JPH0790631A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0790631A JPH0790631A JP25113493A JP25113493A JPH0790631A JP H0790631 A JPH0790631 A JP H0790631A JP 25113493 A JP25113493 A JP 25113493A JP 25113493 A JP25113493 A JP 25113493A JP H0790631 A JPH0790631 A JP H0790631A
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- milled
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング時の再付着に起因する突起形成を
回避する。 【構成】 被ミリング膜１の表面にカバー２を付着させ
た後、被ミリング膜１を、カバー２をマスクとしてイオ
ンミリングする。カバー２は被ミリング膜１と接する底
面側２１が狭く、反対側の表面側２２が広くなる逆テー
パの側壁面２３、２４を有する。
回避する。 【構成】 被ミリング膜１の表面にカバー２を付着させ
た後、被ミリング膜１を、カバー２をマスクとしてイオ
ンミリングする。カバー２は被ミリング膜１と接する底
面側２１が狭く、反対側の表面側２２が広くなる逆テー
パの側壁面２３、２４を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンミリングを用い
たパターン形成方法に関する。
たパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオンミリングを用いたパターン形成方
法は、薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子形成プロセスまた
は半導体素子形成プロセス等に用いられる。この種のパ
ターン形成方法は、被ミリング膜の表面にカバーを付着
させ、カバーをマスクとして被ミリング膜をイオンミリ
ングする。カバーは、多くはポジ型またはネガ型のフォ
トレジストを、フォトリソグラフィ技術を用いてパター
ニングすることによって形成される。
法は、薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子形成プロセスまた
は半導体素子形成プロセス等に用いられる。この種のパ
ターン形成方法は、被ミリング膜の表面にカバーを付着
させ、カバーをマスクとして被ミリング膜をイオンミリ
ングする。カバーは、多くはポジ型またはネガ型のフォ
トレジストを、フォトリソグラフィ技術を用いてパター
ニングすることによって形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術において用
いられていたフォトリソグラフィによるカバーは、被ミ
リング膜の表面から立ち上る側壁面が被ミリング膜の表
面に対してほぼ垂直な壁面となる。
いられていたフォトリソグラフィによるカバーは、被ミ
リング膜の表面から立ち上る側壁面が被ミリング膜の表
面に対してほぼ垂直な壁面となる。
【０００４】このため、イオンミリング法を用いて被ミ
リング膜をエッチングするときに、エッチングされて飛
散した粒子がカバー、スライダブロックもしくはダミー
ブロックの側壁面に再付着し、側壁面から被ミリング膜
の表面に連続するように成長することがある。このた
め、カバー、スライダブロックもしくはダミーブロック
を取外したとき、再付着層が被ミリング膜の表面に微小
突起として残ってしまうという問題点があった。
リング膜をエッチングするときに、エッチングされて飛
散した粒子がカバー、スライダブロックもしくはダミー
ブロックの側壁面に再付着し、側壁面から被ミリング膜
の表面に連続するように成長することがある。このた
め、カバー、スライダブロックもしくはダミーブロック
を取外したとき、再付着層が被ミリング膜の表面に微小
突起として残ってしまうという問題点があった。
【０００５】従来はカバー形成のためのレジストの塗布
条件、露光条件または現像条件を変化させることによっ
て、突起形成を回避しようとしていた。しかし、良好な
結果を得るための条件設定が難しい。
条件、露光条件または現像条件を変化させることによっ
て、突起形成を回避しようとしていた。しかし、良好な
結果を得るための条件設定が難しい。
【０００６】本発明の課題は、カバーによって覆われる
領域を残し、その外側の領域を高精度でエッチングする
パターン形成方法を提供することである。
領域を残し、その外側の領域を高精度でエッチングする
パターン形成方法を提供することである。
【０００７】本発明のもう一つの課題は、エッチング時
の再付着に起因する突起形成を回避し得るパターン形成
方法を提供することである。
の再付着に起因する突起形成を回避し得るパターン形成
方法を提供することである。
【０００８】本発明のもう一つの課題は、突起形成を簡
単、かつ、確実に回避し得るパターン形成方法を提供す
ることである。
単、かつ、確実に回避し得るパターン形成方法を提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係るパターン形成方法は、被ミリング膜の
表面にカバーを付着させ、前記被ミリング膜を、前記カ
バーをマスクとしてイオンミリングする方法であって、
前記カバーは、前記被ミリング膜と接する底面側が狭
く、反対側の表面側が広くなる逆テーパの側壁面を有す
る。
め、本発明に係るパターン形成方法は、被ミリング膜の
表面にカバーを付着させ、前記被ミリング膜を、前記カ
バーをマスクとしてイオンミリングする方法であって、
前記カバーは、前記被ミリング膜と接する底面側が狭
く、反対側の表面側が広くなる逆テーパの側壁面を有す
る。
【００１０】
【作用】被ミリング膜の表面にカバーを付着させ、被ミ
リング膜を、カバーをマスクとしてイオンミリングする
から、被ミリング膜の内、カバーによって覆われる領域
を残し、その外側の領域を高精度でエッチングすること
ができる。
リング膜を、カバーをマスクとしてイオンミリングする
から、被ミリング膜の内、カバーによって覆われる領域
を残し、その外側の領域を高精度でエッチングすること
ができる。
【００１１】カバーは、被ミリング膜と接する底面側が
狭く、反対側の表面側が広くなる逆テーパの側壁面を有
するから、イオンミリングによってエッチングされた粒
子が、カバーの側壁面に付着しても、逆テーパの形状の
ために、側壁面から被ミリング膜の表面に連続するよう
には成長しない。このため、カバー除去跡に、再付着に
よる突起（バリ）が残ることがない。
狭く、反対側の表面側が広くなる逆テーパの側壁面を有
するから、イオンミリングによってエッチングされた粒
子が、カバーの側壁面に付着しても、逆テーパの形状の
ために、側壁面から被ミリング膜の表面に連続するよう
には成長しない。このため、カバー除去跡に、再付着に
よる突起（バリ）が残ることがない。
【００１２】しかも、カバーの断面形状の選択によって
再付着による突起の形成を阻止するものであり、カバー
形成のためのレジストの塗布条件、露光条件、現像条件
を、殆ど変化させる必要がないから、工程の簡素化を図
ることができる。
再付着による突起の形成を阻止するものであり、カバー
形成のためのレジストの塗布条件、露光条件、現像条件
を、殆ど変化させる必要がないから、工程の簡素化を図
ることができる。
【００１３】オーバエッチングの問題は、イオンミリン
グ後、カバーを除去する前に、絶縁膜を被着し、次にカ
バーをリフトオフ法によって除去する工程を含むことに
より、回避することができる。
グ後、カバーを除去する前に、絶縁膜を被着し、次にカ
バーをリフトオフ法によって除去する工程を含むことに
より、回避することができる。
【００１４】
【実施例】図１〜図３は本発明に係るパターン形成方法
を示す図である。図１に示すように、被ミリング膜１の
表面にカバー２を付着させ、次に、図２に示すように、
被ミリング膜１を、カバー２をマスクとしてイオンミリ
ングする。３は支持層である。磁気抵抗効果（以下ＭＲ
と称する）素子を読み出し素子として用いる薄膜磁気ヘ
ッドの場合、被ミリング膜１はＭＲ膜であり、支持層３
は表面が絶縁膜で構成されている。この場合の支持層３
はスライダの大部分を構成する基体上に下部シールド膜
を形成した後、その上に絶縁膜を付着させることによっ
て得られる。
を示す図である。図１に示すように、被ミリング膜１の
表面にカバー２を付着させ、次に、図２に示すように、
被ミリング膜１を、カバー２をマスクとしてイオンミリ
ングする。３は支持層である。磁気抵抗効果（以下ＭＲ
と称する）素子を読み出し素子として用いる薄膜磁気ヘ
ッドの場合、被ミリング膜１はＭＲ膜であり、支持層３
は表面が絶縁膜で構成されている。この場合の支持層３
はスライダの大部分を構成する基体上に下部シールド膜
を形成した後、その上に絶縁膜を付着させることによっ
て得られる。
【００１５】イオンミリング工程において、被ミリング
膜１の内、カバー２によって覆われる領域を残し、その
外側の領域を高精度でエッチングする。
膜１の内、カバー２によって覆われる領域を残し、その
外側の領域を高精度でエッチングする。
【００１６】カバー２は、被ミリング膜１と接する底面
２１と、反対側の表面２２との間の両側壁面２３、２４
が逆テーパ面となっている。このような断面形状を持つ
カバー２の形成方法は周知である。例えば、フォトリソ
グラフィ工程でカバー２を形成する場合、アンモニア反
転処理法、クロロベンゼン処理法または熱反転レジスト
法等が、逆テーパ断面形状を有するカバー形成手段とし
て知られている。
２１と、反対側の表面２２との間の両側壁面２３、２４
が逆テーパ面となっている。このような断面形状を持つ
カバー２の形成方法は周知である。例えば、フォトリソ
グラフィ工程でカバー２を形成する場合、アンモニア反
転処理法、クロロベンゼン処理法または熱反転レジスト
法等が、逆テーパ断面形状を有するカバー形成手段とし
て知られている。
【００１７】ここで、カバー２は、被ミリング膜１と接
する底面２１と、反対側の表面２２との間の両側壁面２
３、２４が逆テーパ面となっているから、イオンミリン
グによってエッチングされた飛散した粒子がカバー２の
側壁面２３、２４に付着し、再付着膜４が形成されて
も、側壁面２３、２４が逆テーパの形状のために、側壁
面２３、２４から被ミリング膜１の表面に連続するよう
には成長しない。このため、図３に示すように、カバー
２を除去した場合、カバー２と共に再付着膜４が除去
さ、カバー除去跡に、再付着による突起（バリ）が残る
ことがない。
する底面２１と、反対側の表面２２との間の両側壁面２
３、２４が逆テーパ面となっているから、イオンミリン
グによってエッチングされた飛散した粒子がカバー２の
側壁面２３、２４に付着し、再付着膜４が形成されて
