JP3364962B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置など
に用いられる良好な記録性能を有する薄膜磁気ヘッドに
関する。
に用いられる良好な記録性能を有する薄膜磁気ヘッドに
関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の高性能化に伴い、そ
れに用いる薄膜磁気ヘッドにも種々の高性能化が要求さ
れている。その中でも特に磁気ディスク装置の線記録密
度の向上のため、高抗磁力媒体への薄膜磁気ヘッドの記
録能力の向上が大きな課題となっている。
れに用いる薄膜磁気ヘッドにも種々の高性能化が要求さ
れている。その中でも特に磁気ディスク装置の線記録密
度の向上のため、高抗磁力媒体への薄膜磁気ヘッドの記
録能力の向上が大きな課題となっている。
【０００３】以下に従来の薄膜磁気ヘッドについて説明
する。図３に示すように、セラミック基板上に薄膜形成
技術を用いて素子を形成し、磁気ディスク装置用のスラ
イダー３の形状にして使用する。薄膜磁気ヘッドを装置
に搭載するときは浮上レール５に対して裏面側に平行に
ジンバルを接着して磁気ヘッドアセンブリ状態として用
いる。薄膜磁気ヘッド素子はスライダー３の手前側に形
設されている。図中の１は上部絶縁層、２は上部磁性
層、４は端子、６は上下磁性層が接合するバックギャッ
プ部を示す。薄膜磁気ヘッドの構成は、図４及び図５に
示すように、スパッタ法により形成したアルミナなどの
絶縁物８で被覆されたセラミック基板７上に、電気めっ
き法あるいはスパッタ法によりパーマロイなどの磁性材
料で形成した下部磁性層９と、スパッタ法によりアルミ
ナなどで形成したギャップ層１０と、さらにその上にノ
ボラック系あるいはポリイミド系などの樹脂からなる下
部絶縁層１１と、電気めっき法などにより銅などで形成
した下部コイル層１２とが順次積層され、さらにその上
に下部の同種の層と同様に中部絶縁層１３、上部コイル
層１４、上部絶縁層１５、上部磁性層１６が順次積層さ
れ、最終的にアルミナなどの絶縁物の保護層１７で保護
された形となっている。
する。図３に示すように、セラミック基板上に薄膜形成
技術を用いて素子を形成し、磁気ディスク装置用のスラ
イダー３の形状にして使用する。薄膜磁気ヘッドを装置
に搭載するときは浮上レール５に対して裏面側に平行に
ジンバルを接着して磁気ヘッドアセンブリ状態として用
いる。薄膜磁気ヘッド素子はスライダー３の手前側に形
設されている。図中の１は上部絶縁層、２は上部磁性
層、４は端子、６は上下磁性層が接合するバックギャッ
プ部を示す。薄膜磁気ヘッドの構成は、図４及び図５に
示すように、スパッタ法により形成したアルミナなどの
絶縁物８で被覆されたセラミック基板７上に、電気めっ
き法あるいはスパッタ法によりパーマロイなどの磁性材
料で形成した下部磁性層９と、スパッタ法によりアルミ
ナなどで形成したギャップ層１０と、さらにその上にノ
ボラック系あるいはポリイミド系などの樹脂からなる下
部絶縁層１１と、電気めっき法などにより銅などで形成
した下部コイル層１２とが順次積層され、さらにその上
に下部の同種の層と同様に中部絶縁層１３、上部コイル
層１４、上部絶縁層１５、上部磁性層１６が順次積層さ
れ、最終的にアルミナなどの絶縁物の保護層１７で保護
された形となっている。
【０００４】ギャップデプス（以下、Ｇ．Ｄ．という）
として規定される薄膜磁気ヘッドの媒体対向面１８から
下部磁性層９と上部磁性層１６がギャップ層１０を介し
て対向する位置の終点（以下、ＡＰＥＸ点という）１９
までの距離は薄膜磁気ヘッドの性能に大きな影響を及ぼ
し、特に記録能力に関しては最も重要な寸法となってい
る。薄膜磁気ヘッドは媒体対向面１８上に現れた下部磁
性層９、ギャップ層１０及び上部磁性層１６からなる磁
界発生領域の寸法Ｘが有限（３から１５μｍ）で、かつ
磁気回路を構成する磁性層が薄いため磁気飽和しやすい
