JP2001210848A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池及びその製造方法Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 球状半導体のコア部の電極を新規な連続的手
段で生産性よく形成でき、さらに球状半導体の削り除去
が少なく受光面を大きくとれる太陽電池を得る。また、
太陽電池の連続的な製造及びモジュール化が円滑に出来
る製造方法を得る。 【解決手段】 表面に第２導電層の半導体が形成され第
１導電型の半導体をコア部に有した球状基板を備えた太
陽電池において、球状基板１に貫通孔４があけられ、該
貫通孔４に電極金属５が串刺し挿入され、シンタリング
により前記球状基板１との間で合金層が形成されて接合
し、球状基板１を出た電極金属５が第１導電型の電極６
を形成して太陽電池１０を構成している。
段で生産性よく形成でき、さらに球状半導体の削り除去
が少なく受光面を大きくとれる太陽電池を得る。また、
太陽電池の連続的な製造及びモジュール化が円滑に出来
る製造方法を得る。 【解決手段】 表面に第２導電層の半導体が形成され第
１導電型の半導体をコア部に有した球状基板を備えた太
陽電池において、球状基板１に貫通孔４があけられ、該
貫通孔４に電極金属５が串刺し挿入され、シンタリング
により前記球状基板１との間で合金層が形成されて接合
し、球状基板１を出た電極金属５が第１導電型の電極６
を形成して太陽電池１０を構成している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池及びその製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】球状半導体はどの方向からの光について
も吸収性にすぐれ太陽電池としてすぐれている。
も吸収性にすぐれ太陽電池としてすぐれている。
【０００３】球状半導体は光があたると電子（−）と正
孔（＋）の対が生まれ、電子はｎ型半導体に、正孔はｐ
型半導体に引き寄せられ、ｐｎ接合部分の両側のｎ型半
導体とｐ型半導体の間に起電力が発生する。この起電力
を取り出すためにｎ型半導体及びｐ型半導体に電極が設
けられる。
孔（＋）の対が生まれ、電子はｎ型半導体に、正孔はｐ
型半導体に引き寄せられ、ｐｎ接合部分の両側のｎ型半
導体とｐ型半導体の間に起電力が発生する。この起電力
を取り出すためにｎ型半導体及びｐ型半導体に電極が設
けられる。
【０００４】従来、球状半導体においてはコアの球状シ
リコン半導体が例えばｐ型半導体であれば、表層にｎ型
半導体が形成されているので、ｐ型半導体の電極は球状
シリコン半導体の一部をエッチング或いは研削してコア
を露出させ、該露出部に形成している。
リコン半導体が例えばｐ型半導体であれば、表層にｎ型
半導体が形成されているので、ｐ型半導体の電極は球状
シリコン半導体の一部をエッチング或いは研削してコア
を露出させ、該露出部に形成している。
【０００５】
【この発明が解決しようとする課題】前記電極の形成で
は、球状体が動き回るので樹脂等に一部を埋め込み、加
熱等して樹脂を硬化させて球状半導体を固定し、前記露
出させる加工を行わなければならなず、生産がバッチ的
で生産性が低い問題がある。
は、球状体が動き回るので樹脂等に一部を埋め込み、加
熱等して樹脂を硬化させて球状半導体を固定し、前記露
出させる加工を行わなければならなず、生産がバッチ的
で生産性が低い問題がある。
【０００６】また、前記球状体の一部を露出させて電極
を形成したのち、先に固定した樹脂等を取り除く処理を
せねばならずこの点からも生産性が上がらない。
を形成したのち、先に固定した樹脂等を取り除く処理を
せねばならずこの点からも生産性が上がらない。
【０００７】さらに、前記露出加工は球状半導体の表面
に形成しているｎ型半導体層の一部を除去することにな
り、受光部が減る問題がある。
に形成しているｎ型半導体層の一部を除去することにな
り、受光部が減る問題がある。
【０００８】本発明は球状半導体のコア部の電極を新規
な連続的手段で生産性よく形成でき、さらに球状半導体
の削り除去が少なく受光面を大きくとれる太陽電池を得
ることを目的とする。また、太陽電池の連続的な製造及
びモジュール化が円滑にできる製造方法を他の目的とす
る。
な連続的手段で生産性よく形成でき、さらに球状半導体
