JPH03237745A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03237745A JPH03237745A JP28612590A JP28612590A JPH03237745A JP H03237745 A JPH03237745 A JP H03237745A JP 28612590 A JP28612590 A JP 28612590A JP 28612590 A JP28612590 A JP 28612590A JP H03237745 A JPH03237745 A JP H03237745A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 56
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 56
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 92
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 92
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 79
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にポリイミド系有機塗布
膜を金属配線の層間絶縁膜とする多層配線構造を有する
半導体装置に関する。
膜を金属配線の層間絶縁膜とする多層配線構造を有する
半導体装置に関する。
ポリイミド系有機塗布膜を金属配線の層間絶縁膜とする
３層配線構造の半導体装置を例に、従来の技術を説明す
る。
３層配線構造の半導体装置を例に、従来の技術を説明す
る。
層間絶縁膜がポリイミド系有機塗布膜のみで構成された
半導体装置の断面図を第４図に示す。
半導体装置の断面図を第４図に示す。
半導体基板１上の無機系絶縁膜２の上に、Ａ１あるいは
Ａｕを主要原料とする第１層の金属配線３、第２層の金
属配線３ａ、第３層の金属配線３ｂからなる３層配線が
形成され、ポリイミド系有機塗布膜６は第１層の金属配
線３と第２層の金属配線３ａとの間の層間絶縁膜となり
、ポリイミド系有機塗布膜６ａは第２層の金属配線３ａ
と第３層の金属配線３ｂとの間の層間絶縁膜となり、ポ
リイミド系有機塗布膜６ｂは第３層の金属配線３ｂの保
護膜となる。スルーホール７により第１層の金属配線３
と第２層の金属配線３ａとが接続し、スルーホール７ａ
により第２層の金属配線３ａと第３層の金属配線３ｂと
が接続している。
Ａｕを主要原料とする第１層の金属配線３、第２層の金
属配線３ａ、第３層の金属配線３ｂからなる３層配線が
形成され、ポリイミド系有機塗布膜６は第１層の金属配
線３と第２層の金属配線３ａとの間の層間絶縁膜となり
、ポリイミド系有機塗布膜６ａは第２層の金属配線３ａ
と第３層の金属配線３ｂとの間の層間絶縁膜となり、ポ
リイミド系有機塗布膜６ｂは第３層の金属配線３ｂの保
護膜となる。スルーホール７により第１層の金属配線３
と第２層の金属配線３ａとが接続し、スルーホール７ａ
により第２層の金属配線３ａと第３層の金属配線３ｂと
が接続している。
この構造では、ポリイミド系有機塗布膜６゜６ａ、６ｂ
は金属配線３．３ ａ ＋ ３ ｂの上面および側面
で直接金属配線３ ＋ ３ ａ ＋ ３ ｂと接してお
り、ポリイミド系有機塗布膜６，６ａは金属配線３ａ、
３ｂの下面で金属配線３ａ、３ｂと直接接している。
は金属配線３．３ ａ ＋ ３ ｂの上面および側面
で直接金属配線３ ＋ ３ ａ ＋ ３ ｂと接してお
り、ポリイミド系有機塗布膜６，６ａは金属配線３ａ、
３ｂの下面で金属配線３ａ、３ｂと直接接している。
第５図は、層間絶縁膜がポリイミド系有機塗布膜と無機
系層間絶縁膜とから構成された従来の半導体装置の断面
図である。
系層間絶縁膜とから構成された従来の半導体装置の断面
図である。
半導体基板１上の無機系絶縁膜２の上に、Ａ１あるいは
Ａｕを主要原料とする第１層の金属配線３、第２層の金
属配線３ ａ ＋第３層の金属配線３ｂからなる３層配
線が形成されている。
Ａｕを主要原料とする第１層の金属配線３、第２層の金
属配線３ ａ ＋第３層の金属配線３ｂからなる３層配
線が形成されている。
第１層の金属配線３と第２層の金属配線３ａとの間の層
間絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法あるいはスパッタ法によ
