KR960008701A - 박막 자기헤드의 자성층 식각방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막 자기헤드의 자성층 식각방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 a) 기판(11)위에 형성된 NiFe 자성층(12)위에 Ta층(13) 및 Al2O3층(14)을 순차적으로 형성시키고 그 위에 원하는 형상의 감광막(15)을 형성시키는 공정; b) 반응성 이온 식각법을 이용하여 Al2O3층(14)을 식각시키고 감광막(15)을 제거한 다음 Ta층(13)을 식각시키는 공정; c) 이온빔 식각법을 이용하여 NiFe 자성층(12)을 식각시키는 공정; 및 d) 반응성 이온 식각법을 이용하여 Ta층(13)을 식각시키는 공정으로 이루어지므로써 3㎛두께 이상의 매우 두꺼운 막이 매우 작은 트렉폭을 가질때 해상도를 효과적으로 향상시킬 수 있으며 최후 마스크층 제거를 용이하게 할 수 있는 박막 자기헤드의 자성층 식각방법에 관한 것이다.

Description

박막 자기헤드의 자성층 식각방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)~(c)도는 종래의 방법에 따른 박막 자기헤드의 자성층 제조 공정도이고,
제2(a) 및 (b)도는 종래 방법의 문제점을 나타낸 도면이며,
제3(a)~(g)도는 본 발명의 방법에 따른 박막 자기헤드 자성층의 제조 공정도이다.

Claims (4)

  1. a) 기판(11)위에 형성된 NiFe 자성층(12)위에 Ta층(13) 및 Al2O3층(14)을 순차적으로 형성시키고 그 위에 원하는 형상의 감광막(15)을 형성시키는 공정; b) 반응성 이온 식각법을 이용하여 Al2O3층(14)을 식각시키고 감광막(15)을 제거한 다음 Ta층(13)을 식각시키는 공정; c) 이온빔 식각법을 이용하여 NiFe 자성층(12)을 식각시키는 공정; 및 d) 반응성 이온 식각법을 이용하여 Ta층(13)을 식각시키는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드이 자성층 식각방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Al2O3층(14)은 NiFe 자성층(12)이 식각되는 동안 모두 소모될 수 있는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드이 자성층 식각방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 b)공정의 Al2O3층(14) 식각공정의 반응성 가스가 BCl3인 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드의 자성층 식각방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 b)공정 및 d)공정의 Ta층(13) 식각공정의 반응성 가스가 CF4+O2인 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드의 자성층 식각방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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