の削り除去が少なく受光面を大きくとれる太陽電池を得
ることを目的とする。また、太陽電池の連続的な製造及
びモジュール化が円滑にできる製造方法を他の目的とす
る。
【０００９】なお、球状半導体の表面に形成される例え
ばｎ型半導体は、その電極を導電ペーストの付設等によ
り比較的容易になされる。
ばｎ型半導体は、その電極を導電ペーストの付設等によ
り比較的容易になされる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、表面に
第２導電層の半導体が形成され第１導電型の半導体をコ
ア部に有する球状基板を備えた太陽電池において、前記
球状基板に貫通孔があけられ、該貫通孔に電極金属が串
刺し挿入され、前記球状基板との合金により接合し、球
状基板を出た電極金属が第１導電型の電極を形成してい
ることを特徴とする太陽電池にある。第２の要旨は、前
記球状基板が複数個列状に配列され、各球状基板が貫通
孔に串刺し挿入した電極金属を介して連続して配列され
ている太陽電池にある。第３の要旨は、前記第１導電型
の半導体を形成する球状基板のコア部が球状シリコン、
又は球状化合物半導体で、球状基板の貫通孔に串刺し挿
入された電極金属がアルミニュウームであることを特徴
とする太陽電池にある。
第２導電層の半導体が形成され第１導電型の半導体をコ
ア部に有する球状基板を備えた太陽電池において、前記
球状基板に貫通孔があけられ、該貫通孔に電極金属が串
刺し挿入され、前記球状基板との合金により接合し、球
状基板を出た電極金属が第１導電型の電極を形成してい
ることを特徴とする太陽電池にある。第２の要旨は、前
記球状基板が複数個列状に配列され、各球状基板が貫通
孔に串刺し挿入した電極金属を介して連続して配列され
ている太陽電池にある。第３の要旨は、前記第１導電型
の半導体を形成する球状基板のコア部が球状シリコン、
又は球状化合物半導体で、球状基板の貫通孔に串刺し挿
入された電極金属がアルミニュウームであることを特徴
とする太陽電池にある。
【００１１】本発明の製造方法に関する第４の要旨は、
表面に第２導電層の半導体が形成され第１導電型の半導
体をコア部に有する球状基板を備えた太陽電池の製造方
法において、前記球状基板に貫通孔をあけ、洗浄して、
前記貫通孔に電極金属を挿入串刺し、シンタリングによ
り前記電極金属と貫通孔部の球状基板の間で合金を形成
して接合し、球状基板から出でいる電極金属を第１導電
型の半導体の電極とすることを特徴とする太陽電池の製
造方法にある。第５の要旨は、前記球状基板に貫通孔を
あけ、貫通孔にワイヤを通して球状基板を複数個続けて
配列して洗浄し、前記ワイヤを除去するとともに貫通孔
に電極金属を挿入し複数個の球状基板を串刺し列状に配
列し、シンタリングにより前記電極金属と貫通孔部の球
状基板の間で合金を形成して接合し、複数個配列した球
状基板の先端又は後端から出ている電極金属を第１導電
型の半導体の電極とすることを特徴とする太陽電池の製
造方法にある。第６の要旨は、前記第１導電型の半導体
を形成する球状基板のコア部が球状シリコン、又は球状
化合物半導体で、球状基板の貫通孔に串刺し挿入する電
極金属がアルミニュウームであることを特徴とする太陽
電池の製造方法にある。
表面に第２導電層の半導体が形成され第１導電型の半導
体をコア部に有する球状基板を備えた太陽電池の製造方
法において、前記球状基板に貫通孔をあけ、洗浄して、
前記貫通孔に電極金属を挿入串刺し、シンタリングによ
り前記電極金属と貫通孔部の球状基板の間で合金を形成
して接合し、球状基板から出でいる電極金属を第１導電
型の半導体の電極とすることを特徴とする太陽電池の製
造方法にある。第５の要旨は、前記球状基板に貫通孔を
あけ、貫通孔にワイヤを通して球状基板を複数個続けて
配列して洗浄し、前記ワイヤを除去するとともに貫通孔
に電極金属を挿入し複数個の球状基板を串刺し列状に配
列し、シンタリングにより前記電極金属と貫通孔部の球
状基板の間で合金を形成して接合し、複数個配列した球
状基板の先端又は後端から出ている電極金属を第１導電
型の半導体の電極とすることを特徴とする太陽電池の製
造方法にある。第６の要旨は、前記第１導電型の半導体
を形成する球状基板のコア部が球状シリコン、又は球状
化合物半導体で、球状基板の貫通孔に串刺し挿入する電
極金属がアルミニュウームであることを特徴とする太陽
電池の製造方法にある。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の１実施例について
図面を参照し説明する。図１は本発明の１実施例による
太陽電池の製造を示すものである。１は球状基板で、コ
ア部が例えば直径が約１ｍｍのｐ型多結晶シリコン粒
２、又はｐ型アモルファスシリコン球であり第１導電層
の半導体を構成し、真空中で加熱しつつ落下されながら
球状に形成され、第１導電層の半導体例えばｐ型多結晶
シリコン粒２が形成され、その表面に、拡散法によるｎ
型化合物ドープ、フォスフィンを含むシラン等の混合ガ
スを用いたＣＶＤ法、又はイオン注入法等により第２導
電層のｎ型多結晶シリコン層３が形成されている。
図面を参照し説明する。図１は本発明の１実施例による
太陽電池の製造を示すものである。１は球状基板で、コ
ア部が例えば直径が約１ｍｍのｐ型多結晶シリコン粒
２、又はｐ型アモルファスシリコン球であり第１導電層
の半導体を構成し、真空中で加熱しつつ落下されながら
球状に形成され、第１導電層の半導体例えばｐ型多結晶
シリコン粒２が形成され、その表面に、拡散法によるｎ
型化合物ドープ、フォスフィンを含むシラン等の混合ガ
スを用いたＣＶＤ法、又はイオン注入法等により第２導
電層のｎ型多結晶シリコン層３が形成されている。
【００１３】前記球状基板１には貫通孔４がレーザー、
電子ビーム、ドリル又は放電加工等により直径方向にあ
けられる。該貫通孔４の穿孔は球状基板１を挟み治具で
挟持して固定し、或いはチューブ内に入れて保持し、該
球状基板１に例えばレーザー、電子ビームの照射、或い
はドリルにより連続的になされる。
電子ビーム、ドリル又は放電加工等により直径方向にあ
けられる。該貫通孔４の穿孔は球状基板１を挟み治具で
挟持して固定し、或いはチューブ内に入れて保持し、該
球状基板１に例えばレーザー、電子ビームの照射、或い
はドリルにより連続的になされる。
【００１４】前記貫通孔４の穿孔の際には、貫通孔４の
入口と出口には図１の（ｂ）に示すように、テーパー加
工を貫通孔４の形成前、或いは形成後に施すことが、該
貫通孔４に挿入する電極金属と前記表層のｎ型多結晶シ
リコン層３が短絡しないようにするのに好ましい。
入口と出口には図１の（ｂ）に示すように、テーパー加
工を貫通孔４の形成前、或いは形成後に施すことが、該
貫通孔４に挿入する電極金属と前記表層のｎ型多結晶シ
リコン層３が短絡しないようにするのに好ましい。
【００１５】前記短絡の防止のためには、前記テーパー
加工に限らず、図２の（ａ）のように貫通孔４の入口と
出口のｎ型多結晶シリコン層３を直截状に削り落し、或
いは同図の（ｂ）のように貫通孔４の入口と出口部のｎ
型多結晶シリコン層３をドリルの口径や、レーザーの照
射光径の広げ等により広めに除去すればよい。
加工に限らず、図２の（ａ）のように貫通孔４の入口と
出口のｎ型多結晶シリコン層３を直截状に削り落し、或
いは同図の（ｂ）のように貫通孔４の入口と出口部のｎ
型多結晶シリコン層３をドリルの口径や、レーザーの照
射光径の広げ等により広めに除去すればよい。
【００１６】貫通孔４が穿孔された球状基板１は洗浄さ
れ、電導金属５、例えばアルミニュウーム、アルミニュ
ウーム合金等の線状体を貫通孔４に挿入串刺しする。串
刺しで球状基板１から出る部分が電極６となるので、導
電金属５は電極６に必要な長さ球状基板１から出るよう
に串刺しする。前記導電金属５の中で好ましいのは球状
基板１のコア部がシリコンである場合はアルミニュウー
ムである。
れ、電導金属５、例えばアルミニュウーム、アルミニュ
ウーム合金等の線状体を貫通孔４に挿入串刺しする。串
刺しで球状基板１から出る部分が電極６となるので、導
電金属５は電極６に必要な長さ球状基板１から出るよう
に串刺しする。前記導電金属５の中で好ましいのは球状
基板１のコア部がシリコンである場合はアルミニュウー
ムである。
【００１７】前記電導金属５は貫通孔４に挿入する前
に、当該導電金属４を冷却しておき、冷却収縮状態を利
用し、挿入後に常温に戻ることで貫通孔４への固定を高
めるようにしてもよい。
に、当該導電金属４を冷却しておき、冷却収縮状態を利
用し、挿入後に常温に戻ることで貫通孔４への固定を高
めるようにしてもよい。
【００１８】電導金属５が挿入串刺しされた球状基板１
は加熱装置にて例えば３００〜３５０℃にてシンタリン
グされ、前記電導金属５と貫通孔部の球状基板１とで互
いに拡散させ合金層が形成され接合する。これにより球