ので、フェライトを主たる構成材料とした磁気ヘッドに
比べて記録性能に対するＧ．Ｄ．の寸法の影響が大き
い。そのため通常の薄膜磁気ヘッドのＧ．Ｄ．の寸法は
０．５から２μｍ程度に規制され、この寸法が小さいほ
ど記録性能は高くなる。しかし、薄膜磁気ヘッドの中に
は、再生性能に形状効果（媒体上の記録波長と寸法Ｘの
関係によりフェライトを主たる構成材料とした無限長の
寸法Ｘのヘッドに比べて再生出力が増減する現象）を積
極的に用いるものがあるため、寸法Ｘが変化すると再生
特性の所望の特性から変わってしまう。そのためＧ．
Ｄ．の加工は媒体対向面上の上部磁性層１６の寸法が変
わってくる上部磁性層１６の傾斜部の手前で終了しなけ
れば安定した上部磁性層１６の媒体対向面１８の膜厚の
寸法Ｚが得られない。したがって、Ｇ．Ｄ．の寸法のな
かで必ず残ってしまう不要寸法Ｙが存在し、この不要寸
法Ｙが形状効果を利用する薄膜磁気ヘッドの記録性能の
限界を作っている。上部磁性層１６はギャップ層１０、
下部絶縁層１１、中部絶縁層１３及び上部絶縁層１５か
らなる上部磁性層形成面に対してほぼ平行に形成される
ため、不要寸法Ｙは上部磁性層１６の寸法Ｚに対して比
例関係にあり、上部磁性層１６とギャップ層１０とがな
す角度θが大きいほどその絶対値は大きい。この角度θ
を、薄膜磁気ヘッドの先端角度として発生磁界の観点か
ら３０度から４５度の角度とし寸法Ｚを２μｍとする
と、この不要寸法Ｙは約０．５から１μｍとなる。この
不要寸法Ｙは上述のＧ．Ｄ．の寸法に規制する際に、加
工の寸法余裕を減少させ加工歩留りを著しく低下させる
原因となっていた。またＧ．Ｄ．の寸法をそれ以上に小
さくすることができない残存デプスともいうべき不要寸
法Ｙが必ず残るため、薄膜磁気ヘッドの記録性能の向上
に対して規制を与えるものとなっており、今後の磁気デ
ィスク装置の線記録密度の向上に対する薄膜磁気ヘッド
の性能限界となっていた。
として規定される薄膜磁気ヘッドの媒体対向面１８から
下部磁性層９と上部磁性層１６がギャップ層１０を介し
て対向する位置の終点（以下、ＡＰＥＸ点という）１９
までの距離は薄膜磁気ヘッドの性能に大きな影響を及ぼ
し、特に記録能力に関しては最も重要な寸法となってい
る。薄膜磁気ヘッドは媒体対向面１８上に現れた下部磁
性層９、ギャップ層１０及び上部磁性層１６からなる磁
界発生領域の寸法Ｘが有限（３から１５μｍ）で、かつ
磁気回路を構成する磁性層が薄いため磁気飽和しやすい
ので、フェライトを主たる構成材料とした磁気ヘッドに
比べて記録性能に対するＧ．Ｄ．の寸法の影響が大き
い。そのため通常の薄膜磁気ヘッドのＧ．Ｄ．の寸法は
０．５から２μｍ程度に規制され、この寸法が小さいほ
ど記録性能は高くなる。しかし、薄膜磁気ヘッドの中に
は、再生性能に形状効果（媒体上の記録波長と寸法Ｘの
関係によりフェライトを主たる構成材料とした無限長の
寸法Ｘのヘッドに比べて再生出力が増減する現象）を積
極的に用いるものがあるため、寸法Ｘが変化すると再生
特性の所望の特性から変わってしまう。そのためＧ．
Ｄ．の加工は媒体対向面上の上部磁性層１６の寸法が変
わってくる上部磁性層１６の傾斜部の手前で終了しなけ
れば安定した上部磁性層１６の媒体対向面１８の膜厚の
寸法Ｚが得られない。したがって、Ｇ．Ｄ．の寸法のな
かで必ず残ってしまう不要寸法Ｙが存在し、この不要寸
法Ｙが形状効果を利用する薄膜磁気ヘッドの記録性能の
限界を作っている。上部磁性層１６はギャップ層１０、
下部絶縁層１１、中部絶縁層１３及び上部絶縁層１５か
らなる上部磁性層形成面に対してほぼ平行に形成される
ため、不要寸法Ｙは上部磁性層１６の寸法Ｚに対して比
例関係にあり、上部磁性層１６とギャップ層１０とがな
す角度θが大きいほどその絶対値は大きい。この角度θ
を、薄膜磁気ヘッドの先端角度として発生磁界の観点か
ら３０度から４５度の角度とし寸法Ｚを２μｍとする
と、この不要寸法Ｙは約０．５から１μｍとなる。この
不要寸法Ｙは上述のＧ．Ｄ．の寸法に規制する際に、加
工の寸法余裕を減少させ加工歩留りを著しく低下させる
原因となっていた。またＧ．Ｄ．の寸法をそれ以上に小
さくすることができない残存デプスともいうべき不要寸
法Ｙが必ず残るため、薄膜磁気ヘッドの記録性能の向上
に対して規制を与えるものとなっており、今後の磁気デ
ィスク装置の線記録密度の向上に対する薄膜磁気ヘッド
の性能限界となっていた。
【０００５】さらに、ヘッド前面からギャップ層１０の
膜厚で対向した上下磁性層がギャップ層１０の膜厚以上
に離れるＡＰＥＸ点１９を樹脂材料を用いた絶縁層で形
成すると、その絶縁層を塗布する際のスピンコーティン
グの膜厚のばらつき及びパターン形成する際のパターン
形状のばらつきにより先端角度θがばらつき、その結
果、不要寸法Ｙのばらつきにより薄膜磁気ヘッドの特性
がばらつく。
膜厚で対向した上下磁性層がギャップ層１０の膜厚以上
に離れるＡＰＥＸ点１９を樹脂材料を用いた絶縁層で形
成すると、その絶縁層を塗布する際のスピンコーティン
グの膜厚のばらつき及びパターン形成する際のパターン
形状のばらつきにより先端角度θがばらつき、その結
果、不要寸法Ｙのばらつきにより薄膜磁気ヘッドの特性
がばらつく。
【０００６】また樹脂材料によりＡＰＥＸ点１９を決定
する際、ＡＰＥＸ点１９から下部磁性層９の膜厚が厚く
なる点までの距離Ｃ及び下部磁性層９の２段目の膜厚の
寸法Ｄが、ばらついた場合、ある粘性を持った樹脂はそ
の影響でＡＰＥＸ点１９の近傍の膜厚がばらつき、その
結果、先端角度θがばらつき、薄膜磁気ヘッドの特性が
ばらつく。
する際、ＡＰＥＸ点１９から下部磁性層９の膜厚が厚く
なる点までの距離Ｃ及び下部磁性層９の２段目の膜厚の
寸法Ｄが、ばらついた場合、ある粘性を持った樹脂はそ
の影響でＡＰＥＸ点１９の近傍の膜厚がばらつき、その
結果、先端角度θがばらつき、薄膜磁気ヘッドの特性が
ばらつく。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来の構
成及び方法では、Ｇ．Ｄ．の残存デプスともいうべき不
要寸法Ｙを小さくしようとすると歩留りが低下し、か
つ、ばらつきが生じて記録性能などの特性が劣化すると
いう問題点を有していた。
成及び方法では、Ｇ．Ｄ．の残存デプスともいうべき不
要寸法Ｙを小さくしようとすると歩留りが低下し、か
つ、ばらつきが生じて記録性能などの特性が劣化すると
いう問題点を有していた。
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、Ｇ．Ｄ．の不要寸法を小さくして、記録性能などの
特性を向上させることができる薄膜磁気ヘッドを提供す
ることを目的としている。
で、Ｇ．Ｄ．の不要寸法を小さくして、記録性能などの
特性を向上させることができる薄膜磁気ヘッドを提供す
ることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の薄膜磁気ヘッドは、媒体対向面側に設けられ
た第１の部分及び第１の部分よりも厚く形成され媒体対
向面側とは反対側に設けられた第２の部分を備えた下部
磁性層と、下部磁性層上に設けられ媒体対向面まで達し
た第１のギャップ層と、第１のギャップ層上であってし
かも第１の部分内に設けられるとともに媒体対向面まで
達していない第２のギャップ層と、第１及び第２のギャ
ップ層の上に設けられ媒体対向面側の先端を第２のギャ
ップ層の媒体対向面側の先端よりも媒体対向面から後方
に位置するように形成された第１の絶縁層と、第１の絶
縁層の上に設けられたコイル層と、コイル層を覆うよう
に設けられた第２の絶縁層と、媒体対向面側において第
１及び第２のギャップ層の双方と対向する様に設けられ
下部磁性層と磁気回路を構成する上部磁性層とを備え、
第２のギャップ層の媒体対向面側先端部をギャップデプ
スを決定するＡＰＥＸ点とした。
に本発明の薄膜磁気ヘッドは、媒体対向面側に設けられ
