JPH0536997A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH0536997A JPH0536997A JP3210208A JP21020891A JPH0536997A JP H0536997 A JPH0536997 A JP H0536997A JP 3210208 A JP3210208 A JP 3210208A JP 21020891 A JP21020891 A JP 21020891A JP H0536997 A JPH0536997 A JP H0536997A
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- electrode
- main surface
- semiconductor material
- photovoltaic device
- thin film
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明の目的は、製造が容易で且つ効率の
良い光起電力装置を提供することにある。 【構成】 この発明の光起電力装置は、絶縁性薄膜１０
と、絶縁性薄膜１０を貫通するように嵌合された球状の
ｐ型半導体材料１２と、絶縁性薄膜の一主面側の半導体
材料１２の表面にｎ型半導体不純物を拡散させることに
よって設けられたｎ型拡散層１３と、主面側の絶縁性薄
膜１０及び半導体材料１２の各表面が被われるように形
成された透光性の電極１４と、絶縁性薄膜１０の他主面
に形成された電極１５と、で構成される。
良い光起電力装置を提供することにある。 【構成】 この発明の光起電力装置は、絶縁性薄膜１０
と、絶縁性薄膜１０を貫通するように嵌合された球状の
ｐ型半導体材料１２と、絶縁性薄膜の一主面側の半導体
材料１２の表面にｎ型半導体不純物を拡散させることに
よって設けられたｎ型拡散層１３と、主面側の絶縁性薄
膜１０及び半導体材料１２の各表面が被われるように形
成された透光性の電極１４と、絶縁性薄膜１０の他主面
に形成された電極１５と、で構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光起電力装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体接合を備える非品質シリコン系の
半導体層を光活性層とする光起電力装置が知られてい
る。その基本構成は透光性の基板上に、透明導電膜、半
導体光活性層、背面電極層をこの順序に積層している。
半導体層を光活性層とする光起電力装置が知られてい
る。その基本構成は透光性の基板上に、透明導電膜、半
導体光活性層、背面電極層をこの順序に積層している。
【０００３】上記積層型光起電力とは異なったタイプの
光起電力装置が米国特許第４，９１７，７５２号に提案
されている。この光起電力装置は直径１ｍｍ以下のｐ型
シリコン粒の表面にｎ型不純物を拡散してｐ／ｎ接合を
形成する。このｐ／ｎ接合を形成したシリコン粒を一方
の電極となるアルミニュウム薄膜に設けた孔部に埋め込
み、そして、ｎ型不純物を一部除去した領域を他方の電
極と接合するように構成されている。
光起電力装置が米国特許第４，９１７，７５２号に提案
されている。この光起電力装置は直径１ｍｍ以下のｐ型
シリコン粒の表面にｎ型不純物を拡散してｐ／ｎ接合を
形成する。このｐ／ｎ接合を形成したシリコン粒を一方
の電極となるアルミニュウム薄膜に設けた孔部に埋め込
み、そして、ｎ型不純物を一部除去した領域を他方の電
極と接合するように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上述した
積層型の光起電力装置とは異なるタイプの光起電力装置
において、製造が容易で且つ効率の良い光起電力装置を
提供することをその課題とする。
積層型の光起電力装置とは異なるタイプの光起電力装置
において、製造が容易で且つ効率の良い光起電力装置を
提供することをその課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の第１の発明に
係る光起電力装置は、絶縁性薄膜と、前記絶縁性薄膜を
貫通するように嵌合された球状の一導電型半導体材料
と、前記絶縁性薄膜の一主面側の前記半導体材料の表面
に他導電型半導体不純物を拡散させることによって設け
られた半導体接合と、前記主面側の前記絶縁性薄膜及び
前記半導体材料の各表面が被われるように形成された透
光性の電極と、前記絶縁性薄膜の他主面に形成された他
の電極と、からなることを特徴とする。
係る光起電力装置は、絶縁性薄膜と、前記絶縁性薄膜を
貫通するように嵌合された球状の一導電型半導体材料
と、前記絶縁性薄膜の一主面側の前記半導体材料の表面
に他導電型半導体不純物を拡散させることによって設け
られた半導体接合と、前記主面側の前記絶縁性薄膜及び
前記半導体材料の各表面が被われるように形成された透
光性の電極と、前記絶縁性薄膜の他主面に形成された他
の電極と、からなることを特徴とする。
【０００６】この発明の第２の発明に係る光起電力装置
は、金属膜からなる電極と、該電極を貫通し且つ前記電
極との接触部並びに該電極の一主面側にある表面に沿っ
て形成された半導体接合を具備する半導体材料と、前記
電極の他主面及び該他主面側に露出した前記半導体材料
の周辺部を被う絶縁膜、を備えた光起電力装置におい
て、前記半導体材料の前記他主面側であって、前記絶縁
膜に被われていない部分の掘削による開口部に電極を形
成せしめたことを特徴とする。
は、金属膜からなる電極と、該電極を貫通し且つ前記電
極との接触部並びに該電極の一主面側にある表面に沿っ
て形成された半導体接合を具備する半導体材料と、前記
電極の他主面及び該他主面側に露出した前記半導体材料
の周辺部を被う絶縁膜、を備えた光起電力装置におい
て、前記半導体材料の前記他主面側であって、前記絶縁
膜に被われていない部分の掘削による開口部に電極を形
成せしめたことを特徴とする。
【０００７】この発明の第３の発明に係る光起電力装置
は、球状の一導電型半導体材料の表面に、他導電型半導
体材料を少なくとも１つ以上配置することにより、夫々
の配置部で半導体接合を具備せしめたことを特徴とす
る。
は、球状の一導電型半導体材料の表面に、他導電型半導
体材料を少なくとも１つ以上配置することにより、夫々
の配置部で半導体接合を具備せしめたことを特徴とす
る。
【０００８】この発明の第４の発明に係る光起電力装置
は、多角錐の形状を有する一導電型半導体材料と、該半
導体材料の底面に被着された金属からなる電極と、前記
底面以外の少なくとも１つの主面に他導電型決定不純物
を拡散することによって該主面に並行な接合面を有する
半導体接合と、前記多角錐の頂点の内前記底面に対して
垂直線上にある頂点によって貫通されるように嵌着さ
れ、且つ前記主面と電気的接続をなす金属膜とからなる
電極と、を備えたことを特徴とする。
は、多角錐の形状を有する一導電型半導体材料と、該半
導体材料の底面に被着された金属からなる電極と、前記
底面以外の少なくとも１つの主面に他導電型決定不純物
を拡散することによって該主面に並行な接合面を有する
半導体接合と、前記多角錐の頂点の内前記底面に対して
垂直線上にある頂点によって貫通されるように嵌着さ
れ、且つ前記主面と電気的接続をなす金属膜とからなる
電極と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
【作用】第１の発明の光起電力装置によれば、ｐ／ｎ接
合を低温で形成できると共に、透光性の電極を反射防止
膜として利用することができる。
合を低温で形成できると共に、透光性の電極を反射防止
膜として利用することができる。
【００１０】第２の発明によれば、掘削による開口部に
電極を設けることにより、キャリアの収集が促進され、
変換効率が向上する。
電極を設けることにより、キャリアの収集が促進され、
変換効率が向上する。
【００１１】第３の発明によれば、２種類のシリコン粒
を用意するだけで、極めて簡単にｐ／ｎ接合を形成する
ことができる。
を用意するだけで、極めて簡単にｐ／ｎ接合を形成する
ことができる。
【００１２】第４の発明によれば、光が全て斜め方向か
ら入射されるので、いわゆるテキスチャ効果により、変
換効率が向上する。
ら入射されるので、いわゆるテキスチャ効果により、変
換効率が向上する。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例につき図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１４】まず、第１の発明の実施例を図１の工程図
に従い説明する。
に従い説明する。
【００１５】図１(イ)に示すように、ポリイミドフイル
ム等の膜厚１００μｍの絶縁性薄膜基板１０にシリコン
粒の直径に相当する直径４００μｍの穴１１を設ける。
ム等の膜厚１００μｍの絶縁性薄膜基板１０にシリコン
粒の直径に相当する直径４００μｍの穴１１を設ける。
【００１６】続いて、図１（ロ）に示すように、その穴
１１に粒状のｐ型単結晶シリコン１２を嵌め込む。そし
て、ｎ型層１３を主面側に設け、ｐ／ｎ接合を形成す
る。
１１に粒状のｐ型単結晶シリコン１２を嵌め込む。そし
て、ｎ型層１３を主面側に設け、ｐ／ｎ接合を形成す
る。
【００１７】このｎ型層の形成は、例えばプラズマＣＶ
Ｄ法により、１％ＰＨ3をドープして、膜厚６０Åのｎ
型非晶質シリコンを形成したり、また、ＰＨ3（１％）
／Ｈ2混合ガス中で１３．５６ＭＨ2プラズマ励起を１０
分行うことにより形成することができる。尚、この時の
基板温度は２５０℃、パワー密度は３０ｍＷ／cm2、圧
力０．１Ｔｏｒｒである。
Ｄ法により、１％ＰＨ3をドープして、膜厚６０Åのｎ
型非晶質シリコンを形成したり、また、ＰＨ3（１％）
／Ｈ2混合ガス中で１３．５６ＭＨ2プラズマ励起を１０
分行うことにより形成することができる。尚、この時の
基板温度は２５０℃、パワー密度は３０ｍＷ／cm2、圧
力０．１Ｔｏｒｒである。
【００１８】その後、図１（ハ）に示すように、主面側
にスパッタ法により、膜厚８００ÅのＩＴＯからなる透
明電極１４を裏面側に蒸着法によりアルミニウム（Ａ
ｌ）からなる膜厚５０００Åの金属電極１５を形成する
ことにより、第１の発明に係る光起電力装置が得られ
る。
にスパッタ法により、膜厚８００ÅのＩＴＯからなる透
明電極１４を裏面側に蒸着法によりアルミニウム（Ａ
ｌ）からなる膜厚５０００Åの金属電極１５を形成する
ことにより、第１の発明に係る光起電力装置が得られ
る。
【００１９】このように、この第１の発明の光起電力装
置によれば、低温プロセスでｐ／ｎ接合が形成できると
共に、ＩＴＯが反射防止機能を有するので、別途反射防
止膜を形成する必要がない。
置によれば、低温プロセスでｐ／ｎ接合が形成できると
共に、ＩＴＯが反射防止機能を有するので、別途反射防
止膜を形成する必要がない。
【００２０】次に、第２の発明の実施例を図２の工程図
に従い説明する。図２（イ）に示すように、アルミニウ
ムホイルからなる膜厚１／２０mm程度の金属膜２０にシ
リコン粒の直径に相当する直径４００μｍの穴２１を設
ける。
に従い説明する。図２（イ）に示すように、アルミニウ
ムホイルからなる膜厚１／２０mm程度の金属膜２０にシ
リコン粒の直径に相当する直径４００μｍの穴２１を設
ける。
【００２１】次に、図２（ロ）に示すように、ｐ／ｎ接
合が形成された粒状のシリコン粒２２、すなわち、ｐ型
シリコン単結晶粒２２ａ等により表面にｎ型層２２ｂを
形成したシリコン粒２２を穴２１に嵌め込む。
合が形成された粒状のシリコン粒２２、すなわち、ｐ型
シリコン単結晶粒２２ａ等により表面にｎ型層２２ｂを
形成したシリコン粒２２を穴２１に嵌め込む。
【００２２】その後、図２（ハ）に示すように、金属膜
２０の他主面、すなわち下方に露出したｎ型層２２ｂを
ドライエッチングにより選択的に除去する。
２０の他主面、すなわち下方に露出したｎ型層２２ｂを
ドライエッチングにより選択的に除去する。
【００２３】続いて、図２（ニ）に示すように、シリコ
ン粒２２を含め金属膜２０下面全面に、ＳｉＯ2からな
る膜厚１０００Åの絶縁膜２３を常圧ＣＶＤ法等により
形成する。
ン粒２２を含め金属膜２０下面全面に、ＳｉＯ2からな
る膜厚１０００Åの絶縁膜２３を常圧ＣＶＤ法等により
形成する。
【００２４】然る後、図２（ホ）に示すように、シリコ
ン粒２２の他主面の絶縁膜２３を機械的に除去し、最大
φ１００μｍのｐ型層２２を露出せしめる。
ン粒２２の他主面の絶縁膜２３を機械的に除去し、最大
φ１００μｍのｐ型層２２を露出せしめる。
【００２５】次に、図２（ヘ）に示すように、このｐ型
層２２の露出面に、例えば出力１０００ｍＪ／cm2、ビ
ーム径φ５０μｍエキシマレーザを照射し、粒の中心位
置まで達する穴２４を形成する。
層２２の露出面に、例えば出力１０００ｍＪ／cm2、ビ
ーム径φ５０μｍエキシマレーザを照射し、粒の中心位
置まで達する穴２４を形成する。
【００２６】そして、図２（ト）に示すように、この穴
２４に金属母体がｐ型シリコン粒の場合、シリコンに対
し、ｐ型となるアルミニウム（Ａｌ）２５を蒸着により
封入し、その後、裏面全体にアルミニウム（Ａｌ）薄膜
２６を固着して、第２の発明に係る光起電力が得られ
る。
２４に金属母体がｐ型シリコン粒の場合、シリコンに対
し、ｐ型となるアルミニウム（Ａｌ）２５を蒸着により
封入し、その後、裏面全体にアルミニウム（Ａｌ）薄膜
２６を固着して、第２の発明に係る光起電力が得られ
る。
【００２７】このように、この第２の発明によれば、封
入したアルミニュウム２５により粒内でのキャリアの収
集が促進され、変換効率が向上する。
入したアルミニュウム２５により粒内でのキャリアの収
集が促進され、変換効率が向上する。
【００２８】次に第３の発明の実施例につき、図３に従
い説明する。２種類の球形シリコン粒、例えば、高抵抗
ｐ層からなるシリコン粒３１と低抵抗ｎ層からなるシリ
コン粒３２を形成し、これらを接合して、半導体ｐｎ接
合を形成する。
い説明する。２種類の球形シリコン粒、例えば、高抵抗
ｐ層からなるシリコン粒３１と低抵抗ｎ層からなるシリ
コン粒３２を形成し、これらを接合して、半導体ｐｎ接
合を形成する。
【００２９】２種類の球形シリコン粒３１、３２の大き
さは、低抵抗のシリコン粒３２の粒径を高抵抗のシリコ
ン粒３１の粒径よりも小さくする。この２種類の粒径の
比は１／１０以下である。
さは、低抵抗のシリコン粒３２の粒径を高抵抗のシリコ
ン粒３１の粒径よりも小さくする。この２種類の粒径の
比は１／１０以下である。
【００３０】２種類のシリコン粒３１、３２により接合
形成した後、これを薄い酸化膜３４を形成した金属箔３
３上にのせて裏面よりスポット状に熱照射して、金属箔
３３の金属をシリコン粒３１に浸透させて一方の電極を
形成する。
形成した後、これを薄い酸化膜３４を形成した金属箔３
３上にのせて裏面よりスポット状に熱照射して、金属箔
３３の金属をシリコン粒３１に浸透させて一方の電極を
形成する。
【００３１】もう一つの導電型を持つ粒径の小さい球形
シリコン粒３２への電極形成は、粒径の小さい球形シリ
コン粒３１の付いている側にまず薄い酸化膜を形成し、
この上に透明導電膜３５を形成し、熱アニールにより電
極を形成する。
シリコン粒３２への電極形成は、粒径の小さい球形シリ
コン粒３１の付いている側にまず薄い酸化膜を形成し、
この上に透明導電膜３５を形成し、熱アニールにより電
極を形成する。
【００３２】さらに表面保護膜、酸化膜または保護樹脂
膜を形成することにより第３の発明に係る光起電力装置
が得られる。
膜を形成することにより第３の発明に係る光起電力装置
が得られる。
【００３３】次に、この第３の発明の具体例につき更に
説明する。まず、シリコンを粉砕して、所望のシリコン
粒を形成する。
説明する。まず、シリコンを粉砕して、所望のシリコン
粒を形成する。
【００３４】Ｈ2雰囲気にて１３００℃〜１４００℃の
熱処理を施して形を整える。作製したバルク比抵抗値
０．１〜１．０Ω・cm、粒径１mm程度のｐ型シリコン粒
３１をセラミックトレイ上に１粒子層状に配列する。
熱処理を施して形を整える。作製したバルク比抵抗値
０．１〜１．０Ω・cm、粒径１mm程度のｐ型シリコン粒
３１をセラミックトレイ上に１粒子層状に配列する。
【００３５】この上に、バルク比抵抗値０．０１〜０．
００６Ω・cm、粒径１０μm程度のｎ型シリコン粒３２
を数粒子層状に配列する。
００６Ω・cm、粒径１０μm程度のｎ型シリコン粒３２
を数粒子層状に配列する。
【００３６】大粒子と小粒子の２層構造配列された状態
で、これを１３００〜１４００℃でゾーンアニールを行
い、２種類のシリコン粒の接着及び接合形成を行う。上
記の接合形成された粒子を、１００〜２００Åの膜厚酸
化物薄膜と金属箔の２層からなる、シートの上に配列し
軽く圧着する。
で、これを１３００〜１４００℃でゾーンアニールを行
い、２種類のシリコン粒の接着及び接合形成を行う。上
記の接合形成された粒子を、１００〜２００Åの膜厚酸
化物薄膜と金属箔の２層からなる、シートの上に配列し
軽く圧着する。
【００３７】裏面側から、粒子と金属薄膜との接着部に
レーザ照射し、粒子部分に金属を溶融浸透させる。
レーザ照射し、粒子部分に金属を溶融浸透させる。
【００３８】表面側に薄５０〜１００Åの膜厚酸化膜を
形成し、さらに透明導電性薄膜（ＩＴＯ）を積層形成す
る。
形成し、さらに透明導電性薄膜（ＩＴＯ）を積層形成す
る。
【００３９】以上に示す作製法により作製した太陽電池
の特性を表１に示す。
の特性を表１に示す。
【００４０】
【表１】
ＡＭ１．５ １００mW/cm2照射
【００４１】次に第４の発明の実施例につき、図４ない
し図６を参照して説明する。この第４の発明において
は、図４に示すように、正四面体または三角錐からなる
シリコン素子を用いる。この正四面体のシリコン素子は
底辺が０．１〜１０mm程度で次のようにして形成され
る。
し図６を参照して説明する。この第４の発明において
は、図４に示すように、正四面体または三角錐からなる
シリコン素子を用いる。この正四面体のシリコン素子は
底辺が０．１〜１０mm程度で次のようにして形成され
る。
【００４２】例えば、型によりシリコンを溶融し凝固さ
せる方法、また本任意の形状の大きさ０．１〜１０mm程
度シリコン粒末をＮａＯＨ、ＫＯＨ等により８５℃の温
度で異方性エッチングにより形成する方法などがある。
せる方法、また本任意の形状の大きさ０．１〜１０mm程
度シリコン粒末をＮａＯＨ、ＫＯＨ等により８５℃の温
度で異方性エッチングにより形成する方法などがある。
【００４３】更に、アルミナのような漏れ性の悪い基板
を用いて、Ｓｎ融液を用いた液相成長を行なうと、基板
状に多数の四面体のシリコンを形成することもできる。
を用いて、Ｓｎ融液を用いた液相成長を行なうと、基板
状に多数の四面体のシリコンを形成することもできる。
【００４４】図５に示すように、このようにして形成さ
れた正四面体からなる例えばｐ型シリコンブロック４２
の底面以外の主面にｎ型不純物が拡散されたｎ型層４１
が形成され、この主面に並行な接合面を有するｐ／ｎ接
合が形成される。そして、シリコンブロック４０の底面
に対して垂直線上に頂点より貫通して金属膜４２が設け
られ、シリコンブロック４０のｎ型層４１と金属膜４２
と電気的接続がとられる。
れた正四面体からなる例えばｐ型シリコンブロック４２
の底面以外の主面にｎ型不純物が拡散されたｎ型層４１
が形成され、この主面に並行な接合面を有するｐ／ｎ接
合が形成される。そして、シリコンブロック４０の底面
に対して垂直線上に頂点より貫通して金属膜４２が設け
られ、シリコンブロック４０のｎ型層４１と金属膜４２
と電気的接続がとられる。
【００４５】また、シリコンブロック４０の底面には絶
縁層４２を介して、金属電極４４が設けられ、シリコン
ブロック４０のｐ層と金属電極４４との電気的接続がと
られている。
縁層４２を介して、金属電極４４が設けられ、シリコン
ブロック４０のｐ層と金属電極４４との電気的接続がと
られている。
【００４６】このように形成することで、光は図５に示
すように、全て斜め方向から入射されるので、いわゆる
テキスチャ効果により、変換効率が向上する。
すように、全て斜め方向から入射されるので、いわゆる
テキスチャ効果により、変換効率が向上する。
【００４６】尚、上記実施例は、図面体のシリコンブロ
ックについて説明したが、図６に示すように三角柱のシ
リコンブロックでも構成することができる。
ックについて説明したが、図６に示すように三角柱のシ
リコンブロックでも構成することができる。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明の光起
電力装置によれば、ｐ／ｎ接合を低温で形成できると共
に、透光性の電極を反射防止膜として利用することがで
き、構造が簡単で且つ製造の容易な光起電力装置を提供
できる。
電力装置によれば、ｐ／ｎ接合を低温で形成できると共
に、透光性の電極を反射防止膜として利用することがで
き、構造が簡単で且つ製造の容易な光起電力装置を提供
できる。
【００４８】また、第２の発明によれば、掘削による開
口部に電極を設けることにより、キャリアの収集が促進
され、変換効率が向上する。
口部に電極を設けることにより、キャリアの収集が促進
され、変換効率が向上する。
【００４９】更に、第３の発明によれば、２種類のシリ
コン粒を用意するだけで、極めて簡単にｐ／ｎ接合を形
成することができる。
コン粒を用意するだけで、極めて簡単にｐ／ｎ接合を形
成することができる。
【００５０】第４の発明によれば、光が全て斜め方向か
ら入射されるので、いわゆるテキスチャ効果により、変
換効率が向上する。
ら入射されるので、いわゆるテキスチャ効果により、変
換効率が向上する。
【図１】第１の発明の実施例を工程別に示す断面図であ
る。
る。
【図２】第２の発明の実施例を工程別に示す断面図であ
る。
る。
【図３】第３の発明の実施例を示す断面図である。
【図４】第４の発明に用いられるシリコンブロックを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】第４の発明の実施例を示す断面図である。
【図６】第４の発明の他の実施例を示す斜視図である。
１０ 絶縁性薄膜基板
１２ シリコン粒
１４ 透明電極
１５ 金属電極
２０ 金属膜
２２ シリコン粒
２４ 穴
２５ アルミニウム
２６ アルミニウム薄膜
３１ シリコン粒（ｐ型）
３２ シリコン粒（ｎ型）
４０ シリコンブロック
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性薄膜と、前記絶縁性薄膜を貫通す
るように嵌合された球状の一導電型半導体材料と、前記
絶縁性薄膜の一主面側の前記半導体材料の表面に他導電
型半導体不純物を拡散させることによって設けられた半
導体接合と、前記主面側の前記絶縁性薄膜及び前記半導
体材料の各表面が被われるように形成された透光性の電
極と、前記絶縁性薄膜の他主面に形成された他の電極
と、からなることを特徴とする光起電力装置。 - 【請求項２】 金属膜からなる電極と、この電極を貫通
し且つ前記電極との接触部並びに電極の一主面側にある
表面に沿って形成された半導体接合を具備する半導体材
料と、前記電極の他主面及びこの他主面側に露出した前
記半導体材料の周辺部を被う絶縁膜と、を備えた光起電
力装置において、前記半導体材料の前記他主面側であっ
て、前記絶縁膜に被われていない部分の掘削による開口
部に電極を形成せしめたことを特徴とする光起電力装
置。 - 【請求項３】 球状の一導電型半導体材料の表面に、他
導電型半導体材料を少なくとも１つ以上配置することに
より、夫々の配置部で半導体接合を具備せしめたことを
特徴とする光起電力装置。 - 【請求項４】 多角錐の形状を有する一導電型半導体材
料と、該半導体材料の底面に被着された金属からなる電
極と、前記底面以外の少なくとも１つの主面に他導電型
決定不純物を拡散することによってこの主面に並行な接
合面を有する半導体接合と、前記多角錐の頂点の内前記
底面に対して垂直線上にある頂点によって貫通されるよ
うに嵌着され且つ前記主面と電気的接続をなす金属膜
と、からなる電極と、を備えたことを特徴とする光起電
力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3210208A JPH0536997A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3210208A JPH0536997A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536997A true JPH0536997A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16585584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3210208A Pending JPH0536997A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536997A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998015983A1 (en) * | 1996-10-09 | 1998-04-16 | Josuke Nakata | Semiconductor device |
| US6204545B1 (en) | 1996-10-09 | 2001-03-20 | Josuke Nakata | Semiconductor device |
| WO2002035613A1 (en) * | 2000-10-20 | 2002-05-02 | Josuke Nakata | Light-emitting or light-detecting semiconductor module and method of manufacture thereof |
| WO2002035612A1 (en) * | 2000-10-20 | 2002-05-02 | Josuke Nakata | Light-emitting or light-receiving semiconductor device and method for fabricating the same |
| JP2002217427A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| WO2003017382A1 (fr) * | 2001-08-13 | 2003-02-27 | Josuke Nakata | Module a semi-conducteur emetteur de lumiere ou recepteur de lumiere et procede de fabrication correspondant |
| WO2003017383A1 (en) * | 2001-08-13 | 2003-02-27 | Josuke Nakata | Semiconductor device and method of its manufacture |
| WO2004001858A1 (ja) * | 2002-06-21 | 2003-12-31 | Josuke Nakata | 受光又は発光用デバイスおよびその製造方法 |
| US7214557B2 (en) | 2003-10-24 | 2007-05-08 | Kyosemi Corporation | Light receiving or light emitting modular sheet and process for producing the same |
| US7238966B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-07-03 | Josuke Nakata | Light-receiving panel or light-emitting panel, and manufacturing method thereof |
| JP2007173518A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Kagawa Univ | 光センサとその製造方法 |
| US7378757B2 (en) | 2003-06-09 | 2008-05-27 | Kyosemi Corporation | Power generation system |
| US7387400B2 (en) | 2003-04-21 | 2008-06-17 | Kyosemi Corporation | Light-emitting device with spherical photoelectric converting element |
| JP2009147286A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 球形表面を有する太陽電池およびその製造方法 |
| US7602035B2 (en) | 2001-10-19 | 2009-10-13 | Josuke Nakata | Light emitting or light receiving semiconductor module and method for manufacturing same |
| JP2010183080A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Lg Electronics Inc | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2011138909A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Clean Venture 21 Corp | 光電変換素子およびその製造方法、ならびに光電変換装置およびその製造方法 |
| US8442212B2 (en) | 2005-06-23 | 2013-05-14 | Agere Systems Llc | Continuous power transfer scheme for two-wire serial link |
| JP2019522350A (ja) * | 2016-07-29 | 2019-08-08 | エクセガー オペレーションズ アクチエボラグ | 光吸収層及び光吸収層を含む太陽光発電デバイス |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3210208A patent/JPH0536997A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204545B1 (en) | 1996-10-09 | 2001-03-20 | Josuke Nakata | Semiconductor device |
| WO1998015983A1 (en) * | 1996-10-09 | 1998-04-16 | Josuke Nakata | Semiconductor device |
| WO2002035613A1 (en) * | 2000-10-20 | 2002-05-02 | Josuke Nakata | Light-emitting or light-detecting semiconductor module and method of manufacture thereof |
| WO2002035612A1 (en) * | 2000-10-20 | 2002-05-02 | Josuke Nakata | Light-emitting or light-receiving semiconductor device and method for fabricating the same |
| US6744073B1 (en) | 2000-10-20 | 2004-06-01 | Josuke Nakata | Light-emitting or light-receiving semiconductor device and method for fabricating the same |
| JP2002217427A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP4570255B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2010-10-27 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| US7238968B2 (en) | 2001-08-13 | 2007-07-03 | Josuke Nakata | Semiconductor device and method of making the same |
| WO2003017382A1 (fr) * | 2001-08-13 | 2003-02-27 | Josuke Nakata | Module a semi-conducteur emetteur de lumiere ou recepteur de lumiere et procede de fabrication correspondant |
| WO2003017383A1 (en) * | 2001-08-13 | 2003-02-27 | Josuke Nakata | Semiconductor device and method of its manufacture |
| US7244998B2 (en) | 2001-08-13 | 2007-07-17 | Josuke Nakata | Light-emitting or light-receiving semiconductor module and method of its manufacture |
| US7602035B2 (en) | 2001-10-19 | 2009-10-13 | Josuke Nakata | Light emitting or light receiving semiconductor module and method for manufacturing same |
| US7238966B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-07-03 | Josuke Nakata | Light-receiving panel or light-emitting panel, and manufacturing method thereof |
| US7220997B2 (en) | 2002-06-21 | 2007-05-22 | Josuke Nakata | Light receiving or light emitting device and itsd production method |
| WO2004001858A1 (ja) * | 2002-06-21 | 2003-12-31 | Josuke Nakata | 受光又は発光用デバイスおよびその製造方法 |
| US7387400B2 (en) | 2003-04-21 | 2008-06-17 | Kyosemi Corporation | Light-emitting device with spherical photoelectric converting element |
| US7378757B2 (en) | 2003-06-09 | 2008-05-27 | Kyosemi Corporation | Power generation system |
| US7214557B2 (en) | 2003-10-24 | 2007-05-08 | Kyosemi Corporation | Light receiving or light emitting modular sheet and process for producing the same |
| US8442212B2 (en) | 2005-06-23 | 2013-05-14 | Agere Systems Llc | Continuous power transfer scheme for two-wire serial link |
| JP2007173518A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Kagawa Univ | 光センサとその製造方法 |
| JP2009147286A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 球形表面を有する太陽電池およびその製造方法 |
| JP2010183080A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Lg Electronics Inc | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2011138909A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Clean Venture 21 Corp | 光電変換素子およびその製造方法、ならびに光電変換装置およびその製造方法 |
| JP2019522350A (ja) * | 2016-07-29 | 2019-08-08 | エクセガー オペレーションズ アクチエボラグ | 光吸収層及び光吸収層を含む太陽光発電デバイス |
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