り形成した無機系層間絶縁膜４（例えば、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜）を下層に、
ポリイミド系有機塗布膜６を上層にして形成される。第
２層の金属配線３ａと第３層の金属配線３ｂとの間の層
間絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法あるいはスパッタ法によ
り形成した無機系層間絶縁膜４ａを下層に、ポリイミド
系有機塗布膜６ａを上層にして形成される。第３層の金
属配線３ｂの保護膜は、プラズマＣＶＤ法あるいはスパ
ッタ法により形成した無機系層間絶縁膜４ｂを下層に、
ポリイミド系有機塗布膜６ｂを上層にして形成される。
間絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法あるいはスパッタ法によ
り形成した無機系層間絶縁膜４（例えば、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜）を下層に、
ポリイミド系有機塗布膜６を上層にして形成される。第
２層の金属配線３ａと第３層の金属配線３ｂとの間の層
間絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法あるいはスパッタ法によ
り形成した無機系層間絶縁膜４ａを下層に、ポリイミド
系有機塗布膜６ａを上層にして形成される。第３層の金
属配線３ｂの保護膜は、プラズマＣＶＤ法あるいはスパ
ッタ法により形成した無機系層間絶縁膜４ｂを下層に、
ポリイミド系有機塗布膜６ｂを上層にして形成される。
スルーホール７により第１層の金属配線３と第２層の金
属配線３ａとが接続し、スルーホール７ａにより第２層
の金属配線３ａと第３層の金属配線３ｂとが接続してい
る。
属配線３ａとが接続し、スルーホール７ａにより第２層
の金属配線３ａと第３層の金属配線３ｂとが接続してい
る。
この構造では、ポリイミド系有機塗布膜６゜６ ａ ＋
６ ｂは金属配線３．３ａ、３ｂの上面および側面
において無機系層間絶縁膜４，４ａ、４ｂを介して金属
配線３＋ ３ａｔ ３ｂと接しており、また、ポリ
イミド系有機塗布膜６，６ａは金属配線３ ａ ＃ ３
ｂの下面で金属配線３ａ、３ｂと直接接している。
６ ｂは金属配線３．３ａ、３ｂの上面および側面
において無機系層間絶縁膜４，４ａ、４ｂを介して金属
配線３＋ ３ａｔ ３ｂと接しており、また、ポリ
イミド系有機塗布膜６，６ａは金属配線３ ａ ＃ ３
ｂの下面で金属配線３ａ、３ｂと直接接している。
上述した従来の多層配線構造を有する半導体装置は、以
下に示すような問題点がある。
下に示すような問題点がある。
まず、第４図に示したようなポリイミド系有機塗布膜が
配線金属に直接接した構造では、ポリイミド系有機塗布
膜と配線金属との間の密着性が悪く、ポリイミド系有機
塗布膜がふくれたり剥れたりする。ポリイミド系有機塗
布膜のふくれは、上層の金属配線の起伏を拡大し、上層
の金属配線のパターン形状を乱し、上層の配線金属の断
線の誘因となる。また、ポリイミド系有機塗布膜の剥れ
は、剥れたポリイミド系有機塗布膜の移動による後工程
でのパターン形状の不良の原因となる。
配線金属に直接接した構造では、ポリイミド系有機塗布
膜と配線金属との間の密着性が悪く、ポリイミド系有機
塗布膜がふくれたり剥れたりする。ポリイミド系有機塗
布膜のふくれは、上層の金属配線の起伏を拡大し、上層
の金属配線のパターン形状を乱し、上層の配線金属の断
線の誘因となる。また、ポリイミド系有機塗布膜の剥れ
は、剥れたポリイミド系有機塗布膜の移動による後工程
でのパターン形状の不良の原因となる。
次に、第５図に示したような無機系層間絶縁膜が下層、
ポリイミド系有機塗布膜が上層となる２層構造を層間絶
縁膜の基本構造単位とした多層配線構造では、ポリイミ
ド系有機塗布膜の下層に必ず無機系絶縁膜もしくは無機
系層間絶縁膜が存在するためポリイミド系有機塗布膜の
下層との密着性は改善されるが、例えば、第２層のポリ
イミド系有機塗布膜のベーキングの際に、第１層のポリ
イミド系有機塗布膜中に残留した水分が第２層の無機系
層間絶縁膜に妨げられて蒸発せず、ポリイミド系有機塗
布膜のふくれを引き起しやすくなる。また、この構造で
は、ポリイミド系有機塗布膜中に水分が残留しやすいた
め、金属配線の腐食や半導体装置の特性変動が起りやす
くなる。
ポリイミド系有機塗布膜が上層となる２層構造を層間絶
縁膜の基本構造単位とした多層配線構造では、ポリイミ
ド系有機塗布膜の下層に必ず無機系絶縁膜もしくは無機
系層間絶縁膜が存在するためポリイミド系有機塗布膜の
下層との密着性は改善されるが、例えば、第２層のポリ
イミド系有機塗布膜のベーキングの際に、第１層のポリ
イミド系有機塗布膜中に残留した水分が第２層の無機系
層間絶縁膜に妨げられて蒸発せず、ポリイミド系有機塗
布膜のふくれを引き起しやすくなる。また、この構造で
は、ポリイミド系有機塗布膜中に水分が残留しやすいた
め、金属配線の腐食や半導体装置の特性変動が起りやす
くなる。
更に、第４図、第５図に示した構造の半導体装置では、
第２．第３層の金属配線の形成の際のエツチング工程に
おいて、下層のポリイミド系有機塗布膜が損傷を受ける
。
第２．第３層の金属配線の形成の際のエツチング工程に
おいて、下層のポリイミド系有機塗布膜が損傷を受ける
。
本発明の半導体装置は、ポリイミド系有機塗布膜を金属
配線の層間絶縁膜とする多層配線構造を有する半導体装
置において、無機系層間絶縁膜がスルーホール開口部を
除く金属配線の上面、およびスルーホール開口部以外の
ポリイミド系有機塗布膜上の金属配線の下面に形成され
ている。
配線の層間絶縁膜とする多層配線構造を有する半導体装
置において、無機系層間絶縁膜がスルーホール開口部を
除く金属配線の上面、およびスルーホール開口部以外の
ポリイミド系有機塗布膜上の金属配線の下面に形成され
ている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は３層配線構造の半導体装置に適用した本発明の
第１の実施例の断面図である。
第１の実施例の断面図である。
半導体基板１上の無機系絶縁膜２の上に、ＡＩ！あるい
はＡｕを主要原料とする第１層の金属配線３、第２層の
金属配線３ａ、第３層の金属配線３ｂからなる３層配線
が形成されている。
はＡｕを主要原料とする第１層の金属配線３、第２層の
金属配線３ａ、第３層の金属配線３ｂからなる３層配線
が形成されている。
スルーホール開口部を除く金属配線３．３ａ。
３ｂの上面には、プラズマＣＶＤ法あるいはスパッタ法
により形成した無機系層間絶縁膜４゜４ａ、４ｂが形成
されている。また、スルーホール開口部を除く金属配線
３ ａ ＋ ３ ｂの下面には、プラズマＣＶＤ法あ
るいはスパッタ法により形成した無機系層間絶縁膜５
ａ ｓ ５ ｂが形成されている。無機系層間絶縁膜
の形成をプラズマＣＶＤ法あるいはスパッタ法で行なう
のは、これらの成膜が３５０℃以下の比較的低温で行な
えるからである。
により形成した無機系層間絶縁膜４゜４ａ、４ｂが形成
されている。また、スルーホール開口部を除く金属配線
３ ａ ＋ ３ ｂの下面には、プラズマＣＶＤ法あ
るいはスパッタ法により形成した無機系層間絶縁膜５
ａ ｓ ５ ｂが形成されている。無機系層間絶縁膜
の形成をプラズマＣＶＤ法あるいはスパッタ法で行なう
のは、これらの成膜が３５０℃以下の比較的低温で行な
えるからである。
ポリイミド系有機塗布膜６は、スルーホール７の開口部
を除いた上面に無機系層間絶縁膜４を有する第１層の金
属配線３とスルーホール７ａの開口部を除いた上面に無
機系層間絶縁膜４ａを有しスルーホール７の開口部を除
いた下面に無機系層間絶縁膜５ａを有する第２層の金属
配線３ａとの間の配線層間絶縁膜となる。また、ポリイ
ミド系有機塗布膜６ａは、第２層の金属配線３ａとスル
ーホール（図示せず）の開口部を除いた上面に無機系層
間絶縁膜４ｂを有しスルーホール７ａの開口部を除いた
下面に無機系層間絶縁膜５ｂを有する第３層の金属配線
３ｂとの間の配線層間絶縁膜となる。更に、ポリイミド
系有機塗布膜６ｂは第３層の金属配線３ｂの保護膜とな
る。
を除いた上面に無機系層間絶縁膜４を有する第１層の金
属配線３とスルーホール７ａの開口部を除いた上面に無
機系層間絶縁膜４ａを有しスルーホール７の開口部を除
いた下面に無機系層間絶縁膜５ａを有する第２層の金属
配線３ａとの間の配線層間絶縁膜となる。また、ポリイ
ミド系有機塗布膜６ａは、第２層の金属配線３ａとスル
ーホール（図示せず）の開口部を除いた上面に無機系層
間絶縁膜４ｂを有しスルーホール７ａの開口部を除いた
下面に無機系層間絶縁膜５ｂを有する第３層の金属配線
３ｂとの間の配線層間絶縁膜となる。更に、ポリイミド
系有機塗布膜６ｂは第３層の金属配線３ｂの保護膜とな
る。
スルーホール７により第１層の金属配線３と第２層の金
属配線３ａとが接続し、スルーホール７ａにより第２層
の金属配線３ａと第３層の金属配線３ｂとが接続してい
る。
属配線３ａとが接続し、スルーホール７ａにより第２層
の金属配線３ａと第３層の金属配線３ｂとが接続してい
る。
この構造では、ポリイミド系有機塗布膜６は第１層の金
属配線３の側面と直接接しており、ポリイミド系有機塗
布膜６ａは第２層の金属配線３ａの側面と直接接してお
り、ポリイミド系有機塗布膜６ｂは第３層の金属配線３
ｂの側面と直接接している。
属配線３の側面と直接接しており、ポリイミド系有機塗
布膜６ａは第２層の金属配線３ａの側面と直接接してお
り、ポリイミド系有機塗布膜６ｂは第３層の金属配線３
ｂの側面と直接接している。
次に、第２図（ａ）〜（ｄ）、および第２図（ｅ）を参
照して、本実施例の多層配線を有する半導体装置の製造
方法を説明する。第２図（ａ）〜（ｅ）は第１層の金属
配線の形成から第２層の金属配線の形成までを説明する
ための工程順の断面図であり、第２図（ｅ）は第２図（
ｄ）のＡＡ’線断面での次工程における断面図である。
照して、本実施例の多層配線を有する半導体装置の製造
方法を説明する。第２図（ａ）〜（ｅ）は第１層の金属
配線の形成から第２層の金属配線の形成までを説明する
ための工程順の断面図であり、第２図（ｅ）は第２図（
ｄ）のＡＡ’線断面での次工程における断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、半導体基板１上のコ
ンタクト開口部（図示せず）を有する無機系絶縁膜２上
に、Ａ１あるいはＡｕを主要原料′とする第１層の金属
配線用の金属膜１３を全面スパッタし、その上にプラズ
マＣＶＤ法あるいはスパッタ法により無機系層間絶縁膜
４（この膜はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、および
シリコン酸化窒化膜のすくなくとも１つから構成される
）を形成する。
ンタクト開口部（図示せず）を有する無機系絶縁膜２上
に、Ａ１あるいはＡｕを主要原料′とする第１層の金属
配線用の金属膜１３を全面スパッタし、その上にプラズ
マＣＶＤ法あるいはスパッタ法により無機系層間絶縁膜
４（この膜はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、および
シリコン酸化窒化膜のすくなくとも１つから構成される
）を形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ
ー工程と反応性イオンエツチングにより無機系層間絶縁
膜４をパターニングする。更に金属膜１３を反応性イオ
ンエツチング、あるいはミリングによりパターニングし
、第１層の金属配線３を形成する。
ー工程と反応性イオンエツチングにより無機系層間絶縁
膜４をパターニングする。更に金属膜１３を反応性イオ
ンエツチング、あるいはミリングによりパターニングし
、第１層の金属配線３を形成する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、ポリイミド系有機塗
布膜６を全面に形成し、更にその上にプラズマＣＶＤ法
あるいはスパッタ法により無機系層間絶縁膜５ａ（シリ
コン酸化膜、シリコン窒化膜、およびシリコン酸化窒化
膜のすくなくとも１つから構成される）を形成する。続
いて、フォトリソグラフィー工程、および反応性イオン
エツチングにより、無機系層間絶縁膜５ａ、ポリイミド
系有機塗布膜６．および第１層の金属配線３上の無機系
層間絶縁膜４を順次エツチング除去し、スルーホール７
を開口する。
布膜６を全面に形成し、更にその上にプラズマＣＶＤ法
あるいはスパッタ法により無機系層間絶縁膜５ａ（シリ
コン酸化膜、シリコン窒化膜、およびシリコン酸化窒化
膜のすくなくとも１つから構成される）を形成する。続
いて、フォトリソグラフィー工程、および反応性イオン
エツチングにより、無機系層間絶縁膜５ａ、ポリイミド
系有機塗布膜６．および第１層の金属配線３上の無機系
層間絶縁膜４を順次エツチング除去し、スルーホール７
を開口する。
次に、第２図（ｄ）に示すように、ＡｆあるいはＡｕを
主要原料とする第２層の金属配線用の金属膜１３ａを全
面スパッタし、その上にプラズマＣＶＤ法あるいはスパ
ッタ法により無機系層間絶縁膜４ａを形成する。
主要原料とする第２層の金属配線用の金属膜１３ａを全
面スパッタし、その上にプラズマＣＶＤ法あるいはスパ
ッタ法により無機系層間絶縁膜４ａを形成する。
次に、第２図（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ
ー工程を用い、反応性イオンエッチングによる無機系層
間絶縁膜４ａのパターニング、金属膜１３ａの反応性イ
オンエツチング、あるいはミリングによる第２層の金属
配線３ａの形成９反応性エツチングによる無機系層間絶
縁膜５ａのバターニングを行なう。
ー工程を用い、反応性イオンエッチングによる無機系層
間絶縁膜４ａのパターニング、金属膜１３ａの反応性イ
オンエツチング、あるいはミリングによる第２層の金属
配線３ａの形成９反応性エツチングによる無機系層間絶
縁膜５ａのバターニングを行なう。
なお、金属配線３ａの形成工程に際し、無機系層間絶縁
膜５ａは、下層のポリイミド系有機塗布膜６をこのエツ
チングから保護するのに役だつ。
膜５ａは、下層のポリイミド系有機塗布膜６をこのエツ
チングから保護するのに役だつ。
第３図は本発明の第２の実施例を説明するための断面図
である。
である。
本実施例は、スルーホール７．７ａ内にタングステン８
，８ａを選択ＣＶＤ法により埋め込んであり、他は本発
明の第１の実施例と同じである。
，８ａを選択ＣＶＤ法により埋め込んであり、他は本発
明の第１の実施例と同じである。
タングステンの選択ＣＶＤ法は、ＷＦｏとＨ２との還元
反応、あるいはＷ Ｆ ｅとＳｉＨ４との還元反応によ
る。これらの反応は、２５０′Ｃ〜３５０℃の温度範囲
で行なうことにより、ポリイミド系有機塗布膜６．６ａ
等に損傷を与えることは無い。
反応、あるいはＷ Ｆ ｅとＳｉＨ４との還元反応によ
る。これらの反応は、２５０′Ｃ〜３５０℃の温度範囲
で行なうことにより、ポリイミド系有機塗布膜６．６ａ
等に損傷を与えることは無い。
本実施例では、スルーホールのアスペクト比（深さ／径
）が１以上で場合にも、埋め込み性が良く、配線を平坦
にすることができ、スルーホールにおけるコンタクト抵
抗も下げることができる。
）が１以上で場合にも、埋め込み性が良く、配線を平坦
にすることができ、スルーホールにおけるコンタクト抵
抗も下げることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ポリイミド系有機塗布膜
を金属配線の層間絶縁膜とする多層配線構造を有する半
導体装置において、無機系層間絶縁膜がスルーホール開
口部を除く金属配線の上面、およびスルーホール開口部
以外のポリイミド系有機塗布膜上の金属配線の下面に形
成されていることにより、金属配線層′と上層のポリイ
ミド系有機塗布膜の密着性が改善され、ポリイミド系有
機塗布膜のふくれおよび剥れを防ぐことが可能となる。
を金属配線の層間絶縁膜とする多層配線構造を有する半
導体装置において、無機系層間絶縁膜がスルーホール開
口部を除く金属配線の上面、およびスルーホール開口部
以外のポリイミド系有機塗布膜上の金属配線の下面に形
成されていることにより、金属配線層′と上層のポリイ
ミド系有機塗布膜の密着性が改善され、ポリイミド系有
機塗布膜のふくれおよび剥れを防ぐことが可能となる。
また、無機系層間絶縁膜がスルーホール開口部を除く金
属配線の上面にのみ形成されていることから、ポリイミ
ド系有機塗布膜中の水分の残留が低減出来る。このため
、ベーキングに際してのポリイミド系有機塗布膜のふく
れによる金属配線の断線、ポリイミド系有機塗布膜のふ
くれおよび剥れによる金属配線等のパターン形状不良、
ポリイミド系有機塗布膜中の残留水分による金属配線の
腐食や半導体装置の特性変動等を防ぐことが出来る。
属配線の上面にのみ形成されていることから、ポリイミ
ド系有機塗布膜中の水分の残留が低減出来る。このため
、ベーキングに際してのポリイミド系有機塗布膜のふく
れによる金属配線の断線、ポリイミド系有機塗布膜のふ
くれおよび剥れによる金属配線等のパターン形状不良、
ポリイミド系有機塗布膜中の残留水分による金属配線の
腐食や半導体装置の特性変動等を防ぐことが出来る。
更に、金属配線下層の無機系層間絶縁膜は、金属配線を
形成する際のエツチング工程において、下層のポリイミ
ド系有機塗布膜をこのエツチングから保護する働きがあ
る。
形成する際のエツチング工程において、下層のポリイミ
ド系有機塗布膜をこのエツチングから保護する働きがあ
る。
６ ａ ＊ ６ ｂ・・・ポリイミド系有機塗布膜、７
，７ａ・・・スルーホール、８，８ａ・・・タングステ
ン、１３１３ａ・・・金属膜。
，７ａ・・・スルーホール、８，８ａ・・・タングステ
ン、１３１３ａ・・・金属膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ポリイミド系有機塗布膜を金属配線の層間絶縁膜と
する多層配線構造を有する半導体装置において、無機系
層間絶縁膜がスルーホール開口部を除く前記金属配線の
上面、および前記スルーホール開口部以外の前記ポリイ
ミド系有機塗布膜上の前記金属配線の下面に形成されて
いることを特徴とする半導体装置。 ２、タングステンが前記スルーホール内に埋め込まれた
構造を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31578289 | 1989-12-04 | ||
| JP1-315782 | 1989-12-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03237745A true JPH03237745A (ja) | 1991-10-23 |
| JP2687709B2 JP2687709B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=18069490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2286125A Expired - Fee Related JP2687709B2 (ja) | 1989-12-04 | 1990-10-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2687709B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250792A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子 |
| JP2011066377A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-03-31 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8441122B2 (en) | 2009-08-18 | 2013-05-14 | Denso Corporation | Semiconductor device having semiconductor chip and metal plate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172154U (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | ||
| JPS645038A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP2286125A patent/JP2687709B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172154U (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | ||
| JPS645038A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250792A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子 |
| JP2011066377A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-03-31 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8441122B2 (en) | 2009-08-18 | 2013-05-14 | Denso Corporation | Semiconductor device having semiconductor chip and metal plate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2687709B2 (ja) | 1997-12-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |