JPH0620226A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0620226A JPH0620226A JP4173346A JP17334692A JPH0620226A JP H0620226 A JPH0620226 A JP H0620226A JP 4173346 A JP4173346 A JP 4173346A JP 17334692 A JP17334692 A JP 17334692A JP H0620226 A JPH0620226 A JP H0620226A
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- film
- lower magnetic
- gap layer
- insulating film
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Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一対の上部磁性膜及び下部磁性膜とコイルパ
ターンとの間に絶縁膜を形成する薄膜磁気ヘッド及びそ
の製造方法に関し、トラック幅寸法を高精度に形成す
る。 【構成】 絶縁膜４ａを下部磁性膜２のトラック幅方向
両側に下部磁性膜２に当接して配設する。下部磁性膜２
のトラック幅方向両側の絶縁膜４ａ上面は、下部磁性膜
２上面に対し略平坦、若しくは下部磁性膜２上面より突
出するよう形成される。且つ、ギャップ層５ａを介して
下部磁性膜２上面及び下部磁性膜２のトラック幅方向両
側の絶縁膜４ａ上面の夫々上方に上部磁性膜６ｆを配設
する。
ターンとの間に絶縁膜を形成する薄膜磁気ヘッド及びそ
の製造方法に関し、トラック幅寸法を高精度に形成す
る。 【構成】 絶縁膜４ａを下部磁性膜２のトラック幅方向
両側に下部磁性膜２に当接して配設する。下部磁性膜２
のトラック幅方向両側の絶縁膜４ａ上面は、下部磁性膜
２上面に対し略平坦、若しくは下部磁性膜２上面より突
出するよう形成される。且つ、ギャップ層５ａを介して
下部磁性膜２上面及び下部磁性膜２のトラック幅方向両
側の絶縁膜４ａ上面の夫々上方に上部磁性膜６ｆを配設
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッド及びその
製造方法に係り、特に、一対の下部磁性膜及び上部磁性
膜とコイルパターンとの間に絶縁膜を成膜する薄膜磁気
ヘッド及びその製造方法に関する。
製造方法に係り、特に、一対の下部磁性膜及び上部磁性
膜とコイルパターンとの間に絶縁膜を成膜する薄膜磁気
ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の薄膜磁気ヘッドの一例の要
部の斜視図である。図５において、コイルパターン３と
一対の下コア２及び上コア６がウェーハ１上に形成さ
れ、コイルパターン３と下コア２、上コア６夫々は層間
絶縁膜４により絶縁されている。また、下コア２と上コ
ア６との間には非磁性材によりギャップ層５が形成され
ている。
部の斜視図である。図５において、コイルパターン３と
一対の下コア２及び上コア６がウェーハ１上に形成さ
れ、コイルパターン３と下コア２、上コア６夫々は層間
絶縁膜４により絶縁されている。また、下コア２と上コ
ア６との間には非磁性材によりギャップ層５が形成され
ている。
【０００３】図示しない記録媒体を下コア２、上コア６
及びギャップ層５の各側面により構成される記録媒体対
向面８に対して矢印Ｙ1 −Ｙ2 方向に移動させ、薄膜磁
気ヘッド１０によって磁気記録再生が行われる。したが
って、ギャップ層５の下コア２と上コア６に挟まれた部
分の寸法がトラック幅となる。
及びギャップ層５の各側面により構成される記録媒体対
向面８に対して矢印Ｙ1 −Ｙ2 方向に移動させ、薄膜磁
気ヘッド１０によって磁気記録再生が行われる。したが
って、ギャップ層５の下コア２と上コア６に挟まれた部
分の寸法がトラック幅となる。
【０００４】図６乃至図７は、図５の薄膜磁気ヘッド１
０の製造方法の一例の工程説明図であり、図５におい
て、記録媒体対向面８を矢印Ｘ方向から示している。
０の製造方法の一例の工程説明図であり、図５におい
て、記録媒体対向面８を矢印Ｘ方向から示している。