状基板１から出ている電導金属５が電極６、この実施例
ではｐ型電極として機能できるようになる。
は加熱装置にて例えば３００〜３５０℃にてシンタリン
グされ、前記電導金属５と貫通孔部の球状基板１とで互
いに拡散させ合金層が形成され接合する。これにより球
状基板１から出ている電導金属５が電極６、この実施例
ではｐ型電極として機能できるようになる。
【００１９】なお、第２導電型のｎ型多結晶シリコン層
３のｎ型電極７は、球状基板１を載置し接合した導電プ
レート８上に形成される。なお、９は前記導電プレート
８の下面に設けられた絶縁材である。
３のｎ型電極７は、球状基板１を載置し接合した導電プ
レート８上に形成される。なお、９は前記導電プレート
８の下面に設けられた絶縁材である。
【００２０】このようにして本発明による球状半導体か
らなる太陽電池１０が製造されるが、球状半導体のコア
部の電極６を樹脂固定及びその除去等の面倒な作業工程
をすることなく、生産性よく形成できる。
らなる太陽電池１０が製造されるが、球状半導体のコア
部の電極６を樹脂固定及びその除去等の面倒な作業工程
をすることなく、生産性よく形成できる。
【００２１】次に、第２実施例の球状基板１を複数個続
けて配列した太陽電池とその製造について図３、図４、
図５、図６、図７、図８を参照して説明する。球状基板
１は先の実施例と同じように製造されるものであり、表
面層に例えばｎ型多結晶シリコン３が形成され、コア部
はｐ型多結晶シリコン粒２である。
けて配列した太陽電池とその製造について図３、図４、
図５、図６、図７、図８を参照して説明する。球状基板
１は先の実施例と同じように製造されるものであり、表
面層に例えばｎ型多結晶シリコン３が形成され、コア部
はｐ型多結晶シリコン粒２である。
【００２２】球状基板１は図３のように例えば挟み治具
１１で挟持固定され、該球状基板１にレーザー、電子ビ
ーム、ドリル、或いは放電加工等により貫通孔４を穿設
する。該貫通孔４の穿設に際しては先の実施例で述べた
ように、入口と出口にテーパ等を形成するのが好まし
い。
１１で挟持固定され、該球状基板１にレーザー、電子ビ
ーム、ドリル、或いは放電加工等により貫通孔４を穿設
する。該貫通孔４の穿設に際しては先の実施例で述べた
ように、入口と出口にテーパ等を形成するのが好まし
い。
【００２３】穿孔された球状基板１は挟み治具１１から
図４に示す筒１２内に押し出され、該筒１２内に設けら
れている支持ワイヤー１３が前記貫通孔４に入り、順
次、穿孔された球状基板１が支持ワイヤー１３を介して
所望個数縦列される。図５にこの実施例で球状基板１を
４個、支持ワイヤー１３に通し続けて配列したものを示
している。なお、配列の個数は４個に限らず目的に応じ
て変えられる。
図４に示す筒１２内に押し出され、該筒１２内に設けら
れている支持ワイヤー１３が前記貫通孔４に入り、順
次、穿孔された球状基板１が支持ワイヤー１３を介して
所望個数縦列される。図５にこの実施例で球状基板１を
４個、支持ワイヤー１３に通し続けて配列したものを示
している。なお、配列の個数は４個に限らず目的に応じ
て変えられる。
【００２４】前記複数配列された球状基板１は洗浄さ
れ、付着粉や液分等が除去される。その後、前記支持ワ
イヤー１３を除去するとともに、貫通孔４に電導金属
５、例えばアルミニュウーム、アルミニュウーム合金等
を図６に示すように挿入串刺しする。なお、１４はスト
ッパーで串刺しされた先頭の球状基板１を止めるもので
ある。
れ、付着粉や液分等が除去される。その後、前記支持ワ
イヤー１３を除去するとともに、貫通孔４に電導金属
５、例えばアルミニュウーム、アルミニュウーム合金等
を図６に示すように挿入串刺しする。なお、１４はスト
ッパーで串刺しされた先頭の球状基板１を止めるもので
ある。
【００２５】次いで前記串刺しされた複数個の球状基板
１は加熱装置にてシンタリングが前記と同様になされ、
電導金属５と貫通孔４部の球状基板１が合金層を形成し
て接合し、球状基板１から出ている電導金属５がこの実
施例ではｐ型多結晶シリコン粒２の電極となる。このよ
うに本発明では複数個配列した球状基板１のコア部の電
極が新規な少い工程で形成される。
１は加熱装置にてシンタリングが前記と同様になされ、
電導金属５と貫通孔４部の球状基板１が合金層を形成し
て接合し、球状基板１から出ている電導金属５がこの実
施例ではｐ型多結晶シリコン粒２の電極となる。このよ
うに本発明では複数個配列した球状基板１のコア部の電
極が新規な少い工程で形成される。
【００２６】コア部の電極が形成され複数個配列された
球状基板１は、その一列が図７に示すように、或いは、
所望の複数列として図８に示すように、導電プレート１
５の上に置かれ、球状基板１の表層のｎ型多結晶シリコ
ン層３と接している前記導電プレート１５が、ｎ型半導
体の電極１６となる。なお、導電プレート１５の下面に
は絶縁材１７が設けられている。
球状基板１は、その一列が図７に示すように、或いは、
所望の複数列として図８に示すように、導電プレート１
５の上に置かれ、球状基板１の表層のｎ型多結晶シリコ
ン層３と接している前記導電プレート１５が、ｎ型半導
体の電極１６となる。なお、導電プレート１５の下面に
は絶縁材１７が設けられている。
【００２７】前記絶縁材１７としてフレキシビリィティ
なポリイミドフィルム等を用いると、その後のモジュー
ル化の加工処理がリール・ツー・リールで出来るように
なる。
なポリイミドフィルム等を用いると、その後のモジュー
ル化の加工処理がリール・ツー・リールで出来るように
なる。
【００２８】このように、本発明では球状基板を複数個
配列された太陽電池が、前記と同じく樹脂固定やその除
去などをすることなく、少ない工程で生産性よく製造で
きる。
配列された太陽電池が、前記と同じく樹脂固定やその除
去などをすることなく、少ない工程で生産性よく製造で
きる。
【００２９】前記実施例では球状基板のコア部がｐ型半
導体、表層部にｎ型半導体か形成されたものについて述
べたが、これに限らず、コア部がｎ型半導体、表層部に
ｐ型半導体が形成されたものであっても、本発明は同様
に適用できる。
導体、表層部にｎ型半導体か形成されたものについて述
べたが、これに限らず、コア部がｎ型半導体、表層部に
ｐ型半導体が形成されたものであっても、本発明は同様
に適用できる。
【００３０】
【発明の効果】本発明による球状基板はコア部の電極を
形成するのに球状体を削り取りするようなことがないの
で、受光部を大きくとれる太陽電池が得られる。また、
前述のように太陽電池が生産性よく製造される等の効果
がある。
形成するのに球状体を削り取りするようなことがないの
で、受光部を大きくとれる太陽電池が得られる。また、
前述のように太陽電池が生産性よく製造される等の効果
がある。
【図１】本発明の１実施例による太陽電池の製造を示す
図。
図。
【図２】本発明の１実施例における球状基板への貫通孔
の形成形状を示す図。
の形成形状を示す図。
【図３】本発明の第２実施例による球状基板への貫通孔
の形成を説明するための図。
の形成を説明するための図。
【図４】本発明の第２実施例による太陽電池の製造過程
を説明するための図。
を説明するための図。
【図５】本発明の第２実施例による太陽電池の製造過程
を説明するための図。
を説明するための図。
【図６】本発明の第２実施例による太陽電池を示す図。
【図７】本発明の第２実施例による球状基板の１列配列
の太陽電池を示す図。
の太陽電池を示す図。
【図８】本発明の第２実施例による球状基板の複数列配
列の太陽電池を示す図。
列の太陽電池を示す図。
１ 球状基板 ２ ｐ型多結晶シリコン粒 ３ ｎ型多結晶シリコン層 ４ 貫通孔 ５ 電導金属 ６ 電極 ７ ｎ型電極 ８ 導電プレート ９ 絶縁材 １０ 太陽電池 １１ 挟み治具 １２ 筒 １３ 支持ワイヤー １４ ストッパー １５ 導電プレート １６ 電極 １７ 絶縁材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 甲斐 秀芳 北九州市八幡西区小嶺２丁目10番１号 株 式会社三井ハイテック内 Ｆターム(参考） 5F051 AA03 AA07 CB12 CB19 CB20 CB27 CB29 DA03 DA20 FA06 GA04
Claims (6)
- 【請求項１】 表面に第２導電層の半導体が形成され第
１導電型の半導体をコア部に有した球状基板を備えた太
陽電池において、前記球状基板に貫通孔があけられ、該
貫通孔に電極金属が串刺し挿入され前記球状基板との合
金により接合し、球状基板を出た電極金属が第１導電型
の電極を形成していることを特徴とする太陽電池。 - 【請求項２】 前記球状基板が複数個列状に配列され、
各球状基板が貫通孔に串刺し挿入した電極金属を介して
連続して配列されていることを特徴とする請求項１記載
