DE1539564A1 - Lumineszenzdiode mit hohem Wirkungsgrad - Google Patents

Lumineszenzdiode mit hohem Wirkungsgrad

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DE1539564A1 DE19661539564 DE1539564A DE1539564A1 DE 1539564 A1 DE1539564 A1 DE 1539564A1 DE 19661539564 DE19661539564 DE 19661539564 DE 1539564 A DE1539564 A DE 1539564A DE 1539564 A1 DE1539564 A1 DE 1539564A1
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Description

SIEMEHS AEtIMaESELlS CHAlT München 2, f4^pft|ggg
Berlin und München Wittelsbacherplatz 2
P 15 39 564. 9 PA 66/5119
Lumineszenzdiode mit hohem Wirkungsgrad
Die Erfindung betrifft eine Lumineszenzdiode, insbesondere eine AB -, z.B.\ eine G-aAs-Lumineszenzdlode, deren Wirkungsgrad durch Reflexion der emittierten Strahlung an einem Hohlspiegel und Bündelung der Strahlung in die Richtung der Reflektorachse erhöht ist.
Anordnungen, bei denen sich die lichtabstrahlende Lumineszenzdiode etwa im Brennpunkt eines Hohlspiegels, z.B. eines Parabolspiegels befindet, sind bekannt (vgl, z.B. W.N". GARR: IEEE Irans, on EIectr. Devices ED-12 (1965) 531) und wurden zur Messung des äußeren Wirkungsgrades benutzt.
Der vorliegenden Erfindung liegt derselbe G-edanke zugrunde,
Rb/Rl - 2 -
Meue Unterlagen (Art.7 §i Abs.2 Nr. τ satz 3des,Ämtewneage*™* tsR67?lNAf-
PA 9/493/823
nämlich möglichst Tiel des erzeugten lichts in eine Vorzugsrichtung zu bündeln. Dazu wird auch das Prinzip der Reflexion dec Lichts an einem Hohlspiegel vorwendet.
Allerdings wird das Ziel nicht durch die Benutzung eines externen, d.h. nicht zum Halbleiterkörper der Lumineszenzdiode gehörenden Hohlspiegels, sondern vielmehr dadurch erreicht, daß ein Teil der Oberfläche den die eine Diodenzone bildenen Trägerkristalls als Reflektor für die am pn-übergang im Inneren des Trägerkristalls erzeugte Lumineszenzstrahlung und ein anderer, insbesondere der restliche Teil der Trägerkristalloberfläche als Strahlungsaustrittsflächo ausgebildet sind.
Der als Reflektorfläche ausgebildete Teil der Trägerkristalloberfläche kann mit einer gut reflektierenden, gut wärmeleitenden und gut elektrisch leitenden, insbesondere metallischen Schicht belegt sein, go daß die Möglichkeit besteht, die "\Ter lustwärme, die beim Betrieb der Diode entsteht, abzuleiten, den Trägerkristall, der gleichzeitig eine Diodenzone bildet, elektrisch "",; . kontaktieren \\n(x außerdem die Reflexionswirkung an diesem Teil der Trägerkristalloberflache zu erhohen. Die Strahlenaustrittsfläche kann nach an sich bekannter Technik mit einer reflexionsmindernden Schicht versehen sein, so daß das Licht möglichst vollkommen nach außen, und zwar durch die Reflexion an der als Hohlspiegel wirkenden Reflektorfläche gebündelt, austritt» Mit einer derartigen Anordnung kann also erreicht v/erden, daß
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PA 2/·;9;/023 _
fast das gesamte, an pn-übergang im Inneren den Trägerkiistails erzeugte Licht in einer Vorzugsrichtung (Reflektorachse) abgestrahlt wird. Eine so ausgebildete lumineszenzdiode eignet sich auf Grund des hohen Wirkungsgrades besonders als Senderelement in einer optoelektronischenAnordnung, mit der bekanntlich eiii elektrisches Signal zunächst in Licht umgewandelt und dann in Form von optischer Strahlung übertragen werden soll« .