【０００５】初めに、図６（Ａ）においてＡｌ3 −Ｔｉ
Ｃ等のセラミックスからなるウェーハ１上に、周知のフ
ォトリソグラフィー技術により所定の形状にパターニン
グした後、例えばスパッタリング法によりパーマロイ等
のＦｅ−Ｎｉ系合金製の下コア（下部磁性膜）２を薄膜
形成する。
Ｃ等のセラミックスからなるウェーハ１上に、周知のフ
ォトリソグラフィー技術により所定の形状にパターニン
グした後、例えばスパッタリング法によりパーマロイ等
のＦｅ−Ｎｉ系合金製の下コア（下部磁性膜）２を薄膜
形成する。
【０００６】次に、コイルパターン３を渦巻き状に薄膜
形成すると共に、下コア２とコイルパターン３との間に
例えばスパッタリング法によってＳｉＯ2 等の絶縁物か
らなる層間絶縁膜４を形成する（図６（Ｂ))。以下の図
において、コイルパターン３は省略する。
形成すると共に、下コア２とコイルパターン３との間に
例えばスパッタリング法によってＳｉＯ2 等の絶縁物か
らなる層間絶縁膜４を形成する（図６（Ｂ))。以下の図
において、コイルパターン３は省略する。
【０００７】形成した層間絶縁膜４を下コア２とコイル
パターン３との絶縁を保つようパターニングし、例えば
イオンミーリング法によって下コア２近傍の層間絶縁膜
４を除去する（図６（Ｃ))。
パターン３との絶縁を保つようパターニングし、例えば
イオンミーリング法によって下コア２近傍の層間絶縁膜
４を除去する（図６（Ｃ))。
【０００８】次に、図７（Ａ）においてウェーハ１及び
下コア２上にＳｉＯ2 からなるギャップ層５を形成した
後、Ｆｅ−Ｎｉ系合金製の上コア磁性層６ａを薄膜形成
する（図７（Ｂ))。
下コア２上にＳｉＯ2 からなるギャップ層５を形成した
後、Ｆｅ−Ｎｉ系合金製の上コア磁性層６ａを薄膜形成
する（図７（Ｂ))。
【０００９】そして，ギャップ層５を介して下コア２の
上部に、下コア２と同一形状にパターニングして上コア
６（図７（Ｃ))を形成する。
上部に、下コア２と同一形状にパターニングして上コア
６（図７（Ｃ))を形成する。
【００１０】
【発明が解決しようとす課題】しかしながら上記の薄膜
ヘッド及びその製造方法によれば、上コア６を形成する
際に下コア２に対するパターニング位置が図８に破線で
示す所定位置から例えば左にずれると、「Ｌ」字状の上
コア６ｂが形成されることになる。この結果、下コア２
の左側部と、ギャップ層５を介して下コア２の左側部と
対向する上コア６ｂの垂直部６ｃとの間に発生する磁束
により磁気特性が劣化し、また、ギャップの図中左右方
向のトラック幅方向の寸法精度が劣化してが狭くなり、
効率的な記録再生が行えない。
ヘッド及びその製造方法によれば、上コア６を形成する
際に下コア２に対するパターニング位置が図８に破線で
示す所定位置から例えば左にずれると、「Ｌ」字状の上
コア６ｂが形成されることになる。この結果、下コア２
の左側部と、ギャップ層５を介して下コア２の左側部と
対向する上コア６ｂの垂直部６ｃとの間に発生する磁束
により磁気特性が劣化し、また、ギャップの図中左右方
向のトラック幅方向の寸法精度が劣化してが狭くなり、
効率的な記録再生が行えない。
【００１１】そこで、予め上コアのパターニング位置ず
れを見込んで、図７（Ｃ）に破線で示す様に少なくとも
パターニング位置ずれ寸法分だけ下コア２よりも上コア
６ｄの寸法を小さく形成することが行われている。この
方法によれば上コア６ｄが「Ｌ」字状に形成されること
はないものの、上コア６ｄのトラック幅方向の寸法が狭
くなり、効率的な記録再生が行えない問題がある。
れを見込んで、図７（Ｃ）に破線で示す様に少なくとも
パターニング位置ずれ寸法分だけ下コア２よりも上コア
６ｄの寸法を小さく形成することが行われている。この
方法によれば上コア６ｄが「Ｌ」字状に形成されること
はないものの、上コア６ｄのトラック幅方向の寸法が狭
くなり、効率的な記録再生が行えない問題がある。
【００１２】上記の点に鑑み本発明では、トラック幅方
向の寸法精度を高精度とし、磁気特性が劣化することの
ない薄膜ヘッド及びその製造方法を提供することを目的
とする。
向の寸法精度を高精度とし、磁気特性が劣化することの
ない薄膜ヘッド及びその製造方法を提供することを目的
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の問題は、ウェーハ
