JP3436723B2 - 太陽電池の製造方法及び太陽電池 - Google Patents
太陽電池の製造方法及び太陽電池Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明属する技術分野】本発明は、太陽電池の製造方法
及び太陽電池に係り、特に球状半導体を用いた太陽電池
の製造方法及び太陽電池に関する。
及び太陽電池に係り、特に球状半導体を用いた太陽電池
の製造方法及び太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体のｐｎ接合部分には内部電界が生
じており、これに光を当て、電子正孔対を生成させる
と、生成した電子と正孔は内部電界により分離されて、
電子はｎ側に、正孔はｐ側に集められ、外部に負荷を接
続するとｐ側からｎ側に向けて電流が流れる。この効果
を利用し、光エネルギーを電気エネルギーに変換する素
子として太陽電池の実用化が進められている。
じており、これに光を当て、電子正孔対を生成させる
と、生成した電子と正孔は内部電界により分離されて、
電子はｎ側に、正孔はｐ側に集められ、外部に負荷を接
続するとｐ側からｎ側に向けて電流が流れる。この効果
を利用し、光エネルギーを電気エネルギーに変換する素
子として太陽電池の実用化が進められている。
【０００３】近年、単結晶、多結晶シリコンなどの直径
１ｍｍ以下の球状の半導体（Ball Semiconductor）上に
回路パターンを形成して半導体素子を製造する技術が開
発されている。
１ｍｍ以下の球状の半導体（Ball Semiconductor）上に
回路パターンを形成して半導体素子を製造する技術が開
発されている。
【０００４】その１つとして、アルミ箔を用いて多数個
の半導体粒子を接続したソーラーアレーの製造方法が提
案されている（特開平６-１３６３３号）。この方法で
は、図５に示すように、第1導電型表皮部と第2導電型内
部を有する半導体粒子２０７をアルミ箔の開口にアルミ
箔２０１の両側から突出するように配置し、片側の表皮
部２０９を除去し、絶縁層２２１を形成する。次に第2
導電型内部２１１の一部およびその上の絶縁層２２１を
除去し、その除去された領域２１７に第2アルミ箔２１
９を結合する。その平坦な領域２１７が導電部としての
第2アルミ箔２１９に対し良好なオーミック接触を提供
するようにしたものである。
の半導体粒子を接続したソーラーアレーの製造方法が提
案されている（特開平６-１３６３３号）。この方法で
は、図５に示すように、第1導電型表皮部と第2導電型内
部を有する半導体粒子２０７をアルミ箔の開口にアルミ
箔２０１の両側から突出するように配置し、片側の表皮
部２０９を除去し、絶縁層２２１を形成する。次に第2
導電型内部２１１の一部およびその上の絶縁層２２１を
除去し、その除去された領域２１７に第2アルミ箔２１
９を結合する。その平坦な領域２１７が導電部としての
第2アルミ箔２１９に対し良好なオーミック接触を提供
するようにしたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような第1導電型表皮部と第2導電型内部を有する半導体
粒子すなわち、ｐｎ接合を持つ球状ダイオードのセルを
敷き詰めた太陽電池では、アセンブリ工程において、電
極となるモジュール基板（上記従来例の第2アルミ箔２
１９）へ上記セルを装着する際に、球状ダイオードを構
成するｐ型シリコン層の露出部とｎ型のシリコン層部分
とが、共に電極となるモジュール基板に接触し、電気的
に短絡しやすいという問題点があった。
ような第1導電型表皮部と第2導電型内部を有する半導体
粒子すなわち、ｐｎ接合を持つ球状ダイオードのセルを
敷き詰めた太陽電池では、アセンブリ工程において、電
極となるモジュール基板（上記従来例の第2アルミ箔２
１９）へ上記セルを装着する際に、球状ダイオードを構
成するｐ型シリコン層の露出部とｎ型のシリコン層部分
とが、共に電極となるモジュール基板に接触し、電気的
に短絡しやすいという問題点があった。
【０００６】さらに、このような従来のアセンブリ工程
