JPH0618055B2 - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH0618055B2 JPH0618055B2 JP59217003A JP21700384A JPH0618055B2 JP H0618055 B2 JPH0618055 B2 JP H0618055B2 JP 59217003 A JP59217003 A JP 59217003A JP 21700384 A JP21700384 A JP 21700384A JP H0618055 B2 JPH0618055 B2 JP H0618055B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- magnetic head
- film magnetic
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は、絶縁層、導体層、上部コア用としての磁性層
等が積層される強磁性体基板の一側面側に溝を形成し、
その溝にガラスを充填した構造の薄膜磁気ヘッドに関す
るものである。
等が積層される強磁性体基板の一側面側に溝を形成し、
その溝にガラスを充填した構造の薄膜磁気ヘッドに関す
るものである。
(ロ)従来の技術 例えば、第３図は２つの導体層を積層した構造の一般的
な薄膜磁気ヘッドを示し、斯る薄膜磁気ヘッドは以下の
工程を経て作製される。即ち、フェライト等よりなる下
部コア用としての強磁性体基板(1)上に第１絶縁層(2)
（例えば、厚さ５KÅのＳｉＯ２）を形成する工程→第
１導体層(3)（例えば、上下に接着層として厚さ１KÅの
Ｔｉを有する厚さ１０KÅのＣｕ）を形成する工程→第
２絶縁層(4)（例えば、厚さ１０KÅのＳｉＯ２）を形成
する工程→第２導体層(5)（例えば、上下に接着層とし
て厚さ１KÅのＴｉを有する厚さ１０KÅのＣｕ）を形成
する工程→第３絶縁層(6)（例えば、厚さ１０KÅのＳｉ
Ｏ２）を形成する工程→上下コア接続用スルーホール
(7)を形成する工程→ギャップ形成用の第４絶縁層(8)
（例えば、厚さ１０KÅのＳｉＯ２）を形成する工程→
上部コア用としての磁性層(9)を形成する工程等を経て
作製される。ここで、各層は蒸着、スパッタ等の既成の
薄膜形成技術を用いて形成し、またそのパターン化は既
成の写真蝕刻技術を用いて必要部分をレジストで覆い、
プラズマ、イオンビーム及び腐食溶液を用いて不要部分
を除去することによって行なう。尚、第１導体層(3)に
はＡＣバイアスが供給され、第２導体層(5)には所望の
信号が供給される。
な薄膜磁気ヘッドを示し、斯る薄膜磁気ヘッドは以下の
工程を経て作製される。即ち、フェライト等よりなる下
部コア用としての強磁性体基板(1)上に第１絶縁層(2)
（例えば、厚さ５KÅのＳｉＯ２）を形成する工程→第
１導体層(3)（例えば、上下に接着層として厚さ１KÅの
Ｔｉを有する厚さ１０KÅのＣｕ）を形成する工程→第
２絶縁層(4)（例えば、厚さ１０KÅのＳｉＯ２）を形成
する工程→第２導体層(5)（例えば、上下に接着層とし
て厚さ１KÅのＴｉを有する厚さ１０KÅのＣｕ）を形成
する工程→第３絶縁層(6)（例えば、厚さ１０KÅのＳｉ
Ｏ２）を形成する工程→上下コア接続用スルーホール
(7)を形成する工程→ギャップ形成用の第４絶縁層(8)
（例えば、厚さ１０KÅのＳｉＯ２）を形成する工程→
上部コア用としての磁性層(9)を形成する工程等を経て
作製される。ここで、各層は蒸着、スパッタ等の既成の
薄膜形成技術を用いて形成し、またそのパターン化は既
成の写真蝕刻技術を用いて必要部分をレジストで覆い、
プラズマ、イオンビーム及び腐食溶液を用いて不要部分
を除去することによって行なう。尚、第１導体層(3)に
はＡＣバイアスが供給され、第２導体層(5)には所望の
信号が供給される。
この様な薄膜磁気ヘッドでは各導体層(3)(5)に流れる電
流によって生じる磁束を、上下コア用としての強磁性体
基板(1)と磁性層(9)とによって媒体対接面側に誘導する
ようになっているが、各導体層(3)(5)が積層される部分
において強磁性体基板(1)と磁性層(9)との間隔（インナ
ー・ギャップ）ｌが１０μｍ以下と小さいため、この部
分で磁束漏れが発生し媒体対接面側に充分な磁束誘導が
できないと謂う問題が発生していた。
流によって生じる磁束を、上下コア用としての強磁性体
基板(1)と磁性層(9)とによって媒体対接面側に誘導する
ようになっているが、各導体層(3)(5)が積層される部分
において強磁性体基板(1)と磁性層(9)との間隔（インナ
ー・ギャップ）ｌが１０μｍ以下と小さいため、この部
分で磁束漏れが発生し媒体対接面側に充分な磁束誘導が
できないと謂う問題が発生していた。
そのため、第５図に示すような薄膜磁気ヘッドが提案さ
れており、斯る薄膜磁気ヘッドでは強磁性体基板(1)の
一側面側に溝（１ａ）を形成し、その溝（１ａ）にガラ
ス(10)の充填を行ない平面研磨を行なって該ガラス充填
面と基板面とを同一面とした後、その上に上記した各工
程にて各絶縁層(2)(4)(6)(8)、各導体層(3)(5)並びに磁
性層(9)等を積層したもので、インナー・ギャップが大
きくなるため磁束漏れの少ないヘッドが得られる。
れており、斯る薄膜磁気ヘッドでは強磁性体基板(1)の
一側面側に溝（１ａ）を形成し、その溝（１ａ）にガラ
ス(10)の充填を行ない平面研磨を行なって該ガラス充填
面と基板面とを同一面とした後、その上に上記した各工
程にて各絶縁層(2)(4)(6)(8)、各導体層(3)(5)並びに磁
性層(9)等を積層したもので、インナー・ギャップが大
きくなるため磁束漏れの少ないヘッドが得られる。
(ハ)発明が解決しようとする問題点 ところが、第５図に示す様な斯る薄膜磁気ヘッドでは、
その各絶縁層として一般的なＳｉＯ２を用いた場合その
上下コア接続用スルーホール形成時のＳｉＯ２エッチャ
ントによって第１、第２、第３絶縁層(2)(4)(6)と共に
溝（１ａ）に充填されたガラス(10)も一緒に侵食される
ため、実際には第６図の如くそのデプス・エンド部に窪
みを有する不都合な形状の薄膜磁気ヘッドになってい
た。そのため、この様な薄膜磁気ヘッドでは第１絶縁層
(2)をＡｌ２Ｏ２等のＳｉＯ２エッチャント（ＣＦ４ガ
ス或いは沸酸等）による侵食の少ない材質のものとし、
斯る第１絶縁層(2)をギャップ形成層とし用いることも
考えられているが、ギャップ長制御の観点から上記した
工程の様に上部コア用の磁性層(9)形成直前に別途の第
４絶縁層(8)によってギャップ形成を行なうことが望ま
しい（特公昭５８−５６１６２号公報参照）。
その各絶縁層として一般的なＳｉＯ２を用いた場合その
上下コア接続用スルーホール形成時のＳｉＯ２エッチャ
ントによって第１、第２、第３絶縁層(2)(4)(6)と共に
溝（１ａ）に充填されたガラス(10)も一緒に侵食される
ため、実際には第６図の如くそのデプス・エンド部に窪
みを有する不都合な形状の薄膜磁気ヘッドになってい
た。そのため、この様な薄膜磁気ヘッドでは第１絶縁層
(2)をＡｌ２Ｏ２等のＳｉＯ２エッチャント（ＣＦ４ガ
ス或いは沸酸等）による侵食の少ない材質のものとし、
斯る第１絶縁層(2)をギャップ形成層とし用いることも
考えられているが、ギャップ長制御の観点から上記した
工程の様に上部コア用の磁性層(9)形成直前に別途の第
４絶縁層(8)によってギャップ形成を行なうことが望ま
しい（特公昭５８−５６１６２号公報参照）。
(ニ)問題点を解決するための手段 本発明は上記した問題点を解決するために、強磁性体基
板の一側面側に溝を形成し、その溝にガラス充填を行な
い平面研磨を行なって該ガラス充填面と基準面とを同一
面とした後、その上に絶縁層、導体層及び上部コア用と
しての磁性層等を積層してなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、上部コア用としての磁性層が積層されるガラス充填
面の媒体対接面側端部を被覆するように導体層を形成し
たものである。
板の一側面側に溝を形成し、その溝にガラス充填を行な
い平面研磨を行なって該ガラス充填面と基準面とを同一
面とした後、その上に絶縁層、導体層及び上部コア用と
しての磁性層等を積層してなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、上部コア用としての磁性層が積層されるガラス充填
面の媒体対接面側端部を被覆するように導体層を形成し
たものである。
(ホ)作用 本発明薄膜磁気ヘッドの導体層は、上部コア用としての
磁性層が積層されるガラス充填面の媒体対接面側端部を
被覆するように形成されており、その後の上下コア接続
用スルーホール形成時のＳｉＯ２エッチングにて溝に充
填されたガラスが侵食されないように作用する。
磁性層が積層されるガラス充填面の媒体対接面側端部を
被覆するように形成されており、その後の上下コア接続
用スルーホール形成時のＳｉＯ２エッチングにて溝に充
填されたガラスが侵食されないように作用する。
(ヘ)実施例 以下、本発明の一実施例を図面と共に説明する。尚、従
来と同一構成要素については同一図番を附すと共にその
説明を省略する。
来と同一構成要素については同一図番を附すと共にその
説明を省略する。
即ち、本発明では前記した第１導体層(3)の形成時に上
部コア用としての磁性層(9)が積層されるガラス充填面
の媒体対接面側端部を該第１導体層(3)にて被覆させる
