JP2001102618A - 受光装置 - Google Patents
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】平板型よりも広い角度から太陽光をより多く吸
収でき、光電変換効率の改善を実現する受光装置を提供
する。 【解決手段】球状体の受光素子ＣＥＬ１が複数マトリク
ス状に配列され、略平坦な基材ＢＳ１に固定されてい
る。隣接する各受光素子ＣＥＬ１は互いに表面のＮ型層
が電極ＴＭＬｎにより接続され、かつ互いに内部のＰ型
層が電極ＴＭＬｐにより接続されている。これら受光素
子ＣＥＬ１のマトリクス配列は２層で、２層目のマトリ
クス配列（実線）は、例えば１層目のマトリクス配列
（破線）における４個の受光素子集合間のギャップＧＡ
Ｐを埋めるように積み重ねられている。積み重ねで接触
する１層目と２層目の受光素子も、互いに表面のＮ型
層、内部のＰ型層がそれぞれ設けられた電極ＴＭＬｎ、
ＴＭＬｐにより接続されている。
収でき、光電変換効率の改善を実現する受光装置を提供
する。 【解決手段】球状体の受光素子ＣＥＬ１が複数マトリク
ス状に配列され、略平坦な基材ＢＳ１に固定されてい
る。隣接する各受光素子ＣＥＬ１は互いに表面のＮ型層
が電極ＴＭＬｎにより接続され、かつ互いに内部のＰ型
層が電極ＴＭＬｐにより接続されている。これら受光素
子ＣＥＬ１のマトリクス配列は２層で、２層目のマトリ
クス配列（実線）は、例えば１層目のマトリクス配列
（破線）における４個の受光素子集合間のギャップＧＡ
Ｐを埋めるように積み重ねられている。積み重ねで接触
する１層目と２層目の受光素子も、互いに表面のＮ型
層、内部のＰ型層がそれぞれ設けられた電極ＴＭＬｎ、
ＴＭＬｐにより接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に高い光電変換
率が要求される太陽電池等に適用される受光装置に関す
る。
率が要求される太陽電池等に適用される受光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】世界規模でエネルギー問題が重要になっ
ており、エネルギー源として太陽光等を有効利用する要
望、期待は高まるばかりである。その中で太陽電池、フ
ォトダイオードなどの受光装置は大変有用である。しか
し、太陽エネルギーの密度が低いことから、光電変換効
率は低く、結局大きな面積から太陽光を集めないと期待
した電力が得られない。
ており、エネルギー源として太陽光等を有効利用する要
望、期待は高まるばかりである。その中で太陽電池、フ
ォトダイオードなどの受光装置は大変有用である。しか
し、太陽エネルギーの密度が低いことから、光電変換効
率は低く、結局大きな面積から太陽光を集めないと期待
した電力が得られない。
【０００３】一般に、シリコン太陽電池の変換効率は理
論的に２４％程度とされる。実際には受光面の光の反
射、ケースや保護膜等の光透過度及びキャリアの再結
合、さらには結線に関係する直列抵抗損失等にて、十数
％程度の変換効率になっているのが現状である。
論的に２４％程度とされる。実際には受光面の光の反
射、ケースや保護膜等の光透過度及びキャリアの再結
合、さらには結線に関係する直列抵抗損失等にて、十数
％程度の変換効率になっているのが現状である。
【０００４】図１３は、従来の受光装置（太陽電池等）
の構成を示す模式断面図である。基板となる材料はＧａ
Ａｓ，ＩｎＰ他様々があるが、ここではＳｉ（シリコ
ン）について説明する。例えばＰ型シリコン基板でなる
Ｐ型層７１の表面に拡散技術等を用いて、Ｎ型層７２が
形成されている。さらに、Ｎ型層７２上には反射防止膜
として酸化シリコン膜７３等が形成されている。電極７
４はＰ型層７１に、電極７５はＮ型層７２に接続されて
いる。両電極７４，７５は、負荷７６に繋がる。
の構成を示す模式断面図である。基板となる材料はＧａ
Ａｓ，ＩｎＰ他様々があるが、ここではＳｉ（シリコ
ン）について説明する。例えばＰ型シリコン基板でなる
Ｐ型層７１の表面に拡散技術等を用いて、Ｎ型層７２が
形成されている。さらに、Ｎ型層７２上には反射防止膜
として酸化シリコン膜７３等が形成されている。電極７
４はＰ型層７１に、電極７５はＮ型層７２に接続されて
いる。両電極７４，７５は、負荷７６に繋がる。
【０００５】上記構成により、ＰＮ接合に照射された光
Ｌは自由電荷を発生させる。すなわち、ＰＮ接合部の空
乏領域の電界で電子がＮ型層７２に、正孔がＰ型層７１
にそれぞれ流れ出る。これにより、Ｎ型層７２は負に、
Ｐ型層７１は正に帯電して光起電力が生じ、両電極７
４，７５から負荷７６に電流が取り出せる。
Ｌは自由電荷を発生させる。すなわち、ＰＮ接合部の空
乏領域の電界で電子がＮ型層７２に、正孔がＰ型層７１
にそれぞれ流れ出る。これにより、Ｎ型層７２は負に、
Ｐ型層７１は正に帯電して光起電力が生じ、両電極７
４，７５から負荷７６に電流が取り出せる。
【０００６】しかし、Ｎ型層７２表面で反射される光Ｒ
や、図示しないが、ＰＮ接合に到達する前に電子、正孔
が再結合する短波長の光、ＰＮ接合をただ透過するだけ
の長波長の光など、電流の発生に寄与しない光もかなり
ある。
や、図示しないが、ＰＮ接合に到達する前に電子、正孔
が再結合する短波長の光、ＰＮ接合をただ透過するだけ
の長波長の光など、電流の発生に寄与しない光もかなり
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように従来では、
低い光電変換効率にも拘らず、平坦な表面を持つ受光装
置が一般的である。エネルギー密度の低い太陽光を最も
よく受光するには、表面に垂直に太陽光を受ける形態が
重要である。その意味で平板型では光が有効利用できる
入射方向が限られる。
低い光電変換効率にも拘らず、平坦な表面を持つ受光装
置が一般的である。エネルギー密度の低い太陽光を最も
よく受光するには、表面に垂直に太陽光を受ける形態が
