KR100792352B1 - 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법 - Google Patents

패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100792352B1
KR100792352B1 KR1020060063633A KR20060063633A KR100792352B1 KR 100792352 B1 KR100792352 B1 KR 100792352B1 KR 1020060063633 A KR1020060063633 A KR 1020060063633A KR 20060063633 A KR20060063633 A KR 20060063633A KR 100792352 B1 KR100792352 B1 KR 100792352B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
package
insulating layer
solder ball
substrate
core substrate
Prior art date
Application number
KR1020060063633A
Other languages
English (en)
Inventor
박정현
민병렬
유제광
강명삼
정회구
김지은
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020060063633A priority Critical patent/KR100792352B1/ko
Priority to US11/708,568 priority patent/US20080006942A1/en
Priority to CNB200710079435XA priority patent/CN100562995C/zh
Priority to JP2007104406A priority patent/JP2008016819A/ja
Application granted granted Critical
Publication of KR100792352B1 publication Critical patent/KR100792352B1/ko
Priority to US12/801,574 priority patent/US20100255634A1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06541Conductive via connections through the device, e.g. vertical interconnects, through silicon via [TSV]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H01L2225/06568Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking the devices decreasing in size, e.g. pyramidical stack
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06582Housing for the assembly, e.g. chip scale package [CSP]
    • H01L2225/06586Housing with external bump or bump-like connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/1058Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01087Francium [Fr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1532Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/1533Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15331Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress
    • H01L2924/3511Warping

Abstract

패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법이 개시된다. 솔더볼(solder ball)에 의해 탑(top)기판과 전기적으로 연결되는 패키지 온 패키지(package on package)의 바텀(bottom)기판으로서, 코어기판과, 솔더볼의 위치에 상응하여 코어기판의 표면에 형성되는 솔더볼 패드와, 코어기판에 적층되는 절연층과, 솔더볼 패드가 노출되도록 절연층의 일부를 제거하여 형성되는 관통홀과, 관통홀에 충전되며 솔더볼과 전기적으로 연결되는 금속층으로 이루어지는 패키지 온 패키지의 바텀기판은, 솔더볼의 크기를 증가시키지 않고도 바텀기판에 실장되는 IC의 수를 증가시킬 수 있고, 바텀기판에 적층되는 절연층의 두께를 조절함으로써 솔더볼의 크기 및 피치를 더욱 작게 할 수 있으며, 이에 따라 탑기판과 바텀기판 간에 더 많은 신호 전달이 가능하다.
패키지 온 패키지, POP, 바텀기판, 솔더볼

Description

패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법{Bottom substrate of POP and manufacturing method thereof}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패키지 온 패키지의 바텀기판을 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조방법을 나타낸 순서도.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조공정을 나타낸 흐름도.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패키지 온 패키지의 제조방법을 나타낸 순서도.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패키지 온 패키지를 나타낸 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 코어기판 12 : 솔더볼 패드
14 : 본딩 패드 20 : 절연층
22 : 관통홀 24 : 캐비티
26 : 포토 레지스트 28 : 금속층
30 : 솔더볼 32 : 전자소자
40 : 바텀기판 50 : 탑기판
본 발명은 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
전자산업의 발달에 따라 전자 부품의 고기능화, 소형화 요구가 급증하고 있다. 이러한 고성능, 고밀도에 대한 요구에 부응하기 위해 인쇄회로기판에 IC 등의 전자소자를 실장하여 제조되는 소위 '패키지(package) 기판'을 실현하기 위한 방안과 그에 대한 수요가 증가하고 있으며, 패키지 기판을 구현하는 여러 가지 방법 중에 패키지 기판 위에 다시 패키지 기판을 적층하는 소위 '패키지 온 패키지(package on package, 이하 POP라 함)'가 좋은 대안으로 떠오르게 되었다.
또한, POP에 있어서도 고성능, 고밀도의 요구에 대응하고자 기판에 하나의 전자소자가 실장되는 추세에서, 하나의 기판에 여러 개의 전자소자가 중첩적으로 실장되는 소위 '스택(Stack) 패키지'가 등장하게 되었다.
즉, POP를 구현하는 과정에서는 패키지 전체의 두께가 관건인데, POP를 더욱 고성능으로 제작하기 위해서 기판에 하나의 IC를 실장하는 상황에서 2개 이상의 IC를 실장하고자 하는 요구가 발생하게 되었으며, 기판에 2개 이상의 IC를 실장할 경우 패키지 전체의 두께가 증가하여 POP를 구현하는 데에 있어 한계에 도달하게 되었다.
종래의 POP의 구조를 살펴보면, 아래쪽에 위치한 바텀(bottom)기판의 표면에 IC가 실장되어 있다. 바텀기판은 일반적인 인쇄회로기판 제조 공법으로 제작된다. 전술한 바와 같이, 고밀도를 위해 2개 이상의 IC를 실장하는 멀티스택(multi-stack)이 요구되고 있으며, 종래의 제조방법으로는 POP의 전체 높이를 유지하면서 바텀기판에 실장되는 IC의 수를 늘리기는 어려운 실정이다.
이에 대해, IC 칩의 필요한 부분을 제외하고 절삭하여 두께를 줄이는 소위 'Die Thinning' 공법을 적용하여 전술한 문제를 해결하기 위해 노력하고 있지만, 이 공법이 적용된 IC칩을 장시간 작동할 경우 발생하는 기능 오류(Function-error)의 문제가 대두되고 있어, 차라리 기판두께를 절감하여 POP의 실장능력을 향상시키고 멀티스택을 구현하려는 시도가 이루어지고 있다.
한편, 종래의 POP에서 바텀기판에 2개 이상의 IC를 적층하기 위해 IC를 보다 얇게 제조하는 경우에는 취급(handling)상의 문제 또는 휨(warpage) 문제 등이 야기된다.
또한, IC를 얇게 하지 않고 상부 패키지와 하부 패키지를 전기적으로 연결하는 솔더볼(solder ball)의 크기를 크게 함으로써 패키지 간의 갭(Gap)을 증가시킬 수 있다. 그러나, 적층되는 IC의 수가 증가함에 따라 솔더볼을 크게 하는 것은 솔더볼 패드의 수 및 간격 등에 있어서 설계상의 제약이 발생한다.
본 발명은 POP 구현에 있어서 전체 패키지의 두께 증가 없이 바텀기판에 2개 이상의 전자소자를 실장할 수 있도록 패키지 간의 간격을 확보할 수 있는 POP의 바 텀기판 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 솔더볼(solder ball)에 의해 탑(top)기판과 전기적으로 연결되는 패키지 온 패키지(package on package)의 바텀(bottom)기판으로서, 코어기판과, 솔더볼의 위치에 상응하여 코어기판의 표면에 형성되는 솔더볼 패드와, 코어기판에 적층되는 절연층과, 솔더볼 패드가 노출되도록 절연층의 일부를 제거하여 형성되는 관통홀과, 관통홀에 충전되며 솔더볼과 전기적으로 연결되는 금속층으로 이루어지는 패키지 온 패키지의 바텀기판이 제공된다.
패키지 온 패키지의 바텀기판에는 전자소자가 실장되는데, 본 발명의 일 측면에 따른 바텀기판은, 코어기판에 형성되며 전자소자와 전기적으로 연결되는 본딩 패드와, 본딩 패드가 노출되도록 절연층의 일부를 제거하여 형성되는 캐비티(cavity)를 더 포함할 수 있다.
이러한 본 발명의 일 측면에 따른 바텀기판을 사용하여 패키지 온 패키지를 제조할 수 있다. 즉, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 코어기판과, 코어기판의 표면에 형성되는 솔더볼 패드 및 본딩 패드와, 코어기판에 적층되는 절연층과, 솔더볼 패드가 노출되도록 절연층의 일부를 제거하여 형성되는 관통홀과, 관통홀에 충전되는 금속층과, 금속층에 전기적으로 연결되는 솔더볼과, 본딩 패드가 노출되도록 절연층의 일부를 제거하여 형성되는 캐비티와, 캐비티에 실장되며, 본딩 패드와 전기적으로 연결되는 전자소자와, 전자소자를 커버하도록 코어기판에 결합되며, 솔더볼 과 전기적으로 연결되는 탑기판으로 이루어지는 패키지 온 패키지가 제공된다.
절연층은 노광, 현상이 가능한 감광성 물질을 포함하는 포토 레지스트(photo resist)를 코어기판에 적층하고, 열을 가하여 경화시킴으로써 형성되는 것이 바람직하다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 이들의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
즉, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 솔더볼에 의해 탑기판과 전기적으로 연결되는 패키지 온 패키지의 바텀기판을 제조하는 방법으로서, (a) 솔더볼의 위치에 상응하여 코어기판의 표면에 솔더볼 패드를 형성하는 단계, (b) 코어기판에 절연층을 적층하는 단계, (c) 솔더볼 패드가 노출되도록 절연층의 일부를 제거하여 관통홀을 형성하는 단계, 및 (d) 관통홀에 금속층을 충전하는 단계를 포함하는 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조방법이 제공된다.
바텀기판에는 전자소자가 실장되는데, 단계 (a)는, (a1) 코어기판의 표면에 전자소자와 전기적으로 연결되는 본딩 패드를 형성하는 단계를 포함하고, 단계 (c)는, (c1) 본딩 패드가 노출되도록 절연층의 일부를 제거하여 캐비티를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이러한 본 발명의 다른 측면에 따른 바텀기판 제조방법은 패키지 온 패키지를 제조방법에 적용될 수 있다. 즉, 본 발명의 다른 측면에 따르면, (a) 코어기판의 표면에 솔더볼 패드와 본딩 패드를 형성하는 단계, (b) 코어기판에 절연층을 적층하는 단계, (c) 솔더볼 패드가 노출되도록 절연층의 일부를 제거하여 관통홀을 형성하고, 본딩 패드가 노출되도록 절연층의 일부를 제거하여 캐비티를 형성하는 단계, (d) 관통홀에 금속층을 충전하는 단계, (e) 본딩 패드와 전기적으로 연결되도록 캐비티에 전자소자를 실장하는 단계, (f) 금속층에 솔더볼을 결합하는 단계, 및 (g) 전자소자를 커버하며 솔더볼과 전기적으로 연결되도록 코어기판에 탑기판을 결합하는 단계를 포함하는 패키지 온 패키지의 제조방법이 제공된다.
단계 (a)는 코어기판의 표면에 솔더 레지스트를 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.
절연층은 포토 레지스트를 포함하며, 단계 (c)는 절연층을 선택적으로 노광 및 현상하는 단계를 포함할 수 있다. 단계 (c)와 단계 (d) 사이에 (h) 절연층에 열을 가하여 경화시키는 단계를 더 포함할 수 있으며, 단계 (h)와 단계 (d) 사이에, 캐비티에 포토 레지스트를 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.
단계 (d)는 솔더볼 패드에 전원을 인가하여 도금층을 형성함으로써 수행될 수 있으며, 단계 (d) 이후에, 캐비티에 도포된 포토 레지스트를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 잇점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해 질 것이다.
이하, 본 발명에 따른 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패키지 온 패키지의 바텀기판을 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 코어기판(10), 솔더볼 패드(12), 본딩 패드(14), 절연층(20), 캐비티(24), 금속층(28)이 도시되어 있다.
본 실시예는 기존의 인쇄회로기판 제조방법으로 일층 또는 다층의 회로패턴층이 형성된 바텀기판의 코어기판(10)을 제작한 후, 포토 레지스트(photo resist)를 경화시켜 형성된 절연층(20)과 솔더볼 패드(12) 부분을 도금하여 형성된 금속층(28)을 패키지 사이에 개재시켜 패키지 간의 간격(gap)을 확보함으로써, 바텀기판에 보다 많은 수의 전자소자를 실장할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
본 실시예에 따른 POP의 바텀기판은 솔더볼에 의해 탑기판과 전기적으로 연결되는 POP에 사용되는 기판으로서, 이하 하부 패키지에 사용되는 기판을 '바텀기판'으로, 상부 패키지에 사용되는 기판을 '탑기판'으로 명명하여 설명하였으나, '바텀기판' 및 '탑기판'의 명칭이 반드시 상부 또는 하부의 위치에 한정되는 것은 아니며, 본 실시예와 동일한 구조로 제작되는 범위 내에서 상부에 바텀기판이 위치하고 하부에 탑기판이 위치할 수 있는 등 '바텀기판' 및 '탑기판'의 명칭이 위치에 한정되는 것이 아님은 물론이다.
본 실시예에 따른 바텀기판은 탑기판과의 간격을 보다 많이 확보하기 위해 코어기판(10)에 절연층(20)을 적층하여 형성된다. 절연층(20)은 바텀기판에 실장되는 전자소자의 높이를 커버할 수 있을 정도의 두께로 적층된다. 전술한 바와 같이 바텀기판에 실장되는 전자소자의 높이를 솔더볼의 크기로만 커버하게 되면, 실장되 는 전자소자의 수가 증가함에 따라 솔더볼의 크기고 같이 증가되어 설계상의 제약이 커지게 된다.
본 실시예에서는 패키지 간의 전기적 연결을 위한 솔더볼이 절연층(20)에 결합되며, 따라서, 솔더볼의 위치에 상응하여 코어기판(10)의 표면에 형성된 솔더볼 패드(12)는 적층된 절연층(20)의 해당 부분을 제거하여 관통홀을 형성함으로써 노출되도록 한다. 관통홀에는 후술하는 것과 같이 도금을 통해 금속층(28)이 충전되도록 함으로써 솔더볼과의 전기적 연결이 구현되도록 한다.
한편, 바텀기판에는 전자소자를 실장하기 위해 전자소자와 전기적으로 연결되는 본딩 패드(14)가 형성된다. 전술한 솔더볼 패드(12) 및 본딩 패드(14)는 별도의 공정으로 각각 형성될 수도 있으나, 코어기판(10)에 회로패턴을 형성하는 과정에서 회로패턴의 일부로서 형성될 수 있다.
전자소자를 실장하기 위해서는 코어기판(10)에 적층된 절연층(20) 중 전자소자가 실장될 부분, 즉 본딩 패드(14)가 형성된 부분이 노출되도록 절연층(20)의 해당 부분을 제거하여 캐비티(cavity)(24)를 형성한다. 바텀기판 상에 전자소자를 실장하고 솔더볼을 사용하여 탑기판과 전기적으로 연결하는 것에 비해, 절연층(20)에 캐비티(24)를 형성하고 전자소자를 실장하게 되면 절연층(20)의 두께만큼, 즉 캐비티(24)의 깊이만큼의 공간이 더 확보되므로 보다 많은 수의 전자소자를 실장할 수 있게 된다. 이로써 솔더볼의 크기를 증가시키지 않고도 절연층(20)의 두께를 조절함으로써 바텀기판과 탑기판 사이의 간격을 충분히 확보할 수 있다.
절연층(20)은 코어기판(10)에 적층된 후 솔더볼 패드(12) 및 본딩 패드(14) 부분을 선택적으로 제거될 수 있어야 하므로, 노광, 현상, 에칭공정이 적용될 수 있는 감광성 물질을 포함하는 것이 좋다. 한편, 필요한 부분이 선택적으로 제거된 후의 절연층(20)은 이후의 에칭공정에서 제거되지 않도록 그 성질이 변화될 수 있는 재질을 포함하는 것이 좋다. 예를 들어, 절연층(20)의 재료로서 포토 레지스트(photo resist)를 코어기판(10)에 적층한 경우 노광, 현상 및 에칭을 통해 관통홀 및 캐비티(24)를 형성한 후, 적외선 또는 열을 가하여 절연층(20)이 경화되도록 하여 이후의 에칭공정에 의해 절연층(20)이 제거되지 않도록 할 수 있다.
노광, 현상이 가능하고, 경화되어 절연재로 사용될 수 있는 재료로는 일반적으로 사용되는 절연재인 'FR-4', 'BT resin' 등과 같은 재료가 사용될 수 있으며, 이외에도 아래의 화학식 (1)과 같은 2중 결합 구조를 갖는 재료가 사용될 수 있다.
Figure 112006048629515-pat00001
화학식 (1)
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조방법을 나타낸 순서도이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조공정을 나타낸 흐름도이다. 도 3을 참조하면, 코어기판(10), 솔더볼 패드(12), 본딩 패드(14), 절연층(20), 관통홀(22), 캐비티(24), 포토 레지스트(26), 금속층(28)이 도시되어 있다.
본 실시예에 따라 솔더볼에 의해 탑기판과 전기적으로 연결되는 POP의 바텀 기판을 제조하기 위해서는, 먼저, 도 3의 (a)와 같이 코어기판(10)의 표면에 솔더볼 패드(12) 및 본딩 패드(14)를 형성한다(100). 솔더볼 패드(12)와 본딩 패드(14)는, 전술한 바와 같이, 코어기판(10)의 표면에 회로패턴을 형성하는 과정에서 회로패턴의 일부로서 형성될 수 있다.
솔더볼 패드(12)는 탑기판과의 전기적 연결을 위한 솔더볼이 결합될 부분이며, 본딩 패드(14)는 바텀기판에 실장되는 전자소자와 전기적으로 연결되는 부분이다. 솔더볼 패드(12), 본딩 패드(14)를 포함하는 회로패턴이 형성된 후 코어기판(10)의 표면에 솔더 레지스트(solder resist)를 도포하고, 기판의 표면처리 공정을 수행한다.
다음으로, 도 3의 (b)와 같이 코어기판(10)에 절연층(20)을 적층한다(102). 절연층(20)의 재료로서는 전술한 바와 같이 포토 레지스트 등 노광, 현상을 통한 선택적 에칭이 가능하고, 경화되어 그 성질이 변화될 수 있는 재료가 사용될 수 있다.
절연층(20)의 적층은 필름 형상의 절연재를 적층하거나, 액상의 절연재를 도포하는 등의 방법으로 수행될 수 있다. 절연층(20)은 POP에서 패키지와 패키지, 즉 바텀기판과 탑기판 간의 간격을 유지해 주는 역할 및 패키지 간의 전기적 신호를 연결해 주는 금속층(28)이 안정적으로 형성될 수 있도록 보호하는 역할을 한다.
다음으로, 도 3의 (c)와 같이 솔더볼 패드(12) 및 본딩 패드(14)가 노출되도록, 아트 워크 필름(Art work film) 등을 사용하여, 절연층(20)을 선택적으로 노광, 현상, 에칭함으로써 그 일부를 제거한다. 이로써 솔더볼 패드(12)가 형성된 부 분에는 관통홀(22)이, 본딩 패드(14)가 형성된 부분에는 캐비티(24)가 형성된다(104).
절연층(20)의 일부를 제거하여 관통홀(22) 및 캐비티(24)를 형성한 후에는 절연층(20)에 적외선 또는 열을 가하여 절연층(20)이 경화되도록 한다(106). 이는 이후의 에칭공정에서 절연층(20)이 제거되지 않도록 하기 위함이다.
다음으로, 도 3의 (d)와 같이 본딩 패드(14)가 노출되어 있는 캐비티(24) 공간에 포토 레지스트(26) 도포한다(108). 본딩 패드(14)를 포토 레지스트(26)로 피복함으로써 이후 도금공정에서 본딩 패드(14) 부분에 불필요한 도금층이 전착되지 않도록 레지스트(resist) 역할을 할 수 있다.
다음으로, 도 3의 (d)와 같이 솔더볼 패드(12) 등 코어기판(10)의 회로패턴에 전원을 인가하고 전기도금을 실시함으로써 솔더볼 패드(12) 부분에 도금층이 전착되도록 한다. 이에 따라 절연층(20)을 선택적으로 제거하여 형성된 관통홀(22) 내부에 도금층인 금속층(28)이 충전된다(110). 도금에 의해 전착되는 금속으로는 주석, 구리 등이 사용될 수 있다. 이와 같이 관통홀(22) 내부에 충전된 금속층(28)은 코어기판(10)의 솔더볼 패드(12)와 솔더볼 간의 전기적 도통을 가능하게 하는 통로 역할을 하게 된다.
마지막으로, 도 3의 (f)와 같이 본딩 패드(14)를 피복하기 위해 캐비티(24) 부분에 도포되어 있는 포토 레지스트(26)를 박리하여 제거함으로써 본 실시예에 따른 POP용 바텀기판의 제조가 완료된다(112). 이로써 캐비티(24) 공간에 전자소자가 실장될 수 있도록 본딩 패드(14)가 노출된다.
전술한 바와 같이, 열 또는 적외선 등을 사용하여 절연층(20)이 경화되도록 하였으므로, 캐비티(24) 공간에 도포되어 있던 포토 레지스트(26)를 제거하는 과정에서 경화된 절연층(20)은 박리되지 않고 남아 있게 된다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패키지 온 패키지의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
전술한 POP용 바텀기판 제조방법은 POP 제조공정에 적용될 수 있다. 즉, 전술한 실시예에 따라 바텀기판을 제조한 후, 전자소자를 실장하고 솔더볼을 개재하여 탑기판을 결합함으로써 멀티스택 POP를 제조할 수 있다.