た第１の部分及び第１の部分よりも厚く形成され媒体対
向面側とは反対側に設けられた第２の部分を備えた下部
磁性層と、下部磁性層上に設けられ媒体対向面まで達し
た第１のギャップ層と、第１のギャップ層上であってし
かも第１の部分内に設けられるとともに媒体対向面まで
達していない第２のギャップ層と、第１及び第２のギャ
ップ層の上に設けられ媒体対向面側の先端を第２のギャ
ップ層の媒体対向面側の先端よりも媒体対向面から後方
に位置するように形成された第１の絶縁層と、第１の絶
縁層の上に設けられたコイル層と、コイル層を覆うよう
に設けられた第２の絶縁層と、媒体対向面側において第
１及び第２のギャップ層の双方と対向する様に設けられ
下部磁性層と磁気回路を構成する上部磁性層とを備え、
第２のギャップ層の媒体対向面側先端部をギャップデプ
スを決定するＡＰＥＸ点とした。
【００１０】
【作用】この構成において、ヘッド前面からギャップ層
の膜厚で対向した上下磁性層がギャップ層の膜厚以上に
離れる点を絶縁層以外の材料で作ることができ、かつＡ
ＰＥＸ点を微小な段差で形成できるので、不要寸法を限
りなく小さくできる。
の膜厚で対向した上下磁性層がギャップ層の膜厚以上に
離れる点を絶縁層以外の材料で作ることができ、かつＡ
ＰＥＸ点を微小な段差で形成できるので、不要寸法を限
りなく小さくできる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１２】本発明の一実施例において、前述の実施例
について説明した構成部分と同じ部分については同一符
号を付しその説明を省略する。
について説明した構成部分と同じ部分については同一符
号を付しその説明を省略する。
【００１３】本実施例の特徴とするところは、図１及び
図２に示すように、ギャップ層１０の上に２段目のギャ
ップ層２０を所定の形に形設した点にある。ヘッド前面
からみたこの２段目のギャップ層２０の起点がＡＰＥＸ
点１９となり、この２段目のギャップ層２０には少なく
ともＡＰＥＸ点１９から下部絶縁層１１の起点までの幅
と、上下磁性層が対向している位置において実質的にギ
ャップデプスとはならない程度の膜厚（ギャップ層１０
とギャップ層２０の和）が必要である。それぞれ、前者
は１〜５μｍ程度、後者はギャップ膜厚と同等以上必要
となる。
図２に示すように、ギャップ層１０の上に２段目のギャ
ップ層２０を所定の形に形設した点にある。ヘッド前面
からみたこの２段目のギャップ層２０の起点がＡＰＥＸ
点１９となり、この２段目のギャップ層２０には少なく
ともＡＰＥＸ点１９から下部絶縁層１１の起点までの幅
と、上下磁性層が対向している位置において実質的にギ
ャップデプスとはならない程度の膜厚（ギャップ層１０
とギャップ層２０の和）が必要である。それぞれ、前者
は１〜５μｍ程度、後者はギャップ膜厚と同等以上必要
となる。
【００１４】本実施例の薄膜磁気ヘッドはＧ．Ｄ．の寸
法中に含まれる不要寸法Ｙを従来の薄膜磁気ヘッドより
小さくすることができ、薄膜磁気ヘッドの記録性能を向
上することができる。２段目のギャップ層２０の膜厚を
０．５μｍとすると不要寸法Ｙは０．３μｍまでとなる
ため、実行Ｇ．Ｄ．の寸法を小さくすることができ、薄
膜磁気ヘッドの記録性能を向上することができる。
法中に含まれる不要寸法Ｙを従来の薄膜磁気ヘッドより
小さくすることができ、薄膜磁気ヘッドの記録性能を向
上することができる。２段目のギャップ層２０の膜厚を
０．５μｍとすると不要寸法Ｙは０．３μｍまでとなる
ため、実行Ｇ．Ｄ．の寸法を小さくすることができ、薄
膜磁気ヘッドの記録性能を向上することができる。
【００１５】またヘッド前面からギャップ層の膜厚で対
向した上下磁性層がギャップ層の膜厚以上に離れる点
を、塗布して形成する材料より基本的に膜厚分布がよい
スパッタあるいは蒸着等の絶縁層以外の材料で作ること
ができるため、絶縁層の塗布時の膜厚ばらつきやＡＰＥ
