JPH07109583A - エッチングによる微細溝の形成方法 - Google Patents
エッチングによる微細溝の形成方法Info
- Publication number
- JPH07109583A JPH07109583A JP27895193A JP27895193A JPH07109583A JP H07109583 A JPH07109583 A JP H07109583A JP 27895193 A JP27895193 A JP 27895193A JP 27895193 A JP27895193 A JP 27895193A JP H07109583 A JPH07109583 A JP H07109583A
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- Japan
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- etching
- groove
- photoresist
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 湿式エッチングで微細溝を製造する工程で不
動的な気泡の存在によって生じるエッチング不良をなく
すこと。 【構成】 母層３の表面に形成しようとする溝のパター
ンに合せてフォトレジスト５をパターン形成し、このフ
ォトレジスト５をマスクとして湿式エッチングを行って
前記母層３に微細溝６を掘り込み形成する方法におい
て、前記湿式エッチングの前処理としてプラズマエッチ
ングを行って前記母層３の表面側の不要物質を除去す
る。
動的な気泡の存在によって生じるエッチング不良をなく
すこと。 【構成】 母層３の表面に形成しようとする溝のパター
ンに合せてフォトレジスト５をパターン形成し、このフ
ォトレジスト５をマスクとして湿式エッチングを行って
前記母層３に微細溝６を掘り込み形成する方法におい
て、前記湿式エッチングの前処理としてプラズマエッチ
ングを行って前記母層３の表面側の不要物質を除去す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜磁気ヘッドの製
造工程においてアルミナ層にコイル巻線埋め込み用の微
細溝を形成する場合などに適用されるエッチングによる
微細溝の形成方法の改良に関する。
造工程においてアルミナ層にコイル巻線埋め込み用の微
細溝を形成する場合などに適用されるエッチングによる
微細溝の形成方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドの一形態であるＭＴヘッ
ドでは、フェライト基板の表面に形成されたアルミナ層
にコイル巻線パターンの微細溝を掘り込み形成し、その
溝内に金などを埋め込んでコイル巻線を配線している。
超小型の高密度の薄膜磁気ヘッドを製作するには、きわ
めて小さなスペースにきわめて細い溝を高密度に形成し
なければならない。この種の微細溝の加工は通常つぎの
ような工程の湿式エッチング法で行われている。
ドでは、フェライト基板の表面に形成されたアルミナ層
にコイル巻線パターンの微細溝を掘り込み形成し、その
溝内に金などを埋め込んでコイル巻線を配線している。
超小型の高密度の薄膜磁気ヘッドを製作するには、きわ
めて小さなスペースにきわめて細い溝を高密度に形成し
なければならない。この種の微細溝の加工は通常つぎの
ような工程の湿式エッチング法で行われている。
【０００３】すなわち、本発明の一実施例を示す図１を
用いて説明すると、まず図１（Ａ）のように、フェライ
ト基板１の表面に酸化シリコン層２を成膜し、その上に
アルミナ層３を成膜する。このアルミナ層３が前記コイ
ル溝を掘り込み形成する母層である。
用いて説明すると、まず図１（Ａ）のように、フェライ
ト基板１の表面に酸化シリコン層２を成膜し、その上に
アルミナ層３を成膜する。このアルミナ層３が前記コイ
ル溝を掘り込み形成する母層である。
【０００４】次の工程（Ｂ）では、アルミナ層３の表面
にサイドエッチ防止用のごく薄いチタン層４を成膜す
る。次の工程（Ｃ）では、通常のフォトエッチングによ
り、チタン層４の表面にコイル溝のパターンに合せたフ
ォトレジスト層５をパターン形成する。
にサイドエッチ防止用のごく薄いチタン層４を成膜す
る。次の工程（Ｃ）では、通常のフォトエッチングによ
り、チタン層４の表面にコイル溝のパターンに合せたフ
ォトレジスト層５をパターン形成する。
【０００５】そしてフォトレジスト層５をマスクとして
湿式エッチングを行い、同図（Ｄ）のように、フォトレ
ジスト層５で被覆されていない部分のチタン層４および
アルミナ層３をエッチングする。その後（Ｅ）のよう
に、不要になったフォトレジスト層５およびチタン層４
を除去する。このようにして母層であるアルミナ層３に
コイル溝６が形成される。
湿式エッチングを行い、同図（Ｄ）のように、フォトレ
ジスト層５で被覆されていない部分のチタン層４および
アルミナ層３をエッチングする。その後（Ｅ）のよう
に、不要になったフォトレジスト層５およびチタン層４
を除去する。このようにして母層であるアルミナ層３に
コイル溝６が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記のような一般的な
湿式エッチング工程でアルミナ層３にコイル溝６を形成
する場合、幅がきわめて小さくて、深さが比較的大きい
微細溝を形成しようとすると、次のようなエッチング不
良による欠陥品が多く発生する。
湿式エッチング工程でアルミナ層３にコイル溝６を形成
する場合、幅がきわめて小さくて、深さが比較的大きい
微細溝を形成しようとすると、次のようなエッチング不
良による欠陥品が多く発生する。
【０００７】現状にて解明することができたエッチング
不良の発生メカニズムを図２に示している。フォトレジ
スト層５をコイル溝パターンに合せて選択的に除去した
段階で、同図（Ａ）に示すように、フォトレジスト層５
のギャップ部分に露呈しているチタン層４の表面部分に
不要物質７（レジスト樹脂あるいはアセトンなどの有機
溶剤あるいは現像液からなる有機皮膜であろう）が残留
していることが多い。その状態ままで湿式エッチングを
行うと、同図（Ｂ）に示すように、エッチング液の含ま
れている気泡８が前記不要物質７に付着し、その部分か
ら気泡８が離れにくくなる。フォトレジスト層５のギャ
ップ部分から気泡８が離れないままでエッチングが進行
すると、この気泡８がマスクとなり、同図（Ｃ）のよう
に気泡８で隠された部分のチタン層４およびアルミナ層
３がエッチングされずに残ってしまう。そのため所定の
パターンどおりのコイル溝を形成することができない。
不良の発生メカニズムを図２に示している。フォトレジ
スト層５をコイル溝パターンに合せて選択的に除去した
段階で、同図（Ａ）に示すように、フォトレジスト層５
のギャップ部分に露呈しているチタン層４の表面部分に
不要物質７（レジスト樹脂あるいはアセトンなどの有機
溶剤あるいは現像液からなる有機皮膜であろう）が残留
していることが多い。その状態ままで湿式エッチングを
行うと、同図（Ｂ）に示すように、エッチング液の含ま
れている気泡８が前記不要物質７に付着し、その部分か
ら気泡８が離れにくくなる。フォトレジスト層５のギャ
ップ部分から気泡８が離れないままでエッチングが進行
すると、この気泡８がマスクとなり、同図（Ｃ）のよう
に気泡８で隠された部分のチタン層４およびアルミナ層
３がエッチングされずに残ってしまう。そのため所定の
パターンどおりのコイル溝を形成することができない。
【０００８】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、湿式エッチング工程
で不動的な気泡の存在によって生じるエッチング不良を
なくすことにある。
もので、その目的とするところは、湿式エッチング工程
で不動的な気泡の存在によって生じるエッチング不良を
なくすことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係るエッチングによる微細溝の形成方法
では、母層の表面に形成しようとする溝のパターンに合
せてフォトレジストをパターン形成し、このフォトレジ
ストをマスクとして湿式エッチングを行って前記母層に
微細溝を掘り込み形成する方法において、前記湿式エッ
チングの前処理としてプラズマエッチングを行って前記
母層の表面側の不要物質を除去するようにした。
ため、本発明に係るエッチングによる微細溝の形成方法
では、母層の表面に形成しようとする溝のパターンに合
せてフォトレジストをパターン形成し、このフォトレジ
ストをマスクとして湿式エッチングを行って前記母層に
微細溝を掘り込み形成する方法において、前記湿式エッ
チングの前処理としてプラズマエッチングを行って前記
母層の表面側の不要物質を除去するようにした。
【００１０】
【作用】フォトレジストをパターン形成した段階で前記
母層の表面側に不要物質が付着していても、前処理とし
てのプラズマエッチングを行うことで、その不要物質が
除去される。従ってその後に湿式エッチングを行って
も、エッチング液中の気泡が不動的に付着する種（すな
わち前記不要物質）がないので、気泡がマスクとなって
発生するエッチング不良はなくなる。
母層の表面側に不要物質が付着していても、前処理とし
てのプラズマエッチングを行うことで、その不要物質が
除去される。従ってその後に湿式エッチングを行って
も、エッチング液中の気泡が不動的に付着する種（すな
わち前記不要物質）がないので、気泡がマスクとなって
発生するエッチング不良はなくなる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係るエッチングによる微細溝
の形成方法の好適な実施例を添付図面を参照にして詳述
する。すでに説明したように、本実施例では、図１
（Ａ）のように、フェライト基板１の表面に酸化シリコ
ン層２を成膜し、その上にアルミナ層３を成膜する。こ
のアルミナ層３が前記コイル溝を掘り込み形成する母層
である。次の工程（Ｂ）では、アルミナ層３の表面にサ
イドエッチ防止用のごく薄いチタン層４を成膜する。次
の工程（Ｃ）では、通常のフォトエッチングにより、チ
タン層４の表面にコイル溝のパターンに合せたフォトレ
ジスト層５をパターン形成する。
の形成方法の好適な実施例を添付図面を参照にして詳述
する。すでに説明したように、本実施例では、図１
（Ａ）のように、フェライト基板１の表面に酸化シリコ
ン層２を成膜し、その上にアルミナ層３を成膜する。こ
のアルミナ層３が前記コイル溝を掘り込み形成する母層
である。次の工程（Ｂ）では、アルミナ層３の表面にサ
イドエッチ防止用のごく薄いチタン層４を成膜する。次
の工程（Ｃ）では、通常のフォトエッチングにより、チ
タン層４の表面にコイル溝のパターンに合せたフォトレ
ジスト層５をパターン形成する。
【００１２】従来ではこの工程に続いてすぐに湿式エッ
チングを行っていたが、この発明では湿式エッチングに
先立つ前処理としてプラズマエッチングを行う。具体的
には、通常のプラズマエッチング装置を用いて通常の工
程に従って酸素プラズマエッチングを行う。図２（Ａ）
のようにフォトレジスト層５のギャップ部分に露呈して
いるチタン層４の表面部分に不要物質７（レジスト樹脂
あるいはアセトンなどの有機溶剤あるいは現像液からな
る有機皮膜であろう）が残留していても、前処理として
酸素プラズマエッチングを行うことで、不要物質７は完
全に除去される。
チングを行っていたが、この発明では湿式エッチングに
先立つ前処理としてプラズマエッチングを行う。具体的
には、通常のプラズマエッチング装置を用いて通常の工
程に従って酸素プラズマエッチングを行う。図２（Ａ）
のようにフォトレジスト層５のギャップ部分に露呈して
いるチタン層４の表面部分に不要物質７（レジスト樹脂
あるいはアセトンなどの有機溶剤あるいは現像液からな
る有機皮膜であろう）が残留していても、前処理として
酸素プラズマエッチングを行うことで、不要物質７は完
全に除去される。
【００１３】前記の前処理を行った後は従来と同様に、
フォトレジスト層５をマスクとして湿式エッチングを行
い、図１（Ｄ）のように、フォトレジスト層５で被覆さ
れていない部分のチタン層４およびアルミナ層３をエッ
チングする。その後（Ｅ）のように、不要になったフォ
トレジスト層５およびチタン層４を除去する。このよう
にして母層であるアルミナ層３に欠陥のないコイル溝６
が形成される。
フォトレジスト層５をマスクとして湿式エッチングを行
い、図１（Ｄ）のように、フォトレジスト層５で被覆さ
れていない部分のチタン層４およびアルミナ層３をエッ
チングする。その後（Ｅ）のように、不要になったフォ
トレジスト層５およびチタン層４を除去する。このよう
にして母層であるアルミナ層３に欠陥のないコイル溝６
が形成される。
【００１４】なお、上記した実施例では、ＭＴヘッドの
製造工程の一部に用いたものについて説明したが、他の
薄膜磁気ヘッドの製造工程はもちろん種々の分野に適用
することができる。
製造工程の一部に用いたものについて説明したが、他の
薄膜磁気ヘッドの製造工程はもちろん種々の分野に適用
することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明に
よれば、フォトレジストをパターン形成した段階で前記
母層の表面側に不要物質が付着していても、前処理とし
てのプラズマエッチングを行うことで、その不要物質が
除去される。従ってその後に湿式エッチングを行って
も、エッチング液中の気泡が不動的に付着する種（すな
わち前記不要物質）がないので、気泡がマスクとなって
発生するエッチング不良はなくなる。
よれば、フォトレジストをパターン形成した段階で前記
母層の表面側に不要物質が付着していても、前処理とし
てのプラズマエッチングを行うことで、その不要物質が
除去される。従ってその後に湿式エッチングを行って
も、エッチング液中の気泡が不動的に付着する種（すな
わち前記不要物質）がないので、気泡がマスクとなって
発生するエッチング不良はなくなる。
【図１】この発明の対象であるエッチングによる微細溝
の形成方法の基本的な工程図である。
の形成方法の基本的な工程図である。
【図２】従来の工程でのエッチング不良の発生メカニズ
ムを示す説明図である。
ムを示す説明図である。
１ フェライト基板 ２ 酸化シリコン層 ３ アルミナ層（母層） ４ チタン層（サイドエッチ防止層） ５ フォトレジスト層 ６ コイル溝（微細溝） ７ 不要物質 ８ 気泡
Claims (2)
- 【請求項１】 母層の表面に形成しようとする溝のパタ
ーンに合せてフォトレジストをパターン形成し、このフ
ォトレジストをマスクとして湿式エッチングを行って前
記母層に微細溝を掘り込み形成する方法において、 前記湿式エッチングの前処理としてプラズマエッチング
を行って前記母層の表面側の不要物質を除去することを
特徴とするエッチングによる微細溝の形成方法。 - 【請求項２】 前記フォトレジストを形成するのに先立
って前記母層の表面にサイドエッチ防止層を形成してお
き、前記プラズマエッチングにより前記サイドエッチ防
止層の表面の不要物質を除去することを特徴とする請求
項１に記載のエッチングによる微細溝の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27895193A JPH07109583A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | エッチングによる微細溝の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27895193A JPH07109583A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | エッチングによる微細溝の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07109583A true JPH07109583A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=17604339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27895193A Withdrawn JPH07109583A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | エッチングによる微細溝の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109583A (ja) |
-
1993
- 1993-10-12 JP JP27895193A patent/JPH07109583A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001226 |