も、側壁面２３、２４が逆テーパの形状のために、側壁
面２３、２４から被ミリング膜１の表面に連続するよう
には成長しない。このため、図３に示すように、カバー
２を除去した場合、カバー２と共に再付着膜４が除去
さ、カバー除去跡に、再付着による突起（バリ）が残る
ことがない。
【００１８】しかも、カバー２の断面形状の選択によっ
て再付着による突起の形成を阻止するものであり、カバ
ー形成のためのレジストの塗布条件、露光条件、現像条
件を殆ど変化させる必要がないから、工程の簡素化を図
ることができる。
て再付着による突起の形成を阻止するものであり、カバ
ー形成のためのレジストの塗布条件、露光条件、現像条
件を殆ど変化させる必要がないから、工程の簡素化を図
ることができる。
【００１９】上記イオンミリングによるエッチング工程
において、被ミリング膜１が過剰にエッチングされるこ
とがある。係るオーバエッチングの問題は、イオンミリ
ング後、カバーを除去する前、カバ及び被ミリング膜の
表面に絶縁膜を被着し、次にカバーをリフトオフ法によ
って除去する工程を含むことにより、回避することがで
きる。図４〜図６にその一例を示す。図４に示すよう
に、カバー２をマスクとして、被ミリング膜１をイオン
ミリングする。次に、図５に示すように、カバー２を除
去する前、カバ２及び被ミリング膜１の表面に絶縁膜５
１〜５３を被着させる。次に、図６に示すように、カバ
ー２及びその上に付着している絶縁膜５２をリフトオフ
法によって除去する。被ミリング膜１のエッチング跡に
付着されている絶縁膜５１及び５３はリフトオフ法によ
っては除去されず、そのまま残る。このため、オーバエ
ッチングによる絶縁不良を回避することができる。しか
も、カバー２は逆テーパの側壁面２３、２４を有するか
ら、リフトオフ法を確実に適用できる。
において、被ミリング膜１が過剰にエッチングされるこ
とがある。係るオーバエッチングの問題は、イオンミリ
ング後、カバーを除去する前、カバ及び被ミリング膜の
表面に絶縁膜を被着し、次にカバーをリフトオフ法によ
って除去する工程を含むことにより、回避することがで
きる。図４〜図６にその一例を示す。図４に示すよう
に、カバー２をマスクとして、被ミリング膜１をイオン
ミリングする。次に、図５に示すように、カバー２を除
去する前、カバ２及び被ミリング膜１の表面に絶縁膜５
１〜５３を被着させる。次に、図６に示すように、カバ
ー２及びその上に付着している絶縁膜５２をリフトオフ
法によって除去する。被ミリング膜１のエッチング跡に
付着されている絶縁膜５１及び５３はリフトオフ法によ
っては除去されず、そのまま残る。このため、オーバエ
ッチングによる絶縁不良を回避することができる。しか
も、カバー２は逆テーパの側壁面２３、２４を有するか
ら、リフトオフ法を確実に適用できる。
【００２０】本発明は、薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子
形成プロセスまたは半導体素子形成プロセス等におい
て、金属薄膜または無機質薄膜のパターン形成に広く適
用できる。
形成プロセスまたは半導体素子形成プロセス等におい
て、金属薄膜または無機質薄膜のパターン形成に広く適
用できる。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば次の
ような効果を得ることができる。 （ａ）カバーによって覆われる領域を残し、その外側の
領域を高精度でエッチングするパターン形成方法を提供
することができる。 （ｂ）エッチング時の再付着に起因する突起形成を回避
し得るパターン形成方法を提供することができる。 （ｃ）突起形成を簡単、かつ、確実に回避し得るパター
ン形成方法を提供することができる。
ような効果を得ることができる。 （ａ）カバーによって覆われる領域を残し、その外側の
領域を高精度でエッチングするパターン形成方法を提供
することができる。 （ｂ）エッチング時の再付着に起因する突起形成を回避
し得るパターン形成方法を提供することができる。 （ｃ）突起形成を簡単、かつ、確実に回避し得るパター
ン形成方法を提供することができる。
【図１】本発明に係るパターン形成方法に含まれる一工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図２】本発明に係るパターン形成方法のうち、図１に
示した工程の後の工程を示す図である。
示した工程の後の工程を示す図である。
【図３】本発明に係るパターン形成方法のうち、図２に
示した工程の後の工程を示す図であるを示す図である。
示した工程の後の工程を示す図であるを示す図である。
【図４】本発明に係るパターン形成方法の別の例におけ
る一工程を示す図である。
る一工程を示す図である。
【図５】本発明に係るパターン形成方法のうち、図４に
示した工程の後の工程を示す図である。
示した工程の後の工程を示す図である。
【図６】本発明に係るパターン形成方法のうち、図５に
示した工程の後の工程を示す図である。
示した工程の後の工程を示す図である。
１ 被ミリング膜 ２ カバー ３ 支持層 ４ 再付着膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】このため、イオンミリング法を用いて被ミ
リング膜をエッチングするときに、エッチングされて飛
散した粒子がカバーに再付着し、側壁面から被ミリング
膜の表面に連続するように成長することがある。このた
め、カバーを取外したとき、再付着層が被ミリング膜の
表面に微小突起として残ってしまうという問題点があっ
た。
リング膜をエッチングするときに、エッチングされて飛
散した粒子がカバーに再付着し、側壁面から被ミリング
膜の表面に連続するように成長することがある。このた
め、カバーを取外したとき、再付着層が被ミリング膜の
表面に微小突起として残ってしまうという問題点があっ
た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】上記イオンミリングによるエッチング工程
において、被ミリング膜１が過剰にエッチングされるこ
とがある。係るオーバエッチングの問題は、イオンミリ
ング後、カバーを除去する前、カバー及び被ミリング膜
の表面に絶縁膜を被着し、次にカバーをリフトオフ法に
よって除去する工程を含むことにより、回避することが
できる。図４〜図６にその一例を示す。図４に示すよう
に、カバー２をマスクとして、被ミリング膜１をイオン
ミリングする。次に、図５に示すように、カバー２を除
去する前、カバー２及び被ミリング膜１の表面に絶縁膜
５１〜５３を被着させる。次に、図６に示すように、カ
バー２及びその上に付着している絶縁膜５２をリフトオ
フ法によって除去する。被ミリング膜１のエッチング跡
に付着されている絶縁膜５１及び５３はリフトオフ法に
よっては除去されず、そのまま残る。このため、オーバ
エッチングによる絶縁不良を回避することができる。し
かも、カバー２は逆テーパの側壁面２３、２４を有する
から、リフトオフ法を確実に適用できる。
において、被ミリング膜１が過剰にエッチングされるこ
とがある。係るオーバエッチングの問題は、イオンミリ
ング後、カバーを除去する前、カバー及び被ミリング膜
の表面に絶縁膜を被着し、次にカバーをリフトオフ法に
よって除去する工程を含むことにより、回避することが
できる。図４〜図６にその一例を示す。図４に示すよう
に、カバー２をマスクとして、被ミリング膜１をイオン
ミリングする。次に、図５に示すように、カバー２を除
去する前、カバー２及び被ミリング膜１の表面に絶縁膜
５１〜５３を被着させる。次に、図６に示すように、カ
バー２及びその上に付着している絶縁膜５２をリフトオ
フ法によって除去する。被ミリング膜１のエッチング跡
に付着されている絶縁膜５１及び５３はリフトオフ法に
よっては除去されず、そのまま残る。このため、オーバ
エッチングによる絶縁不良を回避することができる。し
かも、カバー２は逆テーパの側壁面２３、２４を有する
から、リフトオフ法を確実に適用できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 被ミリング膜の表面にカバーを付着させ
た後、前記被ミリング膜を、前記カバーをマスクとして
イオンミリングするパターン形成方法であって、 前記カバーは、前記被ミリング膜と接する底面側が狭
く、反対側の表面側が広くなる逆テーパの側壁面を有す
るパターン形成方法。 - 【請求項２】 イオンミリング後、前記カバーを除去す
る前に絶縁膜を被着し、次に前記カバーをリフトオフ法
によって除去する工程を含む請求項１に記載のパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25113493A JP3314832B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25113493A JP3314832B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0790631A true JPH0790631A (ja) | 1995-04-04 |
| JP3314832B2 JP3314832B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=17218184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25113493A Expired - Fee Related JP3314832B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3314832B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8256096B2 (en) * | 2004-04-20 | 2012-09-04 | Headway Technologies, Inc. | Method of using xenon ion beams to improve track width definition |
-
1993
- 1993-09-13 JP JP25113493A patent/JP3314832B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8256096B2 (en) * | 2004-04-20 | 2012-09-04 | Headway Technologies, Inc. | Method of using xenon ion beams to improve track width definition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3314832B2 (ja) | 2002-08-19 |
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