と、ギャップ層と、ウェーハ上でギャップ層を介装する
一対の下部磁性膜及び上部磁性膜と、下部磁性膜及び上
部磁性膜を励磁するコイルパターンと、下部磁性膜及び
上部磁性膜夫々とコイルパターンとの間に介在する絶縁
膜とを具備した薄膜磁気ヘッドにおいて、絶縁膜を下部
磁性膜のトラック幅方向両側に下部磁性膜に当接して配
設して下部磁性膜のトラック幅方向両側の絶縁膜上面が
下部磁性膜上面に対し略平坦、若しくは下部磁性膜上面
より突出するよう形成し、且つ、ギャップ層を介して下
部磁性膜上面及び下部磁性膜のトラック幅方向両側の絶
縁膜上面の夫々上方に上部磁性膜を配設することにより
解決される。
と、ギャップ層と、ウェーハ上でギャップ層を介装する
一対の下部磁性膜及び上部磁性膜と、下部磁性膜及び上
部磁性膜を励磁するコイルパターンと、下部磁性膜及び
上部磁性膜夫々とコイルパターンとの間に介在する絶縁
膜とを具備した薄膜磁気ヘッドにおいて、絶縁膜を下部
磁性膜のトラック幅方向両側に下部磁性膜に当接して配
設して下部磁性膜のトラック幅方向両側の絶縁膜上面が
下部磁性膜上面に対し略平坦、若しくは下部磁性膜上面
より突出するよう形成し、且つ、ギャップ層を介して下
部磁性膜上面及び下部磁性膜のトラック幅方向両側の絶
縁膜上面の夫々上方に上部磁性膜を配設することにより
解決される。
【００１４】また、コイルパターンと一対の下部磁性膜
及び上部磁性膜をウェーハ上に成膜し、下部磁性膜及び
上部磁性膜夫々とコイルパターンとの間に絶縁膜を成膜
する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、ウェーハ上に
下部磁性膜を覆って成膜された絶縁膜をエッチングして
下部磁性膜の上面を露出させる第１のエッチング工程
と、露出した下部磁性膜をエッチングして下部磁性膜の
トラック幅方向両側の絶縁膜上面が下部磁性膜上面に対
して略平坦、若しくは下部磁性膜上面より突出するよう
形成する第２のエッチング工程と、下部磁性膜及び絶縁
膜上にギャップ層を成膜する工程と、ギャップ層上に上
部磁性膜を成膜し下部磁性膜上面及び下部磁性膜のトラ
ック幅方向両側の絶縁膜上面夫々をギャップ層を介して
覆う工程とを含んで構成することによっても解決され
る。
及び上部磁性膜をウェーハ上に成膜し、下部磁性膜及び
上部磁性膜夫々とコイルパターンとの間に絶縁膜を成膜
する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、ウェーハ上に
下部磁性膜を覆って成膜された絶縁膜をエッチングして
下部磁性膜の上面を露出させる第１のエッチング工程
と、露出した下部磁性膜をエッチングして下部磁性膜の
トラック幅方向両側の絶縁膜上面が下部磁性膜上面に対
して略平坦、若しくは下部磁性膜上面より突出するよう
形成する第２のエッチング工程と、下部磁性膜及び絶縁
膜上にギャップ層を成膜する工程と、ギャップ層上に上
部磁性膜を成膜し下部磁性膜上面及び下部磁性膜のトラ
ック幅方向両側の絶縁膜上面夫々をギャップ層を介して
覆う工程とを含んで構成することによっても解決され
る。
【００１５】
【作用】上記夫々の構成の本発明によれば、下部磁性膜
のトラック幅方向両側の絶縁膜上面が下部磁性膜上面に
対して略平坦、若しくは下部磁性膜上面より突出形成さ
れ、下部磁性膜上面が下部磁性膜のトラック幅方向両側
の絶縁膜上面よりも突出することがないよう作用し、ま
た、下部磁性膜上面及び下部磁性膜のトラック幅方向両
側の絶縁膜上面の夫々上方にギャップ層を介して上部磁
性膜が配設され、上部磁性膜がトラック幅方向に位置ず
れしても下部磁性膜の上方には必ず上部磁性膜が配設さ
れるよう作用する。
のトラック幅方向両側の絶縁膜上面が下部磁性膜上面に
対して略平坦、若しくは下部磁性膜上面より突出形成さ
れ、下部磁性膜上面が下部磁性膜のトラック幅方向両側
の絶縁膜上面よりも突出することがないよう作用し、ま
た、下部磁性膜上面及び下部磁性膜のトラック幅方向両
側の絶縁膜上面の夫々上方にギャップ層を介して上部磁
性膜が配設され、上部磁性膜がトラック幅方向に位置ず
れしても下部磁性膜の上方には必ず上部磁性膜が配設さ
れるよう作用する。
【００１６】
【実施例】図１は、以下の図２乃至図３において説明す
