する化合物で処理
されていることを特徴とする請求項３１記載の多層配線
基板の製造方法。 - 【請求項３７】請求項８記載の多層配線基板を用いて構
成されるモジュール。 - 【請求項３８】請求項１５記載の多層配線基板を用いて
構成されるモジュール。 - 【請求項３９】請求項２２記載の多層配線基板を用いて
構成されるモジュール。 - 【請求項４０】請求項３６記載のモジュールを用いたコ
ンピュータ。 - 【請求項４１】請求項３７記載のモジュールを用いたコ
ンピュータ。 - 【請求項４２】請求項３８記載のモジュールを用いたコ
ンピュータ。 - 【請求項４３】２層のスケルトン構造基板に対してトラ
ンスファ成形によって絶縁層を形成する工程を複数回繰
り返して多層構造とする請求項１〜３記載の多層配線基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3147118A JPH04369898A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 多層配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3147118A JPH04369898A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 多層配線基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369898A true JPH04369898A (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=15422940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3147118A Pending JPH04369898A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 多層配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04369898A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243732A (ja) * | 1992-03-03 | 1993-09-21 | Nec Corp | 多層配線基板の製造方法 |
| JPH07188391A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-07-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バイア充填組成物およびその充填方法 |
| JP2005026412A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の圧印製造用金型及びその製造方法 |
| CN103155145A (zh) * | 2010-10-13 | 2013-06-12 | 高通股份有限公司 | 用于改善衬底翘曲的方法和设备 |
| JP2013185145A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | Tdk Corp | エポキシ樹脂硬化物、並びにこれを用いた積層板 |
| JP2013185144A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | Tdk Corp | 樹脂硬化物、並びにこれを用いた樹脂シート、積層板 |
| JP2013185146A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | Tdk Corp | 樹脂組成物、並びにこれを用いた樹脂シート、積層板 |
| JP2014512695A (ja) * | 2011-04-21 | 2014-05-22 | テセラ インコーポレイテッド | 成形された低ｃｔｅ誘電体を有するインターポーザ |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP3147118A patent/JPH04369898A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243732A (ja) * | 1992-03-03 | 1993-09-21 | Nec Corp | 多層配線基板の製造方法 |
| JPH07188391A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-07-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バイア充填組成物およびその充填方法 |
| JP2005026412A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の圧印製造用金型及びその製造方法 |
| CN103155145A (zh) * | 2010-10-13 | 2013-06-12 | 高通股份有限公司 | 用于改善衬底翘曲的方法和设备 |
| JP2013541216A (ja) * | 2010-10-13 | 2013-11-07 | クアルコム，インコーポレイテッド | 基板の反りを改善するための方法および装置 |
| JP2014512695A (ja) * | 2011-04-21 | 2014-05-22 | テセラ インコーポレイテッド | 成形された低ｃｔｅ誘電体を有するインターポーザ |
| JP2013185145A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | Tdk Corp | エポキシ樹脂硬化物、並びにこれを用いた積層板 |
| JP2013185144A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | Tdk Corp | 樹脂硬化物、並びにこれを用いた樹脂シート、積層板 |
| JP2013185146A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | Tdk Corp | 樹脂組成物、並びにこれを用いた樹脂シート、積層板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930010063B1 (ko) | 다층배선기판 및 그 제조 방법 | |
| US10211143B2 (en) | Semiconductor device having polyimide layer | |
| KR100338908B1 (ko) | 인쇄회로기판및그의제조방법과전자구성부품패키지및그의제조방법 | |
| CN100539106C (zh) | 半导体元件及其制造方法、多层印刷布线板及其制造方法 | |
| KR100792352B1 (ko) | 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법 | |
| TWI538579B (zh) | Multi - layer circuit board and multilayer circuit board manufacturing method | |
| TW465264B (en) | Insulating resin composition for multilayer printed-wiring board | |
| US20060055021A1 (en) | Wiring board, method of manufacturing the same, and semiconductor device | |
| KR20020022533A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법과, 반도체 장치 실장 구조체 | |
| JPH04369898A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| JP5580617B2 (ja) | 埋め込みチップ集積を容易にするチップ取り付け接着剤、並びに関連するシステム及び方法 | |
| JP2005144816A (ja) | フレキシブル金属積層体 | |
| JPH04277696A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| JP2003124250A (ja) | 接合方法および導電性回路構造 | |
| JP2004179647A (ja) | 配線基板、半導体パッケージ、基体絶縁膜及び配線基板の製造方法 | |
| JP4687196B2 (ja) | 配線板 | |
| JP3016292B2 (ja) | ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 | |
| JP2841888B2 (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| US5102718A (en) | Multi-chip substrate | |
| JP2841966B2 (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| US20200120798A1 (en) | Wiring board | |
| JPH04312999A (ja) | ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 | |
| JP3986949B2 (ja) | フレキシブルプリント基板用のフレキシブル金属積層体 | |
| JPH11168279A (ja) | 多層回路基板及びその製造方法 | |
| JP2616588B2 (ja) | ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 |