JP3369525B2 - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3369525B2 JP3369525B2 JP2000019111A JP2000019111A JP3369525B2 JP 3369525 B2 JP3369525 B2 JP 3369525B2 JP 2000019111 A JP2000019111 A JP 2000019111A JP 2000019111 A JP2000019111 A JP 2000019111A JP 3369525 B2 JP3369525 B2 JP 3369525B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spherical
- semiconductor
- solar cell
- hole
- spherical substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3].[AlH3] VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
造方法に関する。
も吸収性にすぐれ太陽電池としてすぐれている。
孔(+)の対が生まれ、電子はn型半導体に、正孔はp
型半導体に引き寄せられ、pn接合部分の両側のn型半
導体とp型半導体の間に起電力が発生する。この起電力
を取り出すためにn型半導体及びp型半導体に電極が設
けられる。
リコン半導体が例えばp型半導体であれば、表層にn型
半導体が形成されているので、p型半導体の電極は球状
シリコン半導体の一部をエッチング或いは研削してコア
を露出させ、該露出部に形成している。
は、球状体が動き回るので樹脂等に一部を埋め込み、加
熱等して樹脂を硬化させて球状半導体を固定し、前記露
出させる加工を行わなければならなず、生産がバッチ的
で生産性が低い問題がある。
を形成したのち、先に固定した樹脂等を取り除く処理を
せねばならずこの点からも生産性が上がらない。
に形成しているn型半導体層の一部を除去することにな
り、受光部が減る問題がある。
な連続的手段で生産性よく形成でき、さらに球状半導体
の削り除去が少なく受光面を大きくとれる太陽電池を得
ることを目的とする。また、太陽電池の連続的な製造及
びモジュール化が円滑にできる製造方法を他の目的とす
る。
ばn型半導体は、その電極を導電ペーストの付設等によ
り比較的容易になされる。
第2導電層の半導体が形成され第1導電型の半導体をコ
ア部に有する球状基板を備えた太陽電池において、前記
球状基板に貫通孔があけられ、該貫通孔に電極金属が串
刺し挿入され、前記球状基板との合金により接合し、球
状基板を出た電極金属が第1導電型の電極を形成してい
ることを特徴とする太陽電池にある。第2の要旨は、前
記球状基板が複数個列状に配列され、各球状基板が貫通
孔に串刺し挿入した電極金属を介して連続して配列され
ている太陽電池にある。第3の要旨は、前記第1導電型
の半導体を形成する球状基板のコア部が球状シリコン、
又は球状化合物半導体で、球状基板の貫通孔に串刺し挿
入された電極金属がアルミニュウームであることを特徴
とする太陽電池にある。
表面に第2導電層の半導体が形成され第1導電型の半導
体をコア部に有する球状基板を備えた太陽電池の製造方
法において、前記球状基板に貫通孔をあけ、洗浄して、
前記貫通孔に電極金属を挿入串刺し、シンタリングによ
り前記電極金属と貫通孔部の球状基板の間で合金を形成
して接合し、球状基板から出でいる電極金属を第1導電
型の半導体の電極とすることを特徴とする太陽電池の製
造方法にある。第5の要旨は、前記球状基板に貫通孔を
あけ、貫通孔にワイヤを通して球状基板を複数個続けて
配列して洗浄し、前記ワイヤを除去するとともに貫通孔
に電極金属を挿入し複数個の球状基板を串刺し列状に配
列し、シンタリングにより前記電極金属と貫通孔部の球
状基板の間で合金を形成して接合し、複数個配列した球
状基板の先端又は後端から出ている電極金属を第1導電
型の半導体の電極とすることを特徴とする太陽電池の製
造方法にある。第6の要旨は、前記第1導電型の半導体
を形成する球状基板のコア部が球状シリコン、又は球状
化合物半導体で、球状基板の貫通孔に串刺し挿入する電
極金属がアルミニュウームであることを特徴とする太陽
電池の製造方法にある。
図面を参照し説明する。図1は本発明の1実施例による
太陽電池の製造を示すものである。1は球状基板で、コ
ア部が例えば直径が約1mmのp型多結晶シリコン粒
2、又はp型アモルファスシリコン球であり第1導電層
の半導体を構成し、真空中で加熱しつつ落下されながら
球状に形成され、第1導電層の半導体例えばp型多結晶
シリコン粒2が形成され、その表面に、拡散法によるn
型化合物ドープ、フォスフィンを含むシラン等の混合ガ
スを用いたCVD法、又はイオン注入法等により第2導
電層のn型多結晶シリコン層3が形成されている。
電子ビーム、ドリル又は放電加工等により直径方向にあ
けられる。該貫通孔4の穿孔は球状基板1を挟み治具で
挟持して固定し、或いはチューブ内に入れて保持し、該
球状基板1に例えばレーザー、電子ビームの照射、或い
はドリルにより連続的になされる。
入口と出口には図1の(b)に示すように、テーパー加
工を貫通孔4の形成前、或いは形成後に施すことが、該
貫通孔4に挿入する電極金属と前記表層のn型多結晶シ
リコン層3が短絡しないようにするのに好ましい。
加工に限らず、図2の(a)のように貫通孔4の入口と
出口のn型多結晶シリコン層3を直截状に削り落し、或
いは同図の(b)のように貫通孔4の入口と出口部のn
型多結晶シリコン層3をドリルの口径や、レーザーの照
射光径の広げ等により広めに除去すればよい。
れ、電導金属5、例えばアルミニュウーム、アルミニュ
ウーム合金等の線状体を貫通孔4に挿入串刺しする。串
刺しで球状基板1から出る部分が電極6となるので、導
電金属5は電極6に必要な長さ球状基板1から出るよう
に串刺しする。前記導電金属5の中で好ましいのは球状
基板1のコア部がシリコンである場合はアルミニュウー
ムである。
に、当該導電金属4を冷却しておき、冷却収縮状態を利
用し、挿入後に常温に戻ることで貫通孔4への固定を高
めるようにしてもよい。
は加熱装置にて例えば300〜350℃にてシンタリン
グされ、前記電導金属5と貫通孔部の球状基板1とで互
いに拡散させ合金層が形成され接合する。これにより球
状基板1から出ている電導金属5が電極6、この実施例
ではp型電極として機能できるようになる。
3のn型電極7は、球状基板1を載置し接合した導電プ
レート8上に形成される。なお、9は前記導電プレート
8の下面に設けられた絶縁材である。
らなる太陽電池10が製造されるが、球状半導体のコア
部の電極6を樹脂固定及びその除去等の面倒な作業工程
をすることなく、生産性よく形成できる。
