JPH05251425A - Ａｕ膜エッチング方法 - Google Patents
Ａｕ膜エッチング方法Info
- Publication number
- JPH05251425A JPH05251425A JP4050285A JP5028592A JPH05251425A JP H05251425 A JPH05251425 A JP H05251425A JP 4050285 A JP4050285 A JP 4050285A JP 5028592 A JP5028592 A JP 5028592A JP H05251425 A JPH05251425 A JP H05251425A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching
- resist
- nicr
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置や薄膜回路製造のために用いるＡ
ｕ膜のエッチング方法において、３μｍを超えるＡｕ薄
膜に対して高精度なＡｕ膜のエッチング方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】 基板５上に下地膜４を介して形成されたＡｕ
膜３をエッチングするＡｕ膜３のエッチング方法におい
て、Ａｕ膜３上に下地膜４と同じ材料を形成し、その上
にレジストを設けてＡｕ膜３を所望のパターンにエッチ
ングする。
ｕ膜のエッチング方法において、３μｍを超えるＡｕ薄
膜に対して高精度なＡｕ膜のエッチング方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】 基板５上に下地膜４を介して形成されたＡｕ
膜３をエッチングするＡｕ膜３のエッチング方法におい
て、Ａｕ膜３上に下地膜４と同じ材料を形成し、その上
にレジストを設けてＡｕ膜３を所望のパターンにエッチ
ングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置や薄膜回路
製造のために用いるＡｕ膜のエッチング方法に関するも
のである。
製造のために用いるＡｕ膜のエッチング方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、Ａｕ膜のエッチング方法の発展に
は著しいものがある。以下図面を参照しながら上述した
従来のＡｕ膜のエッチング方法の一例について説明す
る。
は著しいものがある。以下図面を参照しながら上述した
従来のＡｕ膜のエッチング方法の一例について説明す
る。
【０００３】図２は従来のＡｕ膜のエッチング方法の工
程図を示したものである。同図において、基板９上に下
地膜８を介して形成された膜厚２μｍのＡｕ膜７の表面
に１μｍのレジストを塗布した後、マスクを使って露光
・現像を行なうことによりレジスト６が所望のパターン
に形成される。しかる後ＫＩ＋Ｉ2系からなるＡ ｕエッ
チャントに浸漬することにより、露出したＡｕ膜の表面
がエッチングされる。そして、下地膜８の表面が露出し
た段階でＡｕ膜のエッチング終了となる。
程図を示したものである。同図において、基板９上に下
地膜８を介して形成された膜厚２μｍのＡｕ膜７の表面
に１μｍのレジストを塗布した後、マスクを使って露光
・現像を行なうことによりレジスト６が所望のパターン
に形成される。しかる後ＫＩ＋Ｉ2系からなるＡ ｕエッ
チャントに浸漬することにより、露出したＡｕ膜の表面
がエッチングされる。そして、下地膜８の表面が露出し
た段階でＡｕ膜のエッチング終了となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の方
法では、ＫＩ＋Ｉ2系Ａｕエッチャントの化学反応 促進
作用が強いため、レジストが浸食されてしまい、Ａｕ膜
７の膜厚が３μｍを超えると所望のパターン幅をもった
Ａｕパターンが得られないという課題を有していた。ま
た一度溶けたレジスト６がＡｕ膜７とともに固体化し、
基板の上に残渣として析出するという課題も有してい
た。本発明は上記課題に鑑み、３μｍを超えるＡｕ薄膜
に対して高精度なＡｕ膜のエッチング方法を提供するも
のである。
法では、ＫＩ＋Ｉ2系Ａｕエッチャントの化学反応 促進
作用が強いため、レジストが浸食されてしまい、Ａｕ膜
７の膜厚が３μｍを超えると所望のパターン幅をもった
Ａｕパターンが得られないという課題を有していた。ま
た一度溶けたレジスト６がＡｕ膜７とともに固体化し、
基板の上に残渣として析出するという課題も有してい
た。本発明は上記課題に鑑み、３μｍを超えるＡｕ薄膜
に対して高精度なＡｕ膜のエッチング方法を提供するも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のＡｕ膜エッチング方法は、Ａｕ膜の表面に
下地膜と同じ材質の膜を生膜した後、通常のフォトリソ
グラフィーを行なうことに特徴をもつ。
に、本発明のＡｕ膜エッチング方法は、Ａｕ膜の表面に
下地膜と同じ材質の膜を生膜した後、通常のフォトリソ
グラフィーを行なうことに特徴をもつ。
【０００６】
【作用】本発明は上記の方法により、Ａｕ膜表面に形成
された下地膜のパターンがレジストの役割を果たすた
め、レジストのような有機物とは異なり、金属膜である
下地膜はＫＩ＋Ｉ2系のようなハロゲン化エッチャント
に対しても浸食されに くく、従って高精度でかつ残渣
のないＡｕエッチングを行なうことができる。また下地
膜と同じ膜をつけるので、余分なターゲットおよびエッ
チング液が不要となる。
された下地膜のパターンがレジストの役割を果たすた
め、レジストのような有機物とは異なり、金属膜である
下地膜はＫＩ＋Ｉ2系のようなハロゲン化エッチャント
に対しても浸食されに くく、従って高精度でかつ残渣
のないＡｕエッチングを行なうことができる。また下地
膜と同じ膜をつけるので、余分なターゲットおよびエッ
チング液が不要となる。
【０００７】
【実施例】以下本発明の実施例のＡｕエッチング方法に
ついて、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明
の一実施例におけるＡｕ膜エッチング方法を示す工程断
面図である。同図において、基板５の上に下地膜である
ＮｉＣｒ膜を介して形成されたＡｕ膜３上に下地膜と同
じ材料であるＮｉＣｒ膜２を形成する。そして、その
後、通常のフォトリソグラフィーを行なう。
ついて、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明
の一実施例におけるＡｕ膜エッチング方法を示す工程断
面図である。同図において、基板５の上に下地膜である
ＮｉＣｒ膜を介して形成されたＡｕ膜３上に下地膜と同
じ材料であるＮｉＣｒ膜２を形成する。そして、その
後、通常のフォトリソグラフィーを行なう。
【０００８】以上のようなＡｕエッチング方法につい
て、以下、図１を用いて下地膜がＮｉＣｒの場合につい
て具体的に説明する。
て、以下、図１を用いて下地膜がＮｉＣｒの場合につい
て具体的に説明する。
【０００９】基板５上にはＮｉＣｒ膜４が１０００Å、
その上にＡｕ膜３が３μｍが形成され、さらにＡｕ膜３
上にＮｉＣｒ膜２が５００Åが形成されている。ＮｉＣ
ｒ膜２の上にレジストを１μｍ塗布し、フォトリソグラ
フィーにより所望のレジストパターン１を得る。このよ
うな断面をもつ基板をＮｉＣｒのエッチング液に浸食す
るＮｉＣｒ膜２がエッチングされる（図１（ｂ））。
その上にＡｕ膜３が３μｍが形成され、さらにＡｕ膜３
上にＮｉＣｒ膜２が５００Åが形成されている。ＮｉＣ
ｒ膜２の上にレジストを１μｍ塗布し、フォトリソグラ
フィーにより所望のレジストパターン１を得る。このよ
うな断面をもつ基板をＮｉＣｒのエッチング液に浸食す
るＮｉＣｒ膜２がエッチングされる（図１（ｂ））。
【００１０】次にＮｉＣｒ膜２上のレジスト１を除去す
る（同図（ｃ））。これをＡｕエッチャント（ＫＩ＋Ｉ
2系）に浸漬するとＮｉＣｒ膜２はＫＩ＋Ｉ2系エッチン
グ液には浸食されにくいため、高精度なＡｕパターンが
得られる（同図（ｄ））。また、Ａｕ膜３上のＮｉＣｒ
膜２は下地のＮｉＣｒ膜４と同じエッチング液を使用で
きるため、Ａｕ膜３上部のマスク金属と下地膜を同時に
エッチングすることが可能となる。
る（同図（ｃ））。これをＡｕエッチャント（ＫＩ＋Ｉ
2系）に浸漬するとＮｉＣｒ膜２はＫＩ＋Ｉ2系エッチン
グ液には浸食されにくいため、高精度なＡｕパターンが
得られる（同図（ｄ））。また、Ａｕ膜３上のＮｉＣｒ
膜２は下地のＮｉＣｒ膜４と同じエッチング液を使用で
きるため、Ａｕ膜３上部のマスク金属と下地膜を同時に
エッチングすることが可能となる。
【００１１】なお、本実施例においては下地膜としてＮ
ｉＣｒ膜を用いたが、下地膜がＴｉＷ（１０００Å）に
ついても同様の効果が得られた。
ｉＣｒ膜を用いたが、下地膜がＴｉＷ（１０００Å）に
ついても同様の効果が得られた。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、Ａｕ膜表
面に下地膜と同じ材料の膜を成膜することにより、不必
要なターゲットおよびエッチング液を用いることなく、
Ａｕ膜厚が３μｍ以上でも高精度なＡｕ膜のエッチング
を行なうことが可能となる。
面に下地膜と同じ材料の膜を成膜することにより、不必
要なターゲットおよびエッチング液を用いることなく、
Ａｕ膜厚が３μｍ以上でも高精度なＡｕ膜のエッチング
を行なうことが可能となる。
【図１】本発明の一実施例におけるＡｕ膜のエッチング
方法を示す工程断面図
方法を示す工程断面図
【図２】従来のＡｕ膜のエッチング方法を示す工程断面
図
図
１ レジスト ２ ＮｉＣｒ膜 ３ Ａｕ膜 ４ ＮｉＣｒ膜 ５ 基板
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に下地膜を介して形成されたＡｕ
膜をエッチングするＡｕ膜のエッチング方法において、
前記Ａｕ膜上に前記下地膜と同じ材料を形成し、その上
にレジストを設けてＡｕ膜を所望のパターンにエッチン
グするＡｕ膜エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4050285A JPH05251425A (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | Ａｕ膜エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4050285A JPH05251425A (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | Ａｕ膜エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251425A true JPH05251425A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12854651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4050285A Pending JPH05251425A (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | Ａｕ膜エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251425A (ja) |
-
1992
- 1992-03-09 JP JP4050285A patent/JPH05251425A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |