JP2951060B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光起電力装置の製造方
法に関する。
法に関する。
【0002】
【従来の技術】アモルファスシリコン等のアモルファス
半導体を用いた光起電力装置は、低コストで製造できる
点において注目されているが、近年、この装置は、薄膜
化が容易であることから、フレキシブルであることも要
求されつつある。
半導体を用いた光起電力装置は、低コストで製造できる
点において注目されているが、近年、この装置は、薄膜
化が容易であることから、フレキシブルであることも要
求されつつある。
【0003】このようなフレキシブル型の光起電力装置
として、特開平1−105581号公報に示されている
ように、透光性、絶縁性かつ可撓性の第1樹脂層と、透
明電極層、薄膜半導体層及び背面電極層から成る光電変
換素子と、絶縁性かつ可撓性の第2樹脂層とを、この順
に積層した構造のものと、特願平3−64818号に示
されているように、非透光性、絶縁性かつ可撓性の第1
の樹脂層と、背面電極、薄膜半導体層及び透明電極層か
らなる光電変換素子と、絶縁性且つ可撓性の第2樹脂層
とを、この順に積層した構造のものとがある。以後、前
者の構造の素子を順タイプの光起電力装置、後者を逆タ
イプの光起電力装置と称する。
として、特開平1−105581号公報に示されている
ように、透光性、絶縁性かつ可撓性の第1樹脂層と、透
明電極層、薄膜半導体層及び背面電極層から成る光電変
換素子と、絶縁性かつ可撓性の第2樹脂層とを、この順
に積層した構造のものと、特願平3−64818号に示
されているように、非透光性、絶縁性かつ可撓性の第1
の樹脂層と、背面電極、薄膜半導体層及び透明電極層か
らなる光電変換素子と、絶縁性且つ可撓性の第2樹脂層
とを、この順に積層した構造のものとがある。以後、前
者の構造の素子を順タイプの光起電力装置、後者を逆タ
イプの光起電力装置と称する。
【0004】斯る構造による違いは、光入射が前者では
第1の樹脂層側からであるのに対して、後者は第2の樹
脂層側から導入する点にある。
第1の樹脂層側からであるのに対して、後者は第2の樹
脂層側から導入する点にある。
【0005】いずれの構造であっても、これら光起電力
装置は、非常に薄いため、機械的に切断することが容易
である。従って、予め大面積のものを製造し、その後、
所望の大きさ、形状に切断して、複数の光起電力装置を
製造することができれば、製造ラインの簡略化及び材料
の使用効率の向上を図ることができる。
装置は、非常に薄いため、機械的に切断することが容易
である。従って、予め大面積のものを製造し、その後、
所望の大きさ、形状に切断して、複数の光起電力装置を
製造することができれば、製造ラインの簡略化及び材料
の使用効率の向上を図ることができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような
フレキシブル光起電力装置を、機械的に切断した場合、
切断された光起電力装置の切断面は、上方向または下方
向に湾曲するため、透明電極層と背面電極層とが、切断
面において電気的に短絡するおそれがある。このような
電気的短絡が生じると、切断された光起電力装置の出力
特性は大きく低下してしまう。
フレキシブル光起電力装置を、機械的に切断した場合、
切断された光起電力装置の切断面は、上方向または下方
向に湾曲するため、透明電極層と背面電極層とが、切断
面において電気的に短絡するおそれがある。このような
電気的短絡が生じると、切断された光起電力装置の出力
特性は大きく低下してしまう。
【0007】そこで、本発明は、切断面における透明電
極層と背面電極層との電気的短絡を防止することにあ
る。
極層と背面電極層との電気的短絡を防止することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明における光起電力
装置の製造方法は、透光性の第1樹脂層と、透明電極
層、薄膜半導体層及び背面電極層から成る光電変換素子
と、第2樹脂層とをこの順に積層した積層体を作成する
工程と、この積層体を任意の大きさに機械的に切断する
工程と、この切断された積層体をその第1樹脂層と第2
樹脂層とが熱軟化を生じる温度範囲で熱処理する工程
と、を備えたことを特徴とし、又非透光性の第1樹脂層
