KR100736635B1 - 베어칩 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

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electrode
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김형태
김문일
이재걸
이두환
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Abstract

베어칩 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법이 개시된다. (A) 기판 내부에 베어칩을 전극 패드가 노출 되도록 내장하는 단계, (B) 전극 패드 표면에 전극 범프를 형성하는 단계를 포함하는 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 방법은 기존의 베어칩 상태에서 진행되던 재배선 공정을 인쇄회로기판의 일반 제조공정 라인에서 진행하는 것을 가능하게 하여 공정의 단순화 및 저비용의 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 양산체제를 구축할 수 있는 장점이 있다.
베어칩, 후막, 확산 방지층, 티타늄

Description

베어칩 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법{Bare chip embedded PCB and method of the same}
도 1은 종래기술에 따른 소자 내장형 인쇄회로기판의 단면도.
도 2a는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 방법의 순서도.
도 2b는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 공정도.
도 3a는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 방법의 순서도.
도 3b는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 공정을 나타내는 개념도.
도 4는 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른 베어칩의 저면도.
도 5는 본 발명의 바람직한 제4 실시예에 따른 베어칩 내장형 인쇄회로기판 제조 방법의 개념도.
도 6은 본 발명의 바람직한 제5 실시예에 따른 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
31: 절연기판 32: 테이프
33: 베어칩 34:전극 패드
35: 충진재 36: 금속층
36a: 확산 방지층 36b: 후막
38: 관통홀 39: 전극 범프
100: 인쇄회로기판
본 발명은 인쇄회로기판에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전자 소자 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 전자기기들의 부품 사이즈는 작아지고, 하나의 제품에 여러 가지 기능을 구비한 고사양 제품에 대한 요구는 증대되고 있다. 이러한 소비자의 욕구에 부응하기 위해 기존의 표면에 실장 되던 부품들이 기판 내부로 내장되고 있다. 하지만 이러한 내장(Embedding) 기술은 비용증가의 문제를 초래하게 되며, 이러한 비용증가는 소형화 및 전기적 특성의 향상을 통해 보상되어야 하는 실정이다. 즉, 내장(Embedding) 기판의 상용화를 활성화하기 위해서는 보다 저렴한 내장(Embedding) 기술이 필요하다.
현재까지의 내장기술은 대부분, 칩 피니쉬 메탈(IC finish metal)로 일반적으로 사용되는 얇은 (1um 정도 두께의) 알루미늄 패드(Al pad)상에 내장 후 레이져 가공이 어려운 측면 및 레이져 가공에서의 회로형성 공차의 문제 때문에, 칩 전면에 에리어 에레이 타입(Area array type)으로 분포된 금이나 구리의 범프가 형성되어 있는 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer Level Package) 상태에서 적용되어 왔다. 그런데, 이러한 에리어 어레이 타입(Area array type)으로의 재배선 뿐만 아니라, 금속 범프(Metal Bump)를 형성하는 데 소요되는 경비로 인해, 전체적인 패키지 가격이 상승되게 된다.
도 1은 종래기술에 따른 소자 내장형 인쇄회로기판의 단면도로서, 전극 범프(27)가 형성된 칩(22)이 코어기판(23)내부에 내장된 모습을 보여준다.
도면과 같이 종래에는 소자를 내장하기 위해서는 소자의 패드에 전극 범프(27)를 형성하는 단계를 거쳤고, 이는 통상적으로 외주 업체를 통해서 이루어졌다. 따라서 이러한 범핑(bumping) 공정으로 인하여 추가적인 비용 및 시간이 소요되었다.
본 발명은 전극 패드에 범핑 공정을 생략하고도 베어칩을 그 자체로서 내장할 수 있는 인쇄회로기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일측면은, (A) 기판 내부에 베어칩을 전극 패드가 노출 되도록 내장하는 단계, (B) 전극 패드 표면에 전극 범프를 형성하는 단계를 포함하는 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 방법이 제공된다.
(B) 단계는 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하할 수 있다. 회로 패턴을 전극 범프와 동시에 형성함으로써, 제조 단계를 줄일 수 있게된다. 또한, 회로 패턴과 상기 전극 범프는 전기적으로 연결될 수도 있다.
본 발명의 다른 측면은, (a) 관통홀이 형성된 절연기판 일면에 테이프를 부착하고, 관통홀 내부의 테이프에 베어칩을 전극 패드 방향으로 부착하는 단계, (b) 관통홀 내부에 충진재를 채우고, 테이프를 제거하는 단계, (c) 테이프가 제거된 면의 절연기판 및 충진재 표면에 금속층을 형성하는 단계; 및 (d) 금속층의 일부를 제거하여 전극 범프를 형성하는 단계를 포함하는 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 방법이 제공된다.
(b)단계와 (c) 단계 사이에 상기 절연기판 및 상기 충진재 일면을 클리닝하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. 이는 베어칩 주변의 충진재 및 절연기판을 평탄화시켜 금속층이 쉽게 도금되도록 하고 내장 기판의 신뢰성을 향상시키기 위함이다.
(c)단계는, (c1) 절연기판 일면에 확산 방지층을 적층하는 단계, (C2) 확산 경제층 상면에 후막을 적층하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 일반적으로 알루미늄 재질의 전극 패드 상면에 구리층을 도금할 경우 경계면에서 확산(diffusion)이 일어나게 된다. 따라서 이를 방지하기 위해서 티타늄, 백금 등의 확산 방지층을 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 확산 방지층은 나아가서 얇은 전극 패드와 두꺼운 전극 범프 사이의 접착을 향상시키는 기능을 하는 것으로 알려져 있다.
한편, (d)단계는 회로 패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 즉 금속층을 제거할 때, 전극 범프 뿐만 아니라 회로 패턴도 동시에 형성함으로써 하나의 공정을 통하여 두가지의 성과를 얻을 수 있게 된다.
본 발명의 다른 측면은, 관통홀이 형성된 절연기판과, 관통홀 내부를 채우는 충진재와, 일면에 형성된 전극 패드가 충진재 표면으로 노출되도록 충진재에 내장된 베어칩과, 전극 패드의 표면에 부착된 전극 범프를 포함하는 베어칩 내장형 인쇄회로기판이 제공된다.
금속층은 전극 패드 표면에 위치하는 확산 방지층과 확산 방지층 상면에 위치하는 후막을 포함하는 것이 바람직하며, 확산 방지층은 티타늄을 포함하는 것이 바람직하다.
이와 같은 인쇄회로기판의 구조는 전극 범프가 인쇄회로기판 표면에 노출되어 있어, 이후 적층 공정시 쉽게 비아홀과 연결이 가능하도록 한다.
이하, 본 발명에 따른 베어칩 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 2a는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 방법의 순서도이며, 도 2b는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 공정도이다. 도 3b를 참조하면, 기판(21), 전극 패드(24), 베어칩(23), 충진재(25), 회로 패턴(28), 전극 범프(29)가 도시되어 있다.
도 2a의 S11은 기판 내부에 베어칩을 전극 패드가 노출되도록 내장하는 단계이다. 이러한 베어칩(23)은 도 2b의 (a)와 같이 충진재(25)를 이용하여 삽입할 수 있으나, 드릴을 이용하여 홈을 판 후 접착제를 이용하여 삽입할 수도 있다. 중요한 것은 기판(21) 표면으로 베어칩(23)의 전극 패드(24)가 노출되도록 하는 것이다.
도 2a의 S12는 전극 패드 표면에 전극 범프를 형성하는 단계이다. 전극 범프(29)는 도금으로 형성되는 것이 일반적이나, 스퍼터나, 기타 스크린 프린트에 의해서 형성될 수도 있다. 이러한 전극 범프(24)를 형성하기 전에 확산 방지층을 전극 패드 표면에 형성할 수도 있다.
한편, 회로 패턴(28)을 전극 범프(29)와 동시에 또는 단계를 달리하여 형성할 수 있으며, 회로 패턴(28)은 직접 전극 범프(29)와 연결될 수도 있다.
도 3a는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 방법의 순서도이며, 도 3b는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조공정을 나타내는 개념도, 도 4는 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른 베어칩의 평면도이다. 도 3b와 도 4를 참조하면, 절연기판 (31), 테이프(32), 베어칩(33), 전극 패드(34), 충진재(35), 금속층(36), 확산 방지층(36a), 후막(36b), 관통홀(38), 전극 범프(39), 인쇄회로기판(100)이 도시되어 있다.
도 3a의 S21단계는 도 3b의 (a)에 해당하는 것으로서 관통홀(38)이 형성된 절연기판(31) 일면에 테이프(32)를 부착하고, 관통홀(38) 내부의 테이프(32)에 베어칩(33)을 전극 패드(34) 방향으로 부착하는 단계이다
절연기판(31)은 일반적으로 프리프레그(Prepreg)를 사용하는 것이 바람직하다. 프리프레그는 레진과 유리섬유를 혼합한 것으로서 인쇄회로기판의 절연 재료로 일반적으로 사용된다. 그러나 절연의 목적을 달성할 수 있다면 절연기판(31)로 다른 재료를 사용하더라도 무방하다.
이러한 절연기판(31)이 준비되면 베어칩(33)이 삽입될 관통홀(38)을 천공한다. 천공 방법으로는 기계적 드릴이 바람직하다. 관통홀(38)은 베어칩(33)이 삽입될 공간보다 조금 더 크게 형성하는 것이 바람직하며, 과도하게 크게 형성할 필요는 없다. 과도한 크기의 관통홀(38)은 베어칩(33)이 삽입된 이후 빈 공간을 채울 충진재(35)를 많이 필요로 하게 되며, 절연기판(31)의 강도를 떨어뜨릴 우려가 있다.
이후 절연기판(31)에 테이프(32)를 부착한다. 테이프(32)는 적어도 일면이 접착성이 있는 것이 바람직하다. 이는 절연기판(31)과 쉽게 접착하고 관통홀(38) 내부에 베어칩(33)을 고정하기 위함이다.
테이프(32)가 절연기판(31) 일면에 부착되면 개방된 관통홀(38) 타면으로 베어칩(33)을 삽입하여 테이프(32)에 부착 고정한다. 이때 베어칩(33)의 전극 패드(34)를 테이프(32) 방향으로 하는 것이 중요하다. 이는 후에 금속층(36)을 전극 패드(34) 상면에 형성하기 위함이다.
베어칩(33)은 웨이퍼에서 잘라낸 칩으로 패키징 직전의 상태이다. 도 4에 도시된 바와 같이 베어칩(33)의 일면에는 외부 전극과 연결될 전극 패드(34)가 다수 형성되어 있다.
도 3a의 S22 단계는 도 3b의 (b), (c)에 해당하는 것으로서, 관통홀(38) 내부에 충진재(35)를 채우고, 테이프(32)를 제거하는 단계이다.
S21단계에서 베어칩(33)이 테이프(32) 면에 부착 고정되면, 이후 충진재(35)를 관통홀(38) 내부에 채운다. 충진재(35)로는 에폭시를 일반적으로 사용하나, 절연성 및 접착성의 성질을 가진 재료라면 다른 것을 사용하더라도 무방하다.
이후 충진재(35)가 경화되면, 테이프(32)를 제거한다. 테이프(32)가 제거된 면은 도 3b의 (c)와 같이 베어칩(33)의 전극 패드(34)가 외부로 노출되게 된다.
도 3a의 S23단계는 금속층(36)을 형성하는 단계로, 도 3b의 (d), (e)에 해당한다. 금속층(36)는 전극 범프(39)를 형성하기 위한 정도로 두껍게 도금하여야한 다.
따라서, 무전해 도금이나 스퍼터(Sputter)를 이용하여 시드층(Seed layer)이 될 확산 방지층(36a)을 형성한다. 확산 방지층(36a)은 시드층의 역할뿐만 아니라 확산 방지층(36a) 상면에 도금될 후막(36b)과 전극 패드(34) 사이에 발생하는 확산을 방지하는 역할도 한다.
일반적으로 전극 패드(34)는 알루미늄이 사용되며, 후막(36b)은 구리가 사용된다. 알루미늄과 구리는 금속의 속성상 직접 접촉할 경우 경계면에서 확산(diffusion)이 일어나 응력에 쉽게 부서지는 성질이 있다.
따라서, 상기와 같은 확산 방지층(36a)은 필수적이라 하겠다. 이러한 확산 방지층(36a)은 티타늄이 일반적으로 사용된다. 그러나, 동일한 목적을 달성할 수 있는 금속이라면 다른 재료를 사용하더라도 크게 문제가 되지 않는다.
티타늄으로 확산 방지층(36a)을 형성할 경우 액상에서 석출이 어렵기 때문에 스퍼터 등의 드라이 프로세스(Dry process)를 이용하여 형성하는 것이 일반적이다.
이러한 확산 방지층(36a)이 형성되면 전해 도금을 활용하여 상대적으로 단시간에 후막(5μm)을 형성한다.
도 3b의 (f)는 도 3a의 S24단계에 해당하는 것으로서 확산 방지층(36a)과 후막(36b)을 포함하는 금속층(36)을 사진 식각(Phatolithography) 공정으로 에칭 가공하여 절연기판(31) 및 충진재(35)에 베어칩(33)이 내장된 상태로 전극 범프(39)를 형성하게 된다. 이로서 인쇄회로기판(100)이 완성된다. 한편 에칭시 회로 패턴 을 동시에 형성할 수 있다.
이상의 도 3b의 제조 공정은 서브트렉티브(Subtractive) 공법에 의한 것이나,세미 에디티브(Semi-additive) 공법을 이용하여 동일한 목적을 달성할 수 있는 바 이하에서는 세미 에디티티브 공법을 이용한 방법을 상세히 설명하겠다.
도 5는 본 발명의 바람직한 제4 실시예에 따른 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 방법의 개념도이다. 도 5를 참조하면, 절연기판(31), 베어칩(33), 전극 패드(34), 충진재(35), 확산 방지층(36a), 후막(36b), 금속층(36), 전극 범프(39), 드라이 필름(41), 패턴(44), 회로 패턴(49), 인쇄회로기판(100)이 도시되어 있다.
본 실시예는 도 3b의 (d) 단계까지는 도 3b의 실시예와 동일하므로 생략한다. 이후의 공정을 설명하면 다음과 같다.
도 5의 (g)단계는 확산 방지층(36a) 상면에 감광성의 드라이 필름(41)을 부착하고, 노광 및 현상 공정을 거친 후 패턴(44)을 형성한 형태를 보여준다. 이때, 본 실시예에서는 회로 패턴(49)과 전극 범프(39)가 형성될 부분을 동시에 현상한다.
현상된 부분에는 확산 방지층(36a)가 드러나게 된다. 확산 방지층(36a)는 금속층이므로 이후 도 5의 (h)단계에서 전해 도금으로 후막(36b)를 형성한다.
이후 드라이 필름(41)을 제거한 뒤(도 5의 (i)), 에칭을 하여 확산 방지층(36a)를 제거(도 5의 (j))하면 전극 패드(34) 표면에는 전극 범프(39)가 형성되고, 절연기판(31) 상면에는 회로 패턴(49)가 형성된다.
이상의 서브트렉티브 공법과 세미 에디티브 공법은 모두 회로 패턴을 형성하기 위한 일반적인 방법이다. 베어칩의 전극 범프는 이러한 공정을 진행하는 도중에 자연스럽게 형성되게 되어 별도의 전극 범프를 형성하기 위한 공정이 필요하지 않게 된다.
도 3b의 (f)와 도 5의 (j)의 인쇄회로기판(100)은 RCC(Resin Coated Copper)나 프리프레그(Prepreg)를 이용하여 적층 공정을 계속 진행할 수 있다. 또한 적층 후 레이져 드릴이나 기계적 드릴을 이용하여 비아를 형성하고, 비아 내부를 도금하여 전극 범프와 회로 패턴을 연결하는 배선공정이 완료되면 베어칩이 내장된 인쇄회로기판이 완성된다.
도 6은 본 발명의 바람직한 제5 실시예에 따른 베어칩이 내장된 인쇄회로기판의 단면도이다. 도 6을 참조하면 절연기판(31), 베어칩(33), 전극 패드(34), 충진재(35), 금속층(36), 확산 방지층(36a), 후막(36b), 관통홀(38), 전극 범프(39), 인쇄회로기판(100)이 도시되어 있다.
절연기판(31) 내부의 관통홀(38)은 충진재로 채워져 있다. 절연기판(31)은 프리프레그(Prepreg)를 일반적으로 사용한다. 관통홀(38)은 기계적인 방법으로 형성하는 것이 바람직하다. 관통홀(38) 내부는 충진재(35)가 채워져 있으며, 충진재(35)는 에폭시를 사용할 수 있다. 충진재(35)는 절연성 및 접착성을 동시에 가지는 것이 바람직하다.
한편, 충진재(35) 내부에는 베어칩(33)이 내장되어 있다. 베어칩(33)은 전극 패드(34)가 형성된 면이 충진재(35) 표면으로 드러나는 것이 바람직하다. 전극 패드 상면에는 전극 범프(39)가 형성되어 있다. 결과적으로 전극 범프(39)는 인쇄회로기판(100) 표면에 돌출된 형상이 된다. 이와 같은 형상은 이후 적층 공정시 적층 되는 절연기판 내부에 전극 펌프(39)가 돌출되므로 레이져 드릴 등의 가공으로 비교적 쉽게 비아홀을 형성할 수 있다.
전극 범프(39)는 금속층으로 2개 이상의 층이 결합되는 것이 바람직한데, 전극 패드(34)와 접촉하는 확산 방지층(36a)과 확산 방지층(36a) 상면에 위치하는 후막(36b)을 포함할 수 있다. 특히 확산 방지층(36a)는 티타늄 등의 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 티타늄은 전극 패드(34)의 일반적인 재질인 알루미늄과 후막(36b)의 일반적 재질인 구리 사이에 위치하여 확산(Diffusion)이 일어나는 것을 방지한다. 구리와 알루미늄 사이에 확산이 일어날 경우 접촉면이 깨어질 수 있다.
후막(36b)은 일반적으로 전해 도금으로 형성되는 데, 전해 도금은 비교적 단시간에 두꺼운 층을 형성할 수 있는 장점이 있다. 이러한 후막(36b)은 일반적으로 구리층으로 이루어진다. 그러나 동일한 효과를 나타낸다면 다른 금속을 사용하는 것도 가능할 것이다.
본 발명의 기술 사상이 상술한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상술한 실시예는 그 설명을 위한 것이지 그 제한을 위한 것이 아니며, 본 발명의 기 술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
이와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 기존의 베어칩 상태에서 진행되던 재배선 공정을 인쇄회로기판의 일반 제조공정 라인에서 진행하는 것을 가능하게 하여 공정의 단순화 및 저비용의 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 양산체제를 구축할 수 있는 장점이 있다.

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. (a) 관통홀이 형성된 절연기판 일면에 테이프를 부착하고, 상기 관통홀 내부의 테이프에 베어칩을 전극 패드 방향으로 부착하는 단계;
    (b) 상기 관통홀 내부에 충진재를 채우고, 상기 테이프를 제거하는 단계;
    (c) 상기 테이프가 제거된 면의 상기 절연기판 및 상기 충진재 표면에 금속층을 적층하는 단계; 및
    (d) 상기 금속층의 일부를 제거하여 전극 범프를 형성하는 단계를 포함하는 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서,
    상기 (c)단계는,
    (c1) 절연기판 일면에 확산 방지층을 적층하는 단계;
    (C2) 상기 확산 경제층 상면에 후막을 적층하는 단계를 포함하는 베어칩 내장형 인쇄회로기판의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 관통홀이 형성된 절연기판과;
    상기 관통홀 내부를 채우는 충진재와;
    일면에 형성된 전극 패드가 상기 충진재 표면으로 노출되도록 상기 충진재에 내장된 베어칩과;
    상기 전극 패드의 표면에 부착된 전극 범프를 포함하는 베어칩 내장형 인쇄회로기판에 있어서,
    상기 전극 범프는 상기 전극 패드 표면에 위치하는 확산 방지층과 상기 확산 방지층의 표면에 적층되는 후막을 포함하는 베어칩 내장형 인쇄회로기판.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 확산 방지층은 티타늄을 포함하는 베어칩 내장형 인쇄회로기판.
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