においては、生産性が低くコストが高くなってしまうと
いうという問題点があった。
においては、生産性が低くコストが高くなってしまうと
いうという問題点があった。
【０００７】本発明は、上記問題点に鑑み成されたもの
であり、アセンブリ工程における電気的な短絡の問題を
抜本的に解消することができ、生産性が高くコストが大
幅に低減できる太陽電池の製造方法および太陽電池を提
供することを目的とする。
であり、アセンブリ工程における電気的な短絡の問題を
抜本的に解消することができ、生産性が高くコストが大
幅に低減できる太陽電池の製造方法および太陽電池を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１は、少なく
とも表面が第１導電型の半導体層を構成する球状基板表
面に、ｐｎ接合を形成するように形成された第２導電型
の半導体層を有する複数の球状半導体セルを、網目状の
導電性部材上に載置する工程と、前記球状半導体セルを
前記網目状の導電性部材の網目に填り込ませて整列させ
る工程と、前記球状半導体セルと、前記網目状の導電性
部材とを、導電性ペーストで接着する工程と、前記球状
半導体セルの下面を前記第１の半導体層が露呈するまで
研磨する工程と、前記網目状の導電性部材を、露呈した
前記第１の半導体層に接するように導電性部材を貫通さ
せた絶縁部材上に接合する工程と、を含むことを特徴と
する。かかる構成によれば、球状半導体セルを網目状の
導電性部材の網目に填り込ませて整列させ、これを導電
性ペーストで外側電極である網目状の導電性部材に電気
的に接続させると同時に、固定することができる。ま
た、これを一括して研磨することにより、極めて高精度
に内側電極の取り出し部を形成できる。さらに、網目状
の導電性部材の網目部分と、絶縁部材における導電性部
材（内側電極）を貫通させた部分とが、あらかじめ対応
するように形成しておくことができるので、各球状半導
体セルの位置が高精度に整列した太陽電池を、比較的簡
易な方法で製造することができるため、太陽電池のアセ
ンブリ工程における電気的な短絡の問題を抜本的に解消
することができ、かつ、生産性が高くコストが大幅に低
減できる。
とも表面が第１導電型の半導体層を構成する球状基板表
面に、ｐｎ接合を形成するように形成された第２導電型
の半導体層を有する複数の球状半導体セルを、網目状の
導電性部材上に載置する工程と、前記球状半導体セルを
前記網目状の導電性部材の網目に填り込ませて整列させ
る工程と、前記球状半導体セルと、前記網目状の導電性
部材とを、導電性ペーストで接着する工程と、前記球状
半導体セルの下面を前記第１の半導体層が露呈するまで
研磨する工程と、前記網目状の導電性部材を、露呈した
前記第１の半導体層に接するように導電性部材を貫通さ
せた絶縁部材上に接合する工程と、を含むことを特徴と
する。かかる構成によれば、球状半導体セルを網目状の
導電性部材の網目に填り込ませて整列させ、これを導電
性ペーストで外側電極である網目状の導電性部材に電気
的に接続させると同時に、固定することができる。ま
た、これを一括して研磨することにより、極めて高精度
に内側電極の取り出し部を形成できる。さらに、網目状
の導電性部材の網目部分と、絶縁部材における導電性部
材（内側電極）を貫通させた部分とが、あらかじめ対応
するように形成しておくことができるので、各球状半導
体セルの位置が高精度に整列した太陽電池を、比較的簡
易な方法で製造することができるため、太陽電池のアセ
ンブリ工程における電気的な短絡の問題を抜本的に解消
することができ、かつ、生産性が高くコストが大幅に低
減できる。
【０００９】本発明の第２は、前記球状半導体セルの受
光面を反射防止膜により覆う工程を含むことを特徴とす
る。かかる構成によれば、反射による光量の損失を低減
することができ、高効率の太陽電池を製造することがで
きる。
光面を反射防止膜により覆う工程を含むことを特徴とす
る。かかる構成によれば、反射による光量の損失を低減
することができ、高効率の太陽電池を製造することがで
きる。
【００１０】本発明の第３は、複数の球状半導体セルが
網目状の導電性部材の網目に填り込んで整列した状態に
載置され、該球状半導体セルと、前記網目状の導電性部
材とが導電性ペーストで接着され、前記球状半導体セル
の網目を通過した下面に露呈した第１の半導体層が、絶
縁部材を貫通するように形成された導電性部材上に接合
されたことを特徴とする。かかる構成によれば、各球状
半導体セルの位置精度が高精度に整列した太陽電池を得
ることができ、電気的な短絡の問題が抜本的に解消さ
れ、かつ、生産性が高くコストが大幅に低減できる太陽
電池を提供することができる。
網目状の導電性部材の網目に填り込んで整列した状態に
載置され、該球状半導体セルと、前記網目状の導電性部
材とが導電性ペーストで接着され、前記球状半導体セル
の網目を通過した下面に露呈した第１の半導体層が、絶
縁部材を貫通するように形成された導電性部材上に接合
されたことを特徴とする。かかる構成によれば、各球状
半導体セルの位置精度が高精度に整列した太陽電池を得
ることができ、電気的な短絡の問題が抜本的に解消さ
れ、かつ、生産性が高くコストが大幅に低減できる太陽
電池を提供することができる。
【００１１】本発明の第４は、前記球状半導体セルの受
光面が、反射防止膜により覆われたことを特徴とする。
かかる構成によれば、反射による光量の損失を低減する
ことができ、高効率の太陽電池を提供することができ
る。
光面が、反射防止膜により覆われたことを特徴とする。
かかる構成によれば、反射による光量の損失を低減する
ことができ、高効率の太陽電池を提供することができ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る太陽電池の製
造方法及び太陽電池の実施形態について図面を参照して
詳細に説明する。以下の実施形態において、第１導電型
をｐ型、第２導電型をｎ型として、説明を行うが、第１
導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としても同様に製造で
きる。
造方法及び太陽電池の実施形態について図面を参照して
詳細に説明する。以下の実施形態において、第１導電型
をｐ型、第２導電型をｎ型として、説明を行うが、第１
導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としても同様に製造で
きる。
【００１３】本発明の一実施形態に係る太陽電池は、図
１にその全体図、図２にその構成を説明するための分解
構成図を示すように、複数の球状半導体セル１０が網目
状の導電性部材１１の網目に填り込んで整列した状態に
載置されている。
１にその全体図、図２にその構成を説明するための分解
構成図を示すように、複数の球状半導体セル１０が網目
状の導電性部材１１の網目に填り込んで整列した状態に
載置されている。
【００１４】この網目状の導電性部材１１としては、導
電性の金属を使用することが好ましく、金属の種類とし
ては例えば、アルミニウム、ステンレス、モリブデン等
を用いる。この網目状の導電性部材１１を形成する方法
については、例えば、鋳型に金属を流し込む鋳造法や、
金属板から型を打ち抜くプレス法等で形成することがで
きる。
電性の金属を使用することが好ましく、金属の種類とし
ては例えば、アルミニウム、ステンレス、モリブデン等
を用いる。この網目状の導電性部材１１を形成する方法
については、例えば、鋳型に金属を流し込む鋳造法や、
金属板から型を打ち抜くプレス法等で形成することがで
きる。
【００１５】そして、この各球状半導体セル１０と、網
目状の導電性部材１１とが導電性ペースト１６で接着さ
れ、この網目状の導電性部材１１が太陽電池１の外側電
極となっている。この導電性ペースト１６としては、例
えば、半田、銀ペースト、銅ペースト等を用いることが
できる。
目状の導電性部材１１とが導電性ペースト１６で接着さ
れ、この網目状の導電性部材１１が太陽電池１の外側電
極となっている。この導電性ペースト１６としては、例
えば、半田、銀ペースト、銅ペースト等を用いることが
できる。
【００１６】なお、図１、図２においては、網目の形状