重要である。その意味で平板型では光が有効利用できる
入射方向が限られる。
【０００８】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
のであり、その課題は、平板型よりも広い角度から太陽
光をより多く吸収でき、光電変換効率の改善を実現する
受光装置を提供することにある。
のであり、その課題は、平板型よりも広い角度から太陽
光をより多く吸収でき、光電変換効率の改善を実現する
受光装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の受光装置は、Ｐ
Ｎ接合を有する球状体の受光素子が複数相互に電気的に
接続される受光素子配列体と、前記受光素子配列体が固
定される基材とを具備したことを特徴とする。
Ｎ接合を有する球状体の受光素子が複数相互に電気的に
接続される受光素子配列体と、前記受光素子配列体が固
定される基材とを具備したことを特徴とする。
【００１０】本発明によれば、複数の球状体の受光素子
からなる受光素子配列体を構成することで、受光総面積
が平板型に比べ増加することも合わせて、入射した光の
反射をさらに吸収する構成が実現される。
からなる受光素子配列体を構成することで、受光総面積
が平板型に比べ増加することも合わせて、入射した光の
反射をさらに吸収する構成が実現される。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態に
係る受光装置の構成を示す外観図である。球状体の受光
素子ＣＥＬ１が複数マトリクス状に配列され、略平坦な
基材ＢＳ１に固定されている。隣接する各受光素子ＣＥ
Ｌ１は、互いに表面のＮ型層が電極ＴＭＬｎにより接続
され、かつ互いに内部のＰ型層が電極ＴＭＬｐにより接
続されている。
係る受光装置の構成を示す外観図である。球状体の受光
素子ＣＥＬ１が複数マトリクス状に配列され、略平坦な
基材ＢＳ１に固定されている。隣接する各受光素子ＣＥ
Ｌ１は、互いに表面のＮ型層が電極ＴＭＬｎにより接続
され、かつ互いに内部のＰ型層が電極ＴＭＬｐにより接
続されている。
【００１２】これら受光素子ＣＥＬ１のマトリクス配列
は図示のように２層になっている。２層目のマトリクス
配列（実線）は、例えば１層目のマトリクス配列（破
線）における４個の受光素子集合間のギャップＧＡＰを
埋めるように積み重ねられている。積み重ねられたとき
に接触する１層目と２層目の受光素子も、互いに表面の
Ｎ型層、内部のＰ型層がそれぞれ設けられた電極ＴＭＬ
ｎ、ＴＭＬｐにより接続されている。これら受光素子配
列全体は図示しない透光性樹脂膜等により保護される。
は図示のように２層になっている。２層目のマトリクス
配列（実線）は、例えば１層目のマトリクス配列（破
線）における４個の受光素子集合間のギャップＧＡＰを
埋めるように積み重ねられている。積み重ねられたとき
に接触する１層目と２層目の受光素子も、互いに表面の
Ｎ型層、内部のＰ型層がそれぞれ設けられた電極ＴＭＬ
ｎ、ＴＭＬｐにより接続されている。これら受光素子配
列全体は図示しない透光性樹脂膜等により保護される。
【００１３】図２は、図１における受光素子ＣＥＬ１ど
うしの接続部１ユニット分の構成例を示す任意の断面図
である。受光素子ＣＥＬ１は例えば反射防止膜２０１で
覆われ、その下に透光性金属層２０２が形成されてい
る。上述のように、各電極ＴＭＬｐは、それぞれの受光
素子ＣＥＬ１内部のＰ型層２０３と接続され、各電極Ｔ
ＭＬｎは、それぞれ受光素子表面のＮ型層２０４と接続
される。各電極ＴＭＬｐ，ＴＭＬｎはそれぞれ反射防止
膜と同様の酸化シリコン膜等の絶縁膜２０５を隔てて絶
縁されている。
うしの接続部１ユニット分の構成例を示す任意の断面図
である。受光素子ＣＥＬ１は例えば反射防止膜２０１で
覆われ、その下に透光性金属層２０２が形成されてい
る。上述のように、各電極ＴＭＬｐは、それぞれの受光
素子ＣＥＬ１内部のＰ型層２０３と接続され、各電極Ｔ
ＭＬｎは、それぞれ受光素子表面のＮ型層２０４と接続
される。各電極ＴＭＬｐ，ＴＭＬｎはそれぞれ反射防止
膜と同様の酸化シリコン膜等の絶縁膜２０５を隔てて絶
縁されている。
【００１４】このような電極ＴＭＬｐ，ＴＭＬｎのユニ
ットは、隣接する受光素子と接続する分だけ所定箇所に
設けられている。すなわち、図示の電極ＴＭＬｐ、ＴＭ
Ｌｎのユニット構成は、互いに異なる層のマトリクス配
列についての接続も合わせて、１個の受光素子ＣＥＬ１
あたりに最高で８ユニット設けられる。
ットは、隣接する受光素子と接続する分だけ所定箇所に
設けられている。すなわち、図示の電極ＴＭＬｐ、ＴＭ
Ｌｎのユニット構成は、互いに異なる層のマトリクス配
列についての接続も合わせて、１個の受光素子ＣＥＬ１
あたりに最高で８ユニット設けられる。
【００１５】球状体の受光素子ＣＥＬ１の製造プロセス
は、例えば次のように行なう。ボロン等、Ｐ型の不純物
をドープしたボール状のポリシリコン材または細線状の
ポリシリコン材料に高周波電源を印加し、溶融して再結
晶させると共に管壁を冷却した落下管内に落下させ再凝
固させる。
は、例えば次のように行なう。ボロン等、Ｐ型の不純物
をドープしたボール状のポリシリコン材または細線状の
ポリシリコン材料に高周波電源を印加し、溶融して再結
晶させると共に管壁を冷却した落下管内に落下させ再凝
固させる。
【００１６】あるいは、Ｐ型の不純物をドープしたシリ
コン単結晶基板に所望の突起部を形成する。突起部に加
熱用ビームを照射して溶融する。これにより、突起部先
端において表面張力により体積の大きな溶融球体をつく
る。溶融球体は、その付け根が種結晶となり、再結晶成
長する。所定時間経過後、大きくなった溶融球体は、そ
の付け根がレーザービームにより切り離され、落下管内
等の微小重力下において固化される。
コン単結晶基板に所望の突起部を形成する。突起部に加
熱用ビームを照射して溶融する。これにより、突起部先
端において表面張力により体積の大きな溶融球体をつく
る。溶融球体は、その付け根が種結晶となり、再結晶成
長する。所定時間経過後、大きくなった溶融球体は、そ
の付け根がレーザービームにより切り離され、落下管内
等の微小重力下において固化される。
【００１７】このようにしてできたほぼ単結晶のシリコ
ン球表面に対し、ドーピングや表面層を形成する。すな
わち、Ｎ型の不純物をガス拡散して表面から所定の深さ
にＰＮ接合を形成する。次に、透光性金属層（２０２）
をスパッタ形成する。続いて、酸化シリコン膜、チタン
酸化膜などの反射防止膜（２０１）が被覆される。次
に、マルチミラー等を用いたリソグラフィ技術により、
シリコン表面の所定部位にオーミック接続する電極（Ｔ
ＭＬｐ，ＴＭＬｎ）をそれぞれ酸化シリコン膜等の絶縁
膜（２０５）で隔てて形成する（図２参照）。
ン球表面に対し、ドーピングや表面層を形成する。すな
わち、Ｎ型の不純物をガス拡散して表面から所定の深さ
にＰＮ接合を形成する。次に、透光性金属層（２０２）
をスパッタ形成する。続いて、酸化シリコン膜、チタン
酸化膜などの反射防止膜（２０１）が被覆される。次
に、マルチミラー等を用いたリソグラフィ技術により、
シリコン表面の所定部位にオーミック接続する電極（Ｔ
ＭＬｐ，ＴＭＬｎ）をそれぞれ酸化シリコン膜等の絶縁
膜（２０５）で隔てて形成する（図２参照）。
【００１８】各電極ＴＭＬｐ，ＴＭＬｎは、隣接する受
光素子どうしで接続し合うため、例えばソルダリングが
適用される。電極ＴＭＬｐやＴＭＬｎそれぞれの形状
は、様々考えられる。はんだバンプなどの突起電極を形
成してもよい。
光素子どうしで接続し合うため、例えばソルダリングが
適用される。電極ＴＭＬｐやＴＭＬｎそれぞれの形状
は、様々考えられる。はんだバンプなどの突起電極を形
成してもよい。
【００１９】図３は、図１のマトリクス配列周縁におけ
る受光素子の一部の構成を示す概観図である。マトリク
ス配列周縁における各受光素子ＣＥＬ１において、各電
極ＴＭＬｐは共通接続されて端子１１に繋がり、各電極
ＴＭＬｎは共通接続されて端子１２に繋がる。例えば、
端子１１，１２に繋がる導電パターンを上記基材ＢＳ１
の内枠壁面に形成すれば構成しやすい。
る受光素子の一部の構成を示す概観図である。マトリク
ス配列周縁における各受光素子ＣＥＬ１において、各電
極ＴＭＬｐは共通接続されて端子１１に繋がり、各電極
ＴＭＬｎは共通接続されて端子１２に繋がる。例えば、
端子１１，１２に繋がる導電パターンを上記基材ＢＳ１
の内枠壁面に形成すれば構成しやすい。
【００２０】上記構成によれば、球状体の受光素子を基
材に複数配列し固定することで、入射した光の反射を抑
制すると共に、受光面の反射を更に吸収できる構成がで
きる。すなわち、図３に示すように、光Ｌは、球状体の
受光面からＰＮ層に吸収され、残りの反射された光Ｒも
反射を繰り返しながら、受光面に吸収され電気信号に変
換されていく。これにより、両端子１１，１２から電流
が取り出せる。
材に複数配列し固定することで、入射した光の反射を抑
制すると共に、受光面の反射を更に吸収できる構成がで
きる。すなわち、図３に示すように、光Ｌは、球状体の
受光面からＰＮ層に吸収され、残りの反射された光Ｒも
反射を繰り返しながら、受光面に吸収され電気信号に変
換されていく。これにより、両端子１１，１２から電流
が取り出せる。
【００２１】上記第１実施形態の構成により、受光総面
積が平板型の受光素子に比べて増加し、光電変換率の向
上に寄与する。下層のマトリクス配列における受光素子
の選択的な上部表面を反射層としてもよい。また、基材
表面を反射膜で被覆してもよい。
積が平板型の受光素子に比べて増加し、光電変換率の向
上に寄与する。下層のマトリクス配列における受光素子
の選択的な上部表面を反射層としてもよい。また、基材
表面を反射膜で被覆してもよい。
【００２２】図４は、本発明の利点を示す外観図であ
る。上記構成における球状体の受光素子ＣＥＬの配列
は、基材ＢＳの表面形状がある程度曲面を含んでいても
対応できる利点がある。このように、基材が回路基板で
ない、曲面を含んだあらゆるものを想定してもよく、接
着剤などで固着して使用できる。
る。上記構成における球状体の受光素子ＣＥＬの配列
は、基材ＢＳの表面形状がある程度曲面を含んでいても
対応できる利点がある。このように、基材が回路基板で
ない、曲面を含んだあらゆるものを想定してもよく、接
着剤などで固着して使用できる。
【００２３】上記第１実施形態に示す受光素子ＣＥＬ１
のマトリクス配列が、曲面を含む基材に構成される場
合、異なるマトリクス配列層間の受光素子の接続が困難
になる懸念がある。この場合、異なるマトリクス配列層
間の受光素子の接続は無くしてもよい。第１層、第２層
のマトリクス配列個々のデバイスとして接続線を結合さ
せれば、上記図３と同様の端子１１，１２を構成するこ
とになる。
のマトリクス配列が、曲面を含む基材に構成される場
合、異なるマトリクス配列層間の受光素子の接続が困難
になる懸念がある。この場合、異なるマトリクス配列層
間の受光素子の接続は無くしてもよい。第１層、第２層
のマトリクス配列個々のデバイスとして接続線を結合さ
せれば、上記図３と同様の端子１１，１２を構成するこ
とになる。
【００２４】また、上記第１実施形態では２層のマトリ
クス配列の構成を示したが、１層のみの構成も考えられ
る。それに応じて電極ＴＭＬｐ，ＴＭＬｎは、隣接する
受光素子ＣＥＬ１と接続する分だけ所定箇所に設けられ
る。これにより、電極ＴＭＬｐ，ＴＭＬｎの組を構成す
るユニットは、１個の受光素子ＣＥＬ１あたり４ユニッ
トということになる。このような１層のマトリクス配列
でも入射した光の反射を抑制、吸収できる構成は達成で
き、光電変換率の向上に寄与する。このときは、基材Ｂ
Ｓ１表面を反射膜で被覆すればなおよい。
クス配列の構成を示したが、１層のみの構成も考えられ
る。それに応じて電極ＴＭＬｐ，ＴＭＬｎは、隣接する
受光素子ＣＥＬ１と接続する分だけ所定箇所に設けられ
る。これにより、電極ＴＭＬｐ，ＴＭＬｎの組を構成す
るユニットは、１個の受光素子ＣＥＬ１あたり４ユニッ
トということになる。このような１層のマトリクス配列
でも入射した光の反射を抑制、吸収できる構成は達成で
き、光電変換率の向上に寄与する。このときは、基材Ｂ
Ｓ１表面を反射膜で被覆すればなおよい。
【００２５】図５は、本発明の第２実施形態に係る受光
装置の構成を示す外観図である。球状体の受光素子ＣＥ
Ｌ２が複数マトリクス状に配列され略平坦な基材ＢＳ２
に固定されている。隣接する各受光素子ＣＥＬ２に関
し、例えばマトリクス配列のＸ方向について互いに表面
のＮ型層が電極ＴＭＬｎにより接続され、さらにマトリ
クス配列のＹ方向について互いに内部のＰ型層が電極Ｔ
ＭＬｐにより接続されている。
装置の構成を示す外観図である。球状体の受光素子ＣＥ
Ｌ２が複数マトリクス状に配列され略平坦な基材ＢＳ２
に固定されている。隣接する各受光素子ＣＥＬ２に関
し、例えばマトリクス配列のＸ方向について互いに表面
のＮ型層が電極ＴＭＬｎにより接続され、さらにマトリ
クス配列のＹ方向について互いに内部のＰ型層が電極Ｔ
ＭＬｐにより接続されている。
【００２６】これら受光素子ＣＥＬ２のマトリクス配列
は図示のように２層になっている。２層目のマトリクス
配列（実線）は、１層目のマトリクス配列（破線）にお
ける４個の受光素子集合間のギャップＧＡＰを埋めるよ
うに積み重ねられている。積み重ねられたときに接触す
る１層目と２層目の互いの受光素子ＣＥＬ２は、図示し
ない透明な接着剤で固着されている。
は図示のように２層になっている。２層目のマトリクス
配列（実線）は、１層目のマトリクス配列（破線）にお
ける４個の受光素子集合間のギャップＧＡＰを埋めるよ
うに積み重ねられている。積み重ねられたときに接触す
る１層目と２層目の互いの受光素子ＣＥＬ２は、図示し
ない透明な接着剤で固着されている。
【００２７】上記マトリクス配列周縁における各受光素
子ＣＥＬ２において、各電極ＴＭＬｐは共通接続されて
端子２１に繋がり、各電極ＴＭＬｎは共通接続されて端
子２２に繋がる。例えば、端子２１，２２に繋がる導電
パターンを上記基材ＢＳ２の内枠壁面に形成すれば構成
しやすい。
子ＣＥＬ２において、各電極ＴＭＬｐは共通接続されて
端子２１に繋がり、各電極ＴＭＬｎは共通接続されて端
子２２に繋がる。例えば、端子２１，２２に繋がる導電
パターンを上記基材ＢＳ２の内枠壁面に形成すれば構成
しやすい。
【００２８】図６は、図４中の受光素子ＣＥＬ２に関す
る一つの接続部の構成例を示す任意の断面図である。上
述のように、電極ＴＭＬｐは受光素子内部のＰ型層２０
３と接続され、電極ＴＭＬｎは受光素子表面のＮ型層２
０４と接続される。これら電極ＴＭＬｐ，ＴＭＬｎは、
マトリクス配列の所定の一方向（Ｘ方向またはＹ方向）
に隣接する受光素子ＣＥＬ２の相互の電極と接続するた
め所定箇所に設けられている。球状体の受光素子ＣＥＬ
２の製造プロセスは、前記第１実施形態における説明と
同様に行えるため省略する。前記図２と同様の箇所には
同一の符号を付す。なお、ここでは透光性金属層２０２
上に形成される反射防止膜は図示省略している。
る一つの接続部の構成例を示す任意の断面図である。上
述のように、電極ＴＭＬｐは受光素子内部のＰ型層２０
３と接続され、電極ＴＭＬｎは受光素子表面のＮ型層２
０４と接続される。これら電極ＴＭＬｐ，ＴＭＬｎは、
マトリクス配列の所定の一方向（Ｘ方向またはＹ方向）
に隣接する受光素子ＣＥＬ２の相互の電極と接続するた
め所定箇所に設けられている。球状体の受光素子ＣＥＬ
２の製造プロセスは、前記第１実施形態における説明と
同様に行えるため省略する。前記図２と同様の箇所には
同一の符号を付す。なお、ここでは透光性金属層２０２
上に形成される反射防止膜は図示省略している。
【００２９】上記第２実施形態の構成によっても、球状
体の受光素子を基材に複数配列し固定することで、入射
した光の反射を抑制すると共に、受光面の反射を更に吸
収できる構成ができる。下層のマトリクス配列における
受光素子の選択的な上部表面を反射層としてもよい。こ
れにより、受光総面積が平板型の受光素子に比べて増加
し、光電変換率の向上に寄与する。
体の受光素子を基材に複数配列し固定することで、入射
した光の反射を抑制すると共に、受光面の反射を更に吸
収できる構成ができる。下層のマトリクス配列における
受光素子の選択的な上部表面を反射層としてもよい。こ
れにより、受光総面積が平板型の受光素子に比べて増加
し、光電変換率の向上に寄与する。
【００３０】また、前記図４に示すのと同様に、基材の
表面形状がある程度曲面を含んでいても対応できる利点
がある。また、球状体の受光素子ＣＥＬ２の配列は、２
層のマトリクス配列を構成したが、１層のみの構成も考
えられる。１層でも入射した光の反射を抑制、吸収でき
る構成は達成でき、光電変換率の向上に寄与する。この
ときは、基材表面を反射膜で被覆すればなおよい。
表面形状がある程度曲面を含んでいても対応できる利点
がある。また、球状体の受光素子ＣＥＬ２の配列は、２
層のマトリクス配列を構成したが、１層のみの構成も考
えられる。１層でも入射した光の反射を抑制、吸収でき
る構成は達成でき、光電変換率の向上に寄与する。この
ときは、基材表面を反射膜で被覆すればなおよい。
【００３１】なお、この第２の実施形態では、１層目と
２層目のマトリクス配列を積み重ねられたときに接触す
る１層目と２層目の互いの受光素子ＣＥＬ２は、透明な
接着剤で固定される構成を示したが、第１の実施形態と
同様に互いに表面のＮ型層、内部のＰ型層がそれぞれ設
けられた電極ＴＭＬｐ、ＴＭＬｎにより接続されてもよ
いし、どちらか一つの電極ＴＭＬｐあるいはＴＭＬｎを
形成して接続し合ってもよい。
２層目のマトリクス配列を積み重ねられたときに接触す
る１層目と２層目の互いの受光素子ＣＥＬ２は、透明な
接着剤で固定される構成を示したが、第１の実施形態と
同様に互いに表面のＮ型層、内部のＰ型層がそれぞれ設