けて配列した太陽電池とその製造について図3、図4、
図5、図6、図7、図8を参照して説明する。球状基板
1は先の実施例と同じように製造されるものであり、表
面層に例えばn型多結晶シリコン3が形成され、コア部
はp型多結晶シリコン粒2である。
11で挟持固定され、該球状基板1にレーザー、電子ビ
ーム、ドリル、或いは放電加工等により貫通孔4を穿設
する。該貫通孔4の穿設に際しては先の実施例で述べた
ように、入口と出口にテーパ等を形成するのが好まし
い。
図4に示す筒12内に押し出され、該筒12内に設けら
れている支持ワイヤー13が前記貫通孔4に入り、順
次、穿孔された球状基板1が支持ワイヤー13を介して
所望個数縦列される。図5にこの実施例で球状基板1を
4個、支持ワイヤー13に通し続けて配列したものを示
している。なお、配列の個数は4個に限らず目的に応じ
て変えられる。
れ、付着粉や液分等が除去される。その後、前記支持ワ
イヤー13を除去するとともに、貫通孔4に電導金属
5、例えばアルミニュウーム、アルミニュウーム合金等
を図6に示すように挿入串刺しする。なお、14はスト
ッパーで串刺しされた先頭の球状基板1を止めるもので
ある。
1は加熱装置にてシンタリングが前記と同様になされ、
電導金属5と貫通孔4部の球状基板1が合金層を形成し
て接合し、球状基板1から出ている電導金属5がこの実
施例ではp型多結晶シリコン粒2の電極となる。このよ
うに本発明では複数個配列した球状基板1のコア部の電
極が新規な少い工程で形成される。
球状基板1は、その一列が図7に示すように、或いは、
所望の複数列として図8に示すように、導電プレート1
5の上に置かれ、球状基板1の表層のn型多結晶シリコ
ン層3と接している前記導電プレート15が、n型半導
体の電極16となる。なお、導電プレート15の下面に
は絶縁材17が設けられている。
なポリイミドフィルム等を用いると、その後のモジュー
ル化の加工処理がリール・ツー・リールで出来るように
なる。
配列された太陽電池が、前記と同じく樹脂固定やその除
去などをすることなく、少ない工程で生産性よく製造で
きる。
導体、表層部にn型半導体か形成されたものについて述
べたが、これに限らず、コア部がn型半導体、表層部に
p型半導体が形成されたものであっても、本発明は同様
に適用できる。
形成するのに球状体を削り取りするようなことがないの
で、受光部を大きくとれる太陽電池が得られる。また、
前述のように太陽電池が生産性よく製造される等の効果
がある。
図。
の形成形状を示す図。
の形成を説明するための図。
を説明するための図。
を説明するための図。
の太陽電池を示す図。
列の太陽電池を示す図。
Claims (6)
- 【請求項1】 表面に第2導電層の半導体が形成され第
1導電型の半導体をコア部に有した球状基板を備えた太
陽電池において、前記球状基板に貫通孔があけられ、該
貫通孔に電極金属が串刺し挿入され前記球状基板との合
金により接合し、球状基板を出た電極金属が第1導電型
の電極を形成していることを特徴とする太陽電池。 - 【請求項2】 前記球状基板が複数個列状に配列され、
各球状基板が貫通孔に串刺し挿入した電極金属を介して
連続して配列されていることを特徴とする請求項1記載
の太陽電池。 - 【請求項3】 前記第1導電型の半導体を形成する球状
基板のコア部が球状シリコン、又は球状化合物半導体
で、球状基板の貫通孔に串刺し挿入された電極金属がア
ルミニュウームであることを特徴とする請求項1または
請求項2記載の太陽電池。 - 【請求項4】 表面に第2導電層の半導体が形成され第
1導電型の半導体をコア部に有した球状基板を備える太
陽電池の製造方法において、前記球状基板に貫通孔をあ
け、洗浄して、前記貫通孔に電極金属を挿入串刺し、シ
ンタリングにより前記電極金属と貫通孔部の球状基板の
間で合金層を形成して接合し、球状基板から出でいる電
極金属を第1導電型の半導体の電極とすることを特徴と
する太陽電池の製造方法。 - 【請求項5】 表面に第2導電層の半導体が形成され第
1導電型の半導体をコア部に有した球状基板を備える太
陽電池の製造方法において、前記球状基板に貫通孔をあ
け、貫通孔にワイヤを通して球状基板を複数個続けて配
列して洗浄し、前記ワイヤを除去するとともに貫通孔に
電極金属を挿入し複数個の球状基板を串刺し列状に配列
し、シンタリングにより前記電極金属と貫通孔部の球状
基板の間で合金層を形成して接合し、複数個配列した球
状基板の先端又は後端から出ている電極金属を第1導電
型の半導体の電極とすることを特徴とする太陽電池の製
造方法。 - 【請求項6】 前記第1導電型の半導体を形成する球状
基板のコア部が球状シリコン、又は球状化合物半導体
で、球状基板の貫通孔に串刺し挿入する電極金属がアル
ミニュウームであることを特徴とする請求項4または請
求項5記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000019111A JP3369525B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000019111A JP3369525B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 太陽電池及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001210848A JP2001210848A (ja) | 2001-08-03 |
JP3369525B2 true JP3369525B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=18545872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000019111A Expired - Fee Related JP3369525B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3369525B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2001277779B2 (en) | 2001-08-13 | 2005-04-07 | Sphelar Power Corporation | Semiconductor device and method of its manufacture |
WO2003017382A1 (fr) * | 2001-08-13 | 2003-02-27 | Josuke Nakata | Module a semi-conducteur emetteur de lumiere ou recepteur de lumiere et procede de fabrication correspondant |
AU2001295987B2 (en) | 2001-10-19 | 2005-10-20 | Sphelar Power Corporation | Light emitting or light receiving semiconductor module and method for manufacturing the same |
US7238966B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-07-03 | Josuke Nakata | Light-receiving panel or light-emitting panel, and manufacturing method thereof |
CN100380685C (zh) * | 2002-06-21 | 2008-04-09 | 中田仗祐 | 光电或发光用器件及其制造方法 |
US7387400B2 (en) | 2003-04-21 | 2008-06-17 | Kyosemi Corporation | Light-emitting device with spherical photoelectric converting element |
AU2003242109A1 (en) | 2003-06-09 | 2005-01-04 | Kyosemi Corporation | Generator system |
WO2005041312A1 (ja) | 2003-10-24 | 2005-05-06 | Kyosemi Corporation | 受光又は発光モジュールシート及びその製造方法 |
JP2011138909A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Clean Venture 21 Corp | 光電変換素子およびその製造方法、ならびに光電変換装置およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000019111A patent/JP3369525B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001210848A (ja) | 2001-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7498508B2 (en) | High voltage solar cell and solar cell module | |
US3984256A (en) | Photovoltaic cell array | |
TWI643351B (zh) | 太陽能電池金屬化及互連方法 | |
US5164019A (en) | Monolithic series-connected solar cells having improved cell isolation and method of making same | |
EP0887869B1 (en) | Method of manufacturing thermionic element | |
US7462553B2 (en) | Ultra thin back-illuminated photodiode array fabrication methods | |
CN102473767A (zh) | 带有布线板的太阳能电池单元、太阳能电池模块以及带有布线板的太阳能电池单元的制造方法 | |
JP2002532888A (ja) | 薄膜太陽電池アレイ・システムおよびその製造方法 | |
US20100243059A1 (en) | Solar battery cell | |
JP3369525B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JP2007521657A (ja) | 超薄型裏面照射フォトダイオード・アレイの構造と製造方法 | |
US9252300B2 (en) | Method for backside-contacting a silicon solar cell, silicon solar cell and silicon solar module | |
KR20060125887A (ko) | 자기 도핑 접점을 구비한 매몰층 접점 태양 전지 | |
US7759231B2 (en) | Method for producing metal/semiconductor contacts through a dielectric | |
WO1989005521A1 (en) | Solar cell panel | |
JP3992126B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP3436723B2 (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
JPH06502277A (ja) | 半導体エレメントの、例えばダイオードの製造法 | |
JP2002050780A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
CN116525704A (zh) | 用于太阳能电池的导电线的金属化 | |
JP3964123B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2004221109A (ja) | 熱電素子モジュール及びその製造方法 | |
JP2001177132A (ja) | 球体の切断方法、これを用いた太陽電池およびその製造方法 | |
JPH06232250A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP3400041B2 (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071115 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081115 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091115 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091115 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101115 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111115 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121115 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |