JP2011138909A - 光電変換素子およびその製造方法、ならびに光電変換装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光電変換素子は、球状の第1半導体11およびその表面を被覆する第2半導体層12を具備し、第2半導体層12が第1半導体11を露出させる窓部14を有し、第1半導体11が前記窓部に露出する部分に開口する穴16を有する。光電変換装置は、前記各素子を支持し、かつ第1半導体または第2半導体層と電気的に接続された支持体21、前記素子の第2半導体層または第1半導体と電気的に接続された金属シート、および支持体と金属シートとを絶縁する電気絶縁層を備える。
【選択図】図4
Description
(1)第1の導電型の球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2の導電型の第2半導体層を具備した複数の球状素子、および前記各球状素子を1個ずつ配置するための複数の孔を有する導電性の支持体であって、前記球状素子の前記第2半導体層が前記孔の縁部に電気的に接続されている支持体からなる構造体を準備する工程、
(2)前記球状素子の露出部分の第2半導体層を除去して、前記穴の開口端の外側に第1半導体を露出させるとともに、前記球状素子に、底が前記第1半導体内にとどまる穴を各1個ずつ形成する工程、および
(3)前記支持体の裏面側に、前記第1半導体の露出部に対向する部位の少なくとも一部分に孔を有する電気絶縁層を接合するとともに、前記光電変換素子のそれぞれの第1半導体を、前記電気絶縁層の孔を通して相互に電気的に接続する金属シートを前記電気絶縁層に接合する工程、
を有する光電変換装置の製造方法を提供する。
本発明における球状光電変換素子の実施形態についての説明に先立って、まずその出発部材について述べる。
第1半導体の直径は、通常0.5〜2mmの範囲内、好ましくは0.8〜1.2mmの範囲内であることが好ましい。
素子10Aを出発部材とした光電変換素子の実施の形態について述べる。
第2半導体層12は、後述のように、光電変換素子101Aの他方の電極を兼ねる導電性の支持体に接続される。
すなわち、素子の表面から比較的深い領域における近赤外線の吸収により発生したキャリアが、穴の壁面近傍の高濃度ドーパント層によって反発されて、第2半導体層の近傍に移動し易くなり、この層に収集され易くなる。高濃度ドーパント層が無ければ、p型半導体内で発生したキャリアの多くが、上記の移動の途上で再結合(正孔と電子の結合)により消滅し易く、第2半導体層に収集されるキャリアが少なくなる。
図2(E)に示す素子101Eは、窓部14を形成する際に、第1半導体の露出部15が平坦となるように、第1半導体の一部を第2半導体層とともに研磨や切削などにより切り取ったものである。この素子には、図2(A)に示した素子101Aと同様に、窓部に開口端を有する穴16が形成され、さらにこの開口端の周辺部に電極17が形成されている。
出発部材として、図1(A)に示した半導体素子10Aを使用した場合について、第1半導体11がp型で、その表面を覆う第2半導体層12がn型である構造を例として説明する。
のみを示しているが、たとえば、一つの支持体21は、幅50mm、長さ150mmの寸法の、外観がパネル状のユニットであり、直径約1mmの素子10Aを互いに等間隔に約1800個保持する。
第2半導体層12を部分的に除去するのに、サンドブラスト法あるいはブラッシング法などの機械的な研磨法を用いた場合は、その後に、揺動エッチング処理を行うことによって、穴16を形成するためのレーザ加工による壁面の荒れを取り除いて表面を平滑化し、さらには加工屑が生じた場合にはそれをあわせ除去する。
まず、支持体21の裏面に露出する素子10Aの中央部から垂直方向に筒状の穴16を形成する。次いで、図5(A)に示すように、その穴16の開口部側に向けて、斜め上方向から順次等間隔にレーザ光を照射して、斜め方向に、例えば4個の、新たな複数の穴16bを開ける。新たに形成された4個の穴16bは、中央部の穴16よりもやや浅く、小径である。これらの穴は相互に連なっている。図5(B)における、外側の大きな円aは中央部の穴16、およびその中の4個の小さな円bは新たな複数の穴16bを形成する際のレーザ光の照射面を示している。図5(C)は、図5(A)の素子を、図4(C)に準じた方法で第2半導体層の一部を除去して窓部を形成するとともに、穴の内壁をエッチングすることにより、実線で示すように、角部がとれて丸味を帯びた形状の穴を有するものとした例を示す(破線は元の穴の形を示す)。
まず、図4(A)から図4(C)に示した工程を実施する。次に、図7(A)に示すように、Alなどの反射率の高い金属プレートからなるターゲット51を、直流電源52のプラス極に、第1半導体11をそのマイナス極にそれぞれ接続し、穴16に対応した位置に透孔54が設けられた金属製のマスク53を使用してスパッタリングを行う。これによって、穴16の壁面にターゲット金属からなる反射膜18が形成される。なお、反射膜18は、めっき法や蒸着法によっても形成することができる。
まず、支持体21に取り付けた素子10Aに穴16を設けた図4(C)の状態のものを準備する。そして、図8(A)に示すように、ドーピング剤を含むペースト37を注射針36により穴16内に定量注入する。ここに用いるペーストは、たとえば、ホウ酸や酸化ホウ素などのドーピング剤を含む水溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルやポリビニルアルコールなどの増粘剤を加えたものである。具体的には、例えば、酸化ホウ素と水とプロピレングリコールモノメチルエーテルとを質量比6:22:72の割合で配合したペーストを用いることができる。注射針36の外径は約200μm、孔径は約100μmであり、約300〜400μm程度の径を有する穴の中央部から底部の近くまで針の先端部を差し込む。ペーストは、穴の内壁と注射針の外周部の間をほぼ満たすか、それよりやや少なめになるように定量して注入する。
これにより、固形化された層19A中のホウ素が穴16の内壁からp型の第1半導体11の内部に拡散するとともに層19Aが、例えば、1018個/cm3以上のドーパント濃度の高濃度ドーパント層19(高濃度p型半導体層)となる。同時に導電性ペーストの塗布層17Aは、AlがSiに拡散した層とAgとSiとの合金層からなるオーミック導電層に変化する。この導電層が第1半導体側の電極17となる。
また、上記のように高濃度ドーパント層19を形成した後、図7に準じた方法で反射膜18および電極17を形成することにより、図2(D)に相当する素子を作製することができる。
さらに、上記のAl微粉に加えてAg微粉を含むペーストを用いることにより、図2(D)に示す素子の他の実施形態が得られる。即ち、レーザ照射により、穴の内壁にSiとAgの合金層が形成され、その内側にAlをドーパントとする高濃度ドーパント層が形成される。上記の合金層は反射層としても作用する。
101A、101B 101C、101D 光電変換素子
11 第1半導体
12 第2半導体層
13 反射防止膜
14 窓部
16 穴
17 電極
18 反射膜
19 高濃度ドーパント層
21 支持体
22 凹部
23 透孔
24 導電性接着剤
31 レーザビーム発生装置
32 レーザビーム
41 絶縁性シート
42 孔
43 電気的導出部
44 金属シート
Claims (17)
- 第1の導電型の球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2の導電型の第2半導体層を具備し、前記第2半導体層が前記第1半導体を露出させる窓部を有し、前記第1半導体が前記窓部に露出する部分に開口する穴を有することを特徴とする光電変換素子。
- 前記第1半導体と同じ導電型であって、それよりドーパント濃度の高い高濃度ドーパント層を前記穴の壁面に有する請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記穴の壁面の少なくとも一部分を被覆する光反射性の金属膜を有する請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記第1半導体がp型半導体であって、前記ドーパントが、ホウ素、アルミニウム、およびガリウムよりなる群から選ばれた少なくとも1種からなる請求項2に記載の光電変換素子。
- 前記高濃度ドーパント層の少なくとも一部分が、光反射性を有する金属膜により被覆されている請求項3記載の光電変換素子。