けられた電極ＴＭＬｐ、ＴＭＬｎにより接続されてもよ
いし、どちらか一つの電極ＴＭＬｐあるいはＴＭＬｎを
形成して接続し合ってもよい。
【００３２】図７は、本発明の第３実施形態に係る受光
装置の構成を示す外観図である。導電パターンが形成さ
れた略平坦な基材ＢＳ３上に球状体の受光素子ＣＥＬ３
が複数マトリクス状に配列され固定されている。マトリ
クス配列に関し隣り合う各受光素子は、互いに表面のＮ
型層が電極ＴＭＬｎにより接続され、かつ、内部のＰ型
層が電極ＴＭＬｐにより基材ＢＳ３上の導電パターン
（プレートＰＬＴ）に共通接続されている。
装置の構成を示す外観図である。導電パターンが形成さ
れた略平坦な基材ＢＳ３上に球状体の受光素子ＣＥＬ３
が複数マトリクス状に配列され固定されている。マトリ
クス配列に関し隣り合う各受光素子は、互いに表面のＮ
型層が電極ＴＭＬｎにより接続され、かつ、内部のＰ型
層が電極ＴＭＬｐにより基材ＢＳ３上の導電パターン
（プレートＰＬＴ）に共通接続されている。
【００３３】これら受光素子ＣＥＬ３のマトリクス配列
は図示のように２層になっている。２層目のマトリクス
配列（実線）は、１層目のマトリクス配列（破線）にお
ける４個の受光素子集合間のギャップＧＡＰを埋めるよ
うに積み重ねられている。２層目のマトリクス配列にお
ける各受光素子ＣＥＬ３のＰ型層電極ＴＭＬｐは、上記
ギャップＧＡＰを介する電極ピン、ワイヤ等（ここでは
図示せず）によって、１層目のマトリクス配列と同様に
基材ＢＳ３上の導電パターンに共通に接続されている。
受光素子配列全体は図示しない透光性樹脂膜により保護
される。
は図示のように２層になっている。２層目のマトリクス
配列（実線）は、１層目のマトリクス配列（破線）にお
ける４個の受光素子集合間のギャップＧＡＰを埋めるよ
うに積み重ねられている。２層目のマトリクス配列にお
ける各受光素子ＣＥＬ３のＰ型層電極ＴＭＬｐは、上記
ギャップＧＡＰを介する電極ピン、ワイヤ等（ここでは
図示せず）によって、１層目のマトリクス配列と同様に
基材ＢＳ３上の導電パターンに共通に接続されている。
受光素子配列全体は図示しない透光性樹脂膜により保護
される。
【００３４】このように全ての受光素子ＣＥＬ３におけ
る各Ｐ型層電極ＴＭＬｐは、基材ＢＳ３上の導電パター
ン（プレートＰＬＴ）を介して端子３１に繋がり、１層
及び２層のマトリクス配列周縁における各受光素子ＣＥ
Ｌ３のＮ型層電極ＴＭＬｎは共通接続され端子３２に繋
がる。例えば、端子３２に繋がる導電パターンを上記基
材ＢＳ３の内枠壁面に形成すれば構成しやすい。なお、
球状体の受光素子ＣＥＬ２の製造プロセスは、前記第１
実施形態における説明と同様に行えるため省略する。
る各Ｐ型層電極ＴＭＬｐは、基材ＢＳ３上の導電パター
ン（プレートＰＬＴ）を介して端子３１に繋がり、１層
及び２層のマトリクス配列周縁における各受光素子ＣＥ
Ｌ３のＮ型層電極ＴＭＬｎは共通接続され端子３２に繋
がる。例えば、端子３２に繋がる導電パターンを上記基
材ＢＳ３の内枠壁面に形成すれば構成しやすい。なお、
球状体の受光素子ＣＥＬ２の製造プロセスは、前記第１
実施形態における説明と同様に行えるため省略する。
【００３５】図８は、図７の受光素子ＣＥＬ３に関する
接続部の構成例を示す任意の断面図である。前記図２と
同様の箇所には同一の符号を付す。なお、ここでは透光
性金属層２０２上に形成される反射防止膜は図示省略し
ている。上述のように、電極ＴＭＬｐは受光素子内部の
Ｐ型層２０３と接続され、電極ＴＭＬｎは受光素子表面
のＮ型層２０４と接続される。各マトリクス配列に関
し、隣接する電極ＴＭＬｎどうし接続し合い、各電極Ｔ
ＭＬｐは基材ＢＳ３上の導電パターン（ＰＬＴ）に共通
接続される。
接続部の構成例を示す任意の断面図である。前記図２と
同様の箇所には同一の符号を付す。なお、ここでは透光
性金属層２０２上に形成される反射防止膜は図示省略し
ている。上述のように、電極ＴＭＬｐは受光素子内部の
Ｐ型層２０３と接続され、電極ＴＭＬｎは受光素子表面
のＮ型層２０４と接続される。各マトリクス配列に関
し、隣接する電極ＴＭＬｎどうし接続し合い、各電極Ｔ
ＭＬｐは基材ＢＳ３上の導電パターン（ＰＬＴ）に共通
接続される。
【００３６】基材ＢＳ３上の導電パターンは、例えば銅
のような光を反射する導電性の薄いプレートＰＬＴであ
り、接続箇所のみ受光素子ＣＥＬ３のＰ型層電極ＴＭＬ
ｐと接続され、他は透光性樹脂膜ＦＬＭでコーティング
されている。２層目のマトリクス配列における各受光素
子ＣＥＬ３の電極ＴＭＬｐと基材ＢＳ３上の導電パター
ン（プレートＰＬＴ）とは電極ピンＥＰにより接続され
ている。
のような光を反射する導電性の薄いプレートＰＬＴであ
り、接続箇所のみ受光素子ＣＥＬ３のＰ型層電極ＴＭＬ
ｐと接続され、他は透光性樹脂膜ＦＬＭでコーティング
されている。２層目のマトリクス配列における各受光素
子ＣＥＬ３の電極ＴＭＬｐと基材ＢＳ３上の導電パター
ン（プレートＰＬＴ）とは電極ピンＥＰにより接続され
ている。
【００３７】上記第３実施形態の構成によっても、球状
体の受光素子を基材に複数配列し固定することで、入射
した光の反射を抑制すると共に、受光面の反射を更に吸
収できる構成ができる。すなわち、光は球状体の受光面
からＰＮ層に吸収され、残りの反射された光も反射を繰
り返しながら、受光面に吸収され電気信号に変換されて
いく。この結果、受光総面積が平板型の受光素子に比べ
て増加し、光電変換率の向上に寄与する。下層のマトリ
クス配列における受光素子の選択的な上部表面を反射層
としてもよい。
体の受光素子を基材に複数配列し固定することで、入射
した光の反射を抑制すると共に、受光面の反射を更に吸
収できる構成ができる。すなわち、光は球状体の受光面
からＰＮ層に吸収され、残りの反射された光も反射を繰
り返しながら、受光面に吸収され電気信号に変換されて
いく。この結果、受光総面積が平板型の受光素子に比べ
て増加し、光電変換率の向上に寄与する。下層のマトリ
クス配列における受光素子の選択的な上部表面を反射層
としてもよい。
【００３８】また、前記図３に示すのと同様に、基材の
表面形状がある程度曲面を含んでいても対応できる利点
がある。また、球状体の受光素子の配列は、２層のマト
リクス配列を構成したが、１層のみの構成も考えられ
る。１層でも入射した光の反射を抑制、吸収できる構成
は達成でき、光電変換率の向上に寄与する。
表面形状がある程度曲面を含んでいても対応できる利点
がある。また、球状体の受光素子の配列は、２層のマト
リクス配列を構成したが、１層のみの構成も考えられ
る。１層でも入射した光の反射を抑制、吸収できる構成
は達成でき、光電変換率の向上に寄与する。
【００３９】図９は、本発明の第４実施形態に係る受光
装置の構成を示す外観図である。球状体の受光素子ＣＥ
Ｌ４が複数千鳥状に組まれ、斜め配列を構成するように
略平坦な基材ＢＳ４に固定されている。前記第１実施形
態と同様に、隣り合う各受光素子ＣＥＬ４は、互いに表
面のＮ型層が電極ＴＭＬｎにより接続され、かつ、互い
に内部のＰ型層が電極ＴＭＬｐにより接続されている。
電極ＴＭＬｐ、ＴＭＬｎは、前記第１実施形態と同様に
構成できる。ここでは、電極ＴＭＬｐ、ＴＭＬｎの組
（ユニット）は、１個の受光素子ＣＥＬ４あたり最高で
６ユニット設けられる。
装置の構成を示す外観図である。球状体の受光素子ＣＥ
Ｌ４が複数千鳥状に組まれ、斜め配列を構成するように
略平坦な基材ＢＳ４に固定されている。前記第１実施形
態と同様に、隣り合う各受光素子ＣＥＬ４は、互いに表
面のＮ型層が電極ＴＭＬｎにより接続され、かつ、互い
に内部のＰ型層が電極ＴＭＬｐにより接続されている。
電極ＴＭＬｐ、ＴＭＬｎは、前記第１実施形態と同様に
構成できる。ここでは、電極ＴＭＬｐ、ＴＭＬｎの組
（ユニット）は、１個の受光素子ＣＥＬ４あたり最高で
６ユニット設けられる。
【００４０】斜め配列構成の周縁における各受光素子Ｃ
ＥＬ４において、各電極ＴＭＬｐは共通接続され、ま
た、各電極ＴＭＬｎは共通接続される。例えば、各々の
共通接続線の導電パターンを基材ＢＳ４の外枠壁面に形
成すると構成しやすい。配列構成全体は図示しない透光
性樹脂により保護される。球状体の受光素子ＣＥＬ４の
製造プロセスは、前記第１実施形態における説明と同様
に行えるため省略する。
ＥＬ４において、各電極ＴＭＬｐは共通接続され、ま
た、各電極ＴＭＬｎは共通接続される。例えば、各々の
共通接続線の導電パターンを基材ＢＳ４の外枠壁面に形
成すると構成しやすい。配列構成全体は図示しない透光
性樹脂により保護される。球状体の受光素子ＣＥＬ４の
製造プロセスは、前記第１実施形態における説明と同様
に行えるため省略する。
【００４１】図１０は、図９の基材ＢＳ４に関する要部
を示す概観図である。各受光素子ＣＥＬ４の斜め配列構
成の周縁に対し、基材ＢＳ４のハニカム構造を模った内
枠が接触している。この内枠の壁面に各電極ＴＭＬｐの
共通接続線４０１、各電極ＴＭＬｎの共通接続線４０２
が形成されている。共通接続線４０１は端子４１に繋が
り、共通接続線４０２は端子４２に繋がる。
を示す概観図である。各受光素子ＣＥＬ４の斜め配列構
成の周縁に対し、基材ＢＳ４のハニカム構造を模った内
枠が接触している。この内枠の壁面に各電極ＴＭＬｐの
共通接続線４０１、各電極ＴＭＬｎの共通接続線４０２
が形成されている。共通接続線４０１は端子４１に繋が
り、共通接続線４０２は端子４２に繋がる。
【００４２】上記第４実施形態の構成によれば、前記第
１の実施形態に比べて球状体の受光素子におけるマトリ
クス配列１層あたりの配列密度を高めることができる。
２層にしてもよいが、１層でも入射した光の反射を抑
制、吸収できる構成は達成でき、受光総面積が平板型の
受光素子に比べて増加する。これにより、光電変換率の
向上に寄与する。基材表面を反射膜で被覆すればなおよ
い。なお、上記構成においても基材の表面形状がある程
度曲面を含んでいても対応できる利点がある。
１の実施形態に比べて球状体の受光素子におけるマトリ
クス配列１層あたりの配列密度を高めることができる。
２層にしてもよいが、１層でも入射した光の反射を抑
制、吸収できる構成は達成でき、受光総面積が平板型の
受光素子に比べて増加する。これにより、光電変換率の
向上に寄与する。基材表面を反射膜で被覆すればなおよ
い。なお、上記構成においても基材の表面形状がある程
度曲面を含んでいても対応できる利点がある。
【００４３】また、図示はしないが応用例として、前記
第２の実施形態で説明したのと同様に、ある所定の配列
方向に対して受光素子ＣＥＬ４の電極ＴＭＬｐどうしを
接続する構成、電極ＴＭＬｎどうしを接続する構成をと
ってもよい。これにより、１個あたりの受光素子ＣＥＬ
４について電極ＴＭＬｐ，ＴＭＬｎの総数は減少され
る。
第２の実施形態で説明したのと同様に、ある所定の配列
方向に対して受光素子ＣＥＬ４の電極ＴＭＬｐどうしを
接続する構成、電極ＴＭＬｎどうしを接続する構成をと
ってもよい。これにより、１個あたりの受光素子ＣＥＬ
４について電極ＴＭＬｐ，ＴＭＬｎの総数は減少され
る。
【００４４】図１１は、本発明の第５実施形態に係る受
光装置の構成を示す外観図である。導電パターンが形成
された略平坦な基材ＢＳ５上に、球状体の受光素子ＣＥ
Ｌ５が複数千鳥状に組まれ、斜め配列を構成するように
固定されている。前記第３の実施形態と同様に、隣り合
う各受光素子ＣＥＬ５は、互いに表面のＮ型層が電極Ｔ
ＭＬｎにより接続され、かつ、内部のＰ型層が電極ＴＭ
Ｌｐにより基材ＢＳ５上の導電パターン（プレートＰＬ
Ｔ）に共通接続されている。配列構成全体は図示しない
透光性樹脂により保護される。
光装置の構成を示す外観図である。導電パターンが形成
された略平坦な基材ＢＳ５上に、球状体の受光素子ＣＥ
Ｌ５が複数千鳥状に組まれ、斜め配列を構成するように
固定されている。前記第３の実施形態と同様に、隣り合
う各受光素子ＣＥＬ５は、互いに表面のＮ型層が電極Ｔ
ＭＬｎにより接続され、かつ、内部のＰ型層が電極ＴＭ
Ｌｐにより基材ＢＳ５上の導電パターン（プレートＰＬ
Ｔ）に共通接続されている。配列構成全体は図示しない
透光性樹脂により保護される。
【００４５】基材ＢＳ５上の導電パターンは、前記第３
実施形態と同様に、例えば銅のような光を反射する導電
性の薄いプレート（ＰＬＴ）であり、接続箇所のみ各受
光素子ＣＥＬ５のＰ型層電極ＴＭＬｐと接続され、他は
透光性樹脂膜ＦＬＭでコーティングされている。
実施形態と同様に、例えば銅のような光を反射する導電
性の薄いプレート（ＰＬＴ）であり、接続箇所のみ各受
光素子ＣＥＬ５のＰ型層電極ＴＭＬｐと接続され、他は
透光性樹脂膜ＦＬＭでコーティングされている。
【００４６】すなわち、全ての受光素子ＣＥＬ５におけ
る各Ｐ型層電極ＴＭＬｐは、基材ＢＳ５底部の導電パタ
ーン（プレートＰＬＴ）に繋がる。また、斜め配列構成
の周縁における各受光素子ＣＥＬ５の各電極ＴＭＬｎ
は、共通接続される。例えば、電極ＴＭＬｎの共通接続
線の導電パターンを上記基材ＢＳ５の内枠壁面に形成す
れば構成しやすい。なお、球状体の受光素子ＣＥＬ５の
製造プロセスは、前記第１実施形態における説明と同様
に行えるため省略する。
る各Ｐ型層電極ＴＭＬｐは、基材ＢＳ５底部の導電パタ
ーン（プレートＰＬＴ）に繋がる。また、斜め配列構成
の周縁における各受光素子ＣＥＬ５の各電極ＴＭＬｎ
は、共通接続される。例えば、電極ＴＭＬｎの共通接続
線の導電パターンを上記基材ＢＳ５の内枠壁面に形成す
れば構成しやすい。なお、球状体の受光素子ＣＥＬ５の
製造プロセスは、前記第１実施形態における説明と同様
に行えるため省略する。
【００４７】図１２は、図１１の基材ＢＳ５に関する要
部を示す概観図である。各受光素子ＣＥＬ５の斜め配列
構成の周縁に対し、基材ＢＳ５のハニカム構造を模った
内枠が接触している。この内枠の壁面に各電極ＴＭＬｎ
の共通接続線５０２が形成されている。基材ＢＳ５底面
のプレートＰＬＴは端子５１に繋がり、共通接続線５０
２は端子５２に繋がる。
部を示す概観図である。各受光素子ＣＥＬ５の斜め配列
構成の周縁に対し、基材ＢＳ５のハニカム構造を模った
内枠が接触している。この内枠の壁面に各電極ＴＭＬｎ
の共通接続線５０２が形成されている。基材ＢＳ５底面
のプレートＰＬＴは端子５１に繋がり、共通接続線５０
２は端子５２に繋がる。
【００４８】上記第５実施形態の構成によれば、前記第
３の実施形態に比べて球状体の受光素子におけるマトリ
クス配列１層あたりの配列密度を高めることができる。
２層にしてもよいが、１層でも入射した光の反射を抑
制、吸収できる構成は達成でき、受光総面積が平板型の
受光素子に比べて増加する。これにより、光電変換率の
向上に寄与する。上記構成における球状体の受光素子Ｃ
ＥＬ５の配列によっても、基材の表面形状がある程度曲
面を含んでいても対応できる利点がある。
３の実施形態に比べて球状体の受光素子におけるマトリ
クス配列１層あたりの配列密度を高めることができる。
２層にしてもよいが、１層でも入射した光の反射を抑
制、吸収できる構成は達成でき、受光総面積が平板型の
受光素子に比べて増加する。これにより、光電変換率の
向上に寄与する。上記構成における球状体の受光素子Ｃ
ＥＬ５の配列によっても、基材の表面形状がある程度曲
面を含んでいても対応できる利点がある。
【００４９】このように、各実施形態における受光装置
の構成によれば、球状体の受光素子を基材に複数配列し
固定する。各実施形態における受光素子は１ｍｍ程度と
するが、それより小さくても、大きくてもかまわない。
これにより、受光総面積が平板型の受光素子に比べて増
加する。また、入射した光の反射を抑制すると共に、受
光面の反射を更に吸収できるような構成が実現できる。
の構成によれば、球状体の受光素子を基材に複数配列し
固定する。各実施形態における受光素子は１ｍｍ程度と
するが、それより小さくても、大きくてもかまわない。
これにより、受光総面積が平板型の受光素子に比べて増
加する。また、入射した光の反射を抑制すると共に、受
光面の反射を更に吸収できるような構成が実現できる。
【００５０】また、基材の表面形状がある程度曲面を含
んでいても対応できる。これにより、光の入射方向の自
由度がより大きくなり、車体，建物の天井、電柱、ヘル
メット、輸送機器、電気製品、腕時計、人工衛星等の太
陽電池に好適である。
んでいても対応できる。これにより、光の入射方向の自
由度がより大きくなり、車体，建物の天井、電柱、ヘル
メット、輸送機器、電気製品、腕時計、人工衛星等の太
陽電池に好適である。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、球
状体の受光素子を基材に複数配列し固定することで、入
射した光の反射を抑制すると共に、受光面の反射を更に
吸収できる構成ができる。この結果、平板型よりも広い
角度から太陽光をより多く吸収でき、受光総面積が増加
し、光電変換率の改善が実現される受光装置を提供する
ことができる。
状体の受光素子を基材に複数配列し固定することで、入
射した光の反射を抑制すると共に、受光面の反射を更に
吸収できる構成ができる。この結果、平板型よりも広い
角度から太陽光をより多く吸収でき、受光総面積が増加
し、光電変換率の改善が実現される受光装置を提供する
ことができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る受光装置の構成を
示す外観図である。
示す外観図である。
【図２】図１中の受光素子に関する一つの接続部の構成
例を示す任意の断面図である。
例を示す任意の断面図である。
【図３】図１中のマトリクス配列周縁における受光素子
の一部の構成を示す概観図である。
の一部の構成を示す概観図である。
【図４】本発明の利点を示す外観図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る受光装置の構成を