る本発明の一実施例により製造される薄膜磁気ヘッド１
１の要部の斜視図である。同図中、図５と同一構成部分
には同一符号を付してある。
る本発明の一実施例により製造される薄膜磁気ヘッド１
１の要部の斜視図である。同図中、図５と同一構成部分
には同一符号を付してある。
【００１７】薄膜磁気ヘッド１１では記録媒体対向面９
にも層間絶縁膜４ａが形成され、層間絶縁膜４ａ、ギャ
ップ層５ａ及び上コア６ｆ夫々は、以下に詳述する図示
の形状とされている。パターン３と一対の下コア２及び
上コア６がウェーハ１上に形成され、コイルパターン３
と下コア２、上コア６夫々は層間絶縁膜４ａにより絶縁
されている。また、下コア２と上コア６との間には非磁
性材によりギャップ層５が形成されている。記録媒体
（図示せず）は矢印Ｙ1 −Ｙ2 方向に移動し、磁気記録
再生が行われる。
にも層間絶縁膜４ａが形成され、層間絶縁膜４ａ、ギャ
ップ層５ａ及び上コア６ｆ夫々は、以下に詳述する図示
の形状とされている。パターン３と一対の下コア２及び
上コア６がウェーハ１上に形成され、コイルパターン３
と下コア２、上コア６夫々は層間絶縁膜４ａにより絶縁
されている。また、下コア２と上コア６との間には非磁
性材によりギャップ層５が形成されている。記録媒体
（図示せず）は矢印Ｙ1 −Ｙ2 方向に移動し、磁気記録
再生が行われる。
【００１８】図２乃至図３は本発明の一実施例の工程説
明図であり、図１において、薄膜磁気ヘッド１１の記録
媒体対向面９を矢印Ｘ方向から示している。すなわち、
図中上下方向が記録媒体の移動方向、左右方向がトラッ
ク幅方向である。
明図であり、図１において、薄膜磁気ヘッド１１の記録
媒体対向面９を矢印Ｘ方向から示している。すなわち、
図中上下方向が記録媒体の移動方向、左右方向がトラッ
ク幅方向である。
【００１９】初めに、図２（Ａ）において、Ａｌ3 −Ｔ
ｉＣ等のセラミックスからなるウェーハ１上に周知のフ
ォトリソグラフィー技術により所望のトラック幅に応じ
た所定の形状寸法にパターニングした後、例えばスパッ
タリング法によりパーマロイ等のＦｅ−Ｎｉ系合金製の
下コア（下部磁性膜）２を薄膜形成する。下コア２のト
ラック幅方向の寸法は、例えば１０μｍとする。
ｉＣ等のセラミックスからなるウェーハ１上に周知のフ
ォトリソグラフィー技術により所望のトラック幅に応じ
た所定の形状寸法にパターニングした後、例えばスパッ
タリング法によりパーマロイ等のＦｅ−Ｎｉ系合金製の
下コア（下部磁性膜）２を薄膜形成する。下コア２のト
ラック幅方向の寸法は、例えば１０μｍとする。
【００２０】次に、コイルパターン３を渦巻き状に薄膜
形成すると共に、下コア２とコイルパターン３との間に
例えばスパッタリング法によってＳｉＯ2 からなる層間
絶縁膜（絶縁膜）４を形成する（図２（Ｂ))。以下の図
において、コイルパターン３は省略する。
形成すると共に、下コア２とコイルパターン３との間に
例えばスパッタリング法によってＳｉＯ2 からなる層間
絶縁膜（絶縁膜）４を形成する（図２（Ｂ))。以下の図
において、コイルパターン３は省略する。
【００２１】次に、層間絶縁膜４ａの上部に下コア２よ
り左右に例えば各２μｍづつ幅広にパターニングし、下
コア２上部の層間絶縁膜４ａをリアクティブ（反応性）
イオンエッチング法により下コア２上面に対し略垂直に
エッチングして除去し（図２（Ｃ）の第１のエッチング
工程）、下コア２上面を露出させる。このパターニング
の際には、レジスト材除去部分の断面形状が層間絶縁膜
４ａの上面に対し垂直となるようレジスト材を除去す
る。
り左右に例えば各２μｍづつ幅広にパターニングし、下
コア２上部の層間絶縁膜４ａをリアクティブ（反応性）
イオンエッチング法により下コア２上面に対し略垂直に
エッチングして除去し（図２（Ｃ）の第１のエッチング
工程）、下コア２上面を露出させる。このパターニング
の際には、レジスト材除去部分の断面形状が層間絶縁膜
４ａの上面に対し垂直となるようレジスト材を除去す
る。
【００２２】この第１のエッチング工程は、減圧された
ガラスジャー内において高周波電圧が印加された電極間
に試料を載置して第１のガスであるＣＦ4 ガスを送り込
み、プラズマ放電によりＦ原子を遊離させ、Ｆ原子がＳ
ｉＯ2 に触れることによりＳｉＦ4 （気体）となってＳ
ｉを削り取ることによりエッチングするものである。
ガラスジャー内において高周波電圧が印加された電極間
に試料を載置して第１のガスであるＣＦ4 ガスを送り込
み、プラズマ放電によりＦ原子を遊離させ、Ｆ原子がＳ
ｉＯ2 に触れることによりＳｉＦ4 （気体）となってＳ
ｉを削り取ることによりエッチングするものである。
【００２３】したがって、第１のエッチング工程におい
てはＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜４ａが選択的にエッチ
ングされ、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の下コア２上面が露出され
ても下コア２はエッチングされない。
てはＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜４ａが選択的にエッチ
ングされ、Ｆｅ−Ｎｉ系合金の下コア２上面が露出され
ても下コア２はエッチングされない。
【００２４】リアクティブイオンエッチング法では層間
絶縁膜４ａのエッチング量を正確に管理することは困難
であり、下コア２上面が露出した時点で第１のエッチン
グ工程を中止しても下コア２のトラック幅方向両側（図
中、下コア２の左右両側）に形成されるＳｉＯ2 からな
る層間絶縁膜４ａの平坦部７は、図示の如く下コア２の
上面よりも若干削り込まれるよう形成される。なお、層
間絶縁膜４ａはＳｉ3Ｎ4 により形成してもＣＦ4 ガス
により選択的にエッチング可能である。
絶縁膜４ａのエッチング量を正確に管理することは困難
であり、下コア２上面が露出した時点で第１のエッチン
グ工程を中止しても下コア２のトラック幅方向両側（図
中、下コア２の左右両側）に形成されるＳｉＯ2 からな
る層間絶縁膜４ａの平坦部７は、図示の如く下コア２の
上面よりも若干削り込まれるよう形成される。なお、層
間絶縁膜４ａはＳｉ3Ｎ4 により形成してもＣＦ4 ガス
により選択的にエッチング可能である。
【００２５】上記のとおり下コア２の上面が露出する
と、ＣＦ4 ガスに替えて第２のガスであるＣＣｌ4 ガス
をガラスジャー内に送り込み、同様にリアクティブイオ
ンエッチング法によって今度はＦｅ−Ｎｉ系合金の下コ
ア２のみを選択的にエッチングし（図２（Ｄ）の第２の
エッチング工程）、下コア２の上面より平坦部７が突出
するよう段差を形成する。
と、ＣＦ4 ガスに替えて第２のガスであるＣＣｌ4 ガス
をガラスジャー内に送り込み、同様にリアクティブイオ
ンエッチング法によって今度はＦｅ−Ｎｉ系合金の下コ
ア２のみを選択的にエッチングし（図２（Ｄ）の第２の
エッチング工程）、下コア２の上面より平坦部７が突出
するよう段差を形成する。
【００２６】ところで、この図２（Ｄ）図示の下コア２
の上面と平坦部７との段差は、イオンミーリング法によ
っても形成することが可能である。すなわち、図２
（Ｃ）と同様、層間絶縁膜４ａの上部に下コア２より幅
広にパターニングして下コア２が露出するまで層間絶縁
膜４ａをエッチングした後、下コア２の形状寸法と同様
の形状寸法にパターニングして下コア２をエッチングす
れば同様の段差を形成することができる。
の上面と平坦部７との段差は、イオンミーリング法によ
っても形成することが可能である。すなわち、図２
（Ｃ）と同様、層間絶縁膜４ａの上部に下コア２より幅
広にパターニングして下コア２が露出するまで層間絶縁
膜４ａをエッチングした後、下コア２の形状寸法と同様
の形状寸法にパターニングして下コア２をエッチングす
れば同様の段差を形成することができる。
【００２７】しかしながら、リアクティブイオンエッチ
ング法による上記第１及び第２のエッチング工程では、
層間絶縁膜４ａ及び下コア２を夫々選択的にエッチング
するガスを切り換えて使用することにより、パターニン
グは層間絶縁膜４ａの上部に下コア２より幅広に第１の
エッチング工程において１回パターニングすればよく、
イオンミーリング法よりも製造工程が簡単である。
ング法による上記第１及び第２のエッチング工程では、
層間絶縁膜４ａ及び下コア２を夫々選択的にエッチング
するガスを切り換えて使用することにより、パターニン
グは層間絶縁膜４ａの上部に下コア２より幅広に第１の
エッチング工程において１回パターニングすればよく、
