WO2005041312A1 - 受光又は発光モジュールシート及びその製造方法 - Google Patents

受光又は発光モジュールシート及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2005041312A1
WO2005041312A1 PCT/JP2003/013666 JP0313666W WO2005041312A1 WO 2005041312 A1 WO2005041312 A1 WO 2005041312A1 JP 0313666 W JP0313666 W JP 0313666W WO 2005041312 A1 WO2005041312 A1 WO 2005041312A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
solar cell
spherical
light receiving
module sheet
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/013666
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Josuke Nakata
Original Assignee
Kyosemi Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyosemi Corporation filed Critical Kyosemi Corporation
Priority to JP2005509854A priority Critical patent/JP3899111B2/ja
Priority to US10/569,166 priority patent/US7214557B2/en
Priority to AU2003275663A priority patent/AU2003275663B2/en
Priority to CA2537777A priority patent/CA2537777C/en
Priority to CNA2003801102835A priority patent/CN1771608A/zh
Priority to PCT/JP2003/013666 priority patent/WO2005041312A1/ja
Priority to EP03758902.5A priority patent/EP1677362A4/en
Publication of WO2005041312A1 publication Critical patent/WO2005041312A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281Shape of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/4516Iron (Fe) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45565Single coating layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45599Material
    • H01L2224/456Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45638Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45644Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10252Germanium [Ge]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1032III-V
    • H01L2924/10328Gallium antimonide [GaSb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1032III-V
    • H01L2924/10329Gallium arsenide [GaAs]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1032III-V
    • H01L2924/10335Indium phosphide [InP]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1032III-V
    • H01L2924/10337Indium gallium arsenide [InGaAs]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1032III-V
    • H01L2924/10338Indium gallium phosphide [InGaP]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1032III-V
    • H01L2924/10346Indium gallium nitride [InGaN]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12036PN diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12043Photo diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a light receiving or light emitting module sheet and a method for manufacturing the same, and in particular, a conductive wire electrically connected to a spherical element and an insulating tension wire for fixing the conductive wire are woven in a mesh shape.
  • the present invention relates to a light receiving or light emitting module sheet. Background art
  • a high-purity metal silicon raw material is melted and dripped to produce a granular p-type crystal, and n-type impurities are diffused into the p-type crystal to form a spherical pn junction.
  • a solar cell module in which the solar cell elements are connected by an aluminum foil is disclosed in US Pat. No. 4,581,110.
  • an independent electrode is not formed before the spherical solar cell element is modularized, but the solar cell element is mechanically installed in a hole formed in one aluminum foil.
  • the p-type silicon, which is the core, is removed by etching or the like to remove part of the surface of the n-type layer of the solar cell element protruding downward from the hole.
  • a positive electrode is formed by exposing this p-type silicon to the surface of another aluminum foil.
  • a plurality of solar cell elements are formed with electrodes and thickened by two aluminum foils.
  • the positive cell elements are connected in parallel to be modularized.
  • This configuration of solar cell module has the advantage that two aluminum foils can be used to form a junction electrode and connect them in parallel, but the n-type layer and aluminum foil are connected and the p-opening region is exposed. Therefore, it is difficult to judge the characteristics and quality of individual solar cell elements. Also, since this configuration is limited to parallel connection, it must be connected to another solar cell module to increase the output voltage.
  • the distance between the two aluminum foils becomes shorter, making it difficult to insulate the aluminum foils from each other, and the manufacturing process becomes complicated.
  • the position of the positive and negative electrodes is below the center of the solar cell element, that is, both electrodes are formed at asymmetric positions, so the current flowing between the positive and negative electrodes is biased to a short electrode distance, and the photoelectric conversion efficiency
  • the light is blocked by the aluminum foil, and the light receiving surface is limited above the aluminum foil. There is a disadvantage that it cannot be improved.
  • Japanese Laid-Open Patent Publication No. 9 _ 1 6 2 4 3 4 discloses a plurality of spherical shapes made of glass fiber cloth formed by weaving linear conductor wires extending vertically and glass fibers extending horizontally.
  • a sheet-like solar cell in which a solar cell element is supported is disclosed. In this solar cell, the insulation between the conductor wires is simplified by supporting the solar cell elements with the conductor wires.
  • the positive conductor wire connected to the p-type region is also connected to the n-type layer, the positive conductor wire is made p-type by electrochemically etching and pn junction separation while irradiating light. Although only the region is connected, it is difficult to reliably perform pn junction separation in all the solar cell elements because the etching progress speed is different in each solar cell element. Also in the solar cell element of this publication, since it is connected to the positive electrode conductor and the negative electrode conductor at positions asymmetric with respect to the center, the same problem as that of the above-mentioned cited reference occurs.
  • the problem is that force light emission does not occur only in a narrow region between the conductor wires, so that light cannot be emitted in all directions, and the spherical There is a problem that the advantage of the light emitting diode is lost.
  • spherical elements which are solar cell elements or light emitting devices, and a light receiving or light emitting module in which the spherical elements are connected.
  • a sheet is proposed.
  • This spherical element consists of a spherical p-type (or n-type) single crystal semiconductor (such as silicon), an n-type (or p-type) diffusion layer formed near the surface of the single crystal semiconductor, and a substantially spherical surface. Pn junction and a pair of positive and negative electrodes provided at opposite positions across the center of a spherical single crystal semiconductor.
  • These many spherical elements are arranged in a matrix of multiple rows and multiple columns, and these are connected in series or in parallel to constitute a light receiving or light emitting module sheet.
  • spherical elements are provided with electrodes facing each other across the center thereof, a plurality of spherical elements can be arranged by arranging the positive and negative electrodes of adjacent spherical elements in direct contact with each other. It is easy to connect the elements in series, but it is not easy to connect the spherical elements in parallel.
  • the applicant of the present application arranges the electrodes so that the directions of the electrodes are aligned by two conductive wires arranged in parallel in International Publication WOO 3/0 1 7 3 8 2.
  • a spherical element array is formed by connecting in parallel so as to sandwich the positive and negative electrodes of the installed spherical element, and the spherical element arrays are connected in series by connecting the conductive wires of adjacent spherical element arrays. .
  • An object of the present invention is to provide a light-receiving or light-emitting module sheet that can be composed of only good spherical elements, and to provide a light-receiving or light-emitting module sheet that is strong in tensile strength. It is to provide a light receiving or light emitting module sheet with high efficiency of photoelectric conversion or electro-optical conversion by a spherical element, and to provide a light receiving or light emitting module sheet that is easy to manufacture.
  • the light-receiving or light-emitting module sheet according to the present invention is a plurality of spherical elements having a light-receiving or light-emitting function, each connected to both ends of a substantially spherical pn junction and p ⁇ junction, and positioned at both ends of the spherical element.
  • the wire In order to fix the wire, it has a plurality of conductive wires and a plurality of insulating tension wires woven in a mesh.
  • this light receiving module sheet In the case of this light receiving module sheet, light is incident on the light receiving module sheet regardless of the incident direction of light, and when this light is irradiated to a plurality of spherical elements arranged in a matrix with the same polarity, the spherical element Light is received by the substantially spherical ⁇ ⁇ junction formed in, and converted into electrical energy by the light receiving function of the spherical element. The electrical energy is output to the outside through the positive and negative conductive wire connection portions connected to both ends of the ⁇ ⁇ junction and positioned at both ends of the spherical element.
  • the electrical energy supplied from the conductive wire to the spherical element through the conductive wire connecting portion is converted into light energy by the ⁇ ⁇ junction of the spherical element, and this light is emitted to the outside.
  • the spherical element Since the spherical element has positive and negative conductive wire connections connected to both poles of the ⁇ -junction, it is possible to inspect the spherical element before threading the spherical element into the light receiving or light emitting module sheet. Only good quality spherical elements can be incorporated into the light receiving or light emitting module sheet, and high quality products can be manufactured stably.
  • the positive and negative conductive wire connection portions on the spherical element before assembly the connection between the conductive wire connection portions and the conductive wires is simplified, and the manufacturing process is simplified.
  • the strength is excellent. Since the positive and negative conductive connections of the spherical element are connected to a substantially spherical pn junction and at both ends of the spherical element, the entire area of the pn junction is effectively used to increase the efficiency of power and light generation. Can do.
  • the positive and negative conductive wire connecting portions are located opposite to each other across the center of the spherical element.
  • a transparent synthetic resin or transparent glass sealing member is provided that accommodates the plurality of spherical elements together with a plurality of conductive wires and a plurality of tension wires.
  • Each of the spherical elements is a photodiode element or a solar cell element.
  • Each of the spherical elements is a light emitting diode element.
  • the conductive wire is one that is selected from solder, conductive synthetic resin, and alloyed metal, and is connected to the positive and negative conductive wire connecting portions.
  • the conductive wire is embedded in the seal member so that at least a part of the conductive wire is exposed.
  • An insulating tension wire woven into conductive wires parallel to the conductive wires is provided between the rows of the spherical elements.
  • the seal member is configured as a flexible member using a transparent synthetic resin material.
  • a reflective film that reflects light incident from the incident side is formed on the surface of the seal member opposite to the light incident side.
  • the sealing member includes a flexible transparent cushion layer that accommodates a plurality of spherical elements in an embedded state, and a transparent surface layer bonded to both surfaces of the cushion layer.
  • the sealing member has a heat reflecting film made of a polymer material that selectively reflects heat rays that cannot be absorbed by the spherical element.
  • the light receiving or light emitting module sheet manufacturing method includes a plurality of spherical elements having a light receiving or light emitting function arranged in a matrix, and a conductive wire electrically connecting the plurality of spherical elements in each row in parallel.
  • a spherical element having positive and negative conductive wire connecting portions is manufactured in a method of manufacturing a light receiving or light emitting module sheet comprising a conductive wire and an insulating tension wire woven in a mesh shape to fix the conductive wire.
  • this light receiving or light emitting module sheet manufacturing method first, a plurality of spherical elements having positive and negative conductive wire connecting portions are manufactured in the spherical element manufacturing process, and then melted by a current flowing through the conductive lines in the connecting process.
  • the plurality of spherical elements arranged in a matrix and the conductive wires are connected in parallel by the joining members.
  • the spherical element is a non-defective product or a defective product through this conductive wire connecting portion, and it is possible to prevent the defective spherical device from being incorporated into the light receiving or light emitting module sheet.
  • the positive and negative conductive wire connecting portions in the spherical element before assembly, the connection between the conductive wire connecting portions and the conductive wires is surely and easily made, and the manufacturing process is simplified.
  • the joining member is melted by the current flowing through the conductive wire, and the conductive wire and the spherical element are connected, so that the thermal efficiency is high and the connection can be easily made, and the energy saving and the manufacturing process are simplified.
  • FIG. 1 is a plan view of a light receiving module sheet according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a partially enlarged plan view of the light receiving module sheet
  • FIG. 3 is an enlarged sectional view of a solar cell element
  • FIG. Fig. 5 is an arrow view seen from arrow IV in Fig. 2
  • Fig. 5 is an arrow view seen from arrow V in Fig. 2
  • Fig. 6 is a sectional view taken along line VI-VI in Fig. 2
  • Fig. 7 is a light receiving module.
  • 8 is an equivalent circuit diagram of the solar cell module included in the sheet
  • FIG. 8 is a diagram showing the solar cell element at each stage of manufacturing the solar cell element
  • FIG. 9 is a diagram showing a positioning jig for positioning the solar cell element and the conductive wire. It is explanatory drawing explaining the process of electrically connecting using, Fig. 10 is a partially enlarged plan view of the light receiving module sheet according to the modified embodiment, Fig. 11 is a longitudinal sectional view of the main part of the light receiving module sheet incorporating the sealing member according to the modified embodiment, and Fig. 12 is a modified view.
  • FIG. 13 is a longitudinal sectional view of a main part of a light receiving module sheet in which a seal member according to a form is incorporated, and FIG. 13 is a partially enlarged plan view of a light receiving module sheet according to a modified form.
  • This embodiment is an example in which the present invention is applied to a light receiving module sheet (solar cell module sheet) in which spherical solar cell elements are arranged in a matrix of multiple rows and multiple columns.
  • a light receiving module sheet solar cell module sheet
  • spherical solar cell elements are arranged in a matrix of multiple rows and multiple columns.
  • the light receiving module sheet 1 is composed of a large number of solar cell elements 2 (corresponding to spherical elements), a mesh member 3 (conductive wire mixed glass cloth), and a seal member. 4 etc.
  • many solar cell elements 2 have a light-receiving function that converts light energy into electrical energy, and are arranged in a matrix with the same polarity. For example, about 200 solar cell elements 2 are used per 1 watt of power generation output.
  • each solar cell element 2 has a spherical crystal 10 made of p-type silicon single crystal having a resistivity of about 0.3 to 1 ⁇ m and a diameter of about 0.6 to 2.0 mm. It is formed as a material.
  • a flat surface 11 is formed at one end of the spherical crystal 10.
  • An n + -type diffusion layer 12 (having a thickness of about 0.4 to 0.0) in which phosphorus (P) is diffused over substantially the entire surface of the spherical crystal 10 excluding the flat surface 11 is formed.
  • a substantially spherical pn junction 13 is formed at the interface between the n + -type diffusion layer 1 2 and the p-type region 1.
  • the flat surface 1 1 The diameter is about 0.5 mm It is formed.
  • the diameter of the flat surface 1 1 may be about 0.5 mm or less.
  • the flat surface 11 is provided with a positive electrode 14 (corresponding to a conductive wire connecting portion), and a negative electrode 15 (conductive wire connection) at a position facing the positive electrode 14 across the center of the spherical crystal 10. Corresponding to the part).
  • the positive electrode 14 is connected to the p-type region of the spherical crystal 10, and the negative electrode 15 is connected to the n + -type diffusion layer 12.
  • the positive electrode 14 is formed by firing an aluminum paste, and the negative electrode 15 is formed by firing a silver paste.
  • S i 0 2 or T I_ ⁇ 2 made of an insulating film antireflection film 1 6 (thickness of about 0.6 to 0. Is formed
  • This solar cell element 2 has a light receiving function, receives sunlight and generates a photovoltaic power of 0.5 to 0.6 V between the electrodes 14 and 15.
  • the mesh member 3 includes a positive electrode conductive wire 20, a negative electrode conductive wire 21, and a glass fiber tension wire 22.
  • Conductive wires 20 and 21 are wires with a diameter of 120 m made of an alloy of nickel (42%), iron (52%), and chromium (6%). 3 ⁇ ).
  • both the conductive lines 20, 21 extend in parallel in the column direction, and are the centers of the positive electrode conductive line 20 and the negative electrode conductive line 21 in each column of the adjacent solar cell elements 2.
  • the distance between the lines is about 0.75 m, and the distance between the centers of the solar cell elements 2 in the P-contact with the solar cell elements 2 in each row is about 1.75 mm.
  • the positive electrode conductive wire 20 is electrically connected to the positive electrode 14 via the solder paste 23, and the negative electrode conductive wire 21 is electrically connected to the negative electrode 15 via the solder paste 23.
  • the plurality of solar cell elements 2 in each column are electrically connected in parallel by the two conductive wires 20 and 21, and the solar cell elements 2 in all columns are electrically connected in series. However, this will be described later.
  • the conductive wire is not limited to the one having the above-mentioned configuration, but iron, iron (58%) 'nickel (42%) alloy wire, other iron alloy wire, copper wire, beryllium copper wire, phosphor bronze Wires, other copper alloy wires, silver, silver alloy wires, nickel, nickel alloy wires, etc.
  • a wire rod such as a beryllium copper wire or a phosphor bronze wire has a panel force, so that the contact with the solar cell element 2 can be reliably maintained.
  • the tension wire 2 2 is disposed so as to extend in the row direction so as to be orthogonal to the conductive wires 20 and 21 between the solar cell elements 2 in each row and the solar cell elements 2 in the row adjacent thereto.
  • Each tension wire 2 2 is formed by repairing seven glass fibers (diameter: about 9.0 ⁇ ⁇ ).
  • Each set of these three tension wires 2 2 has a pitch of about 1.7 5 mm. Arranged between lines.
  • Each tension wire 2 2 is woven so as to sew up and down between the two conductive wires 20, 2 1 in order to fix the conductive wires 20, 21.
  • a number of tension wires 2 2 are woven into a mesh shape to form a mesh member 3.
  • the sealing member 4 includes a plurality of solar cell elements 2, conductive wires 20, 21, and tension wires 2 2 in order to protect the large number of solar cell elements 2 and the mesh member 3. It is configured to be accommodated in an embedded state.
  • the seal member 4 is formed into a sheet shape having a thickness of about 100 zm using an insulating transparent polyparaxylene resin.
  • This polyparaxylene resin can be coated evenly with few pinholes up to minute parts, has low permeability to gas and water vapor, has high stability to radiation, and has a high refractive index (about 1.6 4).
  • Features include low reflection loss on the surface of battery element 2. Therefore, since the sealing member 4 can be formed so as to cover the surface of the solar cell element 2 thinly, the light receiving directivity is wide, the reflection loss is small, the flexible light weight, the bow I tension and the Advantages include high bending strength and high light collection rate.
  • the light receiving module sheet 1 regardless of the light incident direction, the light is incident on the light receiving module sheet 1, and when this light is irradiated to a plurality of solar cell elements 2 arranged in a matrix with the same polarity, Light is received by the substantially spherical pn junction 13 formed in the solar cell element 2, and is converted into electric energy by the light receiving function of the solar cell element 2. The electric energy is output to the outside through positive and negative electrodes 14 and 15 that are connected to both electrodes of the pn junction 13 and face each other across the center of the solar cell element 2.
  • Fig. 7 shows the equivalent of the solar cell module included in the light receiving module sheet 1.
  • Circuit 30 is shown. This equivalent circuit 30 is obtained by replacing each of a large number of solar cell elements 2 arranged in a matrix of a large number of rows and a large number of columns with a diode 31, for example.
  • each column of diodes 31 (solar cell elements 2) is connected in parallel by a positive electrode conductive wire 20 and a negative electrode conductive wire 21, and further, for each column positive electrode
  • the conductive wire 20 is connected in series to the negative electrode conductive wire 21 in the adjacent row by the serial conductive wire 3 4.
  • a fixed amount of molten silicon droplets are allowed to freely fall, and a p-type spherical single crystal 10 having a diameter of about 1.0 mm is formed by rapid solidification by supercooling in the middle of the droplet.
  • a portion of the crystal 10 is mechanically polished to form a flat surface 11 (see FIG. 8 (a)).
  • the spherical single crystal 10 is heated in oxygen gas containing water vapor at about 100 ° C. for about 40 minutes to form a silicon oxide film 35 having a thickness of about 0.3 m. (See Fig. 8 (b)).
  • an acid-resistant wax is melted on the glass plate with a uniform thickness. Press the flat surface 1 1 against the surface to solidify the wax.
  • it is immersed in a buffer etchant (NH 4 HF 2 aqueous solution), and only the silicon oxide film 35 exposed from the solidified wax is removed by etching. After that, the spherical single crystal 10 is removed from the glass plate, and the wax is removed (see FIG. 8 (c)).
  • the spherical single crystal 10 is heated in a nitrogen carrier gas bubbled with a solution of phosphorus trichloride (POC 1 3 ) for about 3 minutes at about 90 ° C. to obtain a silicon oxide film 3 5
  • a solution of phosphorus trichloride POC 1 3
  • POC 1 3 phosphorus trichloride
  • Forming a phosphorous silicate glass film 36 on the surface of a spherical single crystal 10 on which no oxygen is formed further switching the atmospheric gas to dry oxygen and heating it at about 90 ° C. for 60 seconds, n-type impurity
  • the material (phosphorus) is thermally diffused inside the spherical single crystal 10 near the surface.
  • the n-type impurity is thermally diffused to form the n + -type diffusion layer 12 on the flat surface 11 covered with the silicon oxide film 35 serving as a mask and the portion other than its vicinity, and this A pn junction 1 3 is formed at the interface between the n + -type diffusion layer 12 and the p-type region of the spherical single crystal 10 (see Fig. 8 (d))
  • the silicon oxide film 35 formed on the flat surface 11 and the vicinity thereof is removed with a buffer etchant and heated again in dry oxygen gas at about 80 ° C. for 60 seconds.
  • An antireflection film 16 made of a silicon oxide film and also a passivation film is formed on the entire surface of the spherical single crystal 10 (see FIG. 8 (e)).
  • aluminum paste 3 7 is dot-printed on the flat surface 1 1, and to form the negative electrode 15, the flat surface 1 across the center of the spherical single crystal 10.
  • Silver paste 3 8 is printed on the surface of the n + -type diffusion layer 1 2 opposite to 1 by dot printing, and the spherical single crystal 10 in this state is placed in nitrogen gas at approximately 80 ° C. for 60 minutes. After heat treatment, aluminum paste 3 7 and silver paste 3 8 penetrate antireflection film 1 6, aluminum paste 3 7 is a p-type region of spherical single crystal 10, and silver paste 3 8 is an n + -type diffusion layer 1 2 and low resistance contact (omitter contact), respectively, to complete the solar cell element 2 (see Fig. 3)).
  • the voltage-current characteristics of the completed solar cell element 2 under light irradiation by a solar simulator light source are measured, and the solar cell element 2 is selected into a non-defective product and a defective product.
  • a quartz positioning jig 41 in which positioning holes 40 are formed at predetermined intervals to prepare the solar cell element 2 is prepared.
  • the solar cell element 2 determined to be non-defective is placed in the direction of electrodes 14 and 15 (polarity of electrodes 14 and 15). Align and place in the positioning hole 40 of the positioning jig 41.
  • the positive and negative electrodes 14 4 and 15 can be easily identified, and the directions of the electrodes 14 and 15 are simply aligned. be able to.
  • the equator line on the horizontal plane of the solar cell element 2 disposed on the positioning jig 41 is substantially the same height as the upper surface of the positioning jig 41.
  • the pressure in the positioning hole 40 is reduced to fix the solar cell element 2 to the positioning hole 40.
  • the upper surface of the positioning jig 41 is coated with a carbon or boron nitride film so as not to be bonded to a bonding material such as the solder paste 23.
  • a mesh member 3 in which the conductive wires 20 and 21 and the tension wire 2 2 are woven is prepared, and the portion of the mesh member 3 where the positive electrode conductive wire 20 and the positive electrode 14 are connected;
  • the mesh member 3 and the positioning jig 41 are brought into close contact with a holding jig (not shown) and the solder paste 2 3 and the electrode 14 attached to the conductive wires 20 and 21 , 1 and 5 are in close contact.
  • the solder paste 23 is irradiated with a focused beam from an infrared lamp to melt the solder paste 23.
  • the conductive wire 20 and the electrode 14 are electrically connected by the solder paste 23, and the conductive wire 21 and the electrode 15 are electrically connected.
  • the flux contained in the solder paste 23 is washed away and dried.
  • connection method an electric current is applied to the conductive wires 20 and 2 1, the solder paste 2 3 is melted by Joule heat due to the electric current, and the surface tension and fluidity of the solder paste 2 3 are used. May be connected.
  • the solder paste 23 may be melted and connected using an infrared lamp and Joule heat. According to this connection method, connection in a short time becomes possible.
  • the electrodes 14 and 15 and the conductive wires 20 and 21 can be connected by a conductive epoxy resin.
  • the mesh member 3 is placed on the solar cell element 2, and then the epoxy resin is discharged to a desired location by a dispenser. Just heat and cure the Poxy resin.
  • a polyparaxylene resin film as the seal member 4 is formed to a thickness of about 100 m over the entire light receiving module sheet 1 such as the solar cell element 2 and the mesh member 3.
  • the seal member 4 may be formed by a chemical vapor deposition (CVD) coating system developed by Union Carbide 'and' Plastic, Inc., USA.
  • the seal member 4 is not limited to polyparaxylene resin, and a transparent resin such as silicone resin, polyvinyl chloride, or polyester (PET) is formed in a liquid state by spraying or dipping method. It may be formed by forming a film and curing.
  • the sealing member 4 is formed on the light receiving module sheet 1 by such a method, and the light receiving module sheet 1 is completed.
  • the solar cell element 2 has a positive electrode 14 connected to the flat surface 11 of the spherical crystal 10 and a negative electrode 15 connected to the n + -type diffusion layer 12. Therefore, the solar cell element 2 can be inspected by a solar simulator or the like before being incorporated in the light receiving module sheet 1. Therefore, only the non-defective solar cell element 2 that has passed the inspection can be incorporated into the light receiving module sheet 1, and a high quality light receiving module sheet 1 can be manufactured.
  • the positive and negative electrodes 14 and 15 on the solar cell element 2 before assembly the electrodes 14 and 15 and the conductive wires 20 and 21 can be reliably and easily connected. The manufacturing process is simplified.
  • the flexible light receiving module sheet 1 can be realized and has excellent strength.
  • the light receiving module sheet 1 can be realized.
  • the solar cell element 2 Since the solar cell element 2 is provided with the electrodes 14 and 15 at positions facing each other across the center of the solar cell element 2, the current generated in the solar cell element 2 flows symmetrically without being biased. Resistance loss can be greatly reduced, and almost all of the power generated by the pn junction of the solar cell element 2 can be output. Moreover, solar cell element 2 Since it is formed in a spherical shape, it can generate power by receiving incident light from all directions, and can output all the generated power, thereby improving power generation efficiency. Since the light receiving module sheet 1 is protected by the flexible seal member 4, it can be deformed without damaging the solar cell element 2 and the conductive wires 20 and 21.
  • the solar cell element 2 is mainly composed of an n-type diffusion layer formed on the surface of the p-type spherical single crystal 10, but the p-type diffusion is formed on the surface of the n-type spherical single crystal 10. It may be composed mainly of those in which a layer is formed. Further, the semiconductor used for the solar cell element 2 is not limited to silicon, but GaAs, GaAl As, InP, InGaP, Ge, GaSb, InGaAs, InGa A semiconductor such as N may be applied. An example in which the embodiment is partially changed will be briefly described.
  • the light receiving module sheet 1A is manufactured by connecting the solar cell elements in the state where the electrode is not formed by alloying joining with the conductive wire.
  • this manufacturing method will be described.
  • both conductive wires 2 OA and 21 A are made of an aluminum wire having a diameter of about 120 ⁇ m and containing 1 to 2% of silicon capable of eutectic reaction with silicon. Since the tension wire 22 is the same as the tension wire 22 in the above-described embodiment, the description thereof is omitted.
  • a large number of solar cell elements 2A are arranged on a positioning jig similar to the positioning jig 41, and a mesh member 3A is covered thereon, and both conductive wires 2OA, 21A and a solar battery
  • the flat surface 11 of the element 2A (corresponding to the conductive wire connecting portion) and the part (corresponding to the conductive wire connecting portion) facing the flat surface 11 across the center of the solar cell element 2A are brought into contact.
  • a passivation film such as a silicon oxide film or a titanium oxide film is formed on the solar cell element 2A by the CVD method, and the sealing member is spread over the entire surface of the light receiving module sheet. 4 is formed to complete the light receiving module sheet 1A.
  • an alloy wire of nickel (42%), iron (52%) and chromium (6%) (diameter approximately 120 mm) is used.
  • Aluminum or an aluminum alloy film containing 1 to 2% of silicon may be deposited at the junction between the alloy wire and the electrode. Even in this configuration, the conductive wires 2 OA, 21 A and the solar cell element 2 A are connected by melting the aluminum or aluminum alloy film by Joule heat generated by passing an electric current through the alloy wire. be able to. Since this alloy wire has lower electrical conductivity and thermal conductivity than aluminum wire, it has the advantage that it can be joined with less current and has improved tensile strength.
  • gold alloy films such as gold / silicon alloy, gold / germanium alloy, gold / tin alloy are deposited at the junctions of the copper wires. Then, these gold alloy films are melted by Joule heat generated by applying current to the conductive wires 20 A and 21 A, and the conductive wires 20 A, 21 A and the solar cell element 2 A are joined. You can do it.
  • Gold alloys can be alloyed by eutectic reaction at a lower temperature than aluminum.
  • the positive and negative positive electrodes do not need to be formed in advance, and the solar cell element 2 A and the conductive wires 2 OA and 2 1 A can be easily connected. It can be improved and manufacturing costs can be reduced.
  • the light receiving module sheet 1 B may be configured.
  • the seal member 4 B is bonded to the flexible cushion layer 46 that accommodates the solar cell element 2 and the mesh member 3 in an embedded state, and the upper and lower surfaces of the cushion layer 46.
  • the surface layer 45 is made of a transparent white plate tempered glass plate having a thickness of about 2 mm.
  • the surface layer 45, the E VA (ethylene butyl acetate) sheet, the mesh member 3 to which the solar cell element 2 is joined, the E VA sheet, and the surface layer 45 The EVA sheet is melted by heating in a laminating device while being evacuated, and the EVA sheet is filled between the upper and lower surface layers 45 and cushion layer 4 6 and the solar cell element 2 and the mesh member 3 are fixed by the cushion layer 46.
  • the light receiving module sheet 1 B can be reduced in cost and weight by forming the surface layer 45 with a transparent plate member made of a resin such as polycarbonate or acrylic. Also, as the cushion layer 46: P B V (polybulu petitlar), transparent resin such as acrylic, silicone, etc.
  • the solar cell element 2 and the mesh member 3 are sandwiched between the two surface layers 45, so that the strength against mechanical shock can be improved. It can be used as a window glass as a light receiving module sheet.
  • the seal member 4 C of the light receiving module sheet 1 C may be configured.
  • the seal member 4 C of the light receiving module sheet 1 C is made of a flexible PE (polyester) resin film 50 from the lower layer, an aluminum deposited film 51, a multilayer reflective film 52 of PE resin, and an EVA resin. It consists of the same filler 53 as the cushion layer in which the solar cell element 2 and the net-like member 3 are embedded, a PE-based lunar layer 5 4, a heat ray reflective film 5 5, and a PE-based resin layer 5 6.
  • the reflective film 52 is formed on the surface opposite to the light incident side, and reflects and scatters the light incident from the incident side but passing through the solar cell elements 2 to irradiate the solar cell elements 2.
  • the heat ray reflective film 55 is a multilayer of polymer materials having different refractive indexes.
  • the heat ray reflective film 5 5 selectively reflects heat rays (wavelength 1 350 nm or more) that cannot be absorbed by the solar cell element 2 due to the interference effect due to multilayering, reducing the temperature rise of the solar cell element 2 and photoelectric conversion efficiency Is to improve. Therefore, the light incident from the light-receiving surface (upper surface) of the light-receiving module sheet 1 C is first reflected by the heat ray reflective film 55 and part of unnecessary heat rays, and a part of the remaining light is applied to the solar cell element 2. A part of the light is received and passes between the solar cell elements 2, and the light passing through the solar cell element 2 is reflected by the reflective film 52 and received by the solar cell element 2.
  • the PE resin may be made of a flexible synthetic resin such as polycarbonate, polyethylene naphthalate, or fluorine resin.
  • a filling material 5 3 may be used such as silicone or poly Biel butyral ⁇ instead of E VA resin.
  • the reflective film 52 and the heat ray reflective film 55 can be omitted as appropriate, and other layers can be appropriately changed in accordance with a desired function.
  • a roll-to-roll method may be adopted as a method for manufacturing the light receiving module sheet.
  • both ends of the mesh member in the width direction are fixed with a heat-resistant resin film such as a polyimide film, and a sprocket hole is provided on the heat-resistant resin film. What is necessary is just to comprise so that a sprocket may be engaged with a hole, a net-like member may be sent, and it may scoop off.
  • the light receiving module sheet in which the spherical element is a solar cell element has been described.
  • the spherical element is not limited to the solar cell element, and a spherical photodiode or a light emitting diode may be applied.
  • these spherical photodiodes and light emitting diodes have almost the same configuration as the solar cell element 2 described above, and the details are described in the applicant's publication W09 / 15/983. The explanation is omitted here.
  • a light emitting module sheet having a light emitting diode when a forward current flows through the light emitting diode, electric energy is converted into light energy by the pn junction, and the crystal or diffusion layer material is selected from the vicinity of the pn junction. Light of wavelength is generated and radiated outside.
  • a light emitting module sheet comprising a spherical light emitting diode
  • light can be irradiated in all directions, and light can be irradiated only in a desired direction by providing a reflection sheet in part. I can do it.
  • the light emitting module sheet can be made into a color display by arranging three light emitting diodes of RGB in a matrix and making these light emitting diodes controllable by a control device.
  • a single color display may be constituted by a single color light emitting diode.
  • a light-receiving module sheet consisting of photodiodes can convert light in all directions into electrical signals.
  • the example in which the solar cell elements of all the columns are connected in series has been described.
  • a plurality of switches capable of changing the number of columns to be connected in series are provided, and the light intensity and the required amount of power are provided.
  • the switch can be configured so that multiple switches can be switched by the control unit.
  • the seal member is provided.
  • the seal member is not always necessary and can be omitted as appropriate.
  • the number of tension members can be changed as appropriate.
  • the three tension wires 2 2 are arranged as a set between the rows of the solar cell elements 2.
  • the number of tension wires is not limited to three, and according to a desired configuration, 1 A book or multiple books may be arranged as one set.
  • the tensile wire may be made of high-strength synthetic resin or plastic such as insulating aramid fiber. With this configuration, the light receiving or light emitting module sheet is further reduced. Flexibility and tensile strength can be improved, and material costs can be reduced.
  • Raw tension wire 2 2 is placed not only in the direction perpendicular to the conductor wire, but also between each solar cell element array, as shown in Fig. 1-3. It may be provided so as to be woven in a direction parallel to the conductor wire. With this configuration, the tensile strength in the direction in which the conductor wire extends can be improved.
  • FIG. 13 the same components as those in the embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
  • the positive and negative conductive lines are provided in each column.
  • the conductive lines may be constituted by one conductive line so that the adjacent positive electrode conductive line and negative electrode conductive line can be used together. With this configuration, it is possible to simplify the configuration by omitting the series conductive wires, and to reduce the interval between the columns and reduce the size of the light receiving or light emitting module sheet.
  • the flat surface 11 is formed on the spherical solar cell element 2, but a solar cell element in which the flat surface 11 is omitted may be applied. In such a configuration, it is desirable to change the shape of the positive and negative electrodes so that the positive and negative electrodes can be easily identified.
  • a plurality of spherical elements having a light receiving or light emitting function each of which is connected to both electrodes of a substantially spherical pn junction and p ⁇ junction, and has positive and negative conductive wire connecting portions located at both ends of the spherical element.
  • a light receiving or light emitting module sheet A light receiving or light emitting module sheet.
  • a transparent synthetic resin or transparent glass sealing member is provided, which accommodates the plurality of spherical elements in an embedded state together with a plurality of conductive wires and a plurality of tension wires.
  • Light receiving or light emitting module sheet is provided.
  • each of the spherical elements is a photodiode element or a solar cell element.
  • each of the spherical elements is a light-emitting diode element.
  • the conductive wire is connected to the positive / negative conductive wire connecting portion using any one selected from solder, conductive synthetic resin, and alloyed metal.
  • solder conductive synthetic resin
  • alloyed metal any one selected from solder, conductive synthetic resin, and alloyed metal.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

 本発明は、マトリックス状に配置された複数の球状素子を有する受光又は発光モジュールシートに関する。本発明の目的は、良品の球状素子のみで構成すること、光電変換効率を向上させることなどである。 受光モジュールシート(1)は、マトリックス状に配置された複数の球状の太陽電池素子(2)と、網目状部材(3)と、シート部材(4)とを備えている。各太陽電池素子(2)は、球面状のpn接合(13)と、pn接合(13)の両極に接続され太陽電池素子(2)の中心を挟んで対向する位置に形成された正負の電極(14,15)とを備えている。網目状部材(3)は、各列の複数の太陽電池素子(2)を電気的に並列接続する平行に配置された複数の導電線(20,21)と、太陽電池素子(2)の行と行との間に導電線(20,21)と直交状に配置され、複数の導電線(20,21)を固定するために網目状に織られた絶縁性の張力線材(22)とを有する。

Description

明 細 書 受光又は発光モジュールシート及びその製造方法 技術分野
本発明は、 受光又は発光モジュールシート及びその製造方法に関し、 特に、 球 状素子に電気的に接続された導電線と、 導電線を固定する為の絶縁性の張力線材 とが網目状に織られた受光又は発光モジュールシートに関するものである。 背景技術
現在、 一般的に実用化されている太陽電池は、 平面状の半導体ウェハーに不純 物を拡散するなどして平面状の P n接合が形成されている。 このように構成され た太陽電池は、 受光面に垂直に光が入射した場合には出力が最大となるが、 受光 面に対する光の入射角が傾くに従って出力が低下する。 従って、 このような太陽 電池は、 指向特性が強く、 常に光を効率的に利用しているとは言い難く、 また、 半導体結晶のインゴットをスライシングしてウェハーにするため、 切しろなどの 加工ロスが大きく、 製造コストの増大に繋がっている。
このため、 高純度金属シリコン原料を融かして滴下させて粒状の p形結晶を製 造し、 この p形結晶に n形の不純物を拡散し、 球面状の p n接合を形成した太陽 電池素子とこの太陽電池素子をアルミニゥム箔により接続した太陽電池モジユー ルが米国特許 4 5 8 1 1 0 3号において開示されている。 この太陽電池モジユー ルは、 その球状の太陽電池素子をモジュールィヒする前から独立した電極が形成さ れているのではなく、 1枚のアルミニウム箔に形成された孔に太陽電池素子を機 械的に圧入して n形表面と電気的に接続し、 次に孔から下方に突出した太陽電池 素子の n形層の表面の一部をエッチングなどにより除去し、 コアである p形シリ コンを露出させ、 この p形シリコンと別のアルミニウム箔の表面を接触させて正 電極が形成されている。 この接続を多数の p n接合を有する太陽電池素子につい て行うことで、 2枚のアルミユウム箔により複数の太陽電池素子が電極形成と太 陽電池素子間の並列接続が行われてモジュール化される。 このように太陽電池モ ジュールを構成すると、 2枚のアルミニゥム箔により接合電極形成と並列接続が 同時に行える特長があるが、 n形層とアルミ-ゥム箔とを接続した後 p开領域を 露出させるので、 個々の太陽電池素子の特性や良否判断が困難である。 また、 こ のように構成すると、 並列接続に限定されるので、 出力電圧を上げるには別の太 陽電池モジュールと結線しなければならない。 太陽電池素子の直径を小さくする と、 2枚のアルミニウム箔間の間隔が短くなり、 アルミエゥム箔同士を絶縁する ことが難しくなり、 製造工程が複雑化する。 正負の電極の位置が、 太陽電池素子 の中心より下方、 即ち、 両電極が非対称な位置に形成されているので、 正負の両 電極間に流れる電流が電極距離の短い所に偏り、 光電変換効率を十分に上げるこ とができないなどの欠点があるだけでなく、アルミニウム箔により光が遮られて、 受光面がアルミニウム箔よりも上方に限定されるため、全方向の光を受光できず、 出力を向上させることができないといった欠点がある。
日本国公報の特開平 9 _ 1 6 2 4 3 4号公報には、 縦に延びる線状の導体線材 と、 横に延びるガラス繊維とが織り込まれて形成されたガラス繊維布により複数 の球状の太陽電池素子が支持されたシート状の太陽電池が開示されている。 この 太陽電池においては、 太陽電池素子を導体線材により支持することで、 導体線材 間の絶縁を簡単にしている。
し力 し、 上述した特開平 9— 1 6 2 4 3 4号公報に記載の太陽電池に設けられ る太陽電池素子においても、 n形層と負極導体線材が接続された後、 全周が n形 層で覆われた p形領域が露出され、 正極導体線材と p形領域とが接続される。 導 体線材と太陽電池素子とが接続される前には、 n形層のみが外部に露出している ため、 接続する前に個々の太陽電池素子を検査することができず、 上述した引用 文献と同様の問題が生じる。 また、 p形領域と接続された正極導体線材は、 n形 層とも接続されているため、 光を照射しつつ電気化学的にエッチングし、 p n接 合分離することで、 正極導体線材を p形領域のみと接続させているが、 各太陽電 池素子においてエッチングの進行速度が異なるため、 確実に全ての太陽電池素子 において p n接合分離を行うことは困難である。 この公報の太陽電池素子においても、 中心に対して非対称な位置で正極導体及 び負極導体と接続されているため、 上述した引用文献と同様の問題が生じる。 更 に、 この問題は、 太陽電池素子を球状の発光ダイオードに置き換えたときにも、 導体線材間の狭い領域でのみし力発光しないため、 全方向へ光を出射することが できず、 球状の発光ダイォードの利点がなくなるといった問題となる。
そこで本願の出願人は、 国際公開公報 WO 9 8 / 1 5 9 8 3号公報に示すよう に、 太陽電池素子や発光デバイスである複数の球状素子と、 この球状素子を接続 した受光又は発光モジュールシートを提案している。 この球状素子は、 球状の p 形 (又は n形) の単結晶半導体( シリコンなど) と、 その単結晶半導体の表面近 傍に形成された n形 (又は p形) の拡散層と、 ほぼ球面状の p n接合と、 球状の 単結晶半導体の中心を挾んで対向する位置に設けられた 1対の正負の電極とを備 えている。 これら多数の球状素子を複数行複数列のマトリックス状に配設し、 こ れらを直列又は並列接続することで、 受光又は発光モジュールシートを構成して いる。
これらの球状素子には、 その中心を挟んで対向する位置に電極が設けられてい るため、 隣接する球状素子の正電極と負電極とを直接接触するように配列するこ とで、 複数の球状素子を直列接続をすることは簡単であるが、 各球状素子を並列 接続することは簡単ではない。
この問題を改善するために、 本願の出願人は、 国際公開公報 WO O 3 / 0 1 7 3 8 2号公報において平行に配設された 2本の導電線により、 電極の向きを揃え て配設された球状素子の正負の電極を挟み込むようにして並列接続して球状素子 列を形成し、 更に、 隣接する球状素子列の導電線を接続することで、 球状素子列 を直列接続している。
し力 し、 この受光又は発光モジュールシートにおいては、 導電線の長さ方向の 引っ張り強度は強いが、 その垂直方向には非常に弱いといった問題があり、 球状 素子と導電線との接続を簡単にして、 生産性を向上させる必要がある。
本発明の目的は、 良品の球状素子のみで構成可能な受光又は発光モジュールシ 一トを提供すること、 引っ張り強度に強い受光又は発光モジュールシートを提供 すること、 球状素子による光電変換又は電光変換の効率が高い受光又は発光モジ ユールシートを提供すること、 製造が容易な受光又は発光モジュールシートを提 供すること、 である。 その他の本発明の目的は、 本発明の効果の記载及び実施の 形態の記載からも判るであろう。 発明の開示
本発明に係る受光又は発光モジュールシートは、 受光又は発光機能のある複数 の球状素子であって、 各々がほぼ球面状の p n接合と p η接合の両極に夫々接続 されて球状素子の両端に位置する正負の導電線接続部とを有し且つ極性を揃えて マトリックス状に配置された複数の球状素子と、 複数列の各々について各列の複 数の球状素子の正負の導電線接続部を介して各列の複数の球状素子を電気的に並 列接続する平行に配置された複数の導電線と、 球状素子の行と行の間に複数の導 電線と直交状に配置され、 複数の導電線を固定する為に複数の導電線と網目状に 織られた絶縁性の複数の張力線材とを備えている。
この受光モジュールシートである場合、 光の入射方向に関係なく、 光が受光モ ジュールシートに入射し、 この光が極性を揃えてマトリックス状に配置された複 数の球状素子に照射すると、 球状素子に形成されたほぼ球面状の ρ η接合で光が 受光され、 球状素子の受光機能によって電気エネルギーに変換される。 その電気 エネルギーは、 ρ η接合の両極に接続されて球状素子の両端に位置する正負の導 電線接続部を介して外部へ出力される。 発光モジュールシートである場合、 導電 線から導電線接続部を介して球状素子に供給された電気エネルギーが、 球状素子 の ρ η接合により光エネルギーに変換され、 この光を外部に出射する。
球状素子が Ρ η接合の両極に接続された正負の導電線接続部を有するので、 受 光又は発光モジュールシートに球状素子を糸且み込む前に球状素子を検查すること ができ、 その結果、 良品の球状素子のみを受光又は発光モジュールシートに組み 込むことができ、 高品質のものを安定して製造することができる。 また、 組み込 む前に球状素子に正負の導電線接続部を形成することで、 導電線接続部と導電線 との接続が簡単になり、 製造工程が簡単になる。 列方向に延びる複数の導電線と行方向に延びる複数の絶縁性の張力線材が網目 状に織られているため、 強度に優れる。 球状素子の正負の導電接続部が、 ほぼ球 面状の p n接合に接続され且つ球状素子の両端にあるため、 p n接合の全域を有 効に活用し、 電力や光の発生の効率を高めることができる。
ここで、 以上の構成に加えて、 次のような構成を適宜採用することもできる。
( 1 ) 前記各球状素子において前記正負の導線接続部は球状素子の中心を挟ん で対向状に位置する。
( 2 ) 前記複数の球状素子を複数の導電線および複数の張力線材と共に埋め込 み状態に収容する透明合成樹脂又は透明ガラス製のシール部材を設ける。
( 3 ) 前記各球状素子がフォトダイオード素子又は太陽電池素子である。
( 4 ) 前記各球状素子が、 発光ダイオード素子である。
( 5 ) 前記導電線は、 半田と導電性合成樹脂と合金化金属のうちから選択され る何れか 1つを用レヽて正負の導線接続部に接続されたものである。
( 6 ) 前記導電性線材の少なくとも一部が露出するように、 シール部材に埋め 込まれているものである。
( 7 ) 前記球状素子の列と列の間に導電線と平行に導電線に織られた絶縁性の 張力線材を備えたものである。
( 8 ) 前記シール部材は、 透明合成樹脂材料を用いてフレキシブルな部材に構 成されたものである。
( 9 ) 前記シール部材の光の入射側と反対側の面に入射側から入射した光を反 射する反射膜を構成する。
( 1 0 ) 前記シール部材は、 複数の球状素子を埋め込み状態に収容する柔軟性 のある透明なクッション層と、 このクッション層の両面に接合された透明な表面 層からなる。
( 1 1 ) 前記シール部材は、 球状素子により吸収できない熱線を選択的に反射 する高分子材料で構成された熱反射膜を有する。
( 1 2 ) 前記複数の球状素子を並列した導電線を、 複数列直列接続する直列接 続手段を有する。 本発明に係る受光又は発光モジュールシートの製造方法は、 マトリックス状に 配設された受光又は発光機能のある複数の球状素子と、 各列の複数の球状素子を 電気的に並列接続する導電線と、 導電線を固定する為に導電線と網目状に織られ た絶縁性の張力線材とを備えた受光又は発光モジュールシートの製造方法におい て、 正負の導電線接続部を有する球状素子を製造する球状素子製造工程と、 導電 線に流れる電流によるジュール熱により球状素子と導電線とを接続するための接 合部材を融かして、 球状素子と導電線とを接合部材により接続する接続工程とを 備えたものである。
この受光又は発光モジュールシートの製造方法によると、 まず、 球状素子製造 工程において正負の導電線接続部を有する複数の球状素子が製造され、 次に、 接 続工程において、 導電線に流れる電流により融けた接合部材によってマトリック ス状に配列された各列の複数の球状素子と導電線が並列接続される。
従って、 この導電線接続部を介して球状素子が良品か不良品かの検查をするこ とができ、 不良品の球状素子が受光又は発光モジュールシートに組み込まれるこ とを防ぐことができる。 組み込む前に球状素子に正負の導電線接続部を形成する ことで、 導電線接続部と導電線との接続が確実に且つ簡単になり、 製造工程が簡 単になる。 また、 導電線に流れる電流によって接合部材が融かされて、 導電線と 球状素子が接続されるので、 熱効率がよく、 容易に接続することができ、 省エネ ルギー化及び製造工程が簡単になる。 図面の簡単な説明
図 1は本発明の実施形態に係る受光モジュールシートの平面図であり、 図 2は 受光モジュールシートの部分拡大平面図であり、 図 3は太陽電池素子の拡大断面 図であり、 図 4は図 2の矢印 IVから視た矢視図であり、 図 5は図 2の矢印 V から 視た矢視図であり、 図 6は図 2の VI- VI線断面図であり、 図 7は受光モジュール シートに含まれる太陽電池モジュールの等価回路図であり、 図 8は太陽電池素子 を製造する各段階における太陽電池素子を示す図であり、 図 9は太陽電池素子と 導電線とを位置決め治具を用いて電気的に接続する工程を説明する説明図であり、 図 1 0は変更形態に係る受光モジュールシートの部分拡大平面図であり、 図 1 1 は変更形態に係るシール部材を組み込んだ受光モジュールシートの要部の縦断面 図であり、 図 1 2は変更形態に係るシール部材を組み込んだ受光モジュールシー トの要部の縦断面図であり、 図 1 3は変更形態に係る受光モジュールシートの部 分拡大平面図ある。 発明を実施するための最良の形態
次に、 本発明を実施するための最良の形態について説明する。
この実施の形態は、 複数行複数列のマトリックス状に球状の太陽電池素子が配 設された受光モジュールシート (太陽電池モジュールシート) に本発明を適用し た場合の一例である。
図 1, 図 2に示すように、 この受光モジュールシート 1は、 多数の太陽電池素 子 2 (球状素子に相当する) と、 網目状部材 3 (導電線混織ガラスクロス) 、 シ 一ル部材 4などを有する。
本願出願人の出願に係る国際公開公報 WO 9 8 / 1 5 9 8 3及び WO 0 3 / 0 3 6 7 3 1などに太陽電池素子 2と略同様の構成の太陽電池素子が開示されてい るので、 ここでは簡単に説明する。
図 1, 図 2に示すように、 多数の太陽電池素子 2は、 光エネルギーを電気エネ ルギ一に変換する受光機能を有し、 極性を揃えてマトリックス状に配置されてい る。 例えば、 1ワットの発電出力当たり約 2 0 0 0個の太陽電池素子 2が用いら れる。
図 3に示すように、 各太陽電池素子 2は、 抵抗率が 0 . 3〜 1 Ω m程度の p形 シリコン単結晶からなる直径が約 0 . 6〜 2 . 0 mmの球状結晶 1 0を素材とし て形成される。 この球状結晶 1 0の一端部には、 平坦面 1 1が形成されている。 平坦面 1 1を除く球状結晶 1 0の表面部の略全域に亙ってリン( P ) が拡散され た n +形拡散層 1 2 (厚さ約 0 . 4〜0 . が形成され、 この n +形拡散 層 1 2と p形領域との境界面にはほぼ球面状の p n接合 1 3が形成されている。 球状結晶 1 0の直径が約 1 . 0 mmの場合、 平坦面 1 1の直径は約 0 . 5 mmに 形成される。 伹し、 平坦面 1 1の直径は約 0. 5 mm以下でもよい。
平坦面 1 1には、 正電極 14 (導電線接続部に相当する) が設けられ、 球状結 晶 1 0の中心を挟んで正電極 14と対向する位置には負電極 1 5 (導電線接続部 に相当する) が設けられている。 正電極 14は、 球状結晶 1 0の p形領域に接続 され、 負電極 1 5は、 n+形拡散層 1 2に接続されている。 正電極 14はアルミ ニゥムペーストを焼成して形成され、 負電極 1 5は銀ペーストを焼成して形成さ れる。 正電極 14と負電極 1 5を除く全表面には、 S i 02(又は T i〇2)の絶縁 膜からなる反射防止膜 1 6 (厚さ約 0. 6〜0. が形成されている。 こ の太陽電池素子 2は、 受光機能を有し、 太陽光を受光して電極 14, 1 5の間に 0. 5〜0. 6 Vの光起電力を発生する。
図 2, 図 4, 図 5に示すように、 網目状部材 3は、 正極用導電線 20と、 負極 用導電線 2 1と、ガラス繊維製の張力線材 22とを有する。導電線 20, 2 1は、 ニッケル (42%) と鉄 (52%) とクロム (6%) の合金からなる直径 1 20 mの線材であり、 その表面には錫メツキ層 (厚さ 2〜3 μιη) を形成したもの である。
図 2に示すように、 両導電線 20, 2 1は、 共に列方向に平行に延び、 隣接す る太陽電池素子 2の各列の正極用導電線 20と負極用導電線 2 1との中心線の間 隔は約 0. 75 mであり、 各列の太陽電池素子 2と P粦接する列の太陽電池素子 2 の中心の間隔は約 1. 75 mmである。正極用導電線 20は半田ペースト 23を介 して正電極 14に電気的に接続され、 負極用導電線 2 1は半田ペースト 23を介 して負電極 1 5に電気的に接続されている。 各列の複数の太陽電池素子 2は、 両 導電線 20, 2 1によつて電気的に並列接続されると共に、 全部の列の太陽電池 素子 2が電気的に直列接続される。 但し、 これについては後述する。
尚、 導電線は、 上述の構成のものに限定されるものではなく、 鉄、 鉄( 58%) 'ニッケル( 42%) 合金線、 その他の鉄合金線、 銅線、 ベリリゥム銅線、 りん 青銅線、 その他の銅合金線、 銀、 銀合金線、 ニッケル、 ニッケル合金線などで構 成してもよいし、 それらの材料で製作された細線を蹉って蹉り線で構成してもよ く、 電気的、 機械的、 化学的性質などを考慮して適用する。 これらの中で、 特に ベリリウム銅線或いはりん青銅線のような線材は、 パネ力を有するので、 太陽電 池素子 2との接触を確実に保持することができる。
張力線材 2 2は、 各行の太陽電池素子 2とそれに隣接する行の太陽電池素子 2 の間に、 導電線 2 0, 2 1と直交するように行方向に延ばして配置されている。 各張力線材 2 2は、 7本のガラス繊維(直径約 9 . 0 μ ιη) を繕って形成され、 これら 3本の張力線材 2 2を 1組として、 ピッチ約 1 . 7 5 mm間隔で各行間に配 置されている。 各張力線材 2 2は、 導電線 2 0 , 2 1を固定するために、 両導電 線 2 0 , 2 1の間を上下に縫うように織り込まれ、 複数の導電線 2 0, 2 1と複 数の張力線材 2 2とが網目状に織られて、 網目状部材 3が形成されている。
図 6に示すように、 シール部材 4は、 多数の太陽電池素子 2と網目状部材 3を 保護するために、 多数の太陽電池素子 2と導電線 2 0, 2 1と張力線材 2 2とを 埋め込み状態に収容するように構成されている。 このシール部材 4は、 絶縁性の 透明なポリパラキシレン樹脂を用いて、 厚さが約 1 0 0 z mのシート状に形成さ れている。 このポリパラキシレン樹脂は、 微細な部分までピンホールが少なく均 —にコーティングできる、 ガスや水蒸気の透過性が少ない、 放射線に対する安定 度が高い、 屈折率(約 1 . 6 4 ) が高い、 太陽電池素子 2の表面における反射損 が少ないなどの特長がある。 従って、 このシール部材 4は、 太陽電池素子 2の表 面を薄く被う状態に形成することができるので、 受光の指向性が広く反射損が少 なく、 フレキシブルで、 軽く、 弓 Iつ張りや曲げ強度が高く、 集採光率が高いなど の利点がある。
この受光モジュールシート 1によると、 光の入射方向に関係なく、 光が受光モ ジュールシート 1に入射し、 この光が極性を揃えてマトリックス状に配置された 複数の太陽電池素子 2に照射すると、 太陽電池素子 2に形成されたほぼ球面状の p n接合 1 3で光が受光され、 太陽電池素子 2の受光機能によって電気工ネルギ 一に変換される。 その電気エネルギーは、 p n接合 1 3の両極に接続されて太陽 電池素子 2の中心を挟んで対向する正負の電極 1 4, 1 5を介して外部へ出力さ れる。
次に、 図 7は、 受光モジュールシート 1に含まれる太陽電池モジュールの等価 回路 3 0を示すものである。 この等価回路 3 0は、 例えば、 多数行多数列のマト リックス状に配列された多数の太陽電池素子 2の各々をダイオード 3 1に置き換 えたものである。 この等価回路 3 0に示すように、 各列のダイォード 3 1 (太陽 電池素子 2 ) は正極用導電線 2 0及び負極用導電線 2 1によつて並列接続され、 更に、 各列の正極用導電線 2 0が隣接する列の負極用導電線 2 1に直列用導電線 3 4により直列接続されている。 1個の太陽電池素子 2の出力が 0 . 6 Vである とし、 行数を m、 列数を nとすると、 正極端子 3 2と負極端子 3 3との間に約 n X 0 . 6 Vの光起電力が発生する。 1個の太陽電池素子 2で発生する電流を Iと すると、 正極端子 3 2力 ら m X Iの電流が外部負荷へ出力される。
このように多数の太陽電池素子 2を一つ一つ直並列接続することで、 受光モジ ユールシート 1の一部に光が入射せず、 一部の太陽電池素子 2が発電不可能な状 態であっても、 他の太陽電池素子 2を経由して電流が流れるため、 出力減少の影 響を最小限にすることができる。
次に、 以上説明した受光モジュールシートの製造方法について説明する。
最初に、 太陽電池素子 2の製造方法について図 8に基づいて説明するが、 この 製造方法については、 本出願人が国際公報 WO 9 8 / 1 5 9 8 3及ぴ WO 0 3 / 0 3 6 7 3 1に詳細に説明しているので、 ここでは簡単に説明する。
まず、 溶融状態のシリコンの液滴を定量ずつ自由落下させ、 その途中で過冷却 による急速凝固によつて直径が約 1 . 0 mmの p形の球状単結晶 1 0を形成し、 この球状単結晶 1 0の一部を機械的に研磨して平坦面 1 1を形成する( 図 8 ( a ) 参照) 。
次に、 球状単結晶 1 0を、 約 1 0 0 0 °Cの水蒸気を含む酸素ガス中で約 4 0分 間加熱し、 厚さが約 0 . 3 mのシリコン酸化膜 3 5を形成する( 図 8 ( b ) 参 照) 。 次に、 シリコン酸化膜 3 5を所望の領域にのみ不純物( n形不純物) を熱 拡散するマスクとするために、 ガラスプレート上に耐酸性のワックスを均一な厚 さで溶融し、 このワックスの表面に平坦面 1 1を押し付けて、 ワックスを固化さ せる。 次に、 バッファエッチ液( NH4 H F 2 水溶液) に浸漬して、 固化された ワックスから露出しているシリコン酸化膜 3 5のみをエッチングして除去し、 そ の後、ガラスプレートから球状単結晶 1 0を外して、ワックスを除去する( 図 8 ( c )参照) 。
次に、 球状単結晶 1 0を、 ォキシ三塩化リン( P O C 1 3)液をバブルさせた窒 素キャリアガス中で約 9 6 0 °C, 3分間加熱して、 シリコン酸ィ匕膜 3 5が形成さ れていない球状単結晶 1 0の表面にリンシリケートガラス膜 3 6を形成し、 更に 雰囲気ガスを乾燥した酸素へ切り換えて約 9 8 0 °C, 6 0秒間加熱して n形不純 物( リン) を球状単結晶 1 0の表面近傍の内部に熱拡散する。 このように n形不 純物を熱拡散して、 マスクであるシリコン酸化膜 3 5で被覆された平坦面 1 1と その近傍以外の部位に n +形拡散層 1 2を形成すると共に、 この n +形拡散層 1 2と球状単結晶 1 0の p形領域の境界面に p n接合 1 3を形成する( 図 8 ( d ) 参照)
次に、 平坦面 1 1とその近傍に形成されているシリコン酸ィヒ膜 3 5をバッファ ェッチ液で除去し、 再度、 乾燥酸素ガス中で約 8 0 0 °C, 6 0秒間加熱して球状 単結晶 1 0の全表面にシリコン酸ィ匕膜からなりパッシベーション膜でもある反射 防止膜 1 6を形成する( 図 8 ( e ).参照) 。
次に、 正電極 1 4を形成するために平坦面 1 1にはアルミニウムペースト 3 7 をドット印刷し、 負電極 1 5を形成するために球状単結晶 1 0の中心を挟んで平 坦面 1 1と対向する部位の n + 形拡散層 1 2の表面には銀ペースト 3 8をドット 印刷し、 この状態の球状単結晶 1 0を、 窒素ガス中で約 8 0 0 °C, 6 0分間加熱 処理し、 アルミニウムペースト 3 7と銀ペースト 3 8が反射防止膜 1 6を貫通し て、 アルミニウムペースト 3 7は球状単結晶 1 0の p形領域と、 銀ペースト 3 8 は n + 形拡散層 1 2と夫々低抵抗接触 (ォーミツタコンタクト) させて、 太陽電 池素子 2が完成する( 図 3参照) ) 。
次に、 完成した太陽電池素子 2をソーラシミュレータ光源による光照射の下で の電圧一電流特性を測定し、 太陽電池素子 2を良品と不良品とに選別する。
次に、 図 9に示すように、 太陽電池素子 2を位置決めするために所定間隔で位 置決め孔 4 0が形成された石英製の位置決め治具 4 1を用意する。 次に、 良品と 判定された太陽電池素子 2を電極 1 4, 1 5の向き (電極 1 4, 1 5の極性) を 揃えて位置決め治具 4 1の位置決め孔 4 0に配設する。尚、太陽電池素子 2には、 平坦面 1 1が形成されているため、正負の電極 1 4 , 1 5を容易に識別でき、電極 1 4, 1 5の向きを簡単に揃えて配設することができる。
位置決め治具 4 1に配設された太陽電池素子 2の水平面上の赤道線は、 位置決 め治具 4 1の上面と略同じ高さとなる。 次に、 太陽電池素子 2の移動や回転を防 ぐために、 位置決め孔 4 0内を減圧して太陽電池素子 2を位置決め孔 4 0に固定 する。 尚、 位置決め治具 4 1の上面には、 半田ペースト 2 3などの接合材と接合 されないように、 カーボン若しくはボロン窒化膜がコーティングされている。 次に、導電線 2 0, 2 1と張力線材 2 2が織り込まれた網目状部材 3を用意し、 網目状部材 3の正極用導電線 2 0と正電極 1 4が接続される部位と、 負極用導電 線 2 1と負電極 1 5が接続される部位に半田ペースト 2 3をドット印刷又はディ スペンサー吐出により被着させ、 この網目状部材 3を位置決め治具 4 1に固定し た太陽電池素子 2に上方から被せる。 次に、 押え治具( 図示略) により網目状部 材 3と位置決め治具 4 1の上面に密着させると共に、 導電線 2 0, 2 1に被着さ れた半田ペースト 2 3と電極 1 4, 1 5とを密着させる。 次に、 位置決め治具 4 1に多数の太陽電池素子 2と網目状部材 3を載置した状態で、 半田ペースト 2 3 に赤外線ランプによる集光ビームを照射して半田ペースト 2 3を融かし、 この半 田ペースト 2 3により導電線 2 0と電極 1 4を電気的に接続し、 導電線 2 1と電 極 1 5を電気的に接続する。 次に、 半田ペースト 2 3に含まれたフラックスを洗 浄除去して乾燥する。
尚、 他の接続の方法として、 導電線 2 0, 2 1に電流を流し、 半田ペースト 2 3をこの電流によるジュール熱により融かし、 半田ペースト 2 3の表面張力と流 動性を利用して接続してもよい。 或いは、 赤外線ランプとジュール熱を併用して 半田ペースト 2 3を溶かして接続してもよい。 この接続方法によると短時間での 接続が可能となる。 半田ペースト 2 3の代わりに導電性エポキシ樹脂によって電 極 1 4, 1 5と導電線 2 0, 2 1を接続してもよレヽ。 導電性エポキシ樹脂により 接続する場合には、 網目状部材 3を太陽電池素子 2に被せた後、 エポキシ樹脂を 所望の個所にディスペンサーによって吐出し、 その後、 オーブンなどで導電性ェ ポキシ樹脂を加熱して硬化させればよレ、。
次に、 シール部材 4であるポリパラキシレン樹脂の被膜を太陽電池素子 2や網 目状部材 3など受光モジュールシート 1の全体に亙つて厚さが約 1 0 0 mで形 成する。 このシール部材 4は、 例えば、 米国ユニオンカーバイド' アンド 'プラ スティック社が開発した化学蒸着( C V D) 法によるコーティングシステムによ つて形成すればよい。 尚、 シール部材 4は、 ポリパラキシレン樹脂に限定される ものではなく、 シリコーン榭脂、 ポリ塩化ビニール、 ポリエステル( P E T) な どの透明な樹脂を、 液状の状態で吹付けやディッビング法などによって成膜し、 硬化することで形成してもよい。 このような方法によりシール部材 4が受光モジ ユールシート 1に形成されて、 受光モジユーノレシート 1が完成する。
次に、 以上説明した受光モジュールシート 1の作用、 効果について説明する。 この受光モジュールシート 1によれば、 太陽電池素子 2が球状結晶 1 0の平坦 面 1 1に接続された正電極 1 4と、 n +形拡散層 1 2に接続された負電極 1 5を 有するので、 受光モジュールシート 1に組み込む前に太陽電池素子 2をソーラー シミュレーターなどにより検査することができる。 従って、 受光モジュールシー ト 1には、 検査をパスした良品の太陽電池素子 2のみを組み込むことができ、 高 品質の受光モジュールシート 1を製造することができる。 また、 また、 組み込む 前に太陽電池素子 2に正負の電極 1 4, 1 5を形成することで、 電極 1 4, 1 5と 導電線 2 0, 2 1とを確実に且つ簡単に接続でき、 製造工程が簡単になる。
網目状部材 3は、 列方向に延びる導電線 2 0, 2 1と行方向に延びる張力線材 2 2とが織り込まれているため、 フレキシブルな受光モジュールシート 1を実現 することができ、強度に優れる受光モジュールシート 1を実現することができる。 特に、 張力線材 2 2を軽いガラス繊維で構成することで、 受光モジュールシート 1の強度を向上させつつ軽量ィヒを実現することもできる。
太陽電池素子 2には、 太陽電池素子 2の中心を挟んで対向する位置に各電極 1 4 , 1 5が設けられているので、 太陽電池素子 2内で発生した電流が偏ることなく 対称に流れ、 抵抗ロスを大幅に削減することができ、 太陽電池素子 2の p n接合 で発電された電力のほぼ全てを出力することができる。 しかも、 太陽電池素子 2 は、 球状に形成されているために、 全方向からの入射光を受光して発電すること ができ、 その発電した電力を全て出力できるので、 発電効率を向上させることが できる。 受光モジュールシート 1は、 フレキシブルなシ一ル部材 4によって保護 されているため、 太陽電池素子 2や導電線 20, 21を破損させることなく、 変 形させることができる。
尚、 太陽電池素子 2は、 p形の球状単結晶 10の表面部に n形の拡散層を形成 したものを主体にして構成したが、 n形の球状単結晶の表面部に p形の拡散層を 形成したものを主体にして構成してもよい。 また、 太陽電池素子 2に用いる半導 体はシリコンに限定されるものではなく、 GaAs,GaA l As, I nP, I n G a P, Ge, Ga S b, I nGa As, I n G a Nなどの半導体を適用してもよい。 前記実施形態を部分的に変更する例について簡単に説明する。
1) 変更形態 1 ( 図 10参照)
この変更形態においては、 電極が形成されていなレ、状態での太陽電池素子を導 電線との合金化接合によって接続することで、 受光モジュールシート 1 Aを製造 する。 以下、 この製造方法について説明する。
まず、 図 8 ( d) に示す太陽電池素子を製造し、 次にシリコン酸化膜 35をバ ッファエッチ液で完全に除去して太陽電池素子 2 Aを製作する。 次に、 列方向に 延びる正極用導電線 2 OA及び負極用導電線 21 Aと、 行方向に延びる.張力線材 22が織り込まれた網目状部材 3 Aを準備する。 但し、 両導電線 2 OA, 21 A は、 シリコンと共晶反応が可能なシリコンを 1〜 2 %含み直径が約 120 μ mの アルミニウム線からなる。 尚、 張力線材 22は上述した実施形態における張力線 材 22と同様のものであるため説明を省略する。
次に、 前記位置決め治具 41と同様の位置決め治具上に多数の太陽電池素子 2 Aを配列し、 その上から網目状部材 3 Aを被せ、 両導電線 2 OA, 21Aと、 太 陽電池素子 2 Aの平坦面 1 1 (導電線接続部に相当する) 及び太陽電池素子 2 A の中心を挟んで平坦面 1 1と対向する部位 (導電線接続部に相当する) とを接触 させる。 次に、 数%の水素ガスを含む窒素ガスの雰囲気中で、 両導電線 20 A, 21 Aに直流パルス大電流を数秒間流してジュール加熱を行い、 太陽電池素子 2 Aの平坦面 1 1 Aと正極用導電線 2 O Aを合金化接合により接合すると共に、 太 陽電池素子 2 Aの中心を挟んで平坦面 1 1 Aと対向する部位の n + 形拡散層 1 2 Aと負極用導電線 2 1 Aとを合金化接合により接合する。 尚、 この合金化接合に より導電線 2 O A, 2 1 Aと太陽電池素子 2 Aの間に形成された合金化領域が電 極 1 4 A, 1 5 Aとして機能する。尚、この合金化接合は、約 5 7 0 °C〜 6 5 0 °C の範囲で行うことができる。 この合金接合においては、 パルス電流による、 急速 加熱及ぴ急速冷却することで、 アルミニウムが広がったり、 合金化が深く進行す ることを防いで、 良好な低抵抗接触 (ォーミックコンタクト) を実現することが できる。 次に、 シリコン酸ィ匕膜 3 6を除去後、 C V D法により太陽電池素子 2 A にシリコン酸化膜又はチタン酸化膜などのパッシベーション膜を形成し、 受光モ ジュールシートの全面に亙ってシール部材 4を形成して受光モジュールシート 1 Aが完成する。
尚、 導電線 2 O A, 2 1 Aとしてアルミニウム線の代わりに、 ニッケル( 4 2 %) と鉄( 5 2 %) とクロム( 6 %) の合金線( 直径約 1 2 0 M m) を用い、 この合金線と電極との接合個所にアルミニゥム又はシリコン 1〜2 %を含むアル ミニゥム合金膜を被着してもよい。 このように構成する場合にも、 合金線に電流 を流して発生するジュール熱により、 アルミニウム又はアルミニウム合金膜を融 かして、 導電線 2 O A, 2 1 Aと太陽電池素子 2 Aを接続することができる。 この合金線は、 アルミニウム線に比べ導電率、 熱伝導率が低いので、 少ない電 流で接合することができるとともに、 引っ張り強度が向上するといった利点があ る。 他方、 導電線 2 O A, 2 1 Aにアルミニウム線の代わりに銅線を用い、 この 銅線の接合個所に金 ·シリコン合金、 金 ·ゲルマニウム合金、 金 ·錫合金などの 金合金膜を被着し、 導電線 2 0 A, 2 1 Aに電流を流して発生するジュール熱に よりこれら金合金膜を融かして、 導電線 2 0 A, 2 1 Aと太陽電池素子 2 Aを接 合してもよレ、。 金合金は、 アルミニウムよりも低い温度で共晶反応による合金ィ匕 接合が可能である。
この製造方法によれば、 正負の正電極を予め形成する必要がなく、 太陽電池素 子 2 Aと導電線 2 O A, 2 1 Aの接続を簡単に行うことができるので、 生産性を 向上させることができ、 製造コストを削減することができる。
2 ) 変更形態 2 (図 1 1, 図 1 2参照)
次に、 シール部材を変更した変更形態について説明する。
図 1 1に示すように、 受光モジュールシート 1 Bを構成してもよい。 この受光 モジュールシート 1 Bにおいては、 シール部材 4 Bが、 太陽電池素子 2及び網目 状部材 3を埋め込み状態に収容する柔軟性のあるクッション層 4 6と、 クッショ ン層 4 6の上下両面に接合された透明な表面層 4 5とを有する。 表面層 4 5は、 厚さが約 2 mmの透明な白板強化ガラス板からなる。
この受光モジュールシート 1 Bを製造する場合は、 表面層 4 5、 E VA (ェチ レンビュルアセテート) シート、 太陽電池素子 2が接合された網目状部材 3、 E VAシート、 表面層 4 5の順に重ね合わせ、 これをラミネ一ト装置内で真空排気 しながら加熱することで、 E VAシートを融かし、 この E VA融液を上下の表面 層 4 5の間に充填してクッション層 4 6とし、 太陽電池素子 2及び網目状部材 3 をクッション層 4 6により固定する。
尚、 表面層 4 5をポリカーボネィトゃアクリルなどの樹脂からなる透明な板部 材で構成することで、 受光モジュールシート 1 Bを低コスト化及び軽量化するこ とができる。 また、 クッション層 4 6として: P B V ( ポリビュルプチラール) 、 アクリル、 シリコーンなどの透明な榭脂で構成してもよレ、。
このように太陽電池素子 2及ぴ網目状部材 3を 2つの表面層 4 5によつて挟み 込むように構成することで、機械的な衝撃に対する強度を向上させることができ、 シ一スルー形の受光モジュールシートとして窓ガラスとして利用することができ る。
他方、 図 1 2に示すように、 受光モジュールシート 1 Cのシール部材 4 Cを構 成してもよい。 この受光モジュールシート 1 Cのシール部材 4 Cは、 下層からフ レキシブルな P E ( ポリエステル) 系樹脂フィルム 5 0、 アルミニウム蒸着膜 5 1、 P E系樹脂による多層膜の反射膜 5 2、 E VA樹脂からなり太陽電池素子 2 及び網目状部材 3が埋設される前記クッション層と同様の充填材 5 3、 P E系樹 月旨層 5 4、 熱線反射膜 5 5、 P E系樹脂層 5 6からなる。 反射膜 5 2は、 光の入射側と反対側の面に形成され、 入射側から入射したが太 陽電池素子 2の間を通り抜けた光を反射及び散乱して、 太陽電池素子 2を照射し て、 光の利用効率を高め、 発電効率を高めるためのものである。 熱線反射膜 5 5 は、 屈折率の異なる高分子材料が多層化されたものである。 熱線反射膜 5 5は、 多層化による干渉作用によって、太陽電池素子 2により吸収できない熱線(波長 1 350 n m以上) を選択的に反射し、太陽電池素子 2の温度上昇を減少して光電変換 効率を向上させるものである。 従って、 受光モジュールシート 1 Cの受光面( 上 面) から入射した光は、 まず、 熱線反射膜 5 5によって一部の不要な熱線が反射 され、 残りの光の一部が太陽電池素子 2に受光され、 一部が太陽電池素子 2の間 を通り抜けるが、 この通り抜けた光は反射膜 5 2により反射されて太陽電池素子 2に受光される。
尚、 P E系樹脂の代わりに、 ポリカーボネイト、 ポリエチレンナフタレート、 フッ素系樹脂などのフレキシブルな合成樹脂で構成してもよい。 充填材 5 3とし て、 E VA樹脂の代わりにシリコーンやポリビエルプチラール榭脂などを用いて もよい。 反射膜 5 2や熱線反射膜 5 5は、 適宜省略可能であり、 その他の各層も 所望の機能に合わせて適宜変更可能である。
3 ) 変更形態 3
受光モジュールシートの製造方法にロールツーロール法を採用してもよい。 口 一ルツ一ロール法により製造する場合には、 網目状部材の幅方向両端部をポリイ ミドフィルムなどの耐熱性樹脂膜で固着し、 この耐熱性樹脂膜にスプロケットホ ールを設け、 このスプロケットホールにスプロケットを係合させて、 網目状部材 を送り、 また、 卷き取るように構成すればよい。
4 ) 変更形態 4
上述した実施形態においては、 球状素子が太陽電池素子である受光モジユーノレ シートについて説明したが、球状素子は太陽電池素子に限定されるものではなく、 球状のフォトダイオードや発光ダイオードを適用してもよい。 尚、 これら球状の フォトダイォードゃ発光ダイォードについては、 上述した太陽電池素子 2とほぼ 同様の構成であり、 その詳細は本願出願人が W〇 9 8 / 1 5 9 8 3号公報におい て提案しているので説明を省略する。 発光ダイォードを有する発光モジュールシ 一トの場合、 発光ダイォードに順方向の電流が流れると、 p n接合によつて電気 エネルギーが光エネルギーに変換され、 p n接合近傍から結晶や拡散層の材料に 応じた波長の光が発生し、 外部へ照射する。 このように球状の発光ダイォードか らなる発光モジュールシートにおいては、 光を全方向に照射することができ、 ま た、 一部に反射シートを設けることで、 所望の方向にのみ光を照射することがで きる。 更に、 R G Bの 3色の発光ダイオードをマトリックス状に酉己設し、 これら の発光ダイォードを制御装置により制御可能に構成することで、 発光モジュール シートをカラーディスプレイとすることができる。 尚、 1色の発光ダイオードに より単色のディスプレイを構成してもよい。 フォトダイオードからなる受光モジ ユールシートにおいては、 全方向の光を電気信号に変換することができる。
5 ) 変更形態 5
上述した実施形態においては、 全部の列の太陽電池素子を直列接続する例につ いて説明したが、 直列接続する列数を変更可能な複数のスィッチを設け、 光の強 度や必要な電力量によって制御装置により複数のスィツチを切換えるように構成 してもよレヽ。
6 ) 変更形態 6
上述した実施形態においては、 シール部材を備えているが、 シール部材は常に 必要な構成ではなく適宜省略可能である。
本発明は以上説明した実施の形態に限定されるものではなく、当業者であれば、 本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、 前記実施の形態に種々の変更を付加して実施 することができ、 本発明はそれらの変更形態をも包含するものである。
7 ) 変更形態 7
張力部材の本数は適宜変更可能である。 上述した実施形態では 3本の張力線材 2 2を 1組として太陽電池素子 2の行と行の間に配置したが、 張力線材の本数は 3本に限らず、所望の構成に応じて、 1本又は複数本を 1組とし配置してもよい。 張力線材を絶縁性のァラミド繊維などの高強度の合成樹脂やプラスチックで構 成してもよい。 このように構成することで、 更に、 受光又は発光モジュールシー トのフレキシブル性及び引っ張り強度を向上させることができると共に、 材料コ ストを削減することができる。
図 1 3に示す受光モジュールシート 1 Dのように、 絶縁 1生の張力線材 2 2を導 体線と直交する方向のみならず、 各太陽電池素子列の間に張力線材 2 2 aを配置 し、 導体線と平行な方向に織り込むように設けてもよい。 このように構成するこ とで、 導体線が延びる方向の引っ張り強度を向上させることができる。 尚、 図 1 3においては、 実施形態と同様の構成には同様の符号を付して説明を省略する。
8 ) 変更形態 8
上述した実施形態においては、各列に夫々正負の導電線を設けたが、 隣接する 正極用導電線と負極用導電線を兼用するように 1本の導電線で構成してよい。こ のように構成することで、 直列用導電線を省略して構成を簡単にし、 列間の間隔 を小さくして受光又は発光モジュ一ルシートを小型化することができる。
9 ) 変更形態 9
上述の実施形態においては、球状の太陽電池素子 2に平坦面 1 1が形成されて いたが、 この平坦面 1 1を省略した太陽電池素子を適用してもよい。 このように 構成する場合には、正負の電極の形状を変え、正負の電極を容易に識別可能に構 成することが望ましい。
請求の範囲
1 . 受光又は発光機能のある複数の球状素子であって、 各々がほぼ球面状の p n接合と p η接合の両極に夫々接続されて球状素子の両端に位置する正負の導電 線接続部とを有し且つ極性を揃えてマトリックス状に配箧された複数の球状素子 と、
複数列の各々について各列の複数の球状素子の正負の導電線接続部を介して各 列の複数の球状素子を電気的に並列接続する平行に配置された複数の導電線と、 球状素子の行と行の間に複数の導電線と直交状に配置され、 複数の導電線を固 定する為に複数の導電線と網目状に織られた絶縁性の複数の張力線材と、 を備えたことを特徴とする受光又は発光モジュールシ一ト。
2 . 前記各球状素子において前記正負の導線接続部は球状素子の中心を挟んで 対向状に位置することを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の受光又は発光モジ ユーノレシート。
3 . 前記複数の球状素子を複数の導電線および複数の張力線材と共に埋め込み 状態に収容する透明合成樹脂又は透明ガラス製のシール部材を設けたことを特徴 とする請求の範囲第 2項に記載の受光又は発光モジュールシート。
4 . 前記各球状素子がフォトダイオード素子又は太陽電池素子であることを 特徴とする請求の範囲第 2項に記載の受光又は発光モジュールシート。
5 . 前記各球状素子が、 発光ダイオード素子であることを特徴とする請求の範 囲第 2項に記載の受光又は発光モジュールシート。
6 . 前記導電線は、 半田と導電性合成樹脂と合金化金属のうちから選択される 何れか 1つを用いて正負の導線接続部に接続されたことを特徴とする請求の範囲 第 2項に記載の受光又は発光モジュールシート。
7 . 前記導電性線材の少なくとも一部が露出するように、 シール部材に埋め込 まれていることを特徴とする請求の範囲第 6項に記載の受光又は発光モジュール シート。
8 . 前記球状素子の列と列の間に導電線と平行に導電線に織られた絶縁性の張 力線材を備えたことを特徴とする請求の範囲第 2項に記載の受光又は発光モジュ

Claims

' ~ノレシート。
9 . 前記シール部材は、 透明合成樹脂材料を用いてフレキシブルな部材に構成 されたことを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の受光又は発光モジュ ルシー o
1 0 . 前記シール部材の光の入射側と反対側の面に入射側から入射した光を反 射する反射膜を構成したことを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の受光又は発 光モジュールシート。
1 1 . 前記シール部材は、 複数の球状素子を埋め込み状態に収容する柔軟性の ある透明なクッション層と、 このクッション層の両面に接合された透明な表面層 からなることを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の受光又は発光モジュールシ ート。
1 2 . 前記シール部材は、 球状素子により吸収できない熱線を選択的に反射す る高分子材料で構成された熱反射膜を有することを特徴とする請求の範囲第 3項 に記載の受光又は発光モジュールシート。
1 3 . 前記複数の球状素子を並列した導電線を、 複数列直列接続する直列接続 手段を有することを特徴とする請求の範囲第 2項に記載の受光又は発光モジユー ルシート。
1 4 . マトリックス状に配設された受光又は発光機能のある複数の球状素子と、 各列の複数の球状素子を電気的に並列接続する導電線と、 導電線を固定する為に 導電線と網目状に織られた絶縁性の張力線材とを備えた受光又は発光モジュール シートの製造方法において、
正負の導電線接続部を有する球状素子を製造する球状素子製造工程と、 導電線に流れる電流によるジュール熱により球状素子と導電線とを接続するた めの接合部材を融かして、 球状素子と導電線とを接合部材により接続する接続ェ 程と、
を備えたことを特徴とする受光又は発光モジュールシート製造方法。
PCT/JP2003/013666 2003-10-24 2003-10-24 受光又は発光モジュールシート及びその製造方法 WO2005041312A1 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005509854A JP3899111B2 (ja) 2003-10-24 2003-10-24 受光又は発光モジュールシートの製造方法
US10/569,166 US7214557B2 (en) 2003-10-24 2003-10-24 Light receiving or light emitting modular sheet and process for producing the same
AU2003275663A AU2003275663B2 (en) 2003-10-24 2003-10-24 Light receiving or light emitting modular sheet and process for producing the same
CA2537777A CA2537777C (en) 2003-10-24 2003-10-24 Light receiving or emitting modular sheet and production method thereof
CNA2003801102835A CN1771608A (zh) 2003-10-24 2003-10-24 受光或发光模块板及其制造方法
PCT/JP2003/013666 WO2005041312A1 (ja) 2003-10-24 2003-10-24 受光又は発光モジュールシート及びその製造方法
EP03758902.5A EP1677362A4 (en) 2003-10-24 2003-10-24 LIGHT-RECEIVING OR LIGHT-EMITTING MODULAR SHEET AND MANUFACTURING PROCESS THEREFOR

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2003/013666 WO2005041312A1 (ja) 2003-10-24 2003-10-24 受光又は発光モジュールシート及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005041312A1 true WO2005041312A1 (ja) 2005-05-06

Family

ID=34509579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/013666 WO2005041312A1 (ja) 2003-10-24 2003-10-24 受光又は発光モジュールシート及びその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7214557B2 (ja)
EP (1) EP1677362A4 (ja)
JP (1) JP3899111B2 (ja)
CN (1) CN1771608A (ja)
AU (1) AU2003275663B2 (ja)
CA (1) CA2537777C (ja)
WO (1) WO2005041312A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008087690A1 (ja) * 2007-01-16 2008-07-24 Dueller Corporation 集光シート型太陽電池
JP2008306129A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Clean Venture 21 Corp 光電変換装置の製造方法
JP2009206160A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Asahi Rubber Inc 太陽電池アセンブリ
WO2012026013A1 (ja) * 2010-08-26 2012-03-01 京セミ株式会社 半導体素子付き織網基材の製造方法、その製造装置及び半導体素子付き織網基材
US8421351B2 (en) * 2006-04-18 2013-04-16 Komatsu Seiren Co., Ltd. Hot-melt type member and organic EL display panel
WO2013076794A1 (ja) * 2011-11-21 2013-05-30 京セミ株式会社 半導体機能素子付き繊維構造体とその製造方法
JP5430767B2 (ja) * 2010-08-26 2014-03-05 京セミ株式会社 半導体素子付き織網基材、その製造方法及びその製造装置
WO2015140948A1 (ja) * 2014-03-19 2015-09-24 スフェラーパワー株式会社 半導体機能素子付き機能糸
JP2016171178A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 松文産業株式会社 半導体素子付き繊維構造体
CN114242840A (zh) * 2021-12-21 2022-03-25 晋能光伏技术有限责任公司 匹配se的太阳能电池扩散方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7238968B2 (en) * 2001-08-13 2007-07-03 Josuke Nakata Semiconductor device and method of making the same
CA2456671C (en) * 2001-08-13 2009-09-22 Josuke Nakata Light emitting or light receiving semiconductor module and making method thereof
WO2003036731A1 (en) * 2001-10-19 2003-05-01 Josuke Nakata Light emitting or light receiving semiconductor module and method for manufacturing the same
KR100652916B1 (ko) * 2002-05-02 2006-12-01 죠스케 나카다 수광 또는 발광용 패널 및 그 제조 방법
EP1553638B1 (en) 2002-06-21 2008-12-10 Kyosemi Corporation Light receiving or light emitting device and its production method
US7387400B2 (en) * 2003-04-21 2008-06-17 Kyosemi Corporation Light-emitting device with spherical photoelectric converting element
AU2003242109A1 (en) * 2003-06-09 2005-01-04 Kyosemi Corporation Generator system
US7214557B2 (en) 2003-10-24 2007-05-08 Kyosemi Corporation Light receiving or light emitting modular sheet and process for producing the same
EP2065947A4 (en) * 2006-08-07 2012-09-19 Kyosemi Corp SEMICONDUCTOR MODULE FOR ELECTRICITY GENERATION OR LIGHT EMISSION
DE102007022877A1 (de) * 2007-05-14 2008-11-20 Q-Cells Ag Drahtsystem zum elektrischen Kontaktieren einer Solarzelle
US9642316B2 (en) * 2007-05-14 2017-05-09 Philips Lighting Holding B.V. Shading device
GB2458961A (en) * 2008-04-04 2009-10-07 Rec Solar As Flexible interconnectors comprising conductive fabric between solar cells
EP2272308A1 (en) * 2008-04-29 2011-01-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electronic textile
CN101728445B (zh) * 2008-10-29 2013-03-06 张仁怀 具有高分子多层膜的太阳能电池及其制作方法
DE202008016139U1 (de) * 2008-12-08 2010-04-29 Usk Karl Utz Sondermaschinen Gmbh Solarzellenverbund
US9608149B2 (en) * 2008-12-19 2017-03-28 Sphelar Power Corporation Solar cell module and method for producing the same
EP2481268A1 (en) * 2009-09-24 2012-08-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electronic textile with local energy supply devices
KR20110136180A (ko) * 2010-06-14 2011-12-21 삼성전자주식회사 전극의 형성 방법 및 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법
DE102010031639A1 (de) * 2010-07-22 2012-01-26 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Verbundbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Verbundbauteils
KR20120126224A (ko) * 2011-05-11 2012-11-21 한국전자통신연구원 염료감응형 태양전지의 제조 방법
JP6264568B2 (ja) * 2013-08-06 2018-01-24 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光デバイスおよび表示装置
DE102014101489B4 (de) * 2014-02-06 2023-03-02 Pictiva Displays International Limited Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
CN107438904B (zh) * 2015-03-30 2020-04-10 Imec 非营利协会 电接触和互连光伏电池
TWI590433B (zh) * 2015-10-12 2017-07-01 財團法人工業技術研究院 發光元件以及顯示器的製作方法
US10790426B2 (en) * 2016-04-01 2020-09-29 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting element mounting base member, method of manufacturing light emitting device using the light emitting element mounting base member, light emitting element mounting base member, and light emitting device using the light emitting element mounting base member
CN112032579B (zh) * 2019-06-03 2024-06-04 苏州维业达科技有限公司 一种led面板灯及led面板灯的制作方法
US11774376B2 (en) * 2019-12-26 2023-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Power supply unit and radiation imaging apparatus including the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09162434A (ja) * 1995-12-05 1997-06-20 Hitachi Ltd 太陽電池およびその製造方法
JP2000022184A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 球状または棒状結晶太陽電池およびその製造方法
JP2001168369A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Joyu Nakada 球状半導体素子を用いた発電装置および球状半導体素子を用いた発光装置
WO2001099202A1 (en) * 2000-06-21 2001-12-27 Ball Semiconductor, Inc. Spherical shaped solar cell fabrication and panel assembly
WO2003017383A1 (en) * 2001-08-13 2003-02-27 Josuke Nakata Semiconductor device and method of its manufacture