と共に、その後の上下コア接続用スルーホール形成時に
行なわれるＳｉＯ２エッチングをＣｕよりなる第１導体
層(3)をエッチングしないＣＦ４ガスを用いたプラズマ
・エッチングにて行なわせるようにしたものである。
部コア用としての磁性層(9)が積層されるガラス充填面
の媒体対接面側端部を該第１導体層(3)にて被覆させる
と共に、その後の上下コア接続用スルーホール形成時に
行なわれるＳｉＯ２エッチングをＣｕよりなる第１導体
層(3)をエッチングしないＣＦ４ガスを用いたプラズマ
・エッチングにて行なわせるようにしたものである。
即ち、第１図のものは第３絶縁層(6)の形成工程まで終
了した本発明薄膜磁気ヘッドを示し、その形成工程で第
１導体層(3)がガラス充填面の媒体対接面側端部上に形
成される点を除き、従来工程と同様である。そして、次
の上下コア接続用スルーホール形成工程で、第１図中点
線部分の第１、第２、第３絶縁層(2)(4)(6)をパターン
化したレジスト或いはＣｒ等のメタルマスクを用いてＣ
Ｆ４ガス使用のプラズマエッチングにより除去して、上
下コア接続用スルーホール(7)を形成する。ここで、ギ
ャップ形成側のスルーホール(7)はガラス充填面より媒
体対接面側に飛び出した第１導体層(3)に掛かるように
形成されるが、第１導体層としてＣＦ４ガスでエッチン
グされないＣｕを使用しているため別に問題はなく、従
って該第１導体層(3)下部の溝充填用ガラスがエッチン
グされることもない。そして、その後ギャップ形成用の
第４絶縁層(8)並びに上部コア用の磁性層(9)を形成する
ことによって第２図に示す様な薄膜磁気ヘッドが完成す
る。
了した本発明薄膜磁気ヘッドを示し、その形成工程で第
１導体層(3)がガラス充填面の媒体対接面側端部上に形
成される点を除き、従来工程と同様である。そして、次
の上下コア接続用スルーホール形成工程で、第１図中点
線部分の第１、第２、第３絶縁層(2)(4)(6)をパターン
化したレジスト或いはＣｒ等のメタルマスクを用いてＣ
Ｆ４ガス使用のプラズマエッチングにより除去して、上
下コア接続用スルーホール(7)を形成する。ここで、ギ
ャップ形成側のスルーホール(7)はガラス充填面より媒
体対接面側に飛び出した第１導体層(3)に掛かるように
形成されるが、第１導体層としてＣＦ４ガスでエッチン
グされないＣｕを使用しているため別に問題はなく、従
って該第１導体層(3)下部の溝充填用ガラスがエッチン
グされることもない。そして、その後ギャップ形成用の
第４絶縁層(8)並びに上部コア用の磁性層(9)を形成する
ことによって第２図に示す様な薄膜磁気ヘッドが完成す
る。
(ト)発明の効果 上述した如く本発明に依れば、下部コア用としての強磁
性体基板の一側面側に溝を形成し、その溝にガラス充填
を行ない平面研磨を行なって該ガラス充填面と基板面と
を同一面とした後、その上に絶縁層、導体層及び上部コ
ア用としての磁性層等を積層してなる薄膜磁気ヘッドに
おいて、上部コア用としての磁性層が積層されるガラス
充填面の媒体対接面側端部を被覆するように導体層を形
成したので、その後の上下コア接続用スルーホール形成
時のガラス侵食を防止することが出来、良好な磁気特性
を有する薄膜磁気ヘッドを作製することが出来る。ま
た、本発明ではデプス・エンドが比較的膜の薄い導体層
で決定されるため、デプス・エンド位置が制御し易く、
更に電気的な導通・遮断によりデプスを測定するデプス
モニター用のパターンをデプスエンドを決定する導体層
と同時形成することが出来るので高精度のデプス測定が
可能となる。
性体基板の一側面側に溝を形成し、その溝にガラス充填
を行ない平面研磨を行なって該ガラス充填面と基板面と
を同一面とした後、その上に絶縁層、導体層及び上部コ
ア用としての磁性層等を積層してなる薄膜磁気ヘッドに
おいて、上部コア用としての磁性層が積層されるガラス
充填面の媒体対接面側端部を被覆するように導体層を形
成したので、その後の上下コア接続用スルーホール形成
時のガラス侵食を防止することが出来、良好な磁気特性
を有する薄膜磁気ヘッドを作製することが出来る。ま
た、本発明ではデプス・エンドが比較的膜の薄い導体層
で決定されるため、デプス・エンド位置が制御し易く、
更に電気的な導通・遮断によりデプスを測定するデプス
モニター用のパターンをデプスエンドを決定する導体層
と同時形成することが出来るので高精度のデプス測定が
可能となる。
【図面の簡単な説明】 第１図は第３絶縁層の形成工程まで終了した本発明薄膜
磁気ヘッドの断面図、第２図は完成された本発明薄膜磁
気ヘッドの断面図、第３図及び第４図は従来方法による
薄膜磁気ヘッドの平面図及びＸ−Ｘ′断面図、第５図は
他の従来方法による薄膜磁気ヘッドの断面図、第６図は
その薄膜磁気ヘッドの問題点を示す断面図である。 (1)……強磁性体基板、(2)(4)(6)(8)……第１、第２、
第３、第４絶縁層、(3)(5)……第１、第２導体層、(9)
……磁性層。
磁気ヘッドの断面図、第２図は完成された本発明薄膜磁
気ヘッドの断面図、第３図及び第４図は従来方法による
薄膜磁気ヘッドの平面図及びＸ−Ｘ′断面図、第５図は
他の従来方法による薄膜磁気ヘッドの断面図、第６図は
その薄膜磁気ヘッドの問題点を示す断面図である。 (1)……強磁性体基板、(2)(4)(6)(8)……第１、第２、
第３、第４絶縁層、(3)(5)……第１、第２導体層、(9)
……磁性層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 健雄 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 奥田 裕之 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】下部コア用としての強磁性体基板の一側面
側に溝が形成され、該溝にはガラスが充填され、その上
に絶縁層、導体層、絶縁層及び上部コア用としての磁性
層等が積層されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記導体層が、前記溝の媒体対接面側端部を被覆するよ
うに形成されている事を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217003A JPH0618055B2 (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217003A JPH0618055B2 (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194211A JPS6194211A (ja) | 1986-05-13 |
| JPH0618055B2 true JPH0618055B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=16697294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59217003A Expired - Lifetime JPH0618055B2 (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618055B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4616229B2 (ja) | 2006-09-29 | 2011-01-19 | 本田技研工業株式会社 | 多気筒内燃機関 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54118214A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of thin film magnetic head |
| JPS5593519A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| JPS57123516A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-film magnetic head |
| JPS58108017A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP59217003A patent/JPH0618055B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54118214A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of thin film magnetic head |
| JPS5593519A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| JPS57123516A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-film magnetic head |
| JPS58108017A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6194211A (ja) | 1986-05-13 |
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