JP2687709B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特にポリイミド系有機塗
布膜を金属配線の層間絶縁膜とする多層配線構造を有す
る半導体装置に関する。
布膜を金属配線の層間絶縁膜とする多層配線構造を有す
る半導体装置に関する。
ポリイミド系有機塗布膜を金属配線の層間絶縁膜とす
る３層配線構造の半導体装置を例に、従来の技術を説明
する。
る３層配線構造の半導体装置を例に、従来の技術を説明
する。
層間絶縁膜がポリイミド系有機塗布膜のみで構成され
た半導体装置の断面図を第４図に示す。
た半導体装置の断面図を第４図に示す。
半導体基板１上の無機系絶縁膜２の上に、Alあるいは
Auを主要原料とする第１層の金属配線3,第２層の金属配
線3a,第３層の金属配線3bからなる３層配線が形成さ
れ、ポリイミド系有機塗布膜６は第１層の金属配線３と
第２層の金属配線3aとの間の層間絶縁膜となり、ポリイ
ミド系有機塗布膜6aは第２層の金属配線3aと第３層の金
属配線3bとの間の層間絶縁膜となり、ポリイミド系有機
塗布膜6bは第３層の金属配線3bの保護膜となる。スルー
ホール７により第１層の金属配線３と第２層の金属配線
3aとが接続し、スルーホール7aにより第２層の金属配線
3aと第３層の金属配線3bとが接続している。
Auを主要原料とする第１層の金属配線3,第２層の金属配
線3a,第３層の金属配線3bからなる３層配線が形成さ
れ、ポリイミド系有機塗布膜６は第１層の金属配線３と
第２層の金属配線3aとの間の層間絶縁膜となり、ポリイ
ミド系有機塗布膜6aは第２層の金属配線3aと第３層の金
属配線3bとの間の層間絶縁膜となり、ポリイミド系有機
塗布膜6bは第３層の金属配線3bの保護膜となる。スルー
ホール７により第１層の金属配線３と第２層の金属配線
3aとが接続し、スルーホール7aにより第２層の金属配線
3aと第３層の金属配線3bとが接続している。
この構造では、ポリイミド系有機塗布膜6,6a,6bは金
属配線3,3a,3bの上面および側面で直接金属配線3,3a,3b
と接しており、ポリイミド系有機塗布膜6,6aは金属配線
3a,3bの下面で金属配線3a,3bと直接接している。
属配線3,3a,3bの上面および側面で直接金属配線3,3a,3b
と接しており、ポリイミド系有機塗布膜6,6aは金属配線
3a,3bの下面で金属配線3a,3bと直接接している。
第５図は、層間絶縁膜がポリイミド系有機塗布膜と無
機系層間絶縁膜とから構成された従来の半導体装置の断
面図である。
機系層間絶縁膜とから構成された従来の半導体装置の断
面図である。
半導体基板１上の無機系絶縁膜２の上に、Alあるいは
Auを主要原料とする第１層の金属配線3,第２層の金属配
線3a,第３層の金属配線3bからなる３層配線が形成され
ている。
Auを主要原料とする第１層の金属配線3,第２層の金属配
線3a,第３層の金属配線3bからなる３層配線が形成され
ている。
第１層の金属配線３と第２層の金属配線3aとの間の層
間絶縁膜は、プラズマCVD法あるいはスパッタ法により
形成した無機系層間絶縁膜４（例えば、シリコン酸化
膜，シリコン窒化膜，シリコン酸化窒化膜）を下層に、
ポリイミド系有機塗布膜６を上層にして形成される。第
２層の金属配線3aと第３層の金属配線3bとの間の層間絶
縁膜は、プラズマCVD法あるいはスパッタ法により形成
した無機系層間絶縁膜4aを下層に、ポリイミド系有機塗
布膜6aを上層にして形成される。第３層の金属配線3bの
保護膜は、プラズマCVD法あるいはスパッタ法により形
成した無機系層間絶縁膜4bを下層に、ポリイミド系有機
塗布膜6bを上層にして形成される。
間絶縁膜は、プラズマCVD法あるいはスパッタ法により
形成した無機系層間絶縁膜４（例えば、シリコン酸化
膜，シリコン窒化膜，シリコン酸化窒化膜）を下層に、
ポリイミド系有機塗布膜６を上層にして形成される。第
２層の金属配線3aと第３層の金属配線3bとの間の層間絶
縁膜は、プラズマCVD法あるいはスパッタ法により形成
した無機系層間絶縁膜4aを下層に、ポリイミド系有機塗
布膜6aを上層にして形成される。第３層の金属配線3bの
保護膜は、プラズマCVD法あるいはスパッタ法により形
成した無機系層間絶縁膜4bを下層に、ポリイミド系有機
