JPS62145782A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPS62145782A JPS62145782A JP60286508A JP28650885A JPS62145782A JP S62145782 A JPS62145782 A JP S62145782A JP 60286508 A JP60286508 A JP 60286508A JP 28650885 A JP28650885 A JP 28650885A JP S62145782 A JPS62145782 A JP S62145782A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
０） 産業上の利用分野
本発明は元エネルギｔ１！気エネルギに変換する光起電
力装置に関する。
力装置に関する。
（ロ）従来の技術
元エネルギｔ−電気エネルギに変換する光起電力装置と
して、製造エネルギが小さく、大面核化カ可能で、原料
コストが低いアモルファスシリコンを生体とするものが
閤品化されている。
して、製造エネルギが小さく、大面核化カ可能で、原料
コストが低いアモルファスシリコンを生体とするものが
閤品化されている。
此の橿元匙篭刀装［は特公昭５３−５７７１８号公報に
開示された如（、透明なガラス全支持基板としたとき、
透明電極、アモルファスシリコンの半導体接合層、及び
金属電極の順序で積層された光゛亀変換膜ｔ−備え、１
次ステンレス等の金属全支持基板としたとき、この支持
基板を一方の電極としてアモルファスシリコンの半導体
接合層、及び透明電極がこの順序で積層される。
開示された如（、透明なガラス全支持基板としたとき、
透明電極、アモルファスシリコンの半導体接合層、及び
金属電極の順序で積層された光゛亀変換膜ｔ−備え、１
次ステンレス等の金属全支持基板としたとき、この支持
基板を一方の電極としてアモルファスシリコンの半導体
接合層、及び透明電極がこの順序で積層される。
この様な光起電力装置の広い応用を考えた場合。
ガラス全支持基板としたと＠は可撓性がなく、割れｆ丁
いという欠点１に’！Ｌ、金１４を支持基板としたとき
は可撓性を持たすことはできる反面、基板目体が尋°１
体であるために、高−電圧ｔ−得るべく支持基板上で複
数の光電変換膜上直列接続させようとすれば基板表面Ｖ
ｃｌＩｌ！１縁処理會厖さなければならない◎ 一万、可撓性ｔ−Ｗする絶縁体の基材として、各檀高分
子プラスチックフィルムが存在するが、アモルファスシ
リコンを生体とする半導体接合層の形成温度は大兄２０
０℃以上であり、好適には３００℃前僕と、高温となる
ために、この温度に耐えるプラスチックフィルＡはボリ
イイド等のご（一部の耐熱性樹脂に限定される。またこ
のごく一部の耐熱性樹脂は光透過性に欠けるためＩＣ，
ガラス基板の如く支持基板全光入射側としｆｃ構逍には
耐熱性樹脂金用いることはできない。
いという欠点１に’！Ｌ、金１４を支持基板としたとき
は可撓性を持たすことはできる反面、基板目体が尋°１
体であるために、高−電圧ｔ−得るべく支持基板上で複
数の光電変換膜上直列接続させようとすれば基板表面Ｖ
ｃｌＩｌ！１縁処理會厖さなければならない◎ 一万、可撓性ｔ−Ｗする絶縁体の基材として、各檀高分
子プラスチックフィルムが存在するが、アモルファスシ
リコンを生体とする半導体接合層の形成温度は大兄２０
０℃以上であり、好適には３００℃前僕と、高温となる
ために、この温度に耐えるプラスチックフィルＡはボリ
イイド等のご（一部の耐熱性樹脂に限定される。またこ
のごく一部の耐熱性樹脂は光透過性に欠けるためＩＣ，
ガラス基板の如く支持基板全光入射側としｆｃ構逍には
耐熱性樹脂金用いることはできない。
尚、比較的耐熱性のある光透過性の旨分子プラスチック
フイ／Ｉ／ムとしてポリエチレンテレフタレートが存在
するが、斯るポリエチレンテレフタレートの耐熱温度は
約１８０℃止りであり、良質なアモルファスシリコン全
形成するための温度である約２００℃に満たないために
、ポリエチレンテレフタレーＩｆ支持晶板として用いよ
うとすればアモルファスシリコン？低温で形成しなけれ
ばならず膜質の低化に免れない。
フイ／Ｉ／ムとしてポリエチレンテレフタレートが存在
するが、斯るポリエチレンテレフタレートの耐熱温度は
約１８０℃止りであり、良質なアモルファスシリコン全
形成するための温度である約２００℃に満たないために
、ポリエチレンテレフタレーＩｆ支持晶板として用いよ
うとすればアモルファスシリコン？低温で形成しなけれ
ばならず膜質の低化に免れない。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
不発Ｆ！Ａは上述の如〈従来から相反する要求であった
支持基板に対する光透通性と可撓性全同時Ｖｃｓ決しよ
うとするものである。
支持基板に対する光透通性と可撓性全同時Ｖｃｓ決しよ
うとするものである。
に）問題点全屏決するための手段
本発明は上記問題点を解決するために、アモルファスシ
リコンを主体とする九′域変換膜ｔ−震母からなる支持
基板表面に設けたこと全特徴とする。
リコンを主体とする九′域変換膜ｔ−震母からなる支持
基板表面に設けたこと全特徴とする。
（ホ）作 用
上述の如く雲母からなる支持基板に耐熱温度が約５５０
℃とアモルファスシリコンの形成温度より遥かに高い耐
熱性を呈すると共に、厚みについても襞間全利用して１
０〜３００μｍと可撓性を持つ領域に容易に形成するこ
とがで！、白寓母にあってはその厚みに於ける波長５５
０ｎｍ（アモルファスシリコンの感光ピーク波長）に対
して９８％の光透過率を備える。
℃とアモルファスシリコンの形成温度より遥かに高い耐
熱性を呈すると共に、厚みについても襞間全利用して１
０〜３００μｍと可撓性を持つ領域に容易に形成するこ
とがで！、白寓母にあってはその厚みに於ける波長５５
０ｎｍ（アモルファスシリコンの感光ピーク波長）に対
して９８％の光透過率を備える。
（へ） 実 施 例
図は本発明光起電力装置の一実施例全示し。
（１）は実母からなる支持基板、（２）は該支持基板（
１）の表面に形ｇされｆｃ８ｎＯ＄ｌ 、Ｉｎ２０ａ或
イハソれらの混合物であるＩＴＯからなる透明電極、（
３）はｍａＥＪＡ′ｔＩＬ極（２）上に設けられたアモ
ルファスシリコンを主体とする半導体接合層で１例えば
アモルファスシリコンカーバイドのｐ型層と、アモルフ
ァスシリコンのｌ型（ノンドープ）層と、アモルファス
シリコン或いは微結晶化シリコンのｎ型層と、を順次積
層することにょつて、光入射側にアモルファスシリコン
カーバイドラ配置したｐｌｎ接合を備える。（４ｊｔａ
、上記半導体接合層（３Ｊの光入射側から見て背面側に
設けられ７′ＣＡｊ、Ａｇ、ＴＩ等のオーンツク性金Ｍ
ｔ極で、斯る金属電極（４）、半導体接合層（３）及び
透明電極（２）の積層体に↓り光電変換Ｊ９！ ＋５７
ｔ−構成してφる。
１）の表面に形ｇされｆｃ８ｎＯ＄ｌ 、Ｉｎ２０ａ或
イハソれらの混合物であるＩＴＯからなる透明電極、（
３）はｍａＥＪＡ′ｔＩＬ極（２）上に設けられたアモ
ルファスシリコンを主体とする半導体接合層で１例えば
アモルファスシリコンカーバイドのｐ型層と、アモルフ
ァスシリコンのｌ型（ノンドープ）層と、アモルファス
シリコン或いは微結晶化シリコンのｎ型層と、を順次積
層することにょつて、光入射側にアモルファスシリコン
カーバイドラ配置したｐｌｎ接合を備える。（４ｊｔａ
、上記半導体接合層（３Ｊの光入射側から見て背面側に
設けられ７′ＣＡｊ、Ａｇ、ＴＩ等のオーンツク性金Ｍ
ｔ極で、斯る金属電極（４）、半導体接合層（３）及び
透明電極（２）の積層体に↓り光電変換Ｊ９！ ＋５７
ｔ−構成してφる。
而して１本発明の構成的特徴点は支持基板（１）會貞母
より構成し友ところにある。
より構成し友ところにある。
即ち、雲母にＫ Ａ／ｇ（（ＯＲ，Ｆ）ｚ （ＡｔＳｉ
ｓＯｌｏ）］の化学式で示される造岩鉱物の一樵で屈折
率１．５５〜ｔ６２（白雲母）ｔもち、５５０℃の耐熱
性と電気絶縁性にすぐれた性質ｔ−４つ。雲母は俗に「
千秋はがし」ともいわれ、平行Ｉｃｅ＜はがれやすいこ
とで知られている。普通。
ｓＯｌｏ）］の化学式で示される造岩鉱物の一樵で屈折
率１．５５〜ｔ６２（白雲母）ｔもち、５５０℃の耐熱
性と電気絶縁性にすぐれた性質ｔ−４つ。雲母は俗に「
千秋はがし」ともいわれ、平行Ｉｃｅ＜はがれやすいこ
とで知られている。普通。
白いもの全白雲母、黒かっ色のもの會黒貞母というが、
特にペグマタイト中ＶＣニ数センチから数メートルにお
よぶ大形の結晶をなして産出し、工業的にみて％重要な
材料の１つである。
特にペグマタイト中ＶＣニ数センチから数メートルにお
よぶ大形の結晶をなして産出し、工業的にみて％重要な
材料の１つである。
そこで本発明にあっては、この雲母の高耐熱性ｔオＵ用
して、形成時Ｖｒ、２００℃以上の温度全必要とするア
モルファスシリコンを主体とする光電変換膜（５１の支
持基板（１）として用いると共に、雲母固有の骨間を利
用して、予め生産性の高い０．５〜６厘程度の厚み上町
し表面が劈開面である衷母金準備し、この劈開面ＶＣ元
電変換膜＜５） ｋ形成した後。
して、形成時Ｖｒ、２００℃以上の温度全必要とするア
モルファスシリコンを主体とする光電変換膜（５１の支
持基板（１）として用いると共に、雲母固有の骨間を利
用して、予め生産性の高い０．５〜６厘程度の厚み上町
し表面が劈開面である衷母金準備し、この劈開面ＶＣ元
電変換膜＜５） ｋ形成した後。
不必要な厚み部分の縄母ｔその劈開面に浴りて剥離する
ことによりて約１０〜３００μｍ程度に薄膜化して可撓
性を持たぜている。また、雲母は絶縁性材料であるので
図示していないが複数の光電変換膜全直接基板上に形成
しそれらを電気的ＶＣ直列接続することも簡単に行なう
ことかでｌ！！、更に白砿母を用いれは上記約１０〜６
００μｍ程度の厚みに於りて波長５５０ｎｍＶｃ対して
９８％の光透過率を呈丁ゐ九めに、支持基板（１）ｔ−
ガラスと同様光入射側に配置することが可能となる。
ことによりて約１０〜３００μｍ程度に薄膜化して可撓
性を持たぜている。また、雲母は絶縁性材料であるので
図示していないが複数の光電変換膜全直接基板上に形成
しそれらを電気的ＶＣ直列接続することも簡単に行なう
ことかでｌ！！、更に白砿母を用いれは上記約１０〜６
００μｍ程度の厚みに於りて波長５５０ｎｍＶｃ対して
９８％の光透過率を呈丁ゐ九めに、支持基板（１）ｔ−
ガラスと同様光入射側に配置することが可能となる。
（ト）発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、アモルファスシ
リコンを生体とする光電変換膜を支持する支持基板とし
て雲母を用いることによって。
リコンを生体とする光電変換膜を支持する支持基板とし
て雲母を用いることによって。
従来から相反する要求であった光透過性と可撓性を備え
ることができ汎用性の向上が図れる。また碩母の熱膨張
係数とアモルファスシリコンの熱膨張係数とはほぼ等し
いので、アモルファスシリコンを形成後常温状態に復帰
しても、斯る熱膨張係数の差に谷内するカールや剥離事
故、更には内部応力によＩＪＭ質の劣化も発生しない。
ることができ汎用性の向上が図れる。また碩母の熱膨張
係数とアモルファスシリコンの熱膨張係数とはほぼ等し
いので、アモルファスシリコンを形成後常温状態に復帰
しても、斯る熱膨張係数の差に谷内するカールや剥離事
故、更には内部応力によＩＪＭ質の劣化も発生しない。
図は本発明の一実施例を示し、（１）は支持基板。
（３）は半導体接合層、（５）は光電変換膜、七大々示
している。
している。
Claims (2)
- （１）アモルファスシリコンを主体とする光電変換膜を
雲母からなる支持基板表面に設けたことを特徴とする光
起電力装置。 - （２）上記支持基板表面は雲母の劈開面であることを特
徴とした特許請求の範囲第１項記載の光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286508A JPS62145782A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286508A JPS62145782A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145782A true JPS62145782A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0558586B2 JPH0558586B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=17705316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286508A Granted JPS62145782A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145782A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006087914A1 (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Honda Motor Co., Ltd. | カルコパイライト型太陽電池及びその製造方法 |
| JP2007035921A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Honda Motor Co Ltd | カルコパイライト型太陽電池 |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP60286508A patent/JPS62145782A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006087914A1 (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Honda Motor Co., Ltd. | カルコパイライト型太陽電池及びその製造方法 |
| JP2007035921A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Honda Motor Co Ltd | カルコパイライト型太陽電池 |
| JP4646724B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2011-03-09 | 本田技研工業株式会社 | カルコパイライト型太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558586B2 (ja) | 1993-08-26 |
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