- 前記金属膜がアルミニウム、アルミニウムを主成分とする合金、銀、および銀を主成分とする合金からなる群から選択された1種を含む請求項3に記載の光電変換素子。
- 前記第2半導体層の表面を被覆する反射防止膜を有し、前記第2半導体層および前記反射防止膜が前記第1半導体を露出させる窓部をそれぞれ有する請求項1〜6のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 請求項1に記載の光電変換素子の製造方法であって、前記穴を形成する工程が、レーザ加工、またはブラスト加工により穴を形成する工程を含む光電変換素子の製造方法。
- 前記穴を形成した後、前記穴の内壁をエッチングする工程を含む請求項8記載の光電変換素子の製造方法。
- 請求項1に記載の光電変換素子の複数個、
前記各光電変換素子を支持し、かつ前記第1半導体または前記第2半導体層と電気的に接続された支持体、
前記光電変換素子の前記第2半導体層または前記第1半導体と電気的に接続された金属シート、および、
前記支持体と金属シートとを絶縁する電気絶縁層、
を具備する光電変換装置。 - 請求項1に記載の光電変換素子の複数個、
前記各光電変換素子を1個ずつ配置するための複数の孔を有する導電性の支持体であって、前記光電変換素子の前記第2半導体層が前記孔の縁部に電気的に接続され、かつ前記第1半導体の露出部分を裏面側に臨ませている支持体、
前記支持体の裏面側に接合され、前記第1半導体の露出部に対向する部位の少なくとも一部分に孔を有する電気絶縁層、ならびに、
前記電気絶縁層に接合され、前記光電変換素子のそれぞれの第1半導体を、前記電気絶縁層の孔を通して相互に電気的に接続する金属シート、
を備えた光電変換装置。 - 前記支持体および金属シートの少なくとも一方が、アルミニウムもしくはアルミニウム合金を主体とする請求項10または11に記載の光電変換装置。
- 前記支持体が、その表面側に、前記孔を底部に有する複数個の凹部を隣接して有し、前記凹部のそれぞれの内面に反射鏡層を有する請求項11または12に記載の光電変換装置。
- 前記光電変換素子の前記第1半導体の露出部および前記穴の開口端の周縁部の少なくとも一部分に、前記第1半導体とのオーミックな電気的接続が可能な電極が形成され、前記電極を介して前記第1半導体と前記金属シートとが電気的に接続された請求項11〜13のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- (1)第1の導電型の球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2の導電型の第2半導体層を具備した複数の球状素子、および前記各球状素子を1個ずつ配置するための複数の孔を有する導電性の支持体であって、前記球状素子の前記第2半導体層が前記孔の縁部に電気的に接続されている支持体からなる構造体を準備する工程、
(2)前記球状素子の露出部分の第2半導体層を除去して、前記穴の開口端の外側に第1半導体を露出させるとともに、前記球状素子に、底が前記第1半導体内にとどまる穴を各1個ずつ形成する工程、および
(3)前記支持体の裏面側に、前記第1半導体の露出部に対向する部位の少なくとも一部分に孔を有する電気絶縁層を接合するとともに、前記光電変換素子のそれぞれの第1半導体を、前記電気絶縁層の孔を通して相互に電気的に接続する金属シートを前記電気絶縁層に接合する工程、
を有する光電変換装置の製造方法。 - 前記工程(2)が、(2−1)前記支持体の裏面側に露出している前記球状素子に、底が前記第1半導体内にとどまる穴を各1個ずつ形成する工程、および
(2−2)前記球状素子の露出部分の第2半導体層を除去して、前記穴の開口端の外側に第1半導体を露出させる工程、
を含む請求項15記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記工程(2−2)が、エッチングにより、前記球状素子の露出部分の第2半導体層を除去すると同時に前記穴の内壁面を平滑化する工程を含む請求項16に記載の光電変換装置の製造方法。
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