Weitere Einzelheiten sind in der nachfolgenden Beschreibung " und an Hand der Figuren 1 biß 7 näher erläutert.
Die Lumineszenzdiode kann s.B. ausΛ B -Material, vorzugsweise aus Galliumarsenid, GoAs, bestehen. Im allgemeinen ist eine colche Diode so aufgebaut, daß die- an pn-übergang erzeugte LuminesF-cnzstralilung durch die n-Eone der Diode nach außen fällt. Es ist deshalb vorteilhaft, daß der TräVerkristall der erfindungcgen-äßen LumineszcnzaiOde aus n-Typ-GaAa besteht, ι
Der als Reflektor ausgebiläete Seil der ITrägcrkristalloberfläche soll zur Erhöhung der Se-flexion nit einer gut reflektierenden Schicht versehen sein. TJn' gleichseitig die "~ Yerlustwärnie der Diode ableiten zu können, eignet sich deshalb ein metallischer Überzug, s.B. aus Silber, Kupfer, Aluminiun oder auch einer Legierung. Diese metallische Schicht kann außerdem als Elektrodenkontaktierun,r des ■ .. ' irügerkri stalls j der ja'als eine Diodenzcnc benutzt ..wird,.
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PA 9/493/823 -4- ic-joce/
verwendet v/erden. Dio Reflektorfläche kann, ehe sie mit der Schicht versehen wird, poliert sein.
Die Strahlungsaustrittsfläehc soll auf der Reflektorachse senkrecht stehen, un eine Bündelung des austretenden Lichts in die Richtung der Reflcktorachsc (gewünschte Richtung der optischen Signalübertragung) zu ermöglichen.
Da infolge des. hohen Brechungsindex des GaAs an der Grenz-fläche gegen luft bereits bei einen Einfallswinkel von etwa 17° Totalreflexion einträte, muß diese Strahlenaustrittsflächc mit einer rcfiexionsrnindernden Schicht versehen werden. Das kann ohne Schwierigkeiten nach an sich bekannten Techniken geschehen.
Gleichzeitig gut bündelnde Reflektoreigenschaf teil haben s.B. Flächen von der Gestalt eines. Teiles einer der folgend ausgeführten geometrischen Formen:
Elliptisches Paraboloid, Rotationsparaboloid, Ellipsoid, Rotationsellipsoid, Kugel. Die Bündelung in Falle einer rotationsparaboloidißchen Reflektorfläche wird dann optimal, wenn der pn-übergang in der Umgebung des Parabelbrennpunktes F in Inneren des !rägerkristalTs liegt, in Falle eines Rotationsellipsoids als Reflektorfläche in der Umgebung des einen Ellipsenbrennpunktes F^. In Falle einer kugolförnigen Reflektorfläche muß der pn-übergang zwischen den Kugelnittolpunkt M und der Reflektorfläche liegen.
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Die Strahlenaustrittsflache kann eine zur Reflektorachse senkrechte Ebene oder auch eine senkrecht zur Reflektor-♦ achse stehende und so gewölbte Fläche sein, daß die austretende Strahlung zumindest teilweise in Richtung der Reflektorachse gebündelt wird. Bei Ausbildung der Reflektorfläche in Gestalt eines Rotationsellipsoids in Verbindung mit den Lichterzeugenden pn-übergang in der Umgebung des einen Brennpunktes P^ ist es besonders zweckmäßig, die Strahlenaustrittsfläche in Gestalt einer zun zweiten Brenn-.punkt Pp konfokalen Kugelfäehe herzustellen; dann wird |
näirijich erreicht, daß fast die gesamte Lumineszenzstrahlung in den zweiten Brennpunkt, P2, gesammelt wird.
Der pn-übergang soll im Inneren des !Erägerkristalls, der die eine Dioden-Zone bildet, angeordnet sein. Die Herstellung des pn-Üborgangcs kann folgendermaßen geschehen: Längs der Reflektorachse, und zwar entweder von der Seite der Reflekorflache oder von der Seite der Strahlenaustrittsflache her, wird in den Trügorkristall, der als eine Diodenzone dient, ein Loch nit einen Querschnitt, der wesentlich kleiner als die Strahlenaustrittsflache ist, gebohrt und an der vorgesehenen Stelle die anders dotierte Zone und damit der pn-übergang erzeugt. Die axiale Bohrung kann dabei z.B. mittels Slektronenstrahlen,Ionenstrahlen, Laserstrahlen oder auch durch Ätzen nit einen Gas- oder Flüssigkeitsstrahl hergestellt werden. Die anders dotierte Zone, und damit der pn-übergang, kann dann an der gewünschten Stelle der axialen Bohrimg durch Legieren, Diffundieren oder auch durch Einschießen fokussierter lonenstraiilen erzeugt werden.
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ßAD ORIGINAL
.PA 9/493/825 ■ ·- : '*** ··*
. Die Kontaktierung dieser so erzeugten zweiten Diodenzone kann durch Anlegieren eines gegen den Trägerkristall elektrisch isolierten Drahtes oder auch durch Aufsetzen eines ebenfalls elektrisch gegen den Trägerkristall isolierten Spitzenkontaktes hergestellt werden.
In den Figuren 1 bis 7 sind folgende Ausführungsbeispiole skizziertί '
Pig. 1 : Rotationsparaboloid (Brennpunkt F) als Reflektorfläche ebene Strahlenaustrittsfläche axiale Bohrung von der Seite der Strahlensr.ia-trü,!;'»-
flache her; pn-übergang bei F
Fig. 2 ί wie in Fig. 1, nur gewölbte Strahlenaustrittsflächc Fig. 3 : langgestrecktes Rotationsparaboloid (Brennpunkt F)
als Reflektorfläche; a-Äbntand des Brennpunktes F von der Strahlenaustrittsfläche kugelförmige Strahlenaustrittsfläche (Kriiramungsinittel-
punkt Mr, Krümmungsradius r ia) axiale Bohrung von der Seite der Reflektorfläche her.·
pn-übergang bei F
Fig. 4 : Rotationsellipsoid (Brennpunkte F1 u. F2) als Reflektorfläche
ebene Strahlenaustrittsfläche axiale Bohrung von der Seite der Strahlenaustritts- ·
fläche her; pn-übergang bei Ff Fig. 5 : langgestrecktes, d.h. stark exzentrisches Rotations-
ellipsoid (Brennpunkte F-, u.Fp) als
Eeflektorfläcite S03850/046!
BAD ORIQiNAL
zuri zweiten Brennpunkt konfokale Kugelfläche (Mittelpunkt Mr=Fp) als Strahlenaustrittsfläche
axiale Bohrung von der Seite der Strahlungsaustritts-
flache her; pn-übergang bei P^ Pig. 6 : Kugelfläche (Mittelpunkt M) alo RdLektorflache ebene Strahlenauotrittsfläche zwischen Reflektor-
flache und deren Krümmungsniittelpunkt M
pn-übergang an einer Stolle P zwischen M und Reflektorfläche
Pig, 7 J Kugelfläche (Mittelpunkt M) als Reflektorfläche gewölbte Strahlenaustrittsfläche axiale Bohrung von der Seite der Str&hlenatistritts-
fläche her; y.·:.-L-:-·· '-·-.- '-
pn-übergang bei P awischen M und Reflektorfläche
Übereinstimmend in allen Figuren bedeuten:
1 = Trägerkristall, der eine Diodenzone bildet
■..■■■; " . ■; I
2 = andere Modenzonc
3 = pn-^bergangsgebiet !
4 ■=.Reflektorfläche
5 - Strahlenaustrittsfläche
6 = gutreflektierende, elektrisch und v/ärineleitende Schicht
7 - reflexicnsnindernde Schicht
A s=. Rcflcktorachso . :
E1= 'Slektroäenzuführung zum Srägerkristall 1 '
En= gegen den Srägerkristall elektrisch isolierte Elektrodenzuführung der anddren'Biodenzone 2
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RP bedeutet Rotationsparaboloid RE bedeutet Rotationsellipsoid K bedeutet Kugel
27 Patentansprüche 7 Figuren
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Claims (1)

  1. Patentansprüche
    μ. Lumineszenzdiode, deren Wirkungsgrad durch Reflexion der emittierten Strahlung an einer als Hohlspiegel wirkenden Fläche erhöht ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil der Oberfläche des die eine Diodenz.one bildenden TrUgcrkristall ■ (1) als Reflektor (4) für die an -pn-übergang (3), der im Inneren des Trugerkristalls (1) hergestellt ist, erzeugte luraincszcnzstrahlung und ein anderer, insbesondere der restliche'Teil der TrUgerkristalloberflache als Strahlenaustrittsfläche (5) f ausgebildet sind.
    Lumineszenzdiode nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß der Trägcrkristall (l) aus n-Typ-Galliumarsenid besteht.
    3-. Lumineszenzdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der als Reflektor (4) dienende Teil der Trägerkristalloberflächc mit einer gutreflektiercnden, warne- und elektrisch leitenden, insbesondere metallischen Schicht (6) versehen ist. (
    4. Lumineszenzdiode nach einem der Ansprüche 1 - 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlenaustrittsfläche (5) mit einer reflexicnsmindcrnden Schicht (7) verschen ist.
    5. Lumineszenzdiode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß. der als Reflektor (4) dienende Teil der Trägerkristalloberfläche die Gestalt eines zur Reflcktorachse (A) symmetrischen Teils der Oberfläche eines elliptischen Paraboloids hat.
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    6. lumineszenzdiode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnety daß ' der als Reflektor (4) dienende Teil der Trügerkristall-·':i oberfläche die Gestalt eines zur Reflektorachso (A) symmetrischen Teils der Oberfläche eines Rotationsparaboloids (RP) hat (Fig. 1-3).
    7. lumineszenzdiode nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der pn-übergang (3) in der Umgebung des Brennpunktes (P) hergestellt ist (Fig. I - 3 ).
    8. Lumineszenzdiode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der als Reflektor (4) dienende Teil der Trägerkristalloberfläche die Gestalt eines zur Reflektorachse (A) symmetrischen Teils der Oberfläche eines Eilipsoida hat.
    9. lumineszenzdiode nach Anspruch 4» dadurch gekennzeichnet, daß der als Reflektor (4), dienende Teil der Trägerkristalloberfläche die Gestalt eines zur Rcflckorachso (A) symraentrischen Teils der Oberfläche eines RotaticmseliipGoids (RE) hat (Fig. 4 und 5).
    10. Lumineszenzdiode nach Anspruch 9> dadurch gekennzeichnet, daß der pn-übergang (3) in der Umgebung des Brennpunktes (F^) hergestellt ist (Fig. 4 und 5).
    11. Lumineszenzdiode nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der als Reflektor (4) dienende Teil der Trägerkristalloberfläche die Gestalt eines Teils einer Kugelfläche (K) hat (Fig. 6 und 7).
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    FA 9/493/823 - 11 ~
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    12.'lumineszenzdiode nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der pn-übergang (3) an einer Stelle (P) auf der Re fielet orach se (Λ). zwischen Kugelmittelpunkt (M) und kugelfonniger Reflektorfläche (4) erzeugt ist (Fig.6 und 7).
    13. lumineszenzdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlenaustrittsflache (5) eine zur Reflektorachse (A) senkrechte Ebene ist (Fig. 1,4*6).
    14. Lumineszenzdiode nach einen der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlenaustrittsfläche (5) eine zur Reflektorachs ο (A) symme.ntri8.cho und so gev/ölbte " Fläche ist, daß die austretende Strahlung zumindest teilweise in Richtung der Reflektorachse (A) gebündelt ist.
    15. Lumineszenzdiode nach Anspruch 10 und 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlenaustrittsflache (5) eine zun ZVi et ten Brennpunkt (Fo = Mt) des Rotationsellipsoids (RE) konfokalc Kugelfläche (K) zwischen beiden Brennpunkten (F1 und F2) ist (Fig. 5).
    16. Verfahren zun Heritjllen des pn-tJbergangs, der sich nach Anspruch 1 im Inneren des Trägerkristalls (1) befinden soll, dadurch gekennzeichnet, daß längs der Achse.(A) ein Loch mit einem Querschnitt, der in Vergleich zur Strahlenaustrittsfläeho (5) klein ist, gebohrt und an der vorgesehenen Stelle die Zone (2), deren Leitungstyp dem des irägerkristalls (1) entgegengesetzt ist, und damit auch der pn-tlbergang (3)
    erzeugt vferden.
    909850/0461 - BAD ORIGINAL >d
    17· Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Bohrung längs der Achse (A) raittc-lß Elektronenstrahlen erzeugt wird.
    18. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daf3 die Bohrung länge der Achse (A) mittels Ionenstrahlen erzeugt wird.
    ^ 19. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Bohrung längs der Achse (A) mittels Laserstrahlen erzeugt wird.
    20. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Bohrung längs der Achse- (A) durch Ätzen mit einen Gasstrahl erzeugt wird.
    21. Verfahren nach Anspiuch 16, dadurch gekennzeichnet, daß •die Bohrung längs der Achse (A) durch Ätzen rait-einen Flüssigkeitsstrahl erzeugt wird.
    22. Verfahren nach einen der Ansprüche 1X - 21, dadurch gekennzeichnet, "daß die Zone (2),-deren Ifn.tungntyp den den Trügerkristalls (1) entgegengesetzt" irt, und danit auch der pn-Ül:ergang (3) durch legieren ei ε-3-uft werden.
    2J. Verfahren nach eir.cn der Ansprüche 16 — 21, dadurch gekennzeichnet, daio die Zone (2), deren Lei fange typ den de-3. Trügeiv.riD tails (1) entgegengesotet int, .und danit
    9098507(HSt:
    auch derpn-übergang (3)" durch Diffundieren erzeugt- Yierdeh;
    24· Verfahren nach einen der Ansprüche 16 - 21, dadurch ge^ kennzeichnet, daß die Zone (2), deren teitungstyp debt des Trä-gerkristalls (-1) entgegengesetzt ist, Und danii auch der pn-übergang (3) durch Einschießen fokussierter Ionehstrahlen erEeugt vrerdeh.
    25. iunineszehzdiode nach'einen der Ansprüche 1 - 24, dadür.cli
    : gekenne zeichnet, daß die ■ gutreflektierende * v/ärmeieitende " und elektrisch leitende Schicht (6) auf dein al© Reflektor (4) v/irkende Teil der Tragerkristalloberfläche mit der einen Blektrode (B,), die in der axialen Bohrung lh innerert dea Trügerkristalls erzeugte Zonq (2) rait der anderen, elektrisch gegen den Trägerkristall isolierten Elektrode (Eg) kontaktiert ist. ' - ■
    26. lumineüzensdiode nach Anspruch; 2-5 ,-· dadurch gekennzeichnet,
    daß die Kontaktierung durch Einlegieren dünner lirähte .(
    hergestellt ist.
    2?. turnineszenzdiode: nach-Anspruch 25, dadurch .gekennzeichnet, daß die Kontaktierung durch, federnd aufgesctZtc S.pitzen-'kontakte" hergestellt iat. ' ■ ■ . ; ; \... . ..
    ■> \
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SE (1) SE342383B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4698730A (en) * 1986-08-01 1987-10-06 Stanley Electric Co., Ltd. Light-emitting diode
DE19924316A1 (de) * 1999-05-27 2000-11-30 Zumtobel Staff Gmbh Lumineszenzdiode

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5133171Y1 (de) * 1970-12-26 1976-08-17
JPS4942290A (de) * 1972-03-03 1974-04-20
JPS49149679U (de) * 1973-04-27 1974-12-25
JPS5418906B2 (de) * 1973-05-16 1979-07-11
JPS54774Y2 (de) * 1977-10-20 1979-01-16
EP0450560B1 (de) * 1990-04-03 1998-07-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optische Vorrichtung
AU2001277779B2 (en) 2001-08-13 2005-04-07 Sphelar Power Corporation Semiconductor device and method of its manufacture
JP3904558B2 (ja) 2001-08-13 2007-04-11 仗祐 中田 発光又は受光用半導体モジュール及びその製造方法
JP3904559B2 (ja) 2001-10-19 2007-04-11 仗祐 中田 発光又は受光用半導体モジュールおよびその製造方法
KR100652916B1 (ko) 2002-05-02 2006-12-01 죠스케 나카다 수광 또는 발광용 패널 및 그 제조 방법
US7220997B2 (en) 2002-06-21 2007-05-22 Josuke Nakata Light receiving or light emitting device and itsd production method
US7387400B2 (en) 2003-04-21 2008-06-17 Kyosemi Corporation Light-emitting device with spherical photoelectric converting element
WO2004109890A1 (ja) 2003-06-09 2004-12-16 Kyosemi Corporation 発電システム
WO2005041312A1 (ja) 2003-10-24 2005-05-06 Kyosemi Corporation 受光又は発光モジュールシート及びその製造方法
US7070301B2 (en) * 2003-11-04 2006-07-04 3M Innovative Properties Company Side reflector for illumination using light emitting diode
DE102005033005A1 (de) * 2005-07-14 2007-01-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Chip
EP3297044A1 (de) * 2016-09-19 2018-03-21 Nick Shepherd Verbesserter led-strahler, led-chip und verfahren zur herstellung davon

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4698730A (en) * 1986-08-01 1987-10-06 Stanley Electric Co., Ltd. Light-emitting diode
DE19924316A1 (de) * 1999-05-27 2000-11-30 Zumtobel Staff Gmbh Lumineszenzdiode
DE19924316B4 (de) * 1999-05-27 2010-10-07 Zumtobel Lighting Gmbh Lumineszenzdiode

Also Published As

Publication number Publication date
NL6710636A (de) 1968-05-10
CH474201A (de) 1969-06-15
AT274914B (de) 1969-10-10
SE342383B (de) 1972-01-31
GB1195547A (en) 1970-06-17

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