Ｘ点１９から下部磁性層９の膜厚が厚くなる点までの距
離Ｃ及び下部磁性層９の２段目の膜厚Ｄのばらつきの影
響で先端角度θがばらつく下部絶縁層９の不安定さに基
づく薄膜磁気ヘッドの性能不均一さを生じない構成とす
ることができる。
向した上下磁性層がギャップ層の膜厚以上に離れる点
を、塗布して形成する材料より基本的に膜厚分布がよい
スパッタあるいは蒸着等の絶縁層以外の材料で作ること
ができるため、絶縁層の塗布時の膜厚ばらつきやＡＰＥ
Ｘ点１９から下部磁性層９の膜厚が厚くなる点までの距
離Ｃ及び下部磁性層９の２段目の膜厚Ｄのばらつきの影
響で先端角度θがばらつく下部絶縁層９の不安定さに基
づく薄膜磁気ヘッドの性能不均一さを生じない構成とす
ることができる。
【００１６】以上のように構成された薄膜磁気ヘッドに
ついて、以下その製造方法を説明する。
ついて、以下その製造方法を説明する。
【００１７】２段目のギャップ層２０は、例えば、ギャ
ップ層１０の形成後、ギャップ層１０に対して選択的に
エッチングできる材料を基板全面に付着した後、フォト
レジストによりパターン形成して不要な部分をエッチン
グ除去し、所定の形状にその材料を残して２段目のギャ
ップ層２０とする。エッチングにおいて反応性イオンエ
ッチングを行うときは、ギャップ層１０の材料を一般的
なアルミナとすると、このギャップ層２０にはＳｉＯ2
やＳｉ3Ｎ4などのシリコン系材料を用い、エッチングに
はＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，ＣＨＦ3などの弗素系のガスを用い
る。
ップ層１０の形成後、ギャップ層１０に対して選択的に
エッチングできる材料を基板全面に付着した後、フォト
レジストによりパターン形成して不要な部分をエッチン
グ除去し、所定の形状にその材料を残して２段目のギャ
ップ層２０とする。エッチングにおいて反応性イオンエ
ッチングを行うときは、ギャップ層１０の材料を一般的
なアルミナとすると、このギャップ層２０にはＳｉＯ2
やＳｉ3Ｎ4などのシリコン系材料を用い、エッチングに
はＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，ＣＨＦ3などの弗素系のガスを用い
る。
【００１８】また、エッチングに化学エッチングを用い
る場合は、下部磁性層９及びギャップ層１０に対して選
択的にエッチングされる材料、例えば下部磁性層９がパ
ーマロイ，鉄系もしくはコバルト系材料またはアモルフ
ァスなどであれば、銅，金またはチタンなどを用いる。
使用するエッチング液は、銅の場合は過硫酸アンモン
系、金の場合はヨウ化カリ系、チタンの場合はＥＤＴＡ
系のエッチング液が有効である。
る場合は、下部磁性層９及びギャップ層１０に対して選
択的にエッチングされる材料、例えば下部磁性層９がパ
ーマロイ，鉄系もしくはコバルト系材料またはアモルフ
ァスなどであれば、銅，金またはチタンなどを用いる。
使用するエッチング液は、銅の場合は過硫酸アンモン
系、金の場合はヨウ化カリ系、チタンの場合はＥＤＴＡ
系のエッチング液が有効である。
【００１９】上記の２段目のギャップ層２０をギャップ
層１０と同じ材料で形成する場合は、アルミナなどの絶
縁材料をスパッタ法などによりギャップ層１０とギャッ
プ層２０の和の厚みを付着形成し、ギャップ層２０とす
る領域のみをフォトレジストなどで覆い、イオンビーム
エッチングなどによりギャップ層１０に相当する領域を
エッチングすることにより、ギャップ層１０を得ること
ができる。ここでイオンビームの角度を変えることによ
り、ギャップ層２０の傾斜角度を調整することも可能で
ある。また、この場合も、リフトオフ法などの他の工法
をもちいて２段の膜厚をもったギャップ層１０，２０を
作成することができる。
層１０と同じ材料で形成する場合は、アルミナなどの絶
縁材料をスパッタ法などによりギャップ層１０とギャッ
プ層２０の和の厚みを付着形成し、ギャップ層２０とす