が矩形として示されているが、他の形状でもよく、例え
ば、円形とすれば、球状半導体セル１０を導電性ペース
ト１６で接着する際に、ペーストの液だれが少なくでき
る。
が矩形として示されているが、他の形状でもよく、例え
ば、円形とすれば、球状半導体セル１０を導電性ペース
ト１６で接着する際に、ペーストの液だれが少なくでき
る。
【００１７】また、球状半導体セル１０の下面に露呈し
たｐ型多結晶シリコン（第１導電型の半導体層）１４
が、絶縁部材１２を貫通するように、例えば、スクリー
ン印刷、メッキ法等により形成された導電性部材１３と
電気的に接合されている。この絶縁部材１２としては、
例えば、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴ樹脂等を用いた一般
的なプリント基板またはＴＡＢテープ等の絶縁テープを
用いることができる。
たｐ型多結晶シリコン（第１導電型の半導体層）１４
が、絶縁部材１２を貫通するように、例えば、スクリー
ン印刷、メッキ法等により形成された導電性部材１３と
電気的に接合されている。この絶縁部材１２としては、
例えば、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴ樹脂等を用いた一般
的なプリント基板またはＴＡＢテープ等の絶縁テープを
用いることができる。
【００１８】そして、この導電性部材１３が絶縁部材１
２の下面に突出するように形成された太陽電池１の内側
電極１３ａが、各球状半導体セル１０毎に形成されてい
る。
２の下面に突出するように形成された太陽電池１の内側
電極１３ａが、各球状半導体セル１０毎に形成されてい
る。
【００１９】さらに好ましくは、球状半導体セル１０の
受光面が、反射防止膜１７（図１の点線部分）により覆
われた構成とすることもできる。これにより、反射によ
る光量の損失を低減することができ、高効率の太陽電池
となる。
受光面が、反射防止膜１７（図１の点線部分）により覆
われた構成とすることもできる。これにより、反射によ
る光量の損失を低減することができ、高効率の太陽電池
となる。
【００２０】次に、具体的な製造方法の一例を以下説明
する。本発明の一実施形態に係る太陽電池の一部の断面
を用いて、製造方法の各工程を図３および図４に示す。
する。本発明の一実施形態に係る太陽電池の一部の断面
を用いて、製造方法の各工程を図３および図４に示す。
【００２１】まず、本実施形態に用いる球状半導体セル
１０の形成方法の一例について説明する。直径１ｍｍの
ｐ型多結晶シリコン粒またはｐ型アモルファスシリコン
粒を真空中で加熱しつつ落下させ、結晶性の良好なｐ型
多結晶シリコン球（第１導電型半導体層）１４を形成
し、この表面に、フォスフィンを含むシランなどの混合
ガスを用いたＣＶＤ法により、ｎ型多結晶シリコン層
（第２導電型半導体層）１５を形成する。ここでＣＶＤ
工程は細いチューブ内でシリコン球を搬送しながら、所
望の反応温度に加熱されたガスを供給排出することによ
り、薄膜形成を行うものである。
１０の形成方法の一例について説明する。直径１ｍｍの
ｐ型多結晶シリコン粒またはｐ型アモルファスシリコン
粒を真空中で加熱しつつ落下させ、結晶性の良好なｐ型
多結晶シリコン球（第１導電型半導体層）１４を形成
し、この表面に、フォスフィンを含むシランなどの混合
ガスを用いたＣＶＤ法により、ｎ型多結晶シリコン層
（第２導電型半導体層）１５を形成する。ここでＣＶＤ
工程は細いチューブ内でシリコン球を搬送しながら、所
望の反応温度に加熱されたガスを供給排出することによ
り、薄膜形成を行うものである。
【００２２】なお、この工程は、ｐ型多結晶シリコン粒
またはｐ型アモルファスシリコン粒を真空中で加熱しつ
つ落下させながら球状化し、ｐ型多結晶シリコン球１４
を形成するとともに、落下途上で所望のガスと接触させ
ることにより、ｎ型多結晶シリコン層１５を形成する様
にすることも可能である。また、ｐ型多結晶シリコン粒
またはｐ型アモルファスシリコン粒の表面に気相熱拡散
法や、イオン注入法を用いたドーピングにより、ｎ型不
純物拡散層を形成してもよい。
またはｐ型アモルファスシリコン粒を真空中で加熱しつ
つ落下させながら球状化し、ｐ型多結晶シリコン球１４
を形成するとともに、落下途上で所望のガスと接触させ
ることにより、ｎ型多結晶シリコン層１５を形成する様
にすることも可能である。また、ｐ型多結晶シリコン粒
またはｐ型アモルファスシリコン粒の表面に気相熱拡散
法や、イオン注入法を用いたドーピングにより、ｎ型不
純物拡散層を形成してもよい。
【００２３】次に、上述のようにして形成された球状半
導体セル１０を、網目状の導電性部材１１の網目に填り
込ませて整列させる。このとき、多数の球状半導体セル
１０を用いるため、効率よく網目に填り込ませて整列さ
せる方法の好ましい一例としては、網目状の導電性部材
１１の上に、多数の球状半導体セル１０をばらまくよう
に載置し、刷毛等でこのばらまかれた球状半導体セル１
０を掃くようにして、網目状の導電性部材１１の網目に
填り込ませる方法がある。
導体セル１０を、網目状の導電性部材１１の網目に填り
込ませて整列させる。このとき、多数の球状半導体セル
１０を用いるため、効率よく網目に填り込ませて整列さ
せる方法の好ましい一例としては、網目状の導電性部材
１１の上に、多数の球状半導体セル１０をばらまくよう
に載置し、刷毛等でこのばらまかれた球状半導体セル１
０を掃くようにして、網目状の導電性部材１１の網目に
填り込ませる方法がある。
【００２４】また、より好ましい他の一例としては、図
６に示すようなセル吸着治具を使用する方法がある。以
下、この方法について述べる。図６は、セル吸着治具の
断面図（ａ）、底面図（ｂ）である。図６において、セ
ル吸着治具１８は、その底面（図６の（ｂ）参照）に、
網目状の導電性部材１１の網目に合致するような寸法
で、球状半導体セル１０を収容する複数の凹部１９が設
けられている。
６に示すようなセル吸着治具を使用する方法がある。以
下、この方法について述べる。図６は、セル吸着治具の
断面図（ａ）、底面図（ｂ）である。図６において、セ
ル吸着治具１８は、その底面（図６の（ｂ）参照）に、
網目状の導電性部材１１の網目に合致するような寸法
で、球状半導体セル１０を収容する複数の凹部１９が設
けられている。
【００２５】そして、球状半導体セル１０を吸引装置
（図示せず）によって吸引して、この凹部１９に収容さ
せて、吸引させた状態のまま、網目状の導電性部材１１
の網目内に球状半導体セル１０を填め込み、吸引装置を
止めて載置させる。以上の方法を用いて、球状半導体セ
ル１０を図３の（ａ）に示す網目状の導電性部材１１の
網目に填り込ませて整列させた状態が図３の（ｂ）であ
る。
（図示せず）によって吸引して、この凹部１９に収容さ
せて、吸引させた状態のまま、網目状の導電性部材１１
の網目内に球状半導体セル１０を填め込み、吸引装置を
止めて載置させる。以上の方法を用いて、球状半導体セ
ル１０を図３の（ａ）に示す網目状の導電性部材１１の
網目に填り込ませて整列させた状態が図３の（ｂ）であ
る。
【００２６】次に、図３の（ｃ）に示すように、球状半
導体セル１０と、前記網目状の導電性部材１１とを、導
電性ペースト１６で接着する。これにより、網目状の導
電性部材１１が太陽電池の外側電極となる。
導体セル１０と、前記網目状の導電性部材１１とを、導
電性ペースト１６で接着する。これにより、網目状の導
電性部材１１が太陽電池の外側電極となる。
【００２７】次に、図３の（ｄ）に示すように、球状半
導体セル１０から、グラインディングにより、一部領域
のｐ型多結晶シリコン１４が露呈するまで、ｎ型多結晶
シリコン層１５を除去する。ここでは、網目状の導電性
部材１１に球状半導体セル１０を填め込み、導電性ペー
スト１６等で固定して、球状半導体セル１０を一体的に
保持してグラインディング装置に接触せしめグラインデ
ィングを行うようにしているため、平坦で、均一な露呈
面を得ることが可能となる。このグラインディングの際
に、前述のセル吸着治具１８を用いて、球状半導体セル
１０を吸着させた状態でグラインディングさせてもよ
く、これにより、より確実にグラインディングを行うこ
とができる。
導体セル１０から、グラインディングにより、一部領域
のｐ型多結晶シリコン１４が露呈するまで、ｎ型多結晶
シリコン層１５を除去する。ここでは、網目状の導電性
部材１１に球状半導体セル１０を填め込み、導電性ペー
スト１６等で固定して、球状半導体セル１０を一体的に
保持してグラインディング装置に接触せしめグラインデ
ィングを行うようにしているため、平坦で、均一な露呈
面を得ることが可能となる。このグラインディングの際
に、前述のセル吸着治具１８を用いて、球状半導体セル
１０を吸着させた状態でグラインディングさせてもよ
く、これにより、より確実にグラインディングを行うこ
とができる。
【００２８】次に、図４の（ｅ）に示すように、網目状
の導電性部材１１を、露呈したｐ型多結晶シリコン１４
に接するように導電性部材１３を貫通させた絶縁部材１
２上に接合する。このときに、前述のセル吸着治具１８
を用いて、球状半導体セル１０を吸着させた状態で接合
させてもよく、これにより、球状半導体セル１０と、導
電性部材１３との位置合わせを容易にでき、より確実に
絶縁部材１２に接合することができる。
の導電性部材１１を、露呈したｐ型多結晶シリコン１４
に接するように導電性部材１３を貫通させた絶縁部材１
２上に接合する。このときに、前述のセル吸着治具１８
を用いて、球状半導体セル１０を吸着させた状態で接合
させてもよく、これにより、球状半導体セル１０と、導
電性部材１３との位置合わせを容易にでき、より確実に
絶縁部材１２に接合することができる。
【００２９】この絶縁部材１２における導電性部材１３
を貫通させた部分は、網目状の導電性部材１１の網目の
ピッチにあわせて、あらかじめ対応するように形成して
ある。そして、各球状半導体セル１０毎に対応したこの
導電性部材１３は、絶縁部材１２の下面に突出するよう
に形成されており、この突出部分が太陽電池の内側電極
１３ａとなる。
を貫通させた部分は、網目状の導電性部材１１の網目の
ピッチにあわせて、あらかじめ対応するように形成して
ある。そして、各球状半導体セル１０毎に対応したこの
導電性部材１３は、絶縁部材１２の下面に突出するよう
に形成されており、この突出部分が太陽電池の内側電極
１３ａとなる。
【００３０】さらに好ましくは、図４の（ｆ）に示すよ
うに、この球状半導体セル１０の受光面（上面）を覆う
ように、例えば蒸着法等を用いて、0.1〜1.0μｍ程度の
反射防止膜１７を形成することにより、反射による光量
の損失を低減することができ、高効率の太陽電池を製造
することができる。この反射防止膜１７の材質として
は、例えば、ＳiＯ2 、ＳＮＯ2 、Ｓi3Ｎ 4等が用いら
れる。
うに、この球状半導体セル１０の受光面（上面）を覆う
ように、例えば蒸着法等を用いて、0.1〜1.0μｍ程度の
反射防止膜１７を形成することにより、反射による光量
の損失を低減することができ、高効率の太陽電池を製造
することができる。この反射防止膜１７の材質として
は、例えば、ＳiＯ2 、ＳＮＯ2 、Ｓi3Ｎ 4等が用いら
れる。
【００３１】以上に述べた製造方法の一例により、図１
に示すような太陽電池が形成される。
に示すような太陽電池が形成される。
【００３２】
【発明の効果】以上詳記したように、本発明に係る太陽
電池の製造方法及び太陽電池によれば、太陽電池のアセ
ンブリ工程における電気的な短絡の問題を抜本的に解消
することができ、高品質で歩留まりの良い製造方法及び
太陽電池を提供することができる。また、本発明の製造
方法によれば、コスト低減のための生産性向上ができ
る。
電池の製造方法及び太陽電池によれば、太陽電池のアセ
ンブリ工程における電気的な短絡の問題を抜本的に解消
することができ、高品質で歩留まりの良い製造方法及び
太陽電池を提供することができる。また、本発明の製造
方法によれば、コスト低減のための生産性向上ができ
る。
【図１】本発明に係る太陽電池の全体図である。
【図２】本発明に係る太陽電池の構成を説明するための
分解構成図である。
分解構成図である。
【図３】本発明に係る太陽電池の製造方法を説明する製
造工程図である。
造工程図である。
【図４】本発明に係る太陽電池の製造方法を説明する製