塗布膜6bを上層にして形成される。
スルーホール７により第１層の金属配線３と第２層の
金属配線3aとが接続し、スルーホール7aにより第２層の
金属配線3aと第３層の金属配線3bとが接続している。
金属配線3aとが接続し、スルーホール7aにより第２層の
金属配線3aと第３層の金属配線3bとが接続している。
この構造では、ポリイミド系有機塗布膜6,6a,6bは金
属配線3,3a,3bの上面および側面において無機系層間絶
縁膜4,4a,4bを介して金属配線3,3a,3bと接しており、ま
た、ポリイミド系有機塗布膜6,6aは金属配線3a,3bの下
面で金属配線3a,3bと直接接している。
属配線3,3a,3bの上面および側面において無機系層間絶
縁膜4,4a,4bを介して金属配線3,3a,3bと接しており、ま
た、ポリイミド系有機塗布膜6,6aは金属配線3a,3bの下
面で金属配線3a,3bと直接接している。
上述した従来の多層配線構造を有する半導体装置は、
以下に示すような問題点がある。
以下に示すような問題点がある。
まず、第４図に示したようなポリイミド系有機塗布膜
が配線金属に直接接した構造では、ポリイミド系有機塗
布膜と配線金属との間の密着性が悪く、ポリイミド系有
機塗布膜がふくれたり剥れたりする。ポリイミド系有機
塗布膜のふくれは、上層の金属配線の起伏を拡大し、上
層の金属配線のパターン形状を乱し、上層の配線金属の
断線の誘因となる。また、ポリイミド系有機塗布膜の剥
れは、剥れたポリイミド系有機塗布膜の移動による後工
程でのパターン形状の不良の原因となる。
が配線金属に直接接した構造では、ポリイミド系有機塗
布膜と配線金属との間の密着性が悪く、ポリイミド系有
機塗布膜がふくれたり剥れたりする。ポリイミド系有機
塗布膜のふくれは、上層の金属配線の起伏を拡大し、上
層の金属配線のパターン形状を乱し、上層の配線金属の
断線の誘因となる。また、ポリイミド系有機塗布膜の剥
れは、剥れたポリイミド系有機塗布膜の移動による後工
程でのパターン形状の不良の原因となる。
次に、第５図に示したような無機系層間絶縁膜が下
層，ポリイミド系有機塗布膜が上層となる２層構造を層
間絶縁膜の基本構造単位とした多層配線構造では、ポリ
イミド系有機塗布膜の下層に必ず無機系絶縁膜もしくは
無機系層間絶縁膜が存在するためポリイミド系有機塗布
膜の下層との密着性は改善されるが、例えば、第２層の
ポリイミド系有機塗布膜のベーキングの際に、第１層の
ポリイミド系有機塗布膜中に残留した水分が第２層の無
機系層間絶縁膜に妨げられて蒸発せず、ポリイミド系有
機塗布膜のふくれを引き起しやすくなる。また、この構
造では、ポリイミド系有機塗布膜中に水分が残留しやす
いため、金属配線の腐食や半導体装置の特性変動が起り
やすくなる。
層，ポリイミド系有機塗布膜が上層となる２層構造を層
間絶縁膜の基本構造単位とした多層配線構造では、ポリ
イミド系有機塗布膜の下層に必ず無機系絶縁膜もしくは
無機系層間絶縁膜が存在するためポリイミド系有機塗布
膜の下層との密着性は改善されるが、例えば、第２層の
ポリイミド系有機塗布膜のベーキングの際に、第１層の
ポリイミド系有機塗布膜中に残留した水分が第２層の無
機系層間絶縁膜に妨げられて蒸発せず、ポリイミド系有
機塗布膜のふくれを引き起しやすくなる。また、この構
造では、ポリイミド系有機塗布膜中に水分が残留しやす
いため、金属配線の腐食や半導体装置の特性変動が起り
やすくなる。
更に、第４図，第５図に示した構造の半導体装置で
は、第2,第３層の金属配線の形成の際のエッチング工程
において、下層のポリイミド系有機塗布膜が損傷を受け
る。
は、第2,第３層の金属配線の形成の際のエッチング工程
において、下層のポリイミド系有機塗布膜が損傷を受け
る。
本発明の半導体装置は、少なくとも無機系絶縁膜上に
設けられた第１の金属配線と第１の金属配線を覆う層間
絶縁膜と層間絶縁膜上に設けられた第２の金属配線とを
有し、この層間絶縁膜は第１の無機系層間絶縁膜，第１
のポリイミド系有機塗布膜および第２の無機系層間絶縁
膜が積層されてなり、第２の金属配線が少なくとも第３
の無機系層間絶縁膜と第２のポリイミド系有機塗布膜と
を含んだ積層絶縁膜により覆われてなり、この層間絶縁
膜には第２の金属配線の底面から第１の金属配線の上面
に達する第１のスルーホール開口部が設けられ、さら
に、この積層絶縁膜には第２の金属配線の上面に達する
第２のスルーホール開口部が設けられてなる多層配線構
造を有する半導体装置において、上記第１の無機系層間
絶縁膜は上記第１のスルーホール開口部を除いた上記第
１の金属配線の上面にのみに設けられ、これらの第１の
金属配線の側面は上記第１のポリイミド系有機塗布膜に
より直接に覆われ、上記第２の無機系層間絶縁膜は上記
第１のスルーホール開口部を除いた上記第２の金属配線
の底面にのみに設けられ、上記第３の無機系層間絶縁膜
は上記第２のスルーホール開口部を除いた上記第２の金
属配線の上面にのみに設けられ、これらの第２の金属配
線の側面は上記第２のポリイミド系有機塗布膜により直
接に覆われていることを特徴とする。
設けられた第１の金属配線と第１の金属配線を覆う層間
絶縁膜と層間絶縁膜上に設けられた第２の金属配線とを
有し、この層間絶縁膜は第１の無機系層間絶縁膜，第１
のポリイミド系有機塗布膜および第２の無機系層間絶縁
膜が積層されてなり、第２の金属配線が少なくとも第３
の無機系層間絶縁膜と第２のポリイミド系有機塗布膜と
を含んだ積層絶縁膜により覆われてなり、この層間絶縁
膜には第２の金属配線の底面から第１の金属配線の上面
に達する第１のスルーホール開口部が設けられ、さら
に、この積層絶縁膜には第２の金属配線の上面に達する
第２のスルーホール開口部が設けられてなる多層配線構
造を有する半導体装置において、上記第１の無機系層間
絶縁膜は上記第１のスルーホール開口部を除いた上記第
１の金属配線の上面にのみに設けられ、これらの第１の
金属配線の側面は上記第１のポリイミド系有機塗布膜に
より直接に覆われ、上記第２の無機系層間絶縁膜は上記
第１のスルーホール開口部を除いた上記第２の金属配線
の底面にのみに設けられ、上記第３の無機系層間絶縁膜
は上記第２のスルーホール開口部を除いた上記第２の金
属配線の上面にのみに設けられ、これらの第２の金属配
線の側面は上記第２のポリイミド系有機塗布膜により直
接に覆われていることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は３層配線構造の半導体装置に適用した本発明
の第１の実施例の断面図である。
の第１の実施例の断面図である。
半導体基板１上の無機系絶縁膜２の上に、Alあるいは
Auを主要原料とする第１層の金属配線3,第２層の金属配
線3a,第３層の金属配線3bからなる３層配線が形成され
ている。
Auを主要原料とする第１層の金属配線3,第２層の金属配
線3a,第３層の金属配線3bからなる３層配線が形成され
ている。
スルーホール開口部を除く金属配線3,3a,3bの上面に
は、プラズマCVD法あるいはスパッタ法により形成した
無機系層間絶縁膜4,4a,4bが形成されている。また、ス
ルーホール開口部を除く金属配線3a,3bの下面には、プ
ラズマCVD法あるいはスパッタ法により形成した無機系
層間絶縁膜5a,5bが形成されている。無機系層間絶縁膜
の形成をプラズマCVD法あるいはスパッタ法で行なうの
は、これらの成膜が350℃以下の比較的低温で行なえる
からである。
は、プラズマCVD法あるいはスパッタ法により形成した
無機系層間絶縁膜4,4a,4bが形成されている。また、ス
ルーホール開口部を除く金属配線3a,3bの下面には、プ
ラズマCVD法あるいはスパッタ法により形成した無機系
層間絶縁膜5a,5bが形成されている。無機系層間絶縁膜
の形成をプラズマCVD法あるいはスパッタ法で行なうの
は、これらの成膜が350℃以下の比較的低温で行なえる
からである。
ポリイミド系有機塗布膜６は、スルーホール７の開口
部を除いた上面に無機系層間絶縁膜４を有する第１層の
金属配線３とスルーホール7aの開口部を除いた上面に無
機系層間絶縁膜4aを有しスルーホール７の開口部を除い
た下面に無機系層間絶縁膜5aを有する第２層の金属配線
3aとの間の配線層間絶縁膜となる。また、ポリイミド系
有機塗布膜6aは、第２層の金属配線3aとスルーホール
（図示せず）の開口部を除いた上面に無機系層間絶縁膜
4bを有しスルーホール7aの開口部を除いた下面、無機系
層間絶縁膜5bを有する第３層の金属配線3bとの間の配線
層間絶縁膜となる。更に、ポリイミド系有機塗布膜6bは
第３層の金属配線3bの保護膜となる。
部を除いた上面に無機系層間絶縁膜４を有する第１層の
金属配線３とスルーホール7aの開口部を除いた上面に無
機系層間絶縁膜4aを有しスルーホール７の開口部を除い
た下面に無機系層間絶縁膜5aを有する第２層の金属配線
3aとの間の配線層間絶縁膜となる。また、ポリイミド系
有機塗布膜6aは、第２層の金属配線3aとスルーホール
（図示せず）の開口部を除いた上面に無機系層間絶縁膜
4bを有しスルーホール7aの開口部を除いた下面、無機系
層間絶縁膜5bを有する第３層の金属配線3bとの間の配線
層間絶縁膜となる。更に、ポリイミド系有機塗布膜6bは
第３層の金属配線3bの保護膜となる。
スルーホール７により第１層の金属配線３と第２層の
金属配線3aとが接続し、スルーホール7aにより第２層の
金属配線3aと第３層の金属配線3bとが接続している。
金属配線3aとが接続し、スルーホール7aにより第２層の
金属配線3aと第３層の金属配線3bとが接続している。
この構造では、ポリイミド系有機塗布膜６は第１層の
金属配線３の側面と直接接しており、ポリイミド系有機
塗布膜6aは第２層の金属配線3aの側面と直接接してお
り、ポリイミド系有機塗布膜6bは第３層の金属配線3bの
側面と直接接している。
金属配線３の側面と直接接しており、ポリイミド系有機
塗布膜6aは第２層の金属配線3aの側面と直接接してお
り、ポリイミド系有機塗布膜6bは第３層の金属配線3bの
側面と直接接している。
次に、第２図（ａ）〜（ｄ），および第２図（ｅ）を
参照して、本実施例の多層配線を有する半導体装置の製
造方法を説明する。第２図（ａ）〜（ｅ）は第１層の金
属配線の形成から第２層の金属配線の形成までを説明す
るための工程順の断面図であり、第２図（ｅ）は第２図
（ｄ）のAA′線断面での次工程における断面図である。
参照して、本実施例の多層配線を有する半導体装置の製
造方法を説明する。第２図（ａ）〜（ｅ）は第１層の金
属配線の形成から第２層の金属配線の形成までを説明す
るための工程順の断面図であり、第２図（ｅ）は第２図
（ｄ）のAA′線断面での次工程における断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、半導体基板１上の
コンタクト開口部（図示せず）を有する無機系絶縁膜２
上に、AlあるいはAuを主要原料とする第１層の金属配線
用の金属膜13を全面スパッタし、その上にプラズマCVD
法あるいはスパッタ法により無機系層間絶縁膜４（この
膜はシリコン酸化膜，シリコン窒化膜，およびシリコン
酸化窒化膜のすくなくとも１つから構成される）を形成
する。
コンタクト開口部（図示せず）を有する無機系絶縁膜２
上に、AlあるいはAuを主要原料とする第１層の金属配線
用の金属膜13を全面スパッタし、その上にプラズマCVD
法あるいはスパッタ法により無機系層間絶縁膜４（この
膜はシリコン酸化膜，シリコン窒化膜，およびシリコン
酸化窒化膜のすくなくとも１つから構成される）を形成
する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、フォトリソグラフ
ィー工程と反応性イオンエッチングにより無機系層間絶
縁膜４をパターニングする。更に金属膜13を反応性イオ
ンエッチング，あるいはミリングにりパターニングし、
第１層の金属配線３を形成する。
ィー工程と反応性イオンエッチングにより無機系層間絶
縁膜４をパターニングする。更に金属膜13を反応性イオ
ンエッチング，あるいはミリングにりパターニングし、
第１層の金属配線３を形成する。
次に、第２図（ｃ）に示すように、ポリイミド系有機
塗布膜６を全面に形成し、更にその上にプラズマCVD法
あるいはスパッタ法により無機系層間絶縁膜5a（シリコ
ン酸化膜，シリコン窒化膜，およびシリコン酸化窒化膜
のすくなくとも１つから構成される）を形成する。続い
て、フォトリソグラフィー工程，および反応性イオンエ
ッチングにより、無機系層間絶縁膜5a,ポリイミド系有
機塗布膜6,および第１層の金属配線３上の無機系層間絶
縁膜４を順次エッチング除去し、スルーホール７を開口
する。
塗布膜６を全面に形成し、更にその上にプラズマCVD法
あるいはスパッタ法により無機系層間絶縁膜5a（シリコ
ン酸化膜，シリコン窒化膜，およびシリコン酸化窒化膜
のすくなくとも１つから構成される）を形成する。続い
て、フォトリソグラフィー工程，および反応性イオンエ
ッチングにより、無機系層間絶縁膜5a,ポリイミド系有
機塗布膜6,および第１層の金属配線３上の無機系層間絶
縁膜４を順次エッチング除去し、スルーホール７を開口
する。
次に、第２図（ｄ）に示すように、AlあるいはAuを主
要原料とする第２層の金属配線用の金属膜13aを全面ス
パッタし、その上にプラズマCVD法あるいはスパッタ法
により無機系層間絶縁膜4aを形成する。
要原料とする第２層の金属配線用の金属膜13aを全面ス
パッタし、その上にプラズマCVD法あるいはスパッタ法
により無機系層間絶縁膜4aを形成する。
次に、第２図（ｅ）に示すように、フォトリソグラフ
ィー工程を用い、反応性イオンエッチングによる無機系
層間絶縁膜4aのパターニング，金属膜13aの反応性イオ
ンエッチング，あるいはミリングによる第２層の金属配
線3aの形成，反応性エッチングによる無機系層間絶縁膜
5aのパターニングを行なう。
ィー工程を用い、反応性イオンエッチングによる無機系
層間絶縁膜4aのパターニング，金属膜13aの反応性イオ
ンエッチング，あるいはミリングによる第２層の金属配
線3aの形成，反応性エッチングによる無機系層間絶縁膜
5aのパターニングを行なう。
なお、金属配線3aの形成工程に際し、無機系層間絶縁
膜5aは、下層のポリイミド系有機塗布膜６をこのエッチ
ングから保護するのに役立だつ。
膜5aは、下層のポリイミド系有機塗布膜６をこのエッチ
ングから保護するのに役立だつ。
第３図は本発明の第２の実施例を説明するための断面
図である。
図である。
本実施例は、スルーホール7,7a内にタングステン8,8a
を選択CVD法により埋め込んであり、他は本発明の第１
の実施例と同じである。タングステンの選択CVD法は、W
F6とH2との還元反応，あるいはWF6とSiH4との還元反応
による。これらの反応は、250℃〜350℃の温度範囲で行
なうことにより、ポリイミド系有機塗布膜6,6a等に損傷
を与えることは無い。
を選択CVD法により埋め込んであり、他は本発明の第１
の実施例と同じである。タングステンの選択CVD法は、W
F6とH2との還元反応，あるいはWF6とSiH4との還元反応
による。これらの反応は、250℃〜350℃の温度範囲で行
なうことにより、ポリイミド系有機塗布膜6,6a等に損傷
を与えることは無い。
本実施例では、スルーホールのアスペクト比（深さ／
径）が１以上で場合にも、埋め込み性が良く、配線を平
坦にすることができ、スルーホールにおけるコンタクト
抵抗も下げることができる。
径）が１以上で場合にも、埋め込み性が良く、配線を平
坦にすることができ、スルーホールにおけるコンタクト
抵抗も下げることができる。
以上説明したように本発明は、第１の金属配線と第２
の金属配線との間に設けられた層間絶縁膜が第１のポリ
イミド系有機塗布膜を含んでなり，第２の金属配線が第
２のポリイミド系有機塗布膜により覆われ，層間絶縁膜
に設けられた第１のスルーホール開口部により第１の金
属配線と第２の金属配線とが接続され，第２のポリイミ
ド系有機塗布膜には第２の金属配線に達する第２のスル
ーホール開口部が設けられた多層配線構造を有する半導
体装置において、層間絶縁膜が（第１のスルーホール開
口部を除いた）第１の金属配線の上面にのみに設けられ
た第１の無機系層間絶縁膜と第１のポリイミド系有機塗
布膜と（第１のスルーホール開口部を除いた）第２の金
属配線の底面にのみに設けられた第２の無機系層間絶縁
膜とからなり、さらに、（第２のスルーホール開口部を
除いた）第２の金属配線の上面にのみに設けられた第３
の無機系層間絶縁膜を介してこれらの第２の金属配線が
第２のポリイミド系有機塗布膜により覆われていること
により、第１のポリイミド系有機塗布膜と第１および第
２の金属配線との密着性，第２のポリイミド系有機塗布
膜と第２の金属配線との密着性が改善され、第１および
第２のポリイミド系有機塗布膜のふくれおよび剥れを防
ぐことが可能になる。
の金属配線との間に設けられた層間絶縁膜が第１のポリ
イミド系有機塗布膜を含んでなり，第２の金属配線が第
２のポリイミド系有機塗布膜により覆われ，層間絶縁膜
に設けられた第１のスルーホール開口部により第１の金
属配線と第２の金属配線とが接続され，第２のポリイミ
ド系有機塗布膜には第２の金属配線に達する第２のスル
ーホール開口部が設けられた多層配線構造を有する半導
体装置において、層間絶縁膜が（第１のスルーホール開
口部を除いた）第１の金属配線の上面にのみに設けられ
た第１の無機系層間絶縁膜と第１のポリイミド系有機塗
布膜と（第１のスルーホール開口部を除いた）第２の金
属配線の底面にのみに設けられた第２の無機系層間絶縁
膜とからなり、さらに、（第２のスルーホール開口部を
除いた）第２の金属配線の上面にのみに設けられた第３
の無機系層間絶縁膜を介してこれらの第２の金属配線が
第２のポリイミド系有機塗布膜により覆われていること
により、第１のポリイミド系有機塗布膜と第１および第
２の金属配線との密着性，第２のポリイミド系有機塗布
膜と第２の金属配線との密着性が改善され、第１および
第２のポリイミド系有機塗布膜のふくれおよび剥れを防
ぐことが可能になる。
また、第２の無機系層間絶縁膜が第１のスルーホール
開口部の除く第２の金属配線の底面にのみに形成され，
さらに第３の無機系層間絶縁膜が第２のスルーホール開
口部の除く第２の金属配線の上面にのみに形成されてい
ることから、第１（および第２）のポリイミド系有機塗
布膜中の水分の残留が低減出来る。このため、ベーキン
グに際しての第1,第２のポリイミド系有機塗布膜のふく
れによる第１および第２の金属配線の断線、第1,第２の
ポリイミド系有機塗布膜のふくれおよび剥れによる第１
あるいは第２の金属配線等のパターン形状不良、第1,第
２のポリイミド系有機塗布膜中の残留水分による第１あ
るいは第２の金属配線の腐食や半導体装置の特性変動等
を防ぐことが出来る。
開口部の除く第２の金属配線の底面にのみに形成され，
さらに第３の無機系層間絶縁膜が第２のスルーホール開
口部の除く第２の金属配線の上面にのみに形成されてい
ることから、第１（および第２）のポリイミド系有機塗
布膜中の水分の残留が低減出来る。このため、ベーキン
グに際しての第1,第２のポリイミド系有機塗布膜のふく
れによる第１および第２の金属配線の断線、第1,第２の
ポリイミド系有機塗布膜のふくれおよび剥れによる第１
あるいは第２の金属配線等のパターン形状不良、第1,第
２のポリイミド系有機塗布膜中の残留水分による第１あ
るいは第２の金属配線の腐食や半導体装置の特性変動等
を防ぐことが出来る。
更に、第２の金属配線の底面に設けられた第２の無機
系層間絶縁膜は、この第２の金属配線を形成する際のエ
ッチング工程において、第１のポリイミド系有機塗布膜
をこのエッチングから保護する働きがある。
系層間絶縁膜は、この第２の金属配線を形成する際のエ
ッチング工程において、第１のポリイミド系有機塗布膜
をこのエッチングから保護する働きがある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図（ａ）
〜（ｅ）は本発明の第１の実施例の構造の半導体装置の
製造方法を説明するための工程順の断面図、第３図は本
発明の第２の実施例を説明するための断面図、第４図，
第５図は従来の半導体装置の断面図である。 １…半導体基板、２…無機系絶縁膜、3,3a,3b…金属配
線、4,4a,4b…無機系層間絶縁膜、5a,5b…無機系層間絶
縁膜、6,6a,6b…ポリイミド系有機塗布膜、7,7a…スル
ーホール、8,8a…タングステン、13,13a…金属膜。
〜（ｅ）は本発明の第１の実施例の構造の半導体装置の
製造方法を説明するための工程順の断面図、第３図は本
発明の第２の実施例を説明するための断面図、第４図，
第５図は従来の半導体装置の断面図である。 １…半導体基板、２…無機系絶縁膜、3,3a,3b…金属配
線、4,4a,4b…無機系層間絶縁膜、5a,5b…無機系層間絶
縁膜、6,6a,6b…ポリイミド系有機塗布膜、7,7a…スル
ーホール、8,8a…タングステン、13,13a…金属膜。
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも無機系絶縁膜上に設けられた第
１の金属配線と該第１の金属配線を覆う層間絶縁膜と該
層間絶縁膜上に設けられた第２の金属配線とを有し、該
層間絶縁膜は第１の無機系層間絶縁膜，第１のポリイミ
ド系有機塗布膜および第２の無機系層間絶縁膜が積層さ
れてなり、該第２の金属配線が少なくとも第３の無機系
層間絶縁膜と第２のポリイミド系有機塗布膜とを含んだ
積層絶縁膜により覆われてなり、該層間絶縁膜には該第
２の金属配線の底面から該第１の金属配線の上面に達す
る第１のスルーホール開口部が設けられ、さらに、該積
層絶縁膜には該第２の金属配線の上面に達する第２のス
ルーホール開口部が設けられてなる多層配線構造を有す
る半導体装置において、 前記第１の無機系層間絶縁膜は前記第１のスルーホール
開口部を除いた前記第１の金属配線の上面にのみに設け
られ、該第１の金属配線の側面は前記第１のポリイミド
系有機塗布膜により直接に覆われ、 前記第２の無機系層間絶縁膜は前記第１のスルーホール
開口部を除いた前記第２の金属配線の底面にのみに設け
られ、 前記第３の無機系層間絶縁膜は前記第２のスルーホール
開口部を除いた前記第２の金属配線の上面にのみに設け
られ、該第２の金属配線の側面は前記第２のポリイミド
系有機塗布膜により直接に覆われていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】少なくとも前記第１のスルーホール開口部
内にはタングステンが埋め込まれていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-315782 | 1989-12-04 | ||
| JP31578289 | 1989-12-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03237745A JPH03237745A (ja) | 1991-10-23 |
| JP2687709B2 true JP2687709B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=18069490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2286125A Expired - Fee Related JP2687709B2 (ja) | 1989-12-04 | 1990-10-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2687709B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250792A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子 |
| JP2011066371A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-03-31 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE102010038933A1 (de) | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Denso Corporation, Kariya-City | Halbleitervorrichtung mit Halbleiterchip und Metallplatte und Verfahren zu deren Fertigung |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172154U (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | ||
| JPH0618239B2 (ja) * | 1987-06-26 | 1994-03-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP2286125A patent/JP2687709B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03237745A (ja) | 1991-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |