JPS5933891A - 磁気抵抗効果型磁気センサ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気抵抗効果型磁気センサー（以下ＭＲセンサ
ーと言う）に係り、さらに詳しくは基板上に形成される
磁気抵抗効果素子薄膜（ＭＲ薄膜）が膜剥れを生じるこ
とを防止し、かつ磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）の性能
を充分に発揮できるようにしたＭＲセンサーに関するも
のである。

ＭＲセンサーはガラス等の基板上にＭＲ素子薄膜を蒸着
等の手段で形成し、さらにその上にアルミニウムなどの
金属薄膜を形成し、フオ）　ＩＪソ工程やエツチング工
程を経てＭＲ素子の感知部分と電極部とを形成したもの
である。

第１図に一般的なＭＲセンサーの断面を示す。

第１図において符号１で示すものはガラス等からなる基
板でその側面にはＭＲ素子薄膜２が全面にわたって形成
されている。

このＭＲ素子薄膜２の上側にはアルミニウム等の金属薄
膜３が全面（二わたって形成され、エツチング工程等に
より、感知部ａに対向する部分の金属薄膜３を除去し、
残りの金属薄膜３を電極部すとしである。

一方、第２図には外部ノイズの磁気抵抗変化の検出時に
与える影響を小さくした構造のＭＲセンサーが示されて
いる。

第２図中、第１図と同一部分には同一符号を付しである
。

第２図（二示す例にあっては、基盤１上にパーマロイ等
から成る磁気遮蔽層４を形成し、その上に８１０２等の
絶縁層５を形成し、その上（ユＭＲ素子薄膜２及び金属
薄膜３を形成し、さらにその上側に絶縁層５．及び磁気
遮蔽層４を形成した構造となっている。

このような構造を採用すると外部ノイズの影響を小さく
することはできるが、磁気遮蔽層４を基板１上（−形成
した後の工程中（二基板１とＭＲ素子薄膜２あるいは基
板１と磁気遮蔽層４との間で膜剥れが生じ、特に多層構
造となるほどこの傾向が強まり素子の歩留りが悪くなる
という問題が生じた。

この問題を解決する為（二基板１の表面を粗面化した後
ＭＲ素子薄膜２を形成する方法が提案された。

この方法を採用すると膜剥れは生じなくなるが、ＭＲ素
子薄膜の面精度も粗くなるため保磁力Ｈｃが０３ないし
］、８０ｅ（エールステッド）であったものが、２０な
いし７００ｅとなりＭＲ素子としての特性が著しく低下
するという欠点がある。

（３） 本発明は、以］二のような従来の欠点を除去するために
なされたもので膜剥れを防止すると共にＭＲ素子の性能
を充分に発揮できるように構成した磁気センサーを提供
することを目的としている。

本発明においては上記の目的を達成するため（二基板表
面のＭＲ素子感知部以外の部分の面精度をＭＲ素子感知
部が形成される部分に比して粗く形成した構造を採用し
た。

以下、図面に示す実施例に基いて本発明の詳細な説明す
る。

第３図及び第４図は本発明の一実施例を説明するもので
、各図中第１図及び第２図と同一部分あるいは対向する
部分には同一符号を付し、その説明は省略する。

本実施例にあってはガラスから成る基板１の全体として
の面精度を例えば００２μｍとし、ＭＲ素子感知部６に
対向する部分を）第１・レジスト等を塗布することによ
り保護し、それ以外の部分を例えばフッ酸系のエツチン
グ液でエツチングを行い、０５ないし１０μｍ程度の面
精度に粗面化してい（４） る。

このよう（ニして第３図ζ二足すように大面積の基板上
に高い面精度を持つ部分と、粗面化部分とを形成し、Ｍ
Ｒ素子薄膜を蒸着等の手段で形成し、第４図に示すよう
にＭＲ素子感知部７と電極部８とを形成し、ＭＲセンサ
ーを得る。

このような構造を採用するとＭＲ素子感知部の面精度は
高い面精度を持ち、感知部の保磁力比は０３ないし１８
０ｅと変化せず、しかも感知部以外のＭＲ素子薄膜の形
成される部分は粗面化しであるため、ＭＲ素子薄膜の剥
離は生じない。

第５図は本発明の他の実施例を説明するもので本実施例
にあっては基板１のＭＲ素子の感知部７に対向する部分
以外の面精度を粗くし、磁気遮蔽層４を形成してパター
ニングした後、絶縁層を形成し、その上にＭＲ素子薄膜
及び金属薄膜を形成し、エツチング工程により感知部７
と電極部８を形成しである。

そして、ＭＲ素子と金属薄膜の上側は絶縁層と磁気遮蔽
層を形成し、第２図に示したような多層構造のＭＲセン
サーを得る。

このような構造を採用すれば、磁気遮蔽層つきのＭＲセ
ンサーは製造工程の途中でも磁気遮蔽層と基板との間で
脱離れが生じにくく、かつ、素子感知部の面精度は高い
精度を保っているため、保磁力が変化せず磁気特性をそ
こなわずＣ二維持することができる。

なお、磁気遮蔽層については、ＭＲ素子の上下の両側だ
けではなく、片仰１のみであっても良く、磁気遮蔽層を
パターニングせずそのまま絶縁層を維持することも可能
である。

以上の説明から明らかなように、基板のＭＲ素子の磁気
信号の感知部以外に対向する部分を該基板のＭＲ素子の
感知部に対向する部分により粗面化した構造を採用して
いるため、ＭＲ素子の磁気特性をそこなうことなく、か
つＭＲ素子薄膜または磁気遮蔽層と基板との間の膜はが
れを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来のそれぞれ異なった、Ｉｌｊ
、ｌ、造例を説明する一部拡大断面図、第３図および第
４図は本発明の一実施例を説明するもので、第）黍 ３図に分割前の基板の平面図、第４図は分割後の基板の
平面図、第５図は本発明の他の実施例を説明する平面図
である。 １・基板　　　　　　　　２・・・ＭＲ素子薄膜３・・
金属薄膜　　　　　　４・・・絶縁層５・・磁気遮蔽層 （７） 手　糸プ己　補　ｊ−、Ｅ　　書　（自発）昭和５７年
１０月１３日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和　５７　年　特許願　第　１４２６２３　　号２、
発明の名称 磁気抵抗効果型磁気センサー ３、補正をする渚 事件との関係　　　特許出願人 名　　称　　　　　（１００）　　キャノン株式会社４
、代理人　　　　　電話　０３　（２ａ８）２４８１　
（（（０６、補正の内容 別紙の通り 補正の内容 １）明＋ｍｌｌ書第２頁第８行目の「側面」を「表面」
に訂正する。 ２）同第２頁第２０行目の「ス（盤」を「基板」に訂１
卜する。 ３）同第３頁第１４行目の「素子薄膜２」を「素子薄膜
２あるいは磁気じゃ間層４」に訂正する。 ４）同第６頁第１ｏ行目の「絶縁層を」を「絶縁層−に
に」に訂正する。 ５）同第６頁第１４行目の「部分により」を「部分より
も」に訂正する。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に磁気抵抗効果素子を形成した磁気抵抗効
   果型磁気センサーにおいて、前記基板の磁気抵抗効果素
   子の磁気信号の感知部以外に対向する部分を前記基板の
   磁気抵抗効果素子の感知部に対向する部分よりも粗面化
   したことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気センサー。
2. （２）前記磁気抵抗効果素子に磁気遮蔽層を設けるよう
   にしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
   磁気抵抗効果型磁気センサー。