イオンミーリング法よりも製造工程が簡単である。
【００２８】つづいて図３（Ａ）において、例えばスパ
ッタリング法によってＳｉＯ2 からなるギャップ層５ａ
を形成した後、Ｆｅ−Ｎｉ系合金製の上コア磁性層６ｅ
を薄膜形成する（図３（Ｂ))。
ッタリング法によってＳｉＯ2 からなるギャップ層５ａ
を形成した後、Ｆｅ−Ｎｉ系合金製の上コア磁性層６ｅ
を薄膜形成する（図３（Ｂ))。
【００２９】そして，ギャップ層５ａを介して下コア２
及び層間絶縁膜４ａの上部に、下コア２と下コア２の両
側の平坦部７のトラック幅方向寸法の和寸法よりも幅広
にパターニングし、上部磁性膜である上コア６ｆ（図３
（Ｃ))をスパッタリング法により形成する。
及び層間絶縁膜４ａの上部に、下コア２と下コア２の両
側の平坦部７のトラック幅方向寸法の和寸法よりも幅広
にパターニングし、上部磁性膜である上コア６ｆ（図３
（Ｃ))をスパッタリング法により形成する。
【００３０】このように、上コア６ｆのパターニング寸
法は下コア２のトラック幅方向寸法に対してパターニン
グ位置ずれを考慮して幅広に形成されている。したがっ
て、図３（Ｃ）に破線で示すように上コア（上部磁性
膜）６ｇが例えば１μｍ程度ずれて形成された場合で
も、下コア２の上方にはギャップ層５ａを介して上コア
６ｇが必ず形成される。
法は下コア２のトラック幅方向寸法に対してパターニン
グ位置ずれを考慮して幅広に形成されている。したがっ
て、図３（Ｃ）に破線で示すように上コア（上部磁性
膜）６ｇが例えば１μｍ程度ずれて形成された場合で
も、下コア２の上方にはギャップ層５ａを介して上コア
６ｇが必ず形成される。
【００３１】この結果、トラック幅を正確に下コア２の
トラック幅方向寸法により規定することが出来るので高
精度の薄膜磁気ヘッドが得られ、また、トラック幅のば
らつきもなく歩留りが向上する。
トラック幅方向寸法により規定することが出来るので高
精度の薄膜磁気ヘッドが得られ、また、トラック幅のば
らつきもなく歩留りが向上する。
【００３２】また、下コア２上面が下コア２の左右両側
の層間絶縁膜４ａ上面よりも突出することがなく下コア
２の側部にギャップ層５ａを介して上コアが形成される
ことがないため、従来の薄膜磁気ヘッドの様にギャップ
が「Ｌ」字状に形成される（図８参照）ことがない。よ
って、隣接トラックからの雑音を再生して磁気特性が劣
化することもなく良好な磁気記録再生を行うことが可能
になる。
の層間絶縁膜４ａ上面よりも突出することがなく下コア
２の側部にギャップ層５ａを介して上コアが形成される
ことがないため、従来の薄膜磁気ヘッドの様にギャップ
が「Ｌ」字状に形成される（図８参照）ことがない。よ
って、隣接トラックからの雑音を再生して磁気特性が劣
化することもなく良好な磁気記録再生を行うことが可能
になる。
【００３３】図４は本発明の他の実施例の製造工程の一
部であり、第１のエッチング工程においてリアクティブ
イオンエッチング法によって層間絶縁膜４ａをエッチン
グする際にこれを図示の如くテーパ状にエッチングして
下コア２上面を露出させた後、層間絶縁膜４ａを第２の
エッチング工程によりエッチングした例を示す。
部であり、第１のエッチング工程においてリアクティブ
イオンエッチング法によって層間絶縁膜４ａをエッチン
グする際にこれを図示の如くテーパ状にエッチングして
下コア２上面を露出させた後、層間絶縁膜４ａを第２の
エッチング工程によりエッチングした例を示す。
【００３４】これは、層間絶縁膜４ａ（図２（Ｂ）参
照）の上面をパターニングしてレジスト材（図示せず）
を除去する際にレジスト材の断面がテーパ状となるよう
除去し、更にエッチング条件を選ぶことにより、レジス
ト材断面のテーパ形状と略同一形状のテーパを形成して
層間絶縁膜４ａをエッチングするものである。
照）の上面をパターニングしてレジスト材（図示せず）
を除去する際にレジスト材の断面がテーパ状となるよう
除去し、更にエッチング条件を選ぶことにより、レジス
ト材断面のテーパ形状と略同一形状のテーパを形成して
層間絶縁膜４ａをエッチングするものである。
【００３５】本実施例によれば、前記実施例のように層
間絶縁膜４ａに平坦部７は形成されないものの、下コア
２上面が下コア２の左右両側の層間絶縁膜４ａ上面より
も突出することがなく下コア２上に成膜されるギャップ