示す外観図である。
示す外観図である。
【図６】図４中の受光素子に関する一つの接続部の構成
例を示す任意の断面図である。
例を示す任意の断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る受光装置の構成を
示す外観図である。
示す外観図である。
【図８】図７中の受光素子に関する接続部の構成例を示
す任意の断面図である。
す任意の断面図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係る受光装置の構成を
示す外観図である。
示す外観図である。
【図１０】図９中の基材に関する要部を示す概観図であ
る。
る。
【図１１】本発明の第５実施形態に係る受光装置の構成
を示す外観図である。
を示す外観図である。
【図１２】図１１中の基材に関する要部を示す概観図で
ある。
ある。
【図１３】従来の受光装置（太陽電池等）の構成を示す
模式断面図である。
模式断面図である。
ＣＥＬ１〜ＣＥＬ５…球状体の受光素子、ＢＳ１〜ＢＳ
５…基材、ＴＭＬｐ…Ｐ型層の電極、ＴＭＬｎ…Ｎ型層
の電極、ＧＡＰ…ギャップ、ＰＬＴ…導電性プレート、
ＦＬＭ…透光性樹脂膜、ＥＰ…電極ピン、１１，１２，
２１，２２，３１，３２，４１，４２，５１，５２…端
子、７１…Ｐ型層、７２…Ｎ型層、７３，２０１…反射
防止膜、７４，７５…電極、７６…負荷、２０２…透光
性金属層、２０３…Ｐ型層、２０４…Ｎ型層、絶縁膜、
４０１，４０２，５０２…共通接続線、Ｌ…光（入射
光）Ｒ…反射された光。
５…基材、ＴＭＬｐ…Ｐ型層の電極、ＴＭＬｎ…Ｎ型層
の電極、ＧＡＰ…ギャップ、ＰＬＴ…導電性プレート、
ＦＬＭ…透光性樹脂膜、ＥＰ…電極ピン、１１，１２，
２１，２２，３１，３２，４１，４２，５１，５２…端
子、７１…Ｐ型層、７２…Ｎ型層、７３，２０１…反射
防止膜、７４，７５…電極、７６…負荷、２０２…透光
性金属層、２０３…Ｐ型層、２０４…Ｎ型層、絶縁膜、
４０１，４０２，５０２…共通接続線、Ｌ…光（入射
光）Ｒ…反射された光。
Claims (8)
- 【請求項１】 ＰＮ接合を有する球状体の受光素子が複
数相互に電気的に接続される受光素子配列体と、 前記受光素子配列体が固定される基材と、 を具備したことを特徴とする受光装置。 - 【請求項２】 前記基材は曲面を含むことを特徴とする
請求項１記載の受光装置。 - 【請求項３】 前記基材は前記受光素子配列体と電気的
に接続される導電パターンを有することを特徴とする請
求項１記載の受光装置。 - 【請求項４】 前記受光素子配列体は積み重ねられ、相
互に電気的接続を有することを特徴とする請求項１記載
の受光装置。 - 【請求項５】 ＰＮ接合を有する球状体の受光素子と、 前記受光素子が互いに隣接するように複数配列され固定
される基材と、 前記受光素子と電気的に接続される前記基材上の導電パ
ターンと、を具備したことを特徴とする受光装置。 - 【請求項６】 前記受光素子が複数相互に電気的接続を
有することを特徴とする請求項５記載の受光装置。 - 【請求項７】 前記受光素子は複数積み重ねられ、相互
に電気的接続を有することを特徴とする請求項５記載の
受光装置。 - 【請求項８】 前記受光素子は選択的な領域に反射層が
設けられていることを特徴とする請求項５記載の受光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27791699A JP2001102618A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27791699A JP2001102618A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001102618A true JP2001102618A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17590091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27791699A Pending JP2001102618A (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | 受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001102618A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076249A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Dainippon Printing Co Ltd | クラスタ球状半導体 |
| WO2003017382A1 (fr) * | 2001-08-13 | 2003-02-27 | Josuke Nakata | Module a semi-conducteur emetteur de lumiere ou recepteur de lumiere et procede de fabrication correspondant |
| WO2003017383A1 (en) * | 2001-08-13 | 2003-02-27 | Josuke Nakata | Semiconductor device and method of its manufacture |
| WO2003036731A1 (en) * | 2001-10-19 | 2003-05-01 | Josuke Nakata | Light emitting or light receiving semiconductor module and method for manufacturing the same |
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