の太陽電池。 - 【請求項３】 前記第１導電型の半導体を形成する球状
基板のコア部が球状シリコン、又は球状化合物半導体
で、球状基板の貫通孔に串刺し挿入された電極金属がア
ルミニュウームであることを特徴とする請求項１または
請求項２記載の太陽電池。 - 【請求項４】 表面に第２導電層の半導体が形成され第
１導電型の半導体をコア部に有した球状基板を備える太
陽電池の製造方法において、前記球状基板に貫通孔をあ
け、洗浄して、前記貫通孔に電極金属を挿入串刺し、シ
ンタリングにより前記電極金属と貫通孔部の球状基板の
間で合金層を形成して接合し、球状基板から出でいる電
極金属を第１導電型の半導体の電極とすることを特徴と
する太陽電池の製造方法。 - 【請求項５】 表面に第２導電層の半導体が形成され第
１導電型の半導体をコア部に有した球状基板を備える太
陽電池の製造方法において、前記球状基板に貫通孔をあ
け、貫通孔にワイヤを通して球状基板を複数個続けて配
列して洗浄し、前記ワイヤを除去するとともに貫通孔に
電極金属を挿入し複数個の球状基板を串刺し列状に配列
し、シンタリングにより前記電極金属と貫通孔部の球状
基板の間で合金層を形成して接合し、複数個配列した球
状基板の先端又は後端から出ている電極金属を第１導電
型の半導体の電極とすることを特徴とする太陽電池の製
造方法。 - 【請求項６】 前記第１導電型の半導体を形成する球状
基板のコア部が球状シリコン、又は球状化合物半導体
で、球状基板の貫通孔に串刺し挿入する電極金属がアル
ミニュウームであることを特徴とする請求項４または請
求項５記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019111A JP3369525B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019111A JP3369525B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 太陽電池及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210848A true JP2001210848A (ja) | 2001-08-03 |
| JP3369525B2 JP3369525B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000019111A Expired - Fee Related JP3369525B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 太陽電池及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3369525B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004001858A1 (ja) * | 2002-06-21 | 2003-12-31 | Josuke Nakata | 受光又は発光用デバイスおよびその製造方法 |
| EP1427027A1 (en) * | 2001-08-13 | 2004-06-09 | Josuke Nakata | Semiconductor device and method of its manufacture |
| EP1427026A1 (en) * | 2001-08-13 | 2004-06-09 | Josuke Nakata | LIGHT−EMITTING OR LIGHT−RECEIVING SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF ITS MANUFACTURE |
| US7214557B2 (en) | 2003-10-24 | 2007-05-08 | Kyosemi Corporation | Light receiving or light emitting modular sheet and process for producing the same |
| US7238966B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-07-03 | Josuke Nakata | Light-receiving panel or light-emitting panel, and manufacturing method thereof |
| US7378757B2 (en) | 2003-06-09 | 2008-05-27 | Kyosemi Corporation | Power generation system |
| US7387400B2 (en) | 2003-04-21 | 2008-06-17 | Kyosemi Corporation | Light-emitting device with spherical photoelectric converting element |
| US7602035B2 (en) | 2001-10-19 | 2009-10-13 | Josuke Nakata | Light emitting or light receiving semiconductor module and method for manufacturing same |
| JP2011138909A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Clean Venture 21 Corp | 光電変換素子およびその製造方法、ならびに光電変換装置およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000019111A patent/JP3369525B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| US7238968B2 (en) | 2001-08-13 | 2007-07-03 | Josuke Nakata | Semiconductor device and method of making the same |
| EP1427026A1 (en) * | 2001-08-13 | 2004-06-09 | Josuke Nakata | LIGHT−EMITTING OR LIGHT−RECEIVING SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF ITS MANUFACTURE |
| EP1427027A4 (en) * | 2001-08-13 | 2006-12-20 | Josuke Nakata | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| EP1427026A4 (en) * | 2001-08-13 | 2006-12-20 | Kyosemi Corp | LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR MODULE OR LIGHT RECEIVER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME |
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| US7220997B2 (en) | 2002-06-21 | 2007-05-22 | Josuke Nakata | Light receiving or light emitting device and itsd production method |
| WO2004001858A1 (ja) * | 2002-06-21 | 2003-12-31 | Josuke Nakata | 受光又は発光用デバイスおよびその製造方法 |
| CN100380685C (zh) * | 2002-06-21 | 2008-04-09 | 中田仗祐 | 光电或发光用器件及其制造方法 |
| US7387400B2 (en) | 2003-04-21 | 2008-06-17 | Kyosemi Corporation | Light-emitting device with spherical photoelectric converting element |
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|---|---|
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