層５ｂと上コア６ｈとが下コア２の側部に形成されず、
また、下コア２の上方にはギャップ層５ｂを介して必ず
上コア６ｈが成膜されるので前記実施例と同様の効果を
得ることが出来る。
間絶縁膜４ａに平坦部７は形成されないものの、下コア
２上面が下コア２の左右両側の層間絶縁膜４ａ上面より
も突出することがなく下コア２上に成膜されるギャップ
層５ｂと上コア６ｈとが下コア２の側部に形成されず、
また、下コア２の上方にはギャップ層５ｂを介して必ず
上コア６ｈが成膜されるので前記実施例と同様の効果を
得ることが出来る。
【００３６】また本実施例によれば、前記実施例のよう
に層間絶縁膜４ａに平坦部７が形成されないため（図２
乃至図３参照）、下コア２側部と上コア６ｈのテーパ状
とされた下面と距離を前記実施例よりも離間させること
が出来る（図４）。よって、トラック幅以外に磁界が漏
れることなく、記録媒体上でのトラック幅精度をより高
精度とすることが可能である。
に層間絶縁膜４ａに平坦部７が形成されないため（図２
乃至図３参照）、下コア２側部と上コア６ｈのテーパ状
とされた下面と距離を前記実施例よりも離間させること
が出来る（図４）。よって、トラック幅以外に磁界が漏
れることなく、記録媒体上でのトラック幅精度をより高
精度とすることが可能である。
【００３７】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下部磁性膜
上面が下部磁性膜のトラック幅方向両側の絶縁膜上面よ
りも突出することがなく下部磁性膜上に成膜されるギャ
ップ層と上部磁性膜とが下部磁性膜の側部に形成されな
いため、各磁性膜間の磁界はトラック幅方向には分布せ
ず磁気特性が劣化することがない。また、下部磁性膜上
面及び下部磁性膜のトラック幅方向両側の絶縁膜上面が
ギャップ層を介して上部磁性膜により覆われることによ
り、上部磁性膜がトラック幅方向に位置ずれしても下部
磁性膜の上方にはギャップ層を介して必ず上部磁性膜が
成膜されるので、下部磁性膜のトラック幅方向寸法を正
確に規定することが出来てトラック幅精度が向上する特
長がある。
上面が下部磁性膜のトラック幅方向両側の絶縁膜上面よ
りも突出することがなく下部磁性膜上に成膜されるギャ
ップ層と上部磁性膜とが下部磁性膜の側部に形成されな
いため、各磁性膜間の磁界はトラック幅方向には分布せ
ず磁気特性が劣化することがない。また、下部磁性膜上
面及び下部磁性膜のトラック幅方向両側の絶縁膜上面が
ギャップ層を介して上部磁性膜により覆われることによ
り、上部磁性膜がトラック幅方向に位置ずれしても下部
磁性膜の上方にはギャップ層を介して必ず上部磁性膜が
成膜されるので、下部磁性膜のトラック幅方向寸法を正
確に規定することが出来てトラック幅精度が向上する特
長がある。
【図１】本発明の一実施例の要部の斜視図である。
【図２】本発明の一実施例の工程説明図（その１）であ
る。
る。
【図３】本発明の一実施例の工程説明図（その２）であ
る。
る。
【図４】本発明の他の実施例の製造工程の一部を示す図
である。
である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの一例の要部の斜視図で
ある。
ある。
【図６】図６の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程
説明図（その１）である。
説明図（その１）である。
【図７】図６の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例の工程
説明図（その２）である。
説明図（その２）である。
【図８】図６乃至図７の薄膜磁気ヘッドの製造方法の問
題点を説明する図である。
題点を説明する図である。
１ ウェーハ ２ 下コア（下部磁性膜） ３ コイルパターン ４，４ａ 層間絶縁膜（絶縁膜） ５，５ａ，５ｂ ギャップ層 ６ｆ，６ｇ，６ｈ 上コア（上部磁性膜） １０，１１ 薄膜磁気ヘッド
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェーハと、ギャップ層と、該ウェーハ
上で該ギャップ層を介装する一対の下部磁性膜及び上部
磁性膜と、該下部磁性膜及び該上部磁性膜を励磁するコ
イルパターンと、該下部磁性膜及び該上部磁性膜夫々と
該コイルパターンとの間に介在する絶縁膜とを具備した
薄膜磁気ヘッドにおいて、 該絶縁膜を該下部磁性膜のトラック幅方向両側に該下部
磁性膜に当接して配設して該下部磁性膜のトラック幅方
向両側の該絶縁膜上面が該下部磁性膜上面に対し略平
坦、若しくは該下部磁性膜上面より突出するよう形成
し、且つ、該ギャップ層を介して該下部磁性膜上面及び
該下部磁性膜のトラック幅方向両側の該絶縁膜上面の夫
々上方に該上部磁性膜を配設したことを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項２】 コイルパターンと、ギャップ層と、該ギ
ャップ層を介装する一対の下部磁性膜及び上部磁性膜を
ウェーハ上に成膜し、該下部磁性膜及び該上部磁性膜夫
々と該コイルパターンとの間に絶縁膜を成膜する薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、 該ウェーハ上に該下部磁性膜を覆って成膜された該絶縁
膜をエッチングして、該下部磁性膜の上面を露出させる
第１のエッチング工程と、 露出した該下部磁性膜をエッチングして、該下部磁性膜
のトラック幅方向両側の該絶縁膜上面が該下部磁性膜上
面に対して略平坦、若しくは該下部磁性膜上面より突出
するよう形成する第２のエッチング工程と、 該下部磁性膜及び該絶縁膜上にギャップ層を成膜する工
程と、 該ギャップ層上に上部磁性膜を成膜し、該下部磁性膜上
面及び該下部磁性膜のトラック幅方向両側の該絶縁膜上
面夫々を該ギャップ層を介して覆う工程とを含むことを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 前記第１のエッチング工程では反応性イ
オンエッチング法により第１のガスを使用して前記絶縁
膜を選択的にエッチングし、 前記第２のエッチング工程では反応性イオンエッチング
法により第２のガスを使用して前記下部磁性膜を選択的
にエッチングすることを特徴とする請求項２記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4173346A JPH0620226A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4173346A JPH0620226A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620226A true JPH0620226A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15958717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4173346A Pending JPH0620226A (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620226A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6760190B2 (en) | 1998-07-03 | 2004-07-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head wherein one of multiple insulating layers determines a zero throat level position |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP4173346A patent/JPH0620226A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6760190B2 (en) | 1998-07-03 | 2004-07-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head wherein one of multiple insulating layers determines a zero throat level position |
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