造工程図である。
造工程図である。
【図５】従来例の太陽電池を示す図である。
【図６】セル吸着治具の断面図（ａ）、底面図（ｂ）で
ある。
ある。
１ 太陽電池
１０ 球状半導体セル
１１ 網目状の導電性部材（外側電極）
１２ 絶縁部材
１３ 導電性部材
１３ａ 内側電極
１４ ｐ型多結晶シリコン（第１導電型の半導体層）
１５ ｎ型多結晶シリコン（第２導電型の半導体層）
１６ 導電性ペースト
１７ 反射防止膜
１８ セル吸着治具
１９ 凹部
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−335925（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−162434（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−36997（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−13633（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−125210（ＪＰ，Ａ)
特開2000−22184（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/04 - 31/078
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも表面が第１導電型の半導体層
を構成する球状基板表面に、ｐｎ接合を形成するように
形成された第２導電型の半導体層を有する複数の球状半
導体セルを、網目状の導電性部材上に載置する工程と、 前記球状半導体セルを前記網目状の導電性部材の網目に
填り込ませて整列させる工程と、 前記球状半導体セルと、前記網目状の導電性部材とを、
導電性ペーストで接着する工程と、 前記球状半導体セルの下面を前記第１の半導体層が露呈
するまで研磨する工程と、 前記網目状の導電性部材を、露呈した前記第１の半導体
層に接するように導電性部材を貫通させた絶縁部材上に
接合する工程と、を含むことを特徴とする太陽電池の製
造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の太陽電池の製造方法に
おいて、前記球状半導体セルの受光面を反射防止膜によ
り覆う工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方
法。 - 【請求項３】複数の球状半導体セルが網目状の導電性部
材の網目に填り込んで整列した状態に載置され、該球状
半導体セルと、前記網目状の導電性部材とが導電性ペー
ストで接着され、前記球状半導体セルの網目を通過した
下面に露呈した第１の半導体層が、絶縁部材を貫通する
ように形成された導電性部材上に接合されたことを特徴
とする太陽電池。 - 【請求項４】 請求項３に記載の太陽電池において、前
記球状半導体セルの受光面が、反射防止膜により覆われ
たことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000081636A JP3436723B2 (ja) | 2000-03-23 | 2000-03-23 | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
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| JP3436723B2 true JP3436723B2 (ja) | 2003-08-18 |
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-
2000
- 2000-03-23 JP JP2000081636A patent/JP3436723B2/ja not_active Expired - Fee Related
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