と、背面電極層、薄膜半導体層及び透明電極層から成る
光電変換素子と、透光性の第2樹脂層とをこの順に積層
した積層体を作成する工程と、この積層体を任意の大き
さに機械的に切断する工程と、この切断された積層体を
その第1樹脂層と第2樹脂層とが熱軟化を生じる温度範
囲で熱処理する工程と、を備えたことを特徴とする。
装置の製造方法は、透光性の第1樹脂層と、透明電極
層、薄膜半導体層及び背面電極層から成る光電変換素子
と、第2樹脂層とをこの順に積層した積層体を作成する
工程と、この積層体を任意の大きさに機械的に切断する
工程と、この切断された積層体をその第1樹脂層と第2
樹脂層とが熱軟化を生じる温度範囲で熱処理する工程
と、を備えたことを特徴とし、又非透光性の第1樹脂層
と、背面電極層、薄膜半導体層及び透明電極層から成る
光電変換素子と、透光性の第2樹脂層とをこの順に積層
した積層体を作成する工程と、この積層体を任意の大き
さに機械的に切断する工程と、この切断された積層体を
その第1樹脂層と第2樹脂層とが熱軟化を生じる温度範
囲で熱処理する工程と、を備えたことを特徴とする。
【0009】
【作用】本発明によれば、大面積の光起電力装置を形成
し、これを任意の大きさに機械的に切断した後、この切
断された積層体を熱処理することによって、切断面にお
ける透明電極層及び背面電極層の電気的な短絡が防止さ
れる。
し、これを任意の大きさに機械的に切断した後、この切
断された積層体を熱処理することによって、切断面にお
ける透明電極層及び背面電極層の電気的な短絡が防止さ
れる。
【0010】
【実施例】図1乃至図3は、本発明の製造工程の一実施
例で、順タイプの光起電力装置における断面図である。
例で、順タイプの光起電力装置における断面図である。
【0011】図1に示す工程において、透光性の第1樹
脂層1と、透明電極層2、薄膜半導体層3及び背面電極
層4から成る光電変換素子5と、第2樹脂層6とをこの
順に積層した積層体からなる光起電力装置10が準備さ
れる。
脂層1と、透明電極層2、薄膜半導体層3及び背面電極
層4から成る光電変換素子5と、第2樹脂層6とをこの
順に積層した積層体からなる光起電力装置10が準備さ
れる。
【0012】この光起電力装置10は、上述の特開平1
−105581号公報に詳細に開示されているように、
図示しないガラス等の支持基板上に、透明なポリイミド
等の第1樹脂層1を膜厚5〜100μmで形成し、その
後、透明電極層2、非晶質シリコン等の非晶質半導体か
らなる薄膜半導体層3及び背面電極層4を順次積層形成
し、更に、EVA等の第2樹脂層6を形成した後、支持
基板から第1樹脂層1を剥離することによって形成され
る。
−105581号公報に詳細に開示されているように、
図示しないガラス等の支持基板上に、透明なポリイミド
等の第1樹脂層1を膜厚5〜100μmで形成し、その
後、透明電極層2、非晶質シリコン等の非晶質半導体か
らなる薄膜半導体層3及び背面電極層4を順次積層形成
し、更に、EVA等の第2樹脂層6を形成した後、支持
基板から第1樹脂層1を剥離することによって形成され
る。
【0013】このようにして準備された光起電力装置1
0は、この光起電力装置10を挾んで位置し、上下に移
動する一対のカッター刃7、7を用いて、図2に示すよ
うに、機械的に適当な大きさに切断(本実施例では2分
割に切断)される。切断された2つの光起電力装置10
a、10bの切断面8a、8bは、図3に拡大して示す
ように(但し、同図には光起電力装置10aのみ示して
いる)、夫々カッター刃7、7の移動に伴って、上方向
または下方向に湾曲しており、従って、透明電極層2と
背面電極層4とが、切断面8a、8bにおいて電気的に
短絡している場合がある。
0は、この光起電力装置10を挾んで位置し、上下に移
動する一対のカッター刃7、7を用いて、図2に示すよ
うに、機械的に適当な大きさに切断(本実施例では2分
割に切断)される。切断された2つの光起電力装置10
a、10bの切断面8a、8bは、図3に拡大して示す
ように(但し、同図には光起電力装置10aのみ示して
いる)、夫々カッター刃7、7の移動に伴って、上方向
または下方向に湾曲しており、従って、透明電極層2と
背面電極層4とが、切断面8a、8bにおいて電気的に
短絡している場合がある。
【0014】そこで、図4に示す工程において、切断さ
れた光起電力装置10a(光起電力装置10bについて