る領域のみをフォトレジストなどで覆い、イオンビーム
エッチングなどによりギャップ層１０に相当する領域を
エッチングすることにより、ギャップ層１０を得ること
ができる。ここでイオンビームの角度を変えることによ
り、ギャップ層２０の傾斜角度を調整することも可能で
ある。また、この場合も、リフトオフ法などの他の工法
をもちいて２段の膜厚をもったギャップ層１０，２０を
作成することができる。
【００２０】なお、２段目のギャップ層２０をギャップ
層１０と異なる材料を用いて作成する場合は、上述のギ
ャップ層１０の上にギャップ層２０を形成する方法とは
逆のギャップ層１０の下にギャップ層２０を形成する方
法としてもよい。
層１０と異なる材料を用いて作成する場合は、上述のギ
ャップ層１０の上にギャップ層２０を形成する方法とは
逆のギャップ層１０の下にギャップ層２０を形成する方
法としてもよい。
【００２１】また、２段のギャップ層を形成すれば本実
施例の構成となるので、前述のエッチング以外の工法で
あるリフトオフ法で２段目のギャップ層２０を形成して
もよいことはいうまでもない。２段目のギャップ層２０
を形成した後は、前述従来例で説明した方法と同様にし
て、薄膜磁気ヘッドを完成させるので、その説明は省略
する。
施例の構成となるので、前述のエッチング以外の工法で
あるリフトオフ法で２段目のギャップ層２０を形成して
もよいことはいうまでもない。２段目のギャップ層２０
を形成した後は、前述従来例で説明した方法と同様にし
て、薄膜磁気ヘッドを完成させるので、その説明は省略
する。
【００２２】以上のように本実施例によれば、ギャップ
層１０に２段以上の厚みをもたせヘッド前面に対してよ
り後方に膜厚が厚くなる領域を設定し、その厚みが変化
する点をＡＰＥＸ点１９とし、下部絶縁層９の起点をさ
らに後方とすることにより、従来のように、Ｇ．Ｄ．の
寸法の不要寸法Ｙにより記録性能の限界を作るという問
題なしにＧ．Ｄ．の寸法の不要寸法Ｙを小さくし、記録
性能を向上させることができる。さらに、Ｇ．Ｄ．の寸
法の不要寸法Ｙを小さくすることによってＧ．Ｄ．の加
工の歩留りを向上させることができる。また、ＡＰＥＸ
点１９をギャップ層１０と平行な膜厚をもった層で形成
することにより、下部磁性層９でより厚くなる点の位置
や膜厚の変動に影響されない、均一な性能を持った薄膜
磁気ヘッドを得ることができる。さらに２段目のギャッ
プ層を金属とすることにより、ヘッド動作時の渦電流の
効果により、上下磁性層間における磁束の漏洩を減少し
て性能を向上させることができる。
層１０に２段以上の厚みをもたせヘッド前面に対してよ
り後方に膜厚が厚くなる領域を設定し、その厚みが変化
する点をＡＰＥＸ点１９とし、下部絶縁層９の起点をさ
らに後方とすることにより、従来のように、Ｇ．Ｄ．の
寸法の不要寸法Ｙにより記録性能の限界を作るという問
題なしにＧ．Ｄ．の寸法の不要寸法Ｙを小さくし、記録
性能を向上させることができる。さらに、Ｇ．Ｄ．の寸
法の不要寸法Ｙを小さくすることによってＧ．Ｄ．の加
工の歩留りを向上させることができる。また、ＡＰＥＸ
点１９をギャップ層１０と平行な膜厚をもった層で形成
することにより、下部磁性層９でより厚くなる点の位置
や膜厚の変動に影響されない、均一な性能を持った薄膜
磁気ヘッドを得ることができる。さらに２段目のギャッ
プ層を金属とすることにより、ヘッド動作時の渦電流の
効果により、上下磁性層間における磁束の漏洩を減少し
て性能を向上させることができる。
【００２３】
【発明の効果】
以上の実施例の説明からも明らかなよう
に、本発明は、媒体対向面側に設けられた第１の部分及
び第１の部分よりも厚く形成され媒体対向面側とは反対
側に設けられた第２の部分を備えた下部磁性層と、下部
磁性層上に設けられ媒体対向面まで達した第１のギャッ
プ層と、第１のギャップ層上であってしかも第１の部分
内に設けられるとともに媒体対向面まで達していない第
２のギャップ層と、第１及び第２のギャップ層の上に設
けられ媒体対向面側の先端を第２のギャップ層の媒体対
向面側の先端よりも媒体対向面から後方に位置するよう
に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層の上に設け
られたコイル層と、コイル層を覆うように設けられた第
２の絶縁層と、媒体対向面側において第１及び第２のギ
ャップ層の双方と対向する様に設けられ下部磁性層と磁
気回路を構成する上部磁性層とを備え、第２のギャップ
層の媒体対向面側先端部をギャップデプスを決定するＡ
ＰＥＸ点とした構成により、Ｇ．Ｄ．の不要寸法を小さ
くして、記録性能などの特性を向上させることができる
優れた薄膜磁気ヘッドを実現できるものである。
に、本発明は、媒体対向面側に設けられた第１の部分及
び第１の部分よりも厚く形成され媒体対向面側とは反対
側に設けられた第２の部分を備えた下部磁性層と、下部
磁性層上に設けられ媒体対向面まで達した第１のギャッ
プ層と、第１のギャップ層上であってしかも第１の部分
内に設けられるとともに媒体対向面まで達していない第
２のギャップ層と、第１及び第２のギャップ層の上に設
けられ媒体対向面側の先端を第２のギャップ層の媒体対
向面側の先端よりも媒体対向面から後方に位置するよう
に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層の上に設け
られたコイル層と、コイル層を覆うように設けられた第
２の絶縁層と、媒体対向面側において第１及び第２のギ
ャップ層の双方と対向する様に設けられ下部磁性層と磁
気回路を構成する上部磁性層とを備え、第２のギャップ
層の媒体対向面側先端部をギャップデプスを決定するＡ
ＰＥＸ点とした構成により、Ｇ．Ｄ．の不要寸法を小さ
くして、記録性能などの特性を向上させることができる
優れた薄膜磁気ヘッドを実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの要部（図
３（ｂ）のＢ−Ｂ′断面）の断面略図
３（ｂ）のＢ−Ｂ′断面）の断面略図
【図２】図１の部分拡大図
【図３】（ａ）は薄膜磁気ヘッドの概略斜視図
（ｂ）は図３（ａ）のＡで示した素子部の正面略図
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの要部（図３（ｂ）のＢ
−Ｂ′断面）の断面略図
−Ｂ′断面）の断面略図
【図５】図４の部分拡大図
９ 下部磁性層
１０ ギャップ層
１１ 下部絶縁層
１２ 下部コイル層
１３ 中部絶縁層
１４ 上部コイル層
１５ 上部絶縁層
１６ 上部磁性層
２０ ２段目のギャップ層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/31
Claims (3)
- 【請求項１】媒体対向面側に設けられた第１の部分及び
前記第１の部分よりも厚く形成され前記媒体対向面側と
は反対側に設けられた第２の部分を備えた下部磁性層
と、前記下部磁性層上に設けられ媒体対向面まで達した
第１のギャップ層と、前記第１のギャップ層上であって
しかも前記第１の部分内に設けられるとともに媒体対向
面まで達していない第２のギャップ層と、前記第１及び
第２のギャップ層の上に設けられ媒体対向面側の先端を
前記第２のギャップ層の媒体対向面側の先端よりも媒体
対向面から後方に位置するように形成された第１の絶縁
層と、前記第１の絶縁層の上に設けられたコイル層と、
前記コイル層を覆うように設けられた第２の絶縁層と、
媒体対向面側において前記第１及び第２のギャップ層の
双方と対向する様に設けられ前記下部磁性層と磁気回路
を構成する上部磁性層とを備え、前記第２のギャップ層
の媒体対向面側先端部をギャップデプスを決定するＡＰ
ＥＸ点としたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】第１及び第２のギャップ層をそれぞれアル
ミナで構成したことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項３】第１のギャップ層と第２のギャップ層を異
なる材料で構成したことを特徴とする請求項１記載の薄
膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25956192A JP3364962B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25956192A JP3364962B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111245A JPH06111245A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3364962B2 true JP3364962B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=17335839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25956192A Expired - Lifetime JP3364962B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3364962B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111724A (en) * | 1998-04-10 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Method of making a magnetic write head with plated self-aligned zero throat height defining layer without reflective notching of a second pole tip |
| US6172848B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-01-09 | International Business Machines Corporation | Write head with self aligned pedestal shaped pole tips that are separated by a zero throat height defining layer |
| US6104576A (en) | 1998-04-10 | 2000-08-15 | International Business Machines Corporation | Inductive head with reduced height insulation stack due to partial coverage zero throat height defining insulation layer |
| US6134080A (en) * | 1998-08-21 | 2000-10-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic head with precisely defined zero throat height |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP25956192A patent/JP3364962B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06111245A (ja) | 1994-04-22 |
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