먼저, 코어기판(10)의 표면에 솔더볼 패드(12) 및 본딩 패드(14)를 형성한다(200). 솔더볼 패드(12)와 본딩 패드(14)는, 코어기판(10)의 표면에 회로패턴을 형성하는 과정에서 회로패턴의 일부로서 형성될 수 있음은 전술한 바와 같다. 솔더볼 패드(12), 본딩 패드(14)를 포함하는 회로패턴이 형성된 후 코어기판(10)의 표면에 솔더 레지스트를 도포하고, 기판의 표면처리 공정을 수행한다.
다음으로, 코어기판(10)에 절연층(20)을 적층한다(202). 절연층(20)의 재료로서는 포토 레지스트 등 노광, 현상을 통한 선택적 에칭이 가능하고, 경화되어 그 성질이 변화될 수 있는 재료가 사용될 수 있음은 전술한 바와 같다. 절연층(20)은 POP에서 패키지와 패키지, 즉 바텀기판과 탑기판 간의 간격을 유지해 주는 역할 및 패키지 간의 전기적 신호를 연결해 주는 금속층(28)이 안정적으로 형성될 수 있도록 보호하는 역할을 한다.
다음으로, 솔더볼 패드(12) 및 본딩 패드(14)가 노출되도록, 절연층(20)을 선택적으로 노광, 현상, 에칭함으로써 그 일부를 제거한다. 이로써 솔더볼 패드(12)가 형성된 부분에는 관통홀(22)이, 본딩 패드(14)가 형성된 부분에는 캐비티(24)가 형성된다(204).
절연층(20)의 일부를 제거하여 관통홀(22) 및 캐비티(24)를 형성한 후에는 절연층(20)에 적외선 또는 열을 가하여 절연층(20)이 경화되도록 한다(206). 이는 이후의 에칭공정에서 절연층(20)이 제거되지 않도록 하기 위함이다.
다음으로, 본딩 패드(14)가 노출되어 있는 캐비티(24) 공간에 포토 레지스트(26) 도포한다(208). 본딩 패드(14)를 포토 레지스트(26)로 피복함으로써 이후 도금공정에서 본딩 패드(14) 부분에 불필요한 도금층이 전착되지 않도록 레지스트 역할을 할 수 있다.
다음으로, 솔더볼 패드(12) 등 코어기판(10)의 회로패턴에 전원을 인가하고 전기도금을 실시함으로서 솔더볼 패드(12) 부분에 도금층이 전착되도록 한다. 이에 따라 절연층(20)을 선택적으로 제거하여 형성된 관통홀(22) 내부에 도금층인 금속층(28)이 충전된다(210). 관통홀(22) 내부에 충전된 금속층(28)은 코어기판(10)의 솔더볼 패드(12)와 솔더볼 간의 전기적 도통을 가능하게 하는 통로 역할을 하게 된다.
다음으로, 본딩 패드(14)를 피복하기 위해 캐비티(24) 부분에 도포되어 있는 포토 레지스트(26)를 박리하여 제거함으로써 바텀기판을 제조한다(212). 이로써 캐비티(24) 공간에 전자소자가 실장될 수 있도록 본딩 패드(14)가 노출된다. 절연층(20)은 열 또는 적외선을 가하여 경화시켰으므로, 캐비티(24) 공간에 도포되어 있던 포토 레지스트(26)를 제거하는 과정에서 경화된 절연층(20)은 박리되지 않고 남아 있게 된다.
다음으로, 전자소자가 본딩 패드(14)와 전기적으로 연결되도록 캐비티(24)에 전자소자를 실장하고(214), 관통홀(22)에 충전된 금속층(28)에 솔더볼을 결합한 후(216), 솔더볼과 전기적으로 연결되도록 탑기판을 적층한다(218). 탑기판에도 전자소자가 실장될 수 있으며, 이로써 바텀기판에 전자소자가 실장된 패키지에, 탑기판에 전자소자가 실장된 패키지가 적층되어 POP의 제조가 완료된다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패키지 온 패키지를 나타낸 단면도이다. 도 5를 참조하면, 코어기판(10), 솔더볼 패드(12), 본딩 패드(14), 절연층(20), 금속층(28), 솔더볼(30), 전자소자(32), 바텀기판(40), 탑기판(50)이 도시되어 있다.
전술한 POP 제조방법에 따라 제조된 POP는 바텀기판(40)에 절연층(20)이 적층되고 관통홀(22) 및 캐비티(24)가 형성됨으로써 솔더볼(30)의 크기를 증가시키지 않고도 패키지 간의 간격을 충분히 확보하여 멀티스택을 구현할 수 있는 구조로 형성된다.
즉, 본 실시예에 따른 POP는 도 1에서 설명한 바텀기판(40)의 캐비티(24)에 전자소자(32)를 실장하여 본딩 패드(14)와 전기적으로 연결되도록 하고, 관통홀(22)에 충전된 금속층(28)에 솔더볼(30)을 결합한 후, 전자소자(32)가 실장된 탑기판(50)을 적층하여 솔더볼(30)과 전기적으로 연결시킨 구조로 이루어진다.
바텀기판(40)은, 전술한 바와 같이, 코어기판(10)의 표면에 솔더볼 패드(12) 및 본딩 패드(14)를 포함하는 회로패턴을 형성하고 절연층(20)을 적층한 후, 솔더볼 패드(12)와 본딩 패드(14)가 노출되도록 절연층(20)의 일부를 제거하여 관통홀(22) 및 캐비티(24)를 형성하고, 관통홀(22)에 도금층을 충전하여 솔더볼(30)과 솔더볼 패드(12) 간의 전기적 통로를 구현한 구조로 이루어진다.
POP의 패키지 간, 즉 바텀기판(40)과 탑기판(50) 사이의 간격을 확보하기 위한 절연층(20)은, 관통홀(22)과 캐비티(24)를 형성하기 위해 선택적 제거가 가능하면서 캐비티(24)에 도포된 포토 레지스트(26)를 제거하는 과정에서 같이 제거되지 않는 재질을 사용하는 것이 좋다.
예를 들어, 본 실시예에 따른 절연층(20)으로서 포토 레지스트를 코어기판(10)에 적층한 경우에는 노광, 현상 및 에칭을 통해 관통홀(22) 및 캐비티(24)를 형성한 후, 열 또는 적외선 등을 가하여 경화시킴으로써 이후의 에칭공정에서 제거되지 않도록 할 수 있다.
전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 솔더볼의 크기를 증가시키지 않고도 바텀기판에 실장되는 IC의 수를 증가시킬 수 있고, 바텀기판에 적층되는 절연층의 두께를 조절함으로써 솔더볼의 크기 및 피치를 더욱 작게 할 수 있으며, 이에 따라 탑기판과 바텀기판 간에 더 많은 신호 전달이 가능하다.
또한, 바텀기판에 적층되는 절연재인 포토 레지스트의 두께를 조절함으로써 패키지 간의 간격을 용이하게 조절할 수 있으며, 이에 따라 바텀기판에 보다 많은 수의 전자소자를 적층하여 실장할 수 있게 된다.

Claims (20)

  1. 솔더볼(solder ball)에 의해 탑(top)기판과 전기적으로 연결되는 패키지 온 패키지(package on package)의 바텀(bottom)기판으로서,
    코어기판과;
    상기 솔더볼의 위치에 상응하여 상기 코어기판의 표면에 형성되는 솔더볼 패드와;
    상기 코어기판에 적층되는 절연층과;
    상기 솔더볼 패드가 노출되도록, 상기 절연층 중 상기 솔더볼 패드가 형성된 부분을 제거함으로써 형성되는 관통홀과;
    상기 관통홀에 충전되며 상기 솔더볼과 전기적으로 연결되는 금속층을 포함하는 패키지 온 패키지의 바텀기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 코어기판에 포토 레지스트(photo resist)를 적층하고, 열을 가하여 경화시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 패키지 온 패키지의 바텀 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 바텀기판에는 전자소자가 실장되며,
    상기 코어기판에 형성되며, 상기 전자소자와 전기적으로 연결되는 본딩 패드와;
    상기 본딩 패드가 노출되도록, 상기 절연층 중 상기 본딩 패드가 형성된 부분을 제거함으로써 형성되는 캐비티(cavity)를 더 포함하는 패키지 온 패키지의 바텀기판.
  4. 코어기판과;
    상기 코어기판의 표면에 형성되는 솔더볼 패드 및 본딩 패드와;
    상기 코어기판에 적층되는 절연층과;
    상기 솔더볼 패드가 노출되도록, 상기 절연층 중 상기 솔더볼 패드가 형성된 부분을 제거함으로써 형성되는 관통홀과;
    상기 관통홀에 충전되는 금속층과;
    상기 금속층에 전기적으로 연결되는 솔더볼과;
    상기 본딩 패드가 노출되도록, 상기 절연층 중 상기 본딩 패드가 형성된 부분을 제거함으로써 형성되는 캐비티와;
    상기 캐비티에 실장되며, 상기 본딩 패드와 전기적으로 연결되는 전자소자와;
    상기 전자소자를 커버하도록 상기 코어기판에 결합되며, 상기 솔더볼과 전기적으로 연결되는 탑기판을 포함하는 패키지 온 패키지.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 코어기판에 포토 레지스트를 적층하고, 열을 가하여 경화시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 패키지 온 패키지.
  6. 솔더볼에 의해 탑기판과 전기적으로 연결되는 패키지 온 패키지의 바텀기판을 제조하는 방법으로서,
    (a) 상기 솔더볼의 위치에 상응하여 코어기판의 표면에 솔더볼 패드를 형성하는 단계;
    (b) 상기 코어기판에 절연층을 적층하는 단계;
    (c) 상기 솔더볼 패드가 노출되도록, 상기 절연층 중 상기 솔더볼 패드가 형성된 부분을 제거하여 관통홀을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 관통홀에 금속층을 충전하는 단계를 포함하는 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 단계 (a)는 상기 코어기판의 표면에 솔더 레지스트를 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 바텀기판에는 전자소자가 실장되며,
    상기 단계 (a)는,
    (a1) 상기 코어기판의 표면에 상기 전자소자와 전기적으로 연결되는 본딩 패드를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 단계 (c)는,
    (c1) 상기 본딩 패드가 노출되도록, 상기 절연층 중 상기 본딩 패드가 형성된 부분을 제거하여 캐비티를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 절연층은 포토 레지스트를 포함하며, 상기 단계 (c)는 상기 절연층을 선택적으로 노광 및 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 단계 (c)와 상기 단계 (d) 사이에
    (h) 상기 절연층에 열을 가하여 경화시키는 단계를 더 포함하는 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 단계 (h)와 상기 단계 (d) 사이에, 상기 캐비티에 포토 레지스트를 도포하는 단계를 더 포함하는 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 단계 (d)는 상기 솔더볼 패드에 전원을 인가하여 도금층을 형성함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 단계 (d) 이후에, 상기 캐비티에 도포된 포토 레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 패키지 온 패키지의 바텀기판 제조방법.
  14. (a) 코어기판의 표면에 솔더볼 패드와 본딩 패드를 형성하는 단계;
    (b) 상기 코어기판에 절연층을 적층하는 단계;
    (c) 상기 솔더볼 패드가 노출되도록 상기 절연층 중 상기 솔더볼 패드가 형성된 부분을 제거하여 관통홀을 형성하고, 상기 본딩 패드가 노출되도록 상기 절연층 중 상기 본딩 패드가 형성된 부분을 제거하여 캐비티를 형성하는 단계;
    (d) 상기 관통홀에 금속층을 충전하는 단계;
    (e) 상기 본딩 패드와 전기적으로 연결되도록 상기 캐비티에 전자소자를 실장하는 단계;
    (f) 상기 금속층에 솔더볼을 결합하는 단계; 및
    (g) 상기 전자소자를 커버하며 상기 솔더볼과 전기적으로 연결되도록 상기 코어기판에 탑기판을 결합하는 단계를 포함하는 패키지 온 패키지의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 단계 (a)는 상기 코어기판의 표면에 솔더 레지스트를 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 온 패키지의 제조방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 절연층은 포토 레지스트를 포함하며, 상기 단계 (c)는 상기 절연층을 선택적으로 노광 및 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 온 패키지의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 단계 (c)와 상기 단계 (d) 사이에
    (h) 상기 절연층에 열을 가하여 경화시키는 단계를 더 포함하는 패키지 온 패키지의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 단계 (h)와 상기 단계 (d) 사이에, 상기 캐비티에 포토 레지스트를 도포하는 단계를 더 포함하는 패키지 온 패키지의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 단계 (d)는 상기 솔더볼 패드에 전원을 인가하여 도금층을 형성함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 패키지 온 패키지의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 단계 (d)와 상기 단계 (e) 사이에, 상기 캐비티에 도포된 포토 레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 패키지 온 패키지의 제조방법.
KR1020060063633A 2006-07-06 2006-07-06 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법 KR100792352B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060063633A KR100792352B1 (ko) 2006-07-06 2006-07-06 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법
US11/708,568 US20080006942A1 (en) 2006-07-06 2007-02-21 Bottom substrate of package on package and manufacturing method thereof
CNB200710079435XA CN100562995C (zh) 2006-07-06 2007-03-12 层叠封装的底部衬底及其制造方法
JP2007104406A JP2008016819A (ja) 2006-07-06 2007-04-12 パッケージオンパッケージのボトム基板及びその製造方法
US12/801,574 US20100255634A1 (en) 2006-07-06 2010-06-15 Manufacturing method of bottom substrate of package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060063633A KR100792352B1 (ko) 2006-07-06 2006-07-06 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100792352B1 true KR100792352B1 (ko) 2008-01-08

Family

ID=38918406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060063633A KR100792352B1 (ko) 2006-07-06 2006-07-06 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20080006942A1 (ko)
JP (1) JP2008016819A (ko)
KR (1) KR100792352B1 (ko)
CN (1) CN100562995C (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101214357B1 (ko) 2008-09-29 2012-12-20 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 반도체소자 탑재용 패키지 기판과 그 제조방법
KR101462770B1 (ko) * 2013-04-09 2014-11-20 삼성전기주식회사 인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지
KR20160008848A (ko) * 2014-07-15 2016-01-25 삼성전기주식회사 패키지 기판, 패키지 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 적층형 패키지
KR101613525B1 (ko) 2014-10-15 2016-04-20 주식회사 심텍 피오피 타입의 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
KR20160149613A (ko) * 2015-06-18 2016-12-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조 방법
US10879219B2 (en) 2010-12-16 2020-12-29 Intel Corporation Lower IC package structure for coupling with an upper IC package to form a package-on-package (PoP) assembly and PoP assembly including such a lower IC package structure
US11676904B2 (en) 2020-08-06 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8525314B2 (en) 2004-11-03 2013-09-03 Tessera, Inc. Stacked packaging improvements
US7429799B1 (en) 2005-07-27 2008-09-30 Amkor Technology, Inc. Land patterns for a semiconductor stacking structure and method therefor
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
US7652361B1 (en) 2006-03-03 2010-01-26 Amkor Technology, Inc. Land patterns for a semiconductor stacking structure and method therefor
US7982297B1 (en) 2007-03-06 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
KR20090055316A (ko) * 2007-11-28 2009-06-02 삼성전자주식회사 반도체 패키지와, 이를 구비하는 전자 기기 및 반도체패키지의 제조방법
JP2009302505A (ja) * 2008-05-15 2009-12-24 Panasonic Corp 半導体装置、および半導体装置の製造方法
JP2010103518A (ja) * 2008-09-29 2010-05-06 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子搭載用パッケージ基板及びその製造方法
JP5645047B2 (ja) * 2008-09-29 2014-12-24 日立化成株式会社 半導体素子搭載用パッケージ基板とその製法及び半導体パッケージ
JP5370765B2 (ja) * 2008-09-29 2013-12-18 日立化成株式会社 半導体素子搭載用パッケージ基板とその製造方法
JP5026400B2 (ja) 2008-12-12 2012-09-12 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
KR101179983B1 (ko) * 2009-02-23 2012-09-07 한미반도체 주식회사 반도체 패키지의 가공을 위한 레이저 빔 조사 궤적 생성방법
US7923304B2 (en) * 2009-09-10 2011-04-12 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof
US9496152B2 (en) * 2010-03-12 2016-11-15 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Carrier system with multi-tier conductive posts and method of manufacture thereof
US7928552B1 (en) 2010-03-12 2011-04-19 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with multi-tier conductive interconnects and method of manufacture thereof
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
US9159708B2 (en) 2010-07-19 2015-10-13 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
US8460968B2 (en) 2010-09-17 2013-06-11 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with post and method of manufacture thereof
KR101075241B1 (ko) 2010-11-15 2011-11-01 테세라, 인코포레이티드 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지
US8674485B1 (en) 2010-12-08 2014-03-18 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with downsets
US20120146206A1 (en) 2010-12-13 2012-06-14 Tessera Research Llc Pin attachment
US8618659B2 (en) 2011-05-03 2013-12-31 Tessera, Inc. Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8404520B1 (en) 2011-10-17 2013-03-26 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US9219029B2 (en) 2011-12-15 2015-12-22 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with terminals and method of manufacture thereof
US8629567B2 (en) 2011-12-15 2014-01-14 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with contacts and method of manufacture thereof
US8623711B2 (en) * 2011-12-15 2014-01-07 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with package-on-package and method of manufacture thereof
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US9349706B2 (en) 2012-02-24 2016-05-24 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9059157B2 (en) * 2012-06-04 2015-06-16 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with substrate and method of manufacture thereof
KR101947722B1 (ko) * 2012-06-07 2019-04-25 삼성전자주식회사 적층 반도체 패키지 및 이의 제조방법
US20140001622A1 (en) 2012-06-27 2014-01-02 Infineon Technologies Ag Chip packages, chip arrangements, a circuit board, and methods for manufacturing chip packages
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
US8975738B2 (en) 2012-11-12 2015-03-10 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass
US8878353B2 (en) * 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
US8980691B2 (en) * 2013-06-28 2015-03-17 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming low profile 3D fan-out package
US8883563B1 (en) 2013-07-15 2014-11-11 Invensas Corporation Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9023691B2 (en) 2013-07-15 2015-05-05 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9034696B2 (en) 2013-07-15 2015-05-19 Invensas Corporation Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
JP5846187B2 (ja) * 2013-12-05 2016-01-20 株式会社村田製作所 部品内蔵モジュール
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US9214454B2 (en) 2014-03-31 2015-12-15 Invensas Corporation Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9646917B2 (en) 2014-05-29 2017-05-09 Invensas Corporation Low CTE component with wire bond interconnects
US9412714B2 (en) 2014-05-30 2016-08-09 Invensas Corporation Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom
KR102194722B1 (ko) * 2014-09-17 2020-12-23 삼성전기주식회사 패키지 기판, 패키지 기판의 제조 방법 및 이를 포함하는 적층형 패키지
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
KR102340053B1 (ko) * 2015-06-18 2021-12-16 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조 방법
JP2017050313A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 イビデン株式会社 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
KR20170033191A (ko) * 2015-09-16 2017-03-24 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US10043779B2 (en) 2015-11-17 2018-08-07 Invensas Corporation Packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9773764B2 (en) * 2015-12-22 2017-09-26 Intel Corporation Solid state device miniaturization
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US9922895B2 (en) 2016-05-05 2018-03-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package with tilted interface between device die and encapsulating material
US9972590B2 (en) * 2016-07-05 2018-05-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor package having a solder-on-pad structure
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
US10510709B2 (en) * 2017-04-20 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semicondcutor package and manufacturing method thereof
FR3076659B1 (fr) * 2018-01-05 2020-07-17 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Entretoise isolante de reprise de contacts

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010092430A (ko) * 1999-09-02 2001-10-24 엔도 마사루 프린트배선판 및 그 제조방법
KR20040022063A (ko) * 2002-09-06 2004-03-11 주식회사 유니세미콘 스택 패키지 및 그 제조방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2679681B2 (ja) * 1995-04-28 1997-11-19 日本電気株式会社 半導体装置、半導体装置用パッケージ及びその製造方法
JP3798620B2 (ja) * 2000-12-04 2006-07-19 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US6486415B2 (en) * 2001-01-16 2002-11-26 International Business Machines Corporation Compliant layer for encapsulated columns
JP2003318327A (ja) * 2002-04-22 2003-11-07 Mitsui Chemicals Inc プリント配線板および積層パッケージ
US7429786B2 (en) * 2005-04-29 2008-09-30 Stats Chippac Ltd. Semiconductor package including second substrate and having exposed substrate surfaces on upper and lower sides
JP2007123524A (ja) * 2005-10-27 2007-05-17 Shinko Electric Ind Co Ltd 電子部品内蔵基板
US20070187818A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-16 Texas Instruments Incorporated Package on package design a combination of laminate and tape substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010092430A (ko) * 1999-09-02 2001-10-24 엔도 마사루 프린트배선판 및 그 제조방법
KR20040022063A (ko) * 2002-09-06 2004-03-11 주식회사 유니세미콘 스택 패키지 및 그 제조방법

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101214357B1 (ko) 2008-09-29 2012-12-20 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 반도체소자 탑재용 패키지 기판과 그 제조방법
US10879219B2 (en) 2010-12-16 2020-12-29 Intel Corporation Lower IC package structure for coupling with an upper IC package to form a package-on-package (PoP) assembly and PoP assembly including such a lower IC package structure
KR101462770B1 (ko) * 2013-04-09 2014-11-20 삼성전기주식회사 인쇄회로기판과 그의 제조방법 및 그 인쇄회로기판을 포함하는 반도체 패키지
US10342135B2 (en) 2013-04-09 2019-07-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Printed circuit board and manufacturing method thereof, and semiconductor package including the printed circuit board
KR20160008848A (ko) * 2014-07-15 2016-01-25 삼성전기주식회사 패키지 기판, 패키지 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 적층형 패키지
KR102240704B1 (ko) * 2014-07-15 2021-04-15 삼성전기주식회사 패키지 기판, 패키지 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 적층형 패키지
KR101613525B1 (ko) 2014-10-15 2016-04-20 주식회사 심텍 피오피 타입의 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
KR20160149613A (ko) * 2015-06-18 2016-12-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조 방법
KR102473416B1 (ko) 2015-06-18 2022-12-02 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조 방법
US11676904B2 (en) 2020-08-06 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package

Also Published As

Publication number Publication date
US20080006942A1 (en) 2008-01-10
CN101101898A (zh) 2008-01-09
CN100562995C (zh) 2009-11-25
JP2008016819A (ja) 2008-01-24
US20100255634A1 (en) 2010-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100792352B1 (ko) 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법
KR100782407B1 (ko) 회로기판 제조방법
KR101077410B1 (ko) 방열부재를 구비한 전자부품 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US20080102410A1 (en) Method of manufacturing printed circuit board
JP5461323B2 (ja) 半導体パッケージ基板の製造方法
US7619317B2 (en) Carrier structure for semiconductor chip and method for manufacturing the same
KR100956688B1 (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US20120017435A1 (en) Method of manufacturing PCB having electronic components embedded therein
KR20100065635A (ko) 집적회로 패키지 내장 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US20050205976A1 (en) Circuit device and manufacturing method thereof
JP2010219121A (ja) 半導体装置及び電子装置
US8143099B2 (en) Method of manufacturing semiconductor package by etching a metal layer to form a rearrangement wiring layer
JP2009016377A (ja) 多層配線板及び多層配線板製造方法
JP5599860B2 (ja) 半導体パッケージ基板の製造方法
KR100908986B1 (ko) 코어리스 패키지 기판 및 제조 방법
KR101067214B1 (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법
KR100803960B1 (ko) 패키지 온 패키지 기판 및 그 제조방법
KR101015762B1 (ko) 반도체 패키지의 제조 방법
KR20030011433A (ko) 다층 인쇄회로기판의 숨겨진 레이저 비아홀 제조방법
JP7318428B2 (ja) 電子部品内蔵回路基板及びその製造方法
KR100749141B1 (ko) 패키지 온 패키지 기판 및 그 제조방법
KR200257974Y1 (ko) 숨겨진 레이저 비아홀을 갖는 다층 인쇄회로기판
KR200257975Y1 (ko) 숨겨진 레이저 비아홀을 갖는 다층 인쇄회로기판
JP4209341B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR20030011434A (ko) 다층 인쇄회로기판의 숨겨진 레이저 비아홀 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130102

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131224

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160104

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee