JP2008016819A - パッケージオンパッケージのボトム基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】パッケージオンパッケージのボトム基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ソルダボールによりトップ基板と電気的に繋がるパッケージオンパッケージのボトム基板であって、コア基板10と、ソルダボールの位置に応じてコア基板10の表面に形成されるソルダボールパッド12と、コア基板10に積層される絶縁層20と、ソルダボールパッド12が露出されるように絶縁層20の一部を除去して形成される貫通ホールと、貫通ホールに充填されてソルダボールと電気的に繋がる金属層28と、を含むパッケージオンパッケージのボトム基板は、ソルダボールの大きさを増加させなくてもボトム基板に実装されるICの数を増加させることができ、ボトム基板に積層される絶縁層20の厚みを調節することで、ソルダボールの大きさ及びピッチをさらに小さくすることができ、これによりトップ基板とボトム基板間にさらに多くの信号伝達が可能である。
【選択図】図1
【解決手段】ソルダボールによりトップ基板と電気的に繋がるパッケージオンパッケージのボトム基板であって、コア基板10と、ソルダボールの位置に応じてコア基板10の表面に形成されるソルダボールパッド12と、コア基板10に積層される絶縁層20と、ソルダボールパッド12が露出されるように絶縁層20の一部を除去して形成される貫通ホールと、貫通ホールに充填されてソルダボールと電気的に繋がる金属層28と、を含むパッケージオンパッケージのボトム基板は、ソルダボールの大きさを増加させなくてもボトム基板に実装されるICの数を増加させることができ、ボトム基板に積層される絶縁層20の厚みを調節することで、ソルダボールの大きさ及びピッチをさらに小さくすることができ、これによりトップ基板とボトム基板間にさらに多くの信号伝達が可能である。
【選択図】図1
Description
本発明は、パッケージオンパッケージのボトム基板及びその製造方法に関する。
電子産業の発達により電子部品の高機能化、小型化の要求が急増している。このような高性能、高密度への要求に応えるために印刷回路基板にICなどの電子素子を実装して製造される、いわゆる‘パッケージ(package)基板’を実現するための方案とそれに対する需要が増加しており、パッケージ基板を具現するさまざまな方法のうち、パッケージ基板の上にまたパッケージ基板を積層する、いわゆる‘パッケージオンパッケージ(package on package、以下POPと言う)’が良い代案として浮び上がっている。
また、POPにおいても高性能、高密度の要求に応えて基板に一つの電子素子が実装される趨勢から一つの基板に多数の電子素子が重ねて実装される、いわゆる‘スタック(Stack)パッケージ’が登場した。
すなわち、POPを具現する過程においては、パッケージ全体の厚みが核心であるが、POPをさらに高性能に製作するために、基板に一つのICを実装する状況から2個以上のICの実装への要求が発生して、基板に2個以上のICを実装する場合、パッケージの全体の厚みが増加してPOPを具現することにおいて限界に到逹することになった。
従来のPOPの構造によれば、下側に位置したボトム(bottom)基板の表面にICが実装されている。ボトム基板は、一般的な印刷回路基板の製造工法により製造される。上述したように、高密度のために2個以上のICを実装するマルチスタック(multi-Stack)が要求されるが、従来の製造方法によっては、POPの全体の高さを維持しながらボトム基板に実装されるICの数を増やすことは難しい実情である。
これに対して、ICチップの必要である部分を除いた部分を切削して厚みを減らす、いわゆる‘Die Thinning’工法を適用して上述の問題を解決するために努力しているが、この工法が適用されたICチップを長期間作動する際に発生する機能誤り(Function-error)が問題になり、かえって基板の厚みを減してPOPの実装能力を向上させマルチスタックを具現するために試みている。
一方、従来のPOPにおいてボトム基板に2個以上のICを積層するためにICをより薄く製造する場合には、取扱(handling)上の問題、または反り(warpage)問題などが惹起される。
また、ICを薄くしないで、上部パッケージと下部パッケージとを電気的に連結するソルダボール(solder ball)の大きさを大きくすることにより、パッケージ間のギャップ(Gap)を増加させることができる。しかし、積層されるICの数の増加に応じてソルダボールを大きくすることは、ソルダボールパッドの数及び間隔などにおいて設計上の制約が発生する。
本発明は、POP具現において全体パッケージの厚みの増加なしでボトム基板に2個以上の電子素子を実装することができるようにパッケージ間の間隔を確保することができるPOPのボトム基板及びその製造方法を提供する。
本発明の一実施形態によれば、ソルダボール(solder ball)によりトップ(top)基板と電気的に繋がるパッケージオンパッケージ(package on package)のボトム(bottom)基板であって、コア基板と、ソルダボールの位置に応じてコア基板の表面に形成されるソルダボールパッドと、コア基板に積層される絶縁層と、ソルダボールパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去して形成される貫通ホールと、貫通ホールに充填されてソルダボールと電気的に繋がる金属層と、を含むパッケージオンパッケージのボトム基板が提供される。
パッケージオンパッケージのボトム基板には電子素子が実装されるが、本発明の一実施形態によるボトム基板は、コア基板に形成されて電子素子と電気的に繋がるボンディングパッドと、ボンディングパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去して形成されるキャビティ(cavity)をさらに含むことができる。
このような本発明の一実施形態によればボトム基板を用いてパッケージオンパッケージを製造することができる。すなわち、本発明の別の実施形態によれば、コア基板と、コア基板の表面に形成されるソルダボールパッド及びボンディングパッドと、コア基板に積層される絶縁層と、ソルダボールパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去して形成される貫通ホールと、貫通ホールに充填される金属層と、金属層と電気的に繋がるソルダボールと、ボンディングパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去して形成されるキャビティと、キャビティに実装されてボンディングパッドと電気的に繋がる電子素子と、電子素子をカバーするようにコア基板と結合されて、ソルダボールと電気的に繋がるトップ基板と、を含むパッケージオンパッケージが提供される。
絶縁層は、露光、現像の可能な感光性物質を含むフォトレジスト(photo resist)をコア基板に積層し、熱を加えて硬化させることで形成されることが好ましい。
このような一般的であり具体的な実施形態が、システム、方法、 コンピュータプログラム、またはこれらの組合を用いて実施されることができる。
すなわち、本発明の別の実施形態によれば、ソルダボールによりトップ基板と電気的に繋がるパッケージオンパッケージのボトム基板を製造する方法であって、(a)ソルダボールの位置に応じてコア基板の表面にソルダボールパッドを形成する段階と、(b)コア基板に絶縁層を積層する段階と、(c)ソルダボールパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去して貫通ホールを形成する段階と、及び(d)貫通ホールに金属層を充填する段階と、を含むパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法が提供される。
ボトム基板には電子素子が実装されるが、段階(a)は、(a1)コア基板の表面に電子素子と電気的に繋がるボンディングパッドを形成する段階を含み、段階(c)は、(c1)ボンディングパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去してキャビティを形成する段階を含むことができる。
このような本発明の別の実施形態によるボトム基板の製造方法は、パッケージオンパッケージを製造方法に適用することができる。すなわち、本発明の別の実施形態によれば、(a)コア基板の表面にソルダボールパッドとボンディングパッドを形成する段階と、(b)コア基板に絶縁層を積層する段階と、(c)ソルダボールパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去して貫通ホールを形成し、ボンディングパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去してキャビティを形成する段階と、(d)貫通ホールに金属層を充填する段階と、(e)ボンディングパッドと電気的に繋がるようにキャビティに電子素子を実装する段階と、(f)金属層にソルダボールを結合する段階と、及び(g)電子素子をカバーしながらソルダボールと電気的に繋がるようにコア基板にトップ基板を結合する段階と、を含むパッケージオンパッケージの製造方法が提供される。
段階(a)は、コア基板の表面にソルダレジストを塗布する段階をさらに含むことができる。
絶縁層はフォトレジストを含み、段階(c)は絶縁層を選択的に露光及び現像する段階を含むことができる。段階(c)と段階(d)の間に、(h)絶縁層に熱を加えて硬化させる段階をさらに含むことができ、段階(h)と段階(d)の間に、キャビティにフォトレジストを塗布する段階をさらに含むことができる。
段階(d)は、ソルダボールパッドに電源を印加してメッキ層を形成することで行われることができ、段階(d)の以後に、キャビティに塗布されたフォトレジストを除去する段階をさらに含むことができる。
上述した以外の別の実施形態、特徴、利点が以下の図面、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明より明確になるだろう。
本発明の好ましい実施例によれば、ソルダボールの大きさを増加させなくとも、ボトム基板に実装されるICの数を増加させることができ、ボトム基板に積層される絶縁層の厚みを調節することで、ソルダボールの大きさ及びピッチをより小さくすることができて、これによりトップ基板とボトム基板間にさらに多くの信号伝達が可能になる。
また、ボトム基板に積層される絶縁材であるフォトレジストの厚みを調節することで、パッケージ間の間隔を容易く調節することができ、これによりボトム基板により多い数の電子素子を積層して実装することができる。
以下、本発明によるパッケージオンパッケージのボトム基板及びその製造方法の好ましい実施例を添付図面を参照して詳しく説明するが、添付図面を参照して説明することにおいて、同一であるかまたは対応する構成要素は同一な図面番号を付与し、これに対する重複される説明は略する。
図1は、本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージのボトム基板を示す断面図である。図1を参照すると、コア基板10、ソルダボールパッド12、ボンディングパッド14、絶縁層20、キャビティ24、金属層28が示されている。
本実施例は、既存の印刷回路基板の製造方法で一層または多層の回路パターン層の形成されたボトム基板のコア基板10を製作した後、フォトレジスト(photo resist)を硬化させて形成された絶縁層20とソルダボールパッド12部分とをメッキして形成された金属層28を、パッケージの間に介在させてパッケージ間の間隔(Gap)を確保することにより、ボトム基板により多い数の電子素子を実装できるようにしたことを特徴とする。
本実施例によるPOPのボトム基板は、ソルダボールでトップ基板と電気的に繋がるPOPに使用される基板であって、以下では下部パッケージに使用される基板を‘ボトム基板’と言い、上部パッケージに使用される基板を‘トップ基板’と言って説明するが、‘ボトム基板’及び‘トップ基板’の名称が必ず上部または下部の位置に限定されることではないし、本実施例と同一な構造で製作される範囲内で上部にボトム基板が位置して下部にトップ基板が位置することができるなど、‘ボトム基板’及び‘トップ基板’の名称が位置に限定されることではない。
本実施例によるボトム基板は、トップ基板との間隔をより大きく確保するために、コア基板10に絶縁層20を積層して形成される。絶縁層20は、ボトム基板に実装される電子素子の高さをカバーできる程度の厚みで積層される。上述したように、ボトム基板に実装される電子素子の高さをソルダボールの大きさだけでカバーすると、実装される電子素子の数が増加することによりソルダボールの大きさもともに増加されて設計上の制約が大きくなる。
本実施例によれば、パッケージ間の電気的連結のためのソルダボールが絶縁層20に結合されるので、ソルダボールの位置に応じてコア基板10の表面に形成されたソルダボールパッド12は、積層された絶縁層20の該当部分を除去して貫通ホールを形成することにより露出される。貫通ホールには、後述のように、メッキを介して金属層28が充填されることでソルダボールとの電気的連結が具現される。
一方、ボトム基板には、電子素子を実装するために電子素子と電気的に繋がるボンディングパッド14が形成される。上述のソルダボールパッド12及びボンディングパッド14は、別途の工程によりそれぞれ形成されることができ、コア基板10に回路パターンを形成する過程中での回路パターンの一部として形成されることもできる。
電子素子を実装するためには、コア基板10に積層された絶縁層20での電子素子が実装される部分、すなわち、ボンディングパッド14の形成された部分が露出されるように絶縁層20の該当部分を除去してキャビティ(cavity)24を形成する。ボトム基板上に電子素子を実装し、ソルダボールを用いてトップ基板と電気的に連結することに比して、絶縁層20にキャビティ24を形成して電子素子を実装すれば、絶縁層20の厚み程度、すなわち、キャビティ24の深み程度の空間がさらに確保されるので、より多い数の電子素子を実装することができる。これでソルダボールの大きさを増加させなくとも絶縁層20の厚みを調節することでボトム基板とトップ基板との間隔を充分に確保することができる。
絶縁層20は、コア基板10に積層された後、ソルダボールパッド12及びボンディングパッド14部分を選択的に除去できなくてはならないので、露光、現像、エッチング工程が適用されることができる感光性物質を含むことが良い。一方、必要な部分が選択的に除去された後の絶縁層20は、以後のエッチング工程で除去されないようにその性質が変わることのできる材質を含むことが良い。例えば、絶縁層20の材料として、フォトレジスト(photo resist)をコア基板10に積層した場合、露光、現像及びエッチングを介して貫通ホール及びキャビティ24を形成した後、赤外線または熱を加えて絶縁層20が硬化されるようにして以後のエッチング工程により絶縁層20が除去されないようにすることができる。
露光、現像が可能であり、硬化される絶縁材として使用されることができる材料は、一般的に使用される絶縁材である‘FR-4’、‘BT resin’などのような材料が用いられるし、以外にも下記の(化1)のような2重結合構造を有する材料が使用されることができる。
図2は、本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法を示す順序図であり、図3は、本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージのボトム基板の製造工程を示す流れ図である。図3を参照すると、コア基板10、ソルダボールパッド12、ボンディングパッド14、絶縁層20、貫通ホール22、キャビティ24、フォトレジスト26、金属層28が示されている。
本実施例によりソルダボールでトップ基板と電気的に繋がるPOPのボトム基板を製造するためには、段階100で、図3の(a)のようにコア基板10の表面にソルダボールパッド12及びボンディングパッド14を形成する。ソルダボールパッド12とボンディングパッド14は、上述したように、コア基板10の表面に回路パターンを形成する過程での回路パターンの一部として形成されることができる。
ソルダボールパッド12は、トップ基板との電気的連結のためのソルダボールが結合される部分であり、ボンディングパッド14は、ボトム基板に実装される電子素子と電気的に繋がる部分である。ソルダボールパッド12及びボンディングパッド14を含む回路パターンが形成された後コア基板10の表面にソルダレジスト(solder resist)を塗布し、基板の表面処理工程を行う。
段階102で、図3の(b)のようにコア基板10に絶縁層20を積層する。絶縁層20の材料としては、上述したようにフォトレジストなど露光、現像を介する選択的エッチングが可能であり、硬化されてその性質が変わる材料であれば使用されることができる。
絶縁層20の積層は、フィルム形象の絶縁材を積層したり、液状の絶縁材を塗布するなどの方法で行われることができる。絶縁層20は、POPでのパッケージとパッケージ、すなわち、ボトム基板とトップ基板間の間隔を維持する役目及びパッケージ間の電気的信号を連結する金属層28が安定的に形成されるように保護する役目をする。
段階104で、図3の(c)のように、ソルダボールパッド12及びボンディングパッド14が露出されるように、アートワークフィルム(Art work film)などを用いて、絶縁層20を選択的に露光、現像、エッチングしてその一部を除去する。これで、ソルダボールパッド12の形成された部分には貫通ホール22が、ボンディングパッド14の形成された部分にはキャビティ24が形成される。
段階106で、絶縁層20の一部を除去して貫通ホール22及びキャビティ24を形成した後には、絶縁層20に赤外線または熱を加えて絶縁層20が硬化されるようにする。これは、以後のエッチング工程で絶縁層20が除去されないようにするためである。
段階108で、図3の(d)のように、ボンディングパッド14が露出されているキャビティ24の空間にフォトレジスト26を塗布する。ボンディングパッド14をフォトレジスト26に被覆することで、以後メッキ工程でボンディングパッド14部分に不要なメッキ層が電着されないようレジスト(resist)の役目をすることができる。
段階110で、図3の(d)のようにソルダボールパッド12などのコア基板10の回路パターンに電源を印加して電気メッキを実施することによりソルダボールパッド12部分にメッキ層が電着される。これで、絶縁層20を選択的に除去して形成された貫通ホール22の内部にメッキ層である金属層28が充填される。メッキにより電着される金属としては、錫、銅などを使用することができる。このように貫通ホール22の内部に充填された金属層28は、コア基板10のソルダボールパッド12とソルダボール間の電気的導通を可能にする通路の役目をする。
段階112で、図3の(f)のように、ボンディングパッド14を被覆するために、キャビティ24部分に塗布されているフォトレジスト26を剥離して除去することで本実施例によるPOP用ボトム基板の製造が完了される。これで、キャビティ24の空間に電子素子が実装されるようにボンディングパッド14が露出される。
上述したように、熱または赤外線などを用いて絶縁層20を硬化させたので、キャビティ24の空間に塗布されていたフォトレジスト26を除去する過程で硬化された絶縁層20は剥離されないで残っている。
図4は、本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージの製造方法を示す順序図である。
上述のPOP用ボトム基板の製造方法は、POP製造工程に適用されることができる。すなわち、上述の実施例に応じてボトム基板を製造した後、電子素子を実装しソルダボールを介在してトップ基板を結合することでマルチスタックPOPを製造することができる。
先ず、段階200で、コア基板10の表面にソルダボールパッド12及びボンディングパッド14を形成する。ソルダボールパッド12とボンディングパッド14は、コア基板10の表面に回路パターンを形成する過程より回路パターンの一部として形成されることができることは上述のとおりである。ソルダボールパッド12とボンディングパッド14を含む回路パターンが形成された後コア基板10の表面にソルダレジストを塗布し、基板の表面処理工程を行う。
次に、段階202で、コア基板10に絶縁層20を積層する。絶縁層20の材料としては、フォトレジストなどの露光、現像を介する選択的エッチングが可能であり、硬化されてその性質が変わる材料であれば使用されることができることは上述のとおりである。絶縁層20は、POPでのパッケージとパッケージ、すなわち、ボトム基板とトップ基板の間の間隔を維持する役目及びパッケージ間の電気的信号を連結する金属層28が安定的に形成されるように保護する役目をする。
段階204で、ソルダボールパッド12及びボンディングパッド14が露出されるように、絶縁層20を選択的に露光、現像、エッチングしてその一部を除去する。これで、ソルダボールパッド12の形成された部分には貫通ホール22が、ボンディングパッド14の形成された部分にはキャビティ24が形成される。
絶縁層20の一部を除去して貫通ホール22及びキャビティ24を形成した後には、段階206で、絶縁層20に赤外線または熱を加えて絶縁層20が硬化されるようにする。これは、以後のエッチング工程で絶縁層20が除去されないようにするためである。
段階208で、ボンディングパッド14が露出されているキャビティ24の空間にフォトレジスト26を塗布する。ボンディングパッド14をフォトレジスト26で被覆することで、以後メッキ工程でボンディングパッド14部分に不要なメッキ層が電着されないようにレジストの役目をすることができる。
段階210で、ソルダボールパッド12などのコア基板10の回路パターンに電源を印加し、電気メッキを実施してソルダボールパッド12部分にメッキ層が電着されるようにする。これで、絶縁層20を選択的に除去して形成された貫通ホール22の内部にメッキ層である金属層28が充填される。貫通ホール22の内部に充填された金属層28は、コア基板10のソルダボールパッド12とソルダボールとの電気的導通を可能にする通路の役目をする。
段階212で、ボンディングパッド14を被覆するためにキャビティ24部分に塗布されているフォトレジスト26を剥離して除去することでボトム基板を製造する。これでキャビティ24の空間に電子素子が実装されることができるようにボンディングパッド14が露出される。絶縁層20は、熱または赤外線を加えて硬化させたので、キャビティ24の空間に塗布されていたフォトレジスト26を除去する過程で硬化された絶縁層20は剥離されないで残る。
段階214で、電子素子がボンディングパッド14と電気的に繋がるようにキャビティ24に電子素子を実装し、段階216で、貫通ホール22に充填された金属層28にソルダボールを結合した後、段階218で、ソルダボールと電気的に繋がるようにトップ基板を積層する。トップ基板にも電子素子が実装されることができるし、こうして、ボトム基板に電子素子が実装されたパッケージに、トップ基板に電子素子が実装されたパッケージが積層されてPOPの製造が完了される。
図5は、本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージを示す断面図である。図5を参照すると、コア基板10、ソルダボールパッド12、ボンディングパッド14、絶縁層20、金属層28、ソルダボール30、電子素子32、ボトム基板40、トップ基板50が示されている。
上述のPOP製造方法により製造されたPOPは、ボトム基板40に絶縁層20が積層されて貫通ホール22及びキャビティ24が形成されることで、ソルダボール30の大きさを増加させなくともパッケージ間の間隔を充分に確保してマルチスタックを具現することができる構造で形成される。
すなわち、本実施例によるPOPは、図1で説明したボトム基板40のキャビティ24に電子素子32を実装してボンディングパッド14と電気的に繋がるようにし、貫通ホール22に充填された金属層28にソルダボール30を結合した後、電子素子32が実装されたトップ基板50を積層してソルダボール30と電気的に連結させた構造で形成される。
ボトム基板40は、上述したように、コア基板10の表面にソルダボールパッド12及びボンディングパッド14を含む回路パターンを形成し、絶縁層20を積層した後、ソルダボールパッド12とボンディングパッド14が露出されるように絶縁層20の一部を除去して貫通ホール22及びキャビティ24を形成し、貫通ホール22にメッキ層を充填してソルダボール30とソルダボールパッド12との間の電気的通路を具現した構造で形成される。
POPのパッケージ間、すなわち、ボトム基板40とトップ基板50との間の間隔を確保するための絶縁層20は、貫通ホール22とキャビティ24を形成するために選択的な除去が可能であり、キャビティ24に塗布されたフォトレジスト26を除去する過程で除去されない材質を使用することが良い。
例えば、本実施例による絶縁層20として、フォトレジストをコア基板10に積層した場合には、露光、現像及びエッチングを介して貫通ホール22及びキャビティ24を形成した後、熱または赤外線などを加えて硬化させることで、以後のエッチング工程で除去されないようにすることができる。
上述した実施例の以外の多くの実施例が本発明の特許請求の範囲内に存在する。
10 コア基板
12 ソルダボールパッド
14 ボンディングパッド
20 絶縁層
22 貫通ホール
24 キャビティ
26 フォトレジスト
28 金属層
30 ソルダボール
32 電子素子
40 ボトム基板
50 トップ基板
12 ソルダボールパッド
14 ボンディングパッド
20 絶縁層
22 貫通ホール
24 キャビティ
26 フォトレジスト
28 金属層
30 ソルダボール
32 電子素子
40 ボトム基板
50 トップ基板
Claims (20)
- ソルダボール(solder ball)によりトップ(top)基板と電気的に繋がるパッケージオンパッケージ(package on package)のボトム(bottom)基板であって、
コア基板と、
前記ソルダボールの位置に応じて前記コア基板の表面に形成されるソルダボールパッドと、
前記コア基板に積層される絶縁層と、
前記ソルダボールパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去して形成される貫通ホールと、
前記貫通ホールに充填されて前記ソルダボールと電気的に繋がる金属層と、
を含むパッケージオンパッケージのボトム基板。 - 前記絶縁層は、前記コア基板にフォトレジスト(photo resist)を積層し、熱を加えて硬化させることで形成されることを特徴とする請求項1に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板。
- 前記ボトム基板には電子素子が実装され、
前記コア基板に形成されて、前記電子素子と電気的に繋がるボンディングパッドと、
前記ボンディングパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去して形成されるキャビティ(cavity)と、
をさらに含む請求項1に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板。 - コア基板と、
前記コア基板の表面に形成されるソルダボールパッド及びボンディングパッドと、
前記コア基板に積層される絶縁層と、
前記ソルダボールパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去して形成される貫通ホールと、
前記貫通ホールに充填される金属層と、
前記金属層に電気的に繋がるソルダボールと、
前記ボンディングパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去して形成されるキャビティと、
前記キャビティに実装されて、前記ボンディングパッドと電気的に繋がる電子素子と、
前記電子素子をカバーするように前記コア基板に結合されて、前記ソルダボールと電気的に繋がるトップ基板と、
を含むパッケージオンパッケージ。 - 前記絶縁層は、前記コア基板にフォトレジストを積層し、熱を加えて硬化させることで形成されることを特徴とする請求項4に記載のパッケージオンパッケージ。
- ソルダボールによりトップ基板と電気的に繋がるパッケージオンパッケージのボトム基板を製造する方法であって、
(a)前記ソルダボールの位置に応じてコア基板の表面にソルダボールパッドを形成する段階と、
(b)前記コア基板に絶縁層を積層する段階と、
(c)前記ソルダボールパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去して貫通ホールを形成する段階と、及び
(d)前記貫通ホールに金属層を充填する段階と、
を含むパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。 - 前記段階(a)は、前記コア基板の表面にソルダレジストを塗布する段階をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
- 前記ボトム基板には、電子素子が実装されて、
前記段階(a)は、
(a1)前記コア基板の表面に前記電子素子と電気的に繋がるボンディングパッドを形成する段階を含み、前記段階(c)は、
(c1)前記ボンディングパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去してキャビティを形成する段階を含むことを特徴とする請求項6に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。 - 前記絶縁層はフォトレジストを含み、前記段階(c)は前記絶縁層を選択的に露光及び現像する段階を含むことを特徴とする請求項8に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
- 前記段階(c)と前記段階(d)の間に、
(h)前記絶縁層に熱を加えて硬化させる段階をさらに含む請求項9に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。 - 前記段階(h)と前記段階(d)の間に、前記キャビティにフォトレジストを塗布する段階をさらに含む請求項10に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
- 前記段階(d)は、前記ソルダボールパッドに電源を印加してメッキ層を形成することで行われることを特徴とする請求項11に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
- 前記段階(d)の以後に、前記キャビティに塗布されたフォトレジストを除去する段階をさらに含む請求項12に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
- (a)コア基板の表面にソルダボールパッドとボンディングパッドとを形成する段階と、
(b)前記コア基板に絶縁層を積層する段階と、
(c)前記ソルダボールパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去して貫通ホールを形成し、前記ボンディングパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去してキャビティを形成する段階と、
(d)前記貫通ホールに金属層を充填する段階と、
(e)前記ボンディングパッドと電気的に繋がるように前記キャビティに電子素子を実装する段階と、
(f)前記金属層にソルダボールを結合する段階と、及び
(g)前記電子素子をカバーして前記ソルダボールと電気的に繋がるように前記コア基板にトップ基板を結合する段階と、
を含むパッケージオンパッケージの製造方法。 - 前記段階(a)は、前記コア基板の表面にソルダレジストを塗布する段階をさらに含むことを特徴とする請求項14に記載のパッケージオンパッケージの製造方法。
- 前記絶縁層はフォトレジストを含み、前記段階(c)は前記絶縁層を選択的に露光及び現像する段階を含むことを特徴とする請求項14に記載のパッケージオンパッケージの製造方法。
- 前記段階(c)と前記段階(d)の間に、
(h)前記絶縁層に熱を加えて硬化させる段階をさらに含む請求項16に記載のパッケージオンパッケージの製造方法。 - 前記段階(h)と前記段階(d)の間に、前記キャビティにフォトレジストを塗布する段階をさらに含む請求項17に記載のパッケージオンパッケージの製造方法。
- 前記段階(d)は、前記ソルダボールパッドに電源を印加してメッキ層を形成することで行われることを特徴とする請求項18に記載のパッケージオンパッケージの製造方法。
- 前記段階(d)と前記段階(e)の間に、前記キャビティに塗布されたフォトレジストを除去する段階をさらに含む請求項19に記載のパッケージオンパッケージの製造方法。
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101005 |