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3038952A (en) 1959-05-20 1962-06-12 Hoffman Electronics Corp Method of making a solar cell panel
US3350775A (en) 1963-10-03 1967-11-07 Hoffman Electronics Corp Process of making solar cells or the like
US3433676A (en) 1964-10-21 1969-03-18 Gen Motors Corp Thermophotovoltaic energy convertor with photocell mount
DE1539564A1 (de) 1966-11-09 1969-12-11 Siemens Ag Lumineszenzdiode mit hohem Wirkungsgrad
US3998659A (en) 1974-01-28 1976-12-21 Texas Instruments Incorporated Solar cell with semiconductor particles and method of fabrication
JPS5328751B2 (ja) 1974-11-27 1978-08-16
US4021323A (en) 1975-07-28 1977-05-03 Texas Instruments Incorporated Solar energy conversion
US4126812A (en) 1976-12-20 1978-11-21 Texas Instruments Incorporated Spherical light emitting diode element and character display with integral reflector
FR2548563B1 (fr) 1983-07-06 1985-11-22 Stein Industrie Ensemble forme par l'assemblage de tubes en acier inoxydable ferritique sur une plaque tubulaire en acier au carbone, et procede de fabrication dudit ensemble
US4581103A (en) * 1984-09-04 1986-04-08 Texas Instruments Incorporated Method of etching semiconductor material
US4691076A (en) 1984-09-04 1987-09-01 Texas Instruments Incorporated Solar array with aluminum foil matrix
US4582588A (en) 1984-09-04 1986-04-15 Texas Instruments Incorporated Method of anodizing and sealing aluminum
JPH0754855B2 (ja) 1984-09-04 1995-06-07 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド ソーラー・アレーの製造方法
JPH01179374A (ja) 1988-01-05 1989-07-17 Res Dev Corp Of Japan 接合型半導体発光素子
US5028546A (en) 1989-07-31 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Method for manufacture of solar cell with foil contact point
JPH0536997A (ja) 1991-07-26 1993-02-12 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
US5428249A (en) 1992-07-15 1995-06-27 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device with improved collector electrode
US5419782A (en) 1993-05-11 1995-05-30 Texas Instruments Incorporated Array of solar cells having an optically self-aligning, output-increasing, ambient-protecting coating
US5538902A (en) 1993-06-29 1996-07-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of fabricating a photovoltaic device having a three-dimensional shape
US5469020A (en) 1994-03-14 1995-11-21 Massachusetts Institute Of Technology Flexible large screen display having multiple light emitting elements sandwiched between crossed electrodes
US5431127A (en) 1994-10-14 1995-07-11 Texas Instruments Incorporated Process for producing semiconductor spheres
JPH08199513A (ja) 1995-01-27 1996-08-06 Furetsudo:Kk 発光標識装置
JPH0949213A (ja) 1995-08-08 1997-02-18 S T Energ Kk 路面設置型道路信号装置
JP3231244B2 (ja) 1996-07-22 2001-11-19 仗祐 中田 無機材料製の球状体の製造方法及びその製造装置
CA2239626C (en) 1996-10-09 2003-09-02 Josuke Nakata Semiconductor device
DE69637769D1 (de) 1996-10-09 2009-01-15 Josuke Nakata Halbleitervorrichtung
US5925897A (en) 1997-02-14 1999-07-20 Oberman; David B. Optoelectronic semiconductor diodes and devices comprising same
DE69725601T2 (de) 1997-08-27 2004-04-15 Nakata, Josuke, Joyo Sphärische halbleiteranordnung, verfahren zu seiner herstellung und sphärisches halbleiteranordnungmaterial
WO1999038215A1 (fr) 1998-01-23 1999-07-29 Josuke Nakata Module de batterie solaire pour dispositif d'electrolyse optique et dispositif d'electrolyse optique
JPH11238897A (ja) 1998-02-23 1999-08-31 Canon Inc 太陽電池モジュール製造方法および太陽電池モジュール
JP2000259992A (ja) 1999-03-12 2000-09-22 Sekisui Jushi Co Ltd メンテナンス表示システム
JP2001102618A (ja) 1999-09-30 2001-04-13 Sony Corp 受光装置
JP4510961B2 (ja) 1999-10-19 2010-07-28 Okiセミコンダクタ株式会社 光モジュール
JP3091846B1 (ja) 1999-11-26 2000-09-25 株式会社三井ハイテック 太陽電池を含む球状半導体及びそれを用いた球状半導体装置
KR100336779B1 (ko) 1999-12-08 2002-05-16 박종섭 반도체 소자의 게이트 절연막 형성방법
JP2001177132A (ja) 1999-12-16 2001-06-29 Mitsui High Tec Inc 球体の切断方法、これを用いた太陽電池およびその製造方法
JP3369525B2 (ja) 2000-01-27 2003-01-20 株式会社三井ハイテック 太陽電池及びその製造方法
JP3436723B2 (ja) 2000-03-23 2003-08-18 株式会社三井ハイテック 太陽電池の製造方法及び太陽電池
JP3939082B2 (ja) 2000-08-03 2007-06-27 株式会社三井ハイテック 太陽電池の製造方法
DE60039535D1 (de) 2000-10-20 2008-08-28 Josuke Nakata Lichtemittierdende bzw. lichtempfindliche halbleiteranordnung und ihre herstellungsmethode
WO2002035613A1 (en) 2000-10-20 2002-05-02 Josuke Nakata Light-emitting or light-detecting semiconductor module and method of manufacture thereof
JP3490969B2 (ja) 2000-11-24 2004-01-26 圭弘 浜川 光発電装置
CA2456671C (en) 2001-08-13 2009-09-22 Josuke Nakata Light emitting or light receiving semiconductor module and making method thereof
WO2003036731A1 (en) 2001-10-19 2003-05-01 Josuke Nakata Light emitting or light receiving semiconductor module and method for manufacturing the same
WO2003056633A1 (fr) 2001-12-25 2003-07-10 Josuke Nakata Appareil semi-conducteur d'emission et de reception de lumiere
KR100652916B1 (ko) 2002-05-02 2006-12-01 죠스케 나카다 수광 또는 발광용 패널 및 그 제조 방법
US7144830B2 (en) * 2002-05-10 2006-12-05 Sarnoff Corporation Plural layer woven electronic textile, article and method
US7592276B2 (en) * 2002-05-10 2009-09-22 Sarnoff Corporation Woven electronic textile, yarn and article
EP1553638B1 (en) 2002-06-21 2008-12-10 Kyosemi Corporation Light receiving or light emitting device and its production method
US7387400B2 (en) 2003-04-21 2008-06-17 Kyosemi Corporation Light-emitting device with spherical photoelectric converting element
US7214557B2 (en) 2003-10-24 2007-05-08 Kyosemi Corporation Light receiving or light emitting modular sheet and process for producing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09162434A (ja) * 1995-12-05 1997-06-20 Hitachi Ltd 太陽電池およびその製造方法
JP2000022184A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 球状または棒状結晶太陽電池およびその製造方法
JP2001168369A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Joyu Nakada 球状半導体素子を用いた発電装置および球状半導体素子を用いた発光装置
WO2001099202A1 (en) * 2000-06-21 2001-12-27 Ball Semiconductor, Inc. Spherical shaped solar cell fabrication and panel assembly
WO2003017383A1 (en) * 2001-08-13 2003-02-27 Josuke Nakata Semiconductor device and method of its manufacture

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1677362A4 *

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8421351B2 (en) * 2006-04-18 2013-04-16 Komatsu Seiren Co., Ltd. Hot-melt type member and organic EL display panel
WO2008087690A1 (ja) * 2007-01-16 2008-07-24 Dueller Corporation 集光シート型太陽電池
JP2008306129A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Clean Venture 21 Corp 光電変換装置の製造方法
JP2009206160A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Asahi Rubber Inc 太陽電池アセンブリ
AU2011294612B2 (en) * 2010-08-26 2013-10-03 Sphelar Power Corporation Woven mesh substrate with semiconductors, and method and device for manufacturing same
KR101445351B1 (ko) * 2010-08-26 2014-09-30 스페라 파워 가부시키가이샤 반도체 소자가 부착된 망형 직조 기재, 그 제조방법 및 그 제조장치
WO2012026142A1 (ja) 2010-08-26 2012-03-01 京セミ株式会社 半導体素子付き織網基材、その製造方法及びその製造装置
WO2012026046A1 (ja) * 2010-08-26 2012-03-01 京セミ株式会社 半導体素子付き織網基材の製造方法、その製造装置及び半導体素子付き織網基材
WO2012026013A1 (ja) * 2010-08-26 2012-03-01 京セミ株式会社 半導体素子付き織網基材の製造方法、その製造装置及び半導体素子付き織網基材
JP5430767B2 (ja) * 2010-08-26 2014-03-05 京セミ株式会社 半導体素子付き織網基材、その製造方法及びその製造装置
EP2610919A4 (en) * 2010-08-26 2014-05-14 Kyosemi Corp MESH-SUBSTRATE WITH SEMICONDUCTORS AND METHOD AND DEVICE FOR ITS MANUFACTURE
WO2013076794A1 (ja) * 2011-11-21 2013-05-30 京セミ株式会社 半導体機能素子付き繊維構造体とその製造方法
JPWO2013076794A1 (ja) * 2011-11-21 2015-04-27 スフェラーパワー株式会社 半導体機能素子付き繊維構造体とその製造方法
WO2015140948A1 (ja) * 2014-03-19 2015-09-24 スフェラーパワー株式会社 半導体機能素子付き機能糸
US10217883B2 (en) 2014-03-19 2019-02-26 Sphelar Power Corporation Functional yarn equipped with semiconductor functional elements
JP2016171178A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 松文産業株式会社 半導体素子付き繊維構造体
CN114242840A (zh) * 2021-12-21 2022-03-25 晋能光伏技术有限责任公司 匹配se的太阳能电池扩散方法
CN114242840B (zh) * 2021-12-21 2023-07-21 晋能光伏技术有限责任公司 匹配se的太阳能电池扩散方法

Also Published As

Publication number Publication date
CA2537777C (en) 2011-08-02
CA2537777A1 (en) 2005-05-06
CN1771608A (zh) 2006-05-10
EP1677362A1 (en) 2006-07-05
EP1677362A4 (en) 2015-11-11
US7214557B2 (en) 2007-05-08
AU2003275663A1 (en) 2005-05-11
US20060169992A1 (en) 2006-08-03
JP3899111B2 (ja) 2007-03-28
JPWO2005041312A1 (ja) 2007-04-05
AU2003275663B2 (en) 2008-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005041312A1 (ja) 受光又は発光モジュールシート及びその製造方法
AU2002313256B8 (en) Light-receiving or light-emitting device and its production method
AU2002255303B2 (en) Light-Receiving panel or light-emitting panel, and manufacturing method thereof
EP1717867B1 (en) Light-receiving or light-emitting semiconductor apparatus
US9224880B2 (en) Method for manufacturing solar cell with interconnection sheet, method for manufacturing solar cell module, solar cell with interconnection sheet, and solar cell module
KR20030081321A (ko) 발광 또는 수광용 반도체 모듈 및 그 제조 방법
US20110048494A1 (en) Solar cell module
KR20120007385A (ko) 태양 전지 및 그 제조방법
JP4444937B2 (ja) 発光又は受光用半導体モジュール
KR100775011B1 (ko) 수광 또는 발광 모듈 시트
TWI255563B (en) Optical module sheet and the method for making the same
KR101999591B1 (ko) 전극 일체형 태양전지 보호시트, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 모듈 및 태양전지 모듈의 제조 방법
JP2010073938A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005509854

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057019466

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20038B02835

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057019466

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2537777

Country of ref document: CA

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003275663

Country of ref document: AU

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2006169992

Country of ref document: US

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10569166

Country of ref document: US

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2003758902

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003758902

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2003758902

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10569166

Country of ref document: US