も同様に処理するが、図には示していない)を加熱炉内
に入れ、50〜100℃の温度範囲で約60分間加熱し
た後、室温状態に置く。斯る加熱により第1樹脂層1及
び第2樹脂層6が軟化し、熱膨張と熱収縮とを行うこと
により、湾曲していた切断面8aにおける第1樹脂層1
及び第2樹脂層6が、平らな状態になる。この動作に伴
い、透明電極層2及び背面電極層4は、夫々第1樹脂層
1及び第2樹脂層6に引っ張られて移動して、これら樹
脂層1、6と同様に平らな状態となり、従って、切断面
8aにおける電気的短絡は、解消される。
れた光起電力装置10a(光起電力装置10bについて
も同様に処理するが、図には示していない)を加熱炉内
に入れ、50〜100℃の温度範囲で約60分間加熱し
た後、室温状態に置く。斯る加熱により第1樹脂層1及
び第2樹脂層6が軟化し、熱膨張と熱収縮とを行うこと
により、湾曲していた切断面8aにおける第1樹脂層1
及び第2樹脂層6が、平らな状態になる。この動作に伴
い、透明電極層2及び背面電極層4は、夫々第1樹脂層
1及び第2樹脂層6に引っ張られて移動して、これら樹
脂層1、6と同様に平らな状態となり、従って、切断面
8aにおける電気的短絡は、解消される。
【0015】その熱処理においては、それら樹脂層1,
6が軟化できる程度の加熱であればよく、特にこの加熱
温度を高くしすぎると薄膜半導体層3等に損傷を及ぼす
こととなるため注意が必要である。
6が軟化できる程度の加熱であればよく、特にこの加熱
温度を高くしすぎると薄膜半導体層3等に損傷を及ぼす
こととなるため注意が必要である。
【0016】本発明製造方法によれば斯る効果は逆タイ
プの光起電力装置においても全く同様に呈する。図5
は、逆タイプの光起電力装置に本発明製造方法を採用し
た場合の処理後の光起電力装置である。
プの光起電力装置においても全く同様に呈する。図5
は、逆タイプの光起電力装置に本発明製造方法を採用し
た場合の処理後の光起電力装置である。
【0017】非透光性の第1樹脂層21と、背面電極層
22、薄膜半導体層23及び透明電極層24から成る光
電変換素子25と、透光性の第2樹脂層26とをこの順
に積層した積層体からなる光起電力装置で、斯る加熱処
理によって前述した例と同様に切断面27における電気
的短絡は解消される。
22、薄膜半導体層23及び透明電極層24から成る光
電変換素子25と、透光性の第2樹脂層26とをこの順
に積層した積層体からなる光起電力装置で、斯る加熱処
理によって前述した例と同様に切断面27における電気
的短絡は解消される。
【0018】
【0019】
【0020】
【0021】
【0022】ところで、上述の実施例では、第1樹脂層
1と第2樹脂層6との間あるいは第1樹脂層21と第2
樹脂層26の間には、1つの光電変換素子3,25のみ
を形成したものであるが、これに限らず、複数の光電変
換素子を電気的に直列または並列に接続して形成したも
のでもよい。
1と第2樹脂層6との間あるいは第1樹脂層21と第2
樹脂層26の間には、1つの光電変換素子3,25のみ
を形成したものであるが、これに限らず、複数の光電変
換素子を電気的に直列または並列に接続して形成したも
のでもよい。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、予め大面積に形成され
た光起電力装置を切断して任意の大きさ、出力の光起電
力装置を製造するに際し、切断された光起電力装置の切
断面における透明電極層と背面電極層との電気的短絡を
防止することができるので、任意の大きさ、形状及び出
力を有する光起電力装置を簡単に製造することが可能で
あり、その結果、大幅な製造ラインの簡略化及び材料効
率の向上を図ることができる。
た光起電力装置を切断して任意の大きさ、出力の光起電
力装置を製造するに際し、切断された光起電力装置の切
断面における透明電極層と背面電極層との電気的短絡を
防止することができるので、任意の大きさ、形状及び出
力を有する光起電力装置を簡単に製造することが可能で
あり、その結果、大幅な製造ラインの簡略化及び材料効
率の向上を図ることができる。
【図1】本発明の一実施例の第1工程を示す断面図であ
る。
る。
【図2】本発明の一実施例の第2工程を示す断面図であ
る。
る。
【図3】図2の要部を拡大して示す断面図である。
【図4】本発明の一実施例の第3工程を示す断面図であ
る。
る。
【図5】本発明の他の素子構造の光起電力装置における
実施例を示す工程断面図である。
実施例を示す工程断面図である。
1…透光性の第1樹脂層 2…透明電極
層 3…薄膜半導体層 4…背面電極
層 5…光電変換素子 6…第2樹脂
層
層 3…薄膜半導体層 4…背面電極
層 5…光電変換素子 6…第2樹脂
層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 博之 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 岸 靖雄 大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−188283(JP,A) 特開 平4−129277(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 31/04
Claims (2)
- 【請求項1】 透光性の第1樹脂層と、透明電極層、薄
膜半導体層及び背面電極層から成る光電変換素子と、第
2樹脂層とをこの順に積層した積層体を作成する工程
と、この積層体を任意の大きさに機械的に切断する工程
と、この切断された積層体を該積層体の前記第1樹脂層
と前記第2樹脂層とが熱軟化を生じる温度範囲で熱処理
する工程と、を備えたことを特徴とする光起電力装置の
製造方法。 - 【請求項2】 非透光性の第1樹脂層と、背面電極層、
薄膜半導体層及び透明電極層から成る光電変換素子と、
透光性の第2樹脂層とをこの順に積層した積層体を作成
する工程と、この積層体を任意の大きさに機械的に切断
する工程と、この切断された積層体を該積層体の前記第
1樹脂層と前記第2樹脂層とが熱軟化を生じる温度範囲
で熱処理する工程と、を備えたことを特徴とする光起電
力装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3231781A JP2951060B2 (ja) | 1990-12-27 | 1991-09-11 | 光起電力装置の製造方法 |
US07/808,444 US5202271A (en) | 1990-12-27 | 1991-12-16 | Manufacturing method of photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-408211 | 1990-12-27 | ||
JP40821190 | 1990-12-27 | ||
JP3231781A JP2951060B2 (ja) | 1990-12-27 | 1991-09-11 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04355973A JPH04355973A (ja) | 1992-12-09 |
JP2951060B2 true JP2951060B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=26530094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3231781A Expired - Fee Related JP2951060B2 (ja) | 1990-12-27 | 1991-09-11 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5202271A (ja) |
JP (1) | JP2951060B2 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4220284C1 (de) * | 1992-06-20 | 1993-09-30 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Zerteilen von Verbundwafern |
US5401690A (en) * | 1993-07-08 | 1995-03-28 | Goodark Electronic Corp. | Method for making circular diode chips through glass passivation |
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