JPS60113479A - 膜状半導体装置 - Google Patents
膜状半導体装置Info
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- JPS60113479A JPS60113479A JP58221793A JP22179383A JPS60113479A JP S60113479 A JPS60113479 A JP S60113479A JP 58221793 A JP58221793 A JP 58221793A JP 22179383 A JP22179383 A JP 22179383A JP S60113479 A JPS60113479 A JP S60113479A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- -1 silane (SiH4) Chemical class 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は樹脂基板を備えた膜状半導体装置に関する。
（ロ）従来技術
シラン（ＳｉＨ４）等のシリコン化合物雰囲気中でのグ
ロー放電により形成されるアモルファスシリコン系のア
モルファス半導体が新しい半導体材料として脚光を浴び
、現在光起電力装置、光センサ等の光デバイス及び薄膜
トランジスタ等の能動デバイスとして実用化されている
。
ロー放電により形成されるアモルファスシリコン系のア
モルファス半導体が新しい半導体材料として脚光を浴び
、現在光起電力装置、光センサ等の光デバイス及び薄膜
トランジスタ等の能動デバイスとして実用化されている
。
通常アモルファス半導体は膜厚数１０μｍ以下例えば光
起電力装置としては約４０００Ａ〜１μｍと自画なため
に何らかの支持基板を必要とする。
起電力装置としては約４０００Ａ〜１μｍと自画なため
に何らかの支持基板を必要とする。
周知の如くグロー放電により形成されるアモルファスシ
リコン系の半導体膜は支持基板を約り００℃〜６５０℃
程度に保持しなければならず、更には該半導体膜は高温
で被着するほど良質の膜が得られるために、祈る支持基
板には耐熱性が要求される。
リコン系の半導体膜は支持基板を約り００℃〜６５０℃
程度に保持しなければならず、更には該半導体膜は高温
で被着するほど良質の膜が得られるために、祈る支持基
板には耐熱性が要求される。
従って、従来から耐熱性に富むガラス及び金属が使用に
供せられ、就中ガラス基板が絶縁性を備えているために
、複数の半導体膜を互いに電気的に独立配置することが
できると共に、祈る半導体膜を任意に基板上にて配線す
ることができる等の理由によりその利用が最も多い。
供せられ、就中ガラス基板が絶縁性を備えているために
、複数の半導体膜を互いに電気的に独立配置することが
できると共に、祈る半導体膜を任意に基板上にて配線す
ることができる等の理由によりその利用が最も多い。
然るに、上記絶縁性の基板はガラスから形成されるが故
に破損危惧は免れず、そのために新たな絶縁基板材料と
してポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、弗素系樹
脂等の耐熱性樹脂から成る柔軟な破損危惧のない樹脂フ
ィルムが出現するに至って来た。
に破損危惧は免れず、そのために新たな絶縁基板材料と
してポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、弗素系樹
脂等の耐熱性樹脂から成る柔軟な破損危惧のない樹脂フ
ィルムが出現するに至って来た。
然し乍ら、斯る樹脂フィルムは線膨張率が被着せしめら
れようとするアモルファス半導体膜に比して大きく、該
アモルファス半導体膜の被着工程時フィルム基板は加熱
により膨張状態にある結果、常温状態復帰時上記線膨張
率の差及びフィルム基板が加熱冷却により初期寸法より
縮小すること等を原因として肉薄なアモルファス半導体
膜に亀裂が発生したり、剥離する事故を招いていた。ま
た祈る亀裂及び剥離事故を防止すべくアモルファス半導
体膜の被着温度を低下せしめると良質な半導体膜が得ら
れない。
れようとするアモルファス半導体膜に比して大きく、該
アモルファス半導体膜の被着工程時フィルム基板は加熱
により膨張状態にある結果、常温状態復帰時上記線膨張
率の差及びフィルム基板が加熱冷却により初期寸法より
縮小すること等を原因として肉薄なアモルファス半導体
膜に亀裂が発生したり、剥離する事故を招いていた。ま
た祈る亀裂及び剥離事故を防止すべくアモルファス半導
体膜の被着温度を低下せしめると良質な半導体膜が得ら
れない。
（ハ）発明の目的
本発明は所る点に鑑みて為されたものであって、その目
的は柔軟な破損危惧のない樹脂基板の使用を、アモルフ
ァス半導体の如き半導体膜の亀裂及び剥離事故若しくは
膜質の劣化を招くことなく可能ならしめることにある。
的は柔軟な破損危惧のない樹脂基板の使用を、アモルフ
ァス半導体の如き半導体膜の亀裂及び剥離事故若しくは
膜質の劣化を招くことなく可能ならしめることにある。
に）発明の構成
本発明膜状半導体装置は、無機フィラーを分散させた樹
脂基板と、該基板の表面に配置された半導体膜と、を具
備し、上記半導体膜は加熱状態下に於いて被着される構
成にある。
脂基板と、該基板の表面に配置された半導体膜と、を具
備し、上記半導体膜は加熱状態下に於いて被着される構
成にある。
（ホ）夫施例
第１図及び第２図は本発明を光起電力装置に適用した一
実施例を示し、１１）は膜厚８０μｍ〜１（転）程度の
柔軟なポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、弗素樹
脂等の耐熱性高分子樹脂から成る樹脂基板で、該樹脂基
板１１）はその内部に、タルク、マイカ等のグイ酸塩、
アスベスト、炭酸カルシウム、アルミナ、酸化亜鉛、酸
化チタン、酸化マグネシウム、ガラス繊維等の無機フィ
ラー（２）・・・が分散せしめられている。所る無機フ
ィラー（２）・・・を分散せしめた樹脂基板として東し
株式会社から商品名ｒ２００ＸＡ−Ａ」及びｒ２００Ｘ
Ａ−Ｍｌが市販されている。前者はポリイミド樹脂中に
アルミナを混入したものであり、後者はポリイミド樹脂
中にマイカを混入したものである。
実施例を示し、１１）は膜厚８０μｍ〜１（転）程度の
柔軟なポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、弗素樹
脂等の耐熱性高分子樹脂から成る樹脂基板で、該樹脂基
板１１）はその内部に、タルク、マイカ等のグイ酸塩、
アスベスト、炭酸カルシウム、アルミナ、酸化亜鉛、酸
化チタン、酸化マグネシウム、ガラス繊維等の無機フィ
ラー（２）・・・が分散せしめられている。所る無機フ
ィラー（２）・・・を分散せしめた樹脂基板として東し
株式会社から商品名ｒ２００ＸＡ−Ａ」及びｒ２００Ｘ
Ａ−Ｍｌが市販されている。前者はポリイミド樹脂中に
アルミナを混入したものであり、後者はポリイミド樹脂
中にマイカを混入したものである。
（６ａ）〜（６ｄ）は上記樹脂基板（１）の−表面に並
置された複数の光電変換領域で、該光電変換領域（３ａ
）〜（６ｄ）は、フィルム基板（１）側から各領域毎に
分割された膜厚３０００Ａ〜１μｍ程度の金属電極層（
４ａ）〜（４ｄ）と、各領域に連続的に跨った厚み４０
００Ａ〜１μｍ程度のアモルファス半導体膜１５＞と、
各領域毎に分割された膜厚４００Ａ〜７００Ａ程度の酸
化スズ、酸化インジウムスズ等の透明電極層（６ａ）〜
（６ｄ）と、を順次積層せしめた積層構造を持つ。上記
アモルファス半導体膜１５）は例えば樹脂基板（１）を
約り００℃〜３５０℃程度に加熱した状態での５ｉＨａ
ガス雰囲気中でのグロー放電により形成される水素化ア
モルファスシリコン（ａ−３ｉ：Ｈ）から成り、適宜不
純物ガスを添加することにより嘆面に平行な受光面側か
ら見てＰＩＮ接合を有する。
置された複数の光電変換領域で、該光電変換領域（３ａ
）〜（６ｄ）は、フィルム基板（１）側から各領域毎に
分割された膜厚３０００Ａ〜１μｍ程度の金属電極層（
４ａ）〜（４ｄ）と、各領域に連続的に跨った厚み４０
００Ａ〜１μｍ程度のアモルファス半導体膜１５＞と、
各領域毎に分割された膜厚４００Ａ〜７００Ａ程度の酸
化スズ、酸化インジウムスズ等の透明電極層（６ａ）〜
（６ｄ）と、を順次積層せしめた積層構造を持つ。上記
アモルファス半導体膜１５）は例えば樹脂基板（１）を
約り００℃〜３５０℃程度に加熱した状態での５ｉＨａ
ガス雰囲気中でのグロー放電により形成される水素化ア
モルファスシリコン（ａ−３ｉ：Ｈ）から成り、適宜不
純物ガスを添加することにより嘆面に平行な受光面側か
ら見てＰＩＮ接合を有する。
（７ｂ）〜（７ｄ）は各金属電極層（４ｂ）〜（４ｄ）
から延在しアモルファス半導体膜１５）から露出した第
１の接続端子、（８ａ）〜（８Ｃ）は左隣りの光電変換
領域（ｌａ） 〜（３ｃ）の第１の接続端子（７ｂ）〜
（７ｄ）に結合すべく透明電極層（６ａ）〜（６Ｃ）か
ら延在せしめられた鉤状の第２の接続端子、（９）Ｃ１
ωは右端若しくは左端の光電変換領＊（３ａ）（３ｄ）
の金属電極層（４ａ）若しくは透明電極層（６ｄ）かか
延在せしめられた外部端子である。
から延在しアモルファス半導体膜１５）から露出した第
１の接続端子、（８ａ）〜（８Ｃ）は左隣りの光電変換
領域（ｌａ） 〜（３ｃ）の第１の接続端子（７ｂ）〜
（７ｄ）に結合すべく透明電極層（６ａ）〜（６Ｃ）か
ら延在せしめられた鉤状の第２の接続端子、（９）Ｃ１
ωは右端若しくは左端の光電変換領＊（３ａ）（３ｄ）
の金属電極層（４ａ）若しくは透明電極層（６ｄ）かか
延在せしめられた外部端子である。
祈る構成の光起電力装置に於いて、透明電極層（６ａ）
〜（６ｄ）を介してアモルファス半導体膜１５）に光入
射があると各光電変換領域（６ａ）〜（６ｄ）毎の透明
電極層（６ａ）〜（６ｄ）及び金属電極層（４ａ）〜（
４ｄ）間に光起電力が発生し、祈る光起電力は第１接続
端子（７ｂ）〜（７ｄ）と第２接続端子（８ａ）〜（８
Ｃ）との結合により電気的に相加され、外部端子！９１
１１０）から直列出力が導出される。
〜（６ｄ）を介してアモルファス半導体膜１５）に光入
射があると各光電変換領域（６ａ）〜（６ｄ）毎の透明
電極層（６ａ）〜（６ｄ）及び金属電極層（４ａ）〜（
４ｄ）間に光起電力が発生し、祈る光起電力は第１接続
端子（７ｂ）〜（７ｄ）と第２接続端子（８ａ）〜（８
Ｃ）との結合により電気的に相加され、外部端子！９１
１１０）から直列出力が導出される。
而して、本発明の特徴は樹脂基板１１）の構成にある。
即ち、本発明に供せられる樹脂基板（１）の内部には無
機フィラー（２）・・・が分散せしめられ、無機フ゛イ
ラー１２）・・・を含まない従来のものに比してその線
膨張率が低下せしめられている。祈る樹脂に無機フィラ
ー（２）・・・が分散せしめられた複合材料に於ける線
膨張率αＣは、 αｃ＝αｒ（１−Ｖｆ）−１４ｆＶｆ でめられる。
機フィラー（２）・・・が分散せしめられ、無機フ゛イ
ラー１２）・・・を含まない従来のものに比してその線
膨張率が低下せしめられている。祈る樹脂に無機フィラ
ー（２）・・・が分散せしめられた複合材料に於ける線
膨張率αＣは、 αｃ＝αｒ（１−Ｖｆ）−１４ｆＶｆ でめられる。
ただし、αｒ：樹脂の線膨張率
αｆ：無機フィラーの線膨張率
Ｖｆ：無機フィラーの容積百分率
即ち、樹脂と無機フィラーｆ２）・・・との複合材料か
ら成る樹脂基板１１）の線膨張率αＣは、一般的に無機
フィラー１２）・・・の線膨張率αｆが樹脂のそれαｒ
の数分の１以下であるために、無機フィラー（２）・・
・の充填量の増大に伴ない減小し、光電変換領域（３ａ
）〜（６ｄ）を構成する各層の線膨張率に接近する。例
えばポリイミド樹脂の線膨張率αｒは２０Ｘ１０’／℃
であり、無機フィラー／２１・・・とじて用いられるガ
ラス繊維、クルク、炭酸カルシウム、のの線膨張率は０
．３ Ｘ １０５７℃である。
ら成る樹脂基板１１）の線膨張率αＣは、一般的に無機
フィラー１２）・・・の線膨張率αｆが樹脂のそれαｒ
の数分の１以下であるために、無機フィラー（２）・・
・の充填量の増大に伴ない減小し、光電変換領域（３ａ
）〜（６ｄ）を構成する各層の線膨張率に接近する。例
えばポリイミド樹脂の線膨張率αｒは２０Ｘ１０’／℃
であり、無機フィラー／２１・・・とじて用いられるガ
ラス繊維、クルク、炭酸カルシウム、のの線膨張率は０
．３ Ｘ １０５７℃である。
従って、ポリイミド樹脂に無機フィラー１２）・・・と
じてガラス繊維を５０％含有せしめた樹脂基板（１）の
線膨張率αＣは１．２５ Ｘ １０５／℃となりポリイ
ミド樹脂単体の２０Ｘ１０″／℃に比して６７．５％減
小する。
じてガラス繊維を５０％含有せしめた樹脂基板（１）の
線膨張率αＣは１．２５ Ｘ １０５／℃となりポリイ
ミド樹脂単体の２０Ｘ１０″／℃に比して６７．５％減
小する。
（へ）発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、破損危惧のない
柔軟な樹脂基板を用いたにも拘らず、該基板は無機フィ
ラーを含むことによって線膨張率が無機フィラーを含ま
ないものに比して低下せしめられているので、該基板と
半導体膜との線膨張率の差が縮小せしめられ、常温状讐
復帰時上記線膨張率の差及び初期寸法よりも縮小するこ
と等を厚刃とする肉薄な半導体膜の亀裂発生及び剥離事
故が防市されると共に、上記半導体膜の被着温度を上昇
せしめることができ良質な半導体膜を得ることができる
。
柔軟な樹脂基板を用いたにも拘らず、該基板は無機フィ
ラーを含むことによって線膨張率が無機フィラーを含ま
ないものに比して低下せしめられているので、該基板と
半導体膜との線膨張率の差が縮小せしめられ、常温状讐
復帰時上記線膨張率の差及び初期寸法よりも縮小するこ
と等を厚刃とする肉薄な半導体膜の亀裂発生及び剥離事
故が防市されると共に、上記半導体膜の被着温度を上昇
せしめることができ良質な半導体膜を得ることができる
。
図は本発明の一実施例を示し、第１図は正面図、第２図
は第１図に於けるＨ−ＩＩ’線断面図である。
は第１図に於けるＨ−ＩＩ’線断面図である。
Claims (1)
- １１）無機フィラーを分散させた樹脂基板、該基板の表
面に配置された半導体膜、を具備し、上記半導体膜は加
熱状態下に於いて被着されることを特徴とした膜状半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221793A JPS60113479A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 膜状半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221793A JPS60113479A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 膜状半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113479A true JPS60113479A (ja) | 1985-06-19 |
| JPH0527277B2 JPH0527277B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=16772283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58221793A Granted JPS60113479A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 膜状半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113479A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115763U (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-29 | 太陽誘電株式会社 | マイカ成形基板を使用した薄膜素子 |
| JP2006147759A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Honda Motor Co Ltd | カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法 |
-
1983
- 1983-11-24 JP JP58221793A patent/JPS60113479A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115763U (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-29 | 太陽誘電株式会社 | マイカ成形基板を使用した薄膜素子 |
| JP2006147759A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Honda Motor Co Ltd | カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法 |
| JP4663300B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2011-04-06 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0527277B2 